テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 IHM-Aモジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール3diode内蔵 IHM-AmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A 一般応用 • ハイパワーコンバータ • 中圧コンバータ • モーター駆動 • 電鉄駆動 • 風力タービン TypicalApplications • Highpowerconverters • Mediumvoltageconverters • Motordrives • Tractiondrives • Windturbines 電気的特性 • 拡張された動作温度Tvjop • 低VCEsat飽和電圧 • Tvjop=150°C • 回制動作用大容量diode ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • LowVCEsat • Tvjop=150°C • Enlargeddiodeforregenerativeoperation 機械的特性 • 4kVAC1分 絶縁耐圧 • サーマルサイクル耐量を増加するAlSiCベースプレート MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • Standardhousing • 高いパワー/サーマルサイクル耐量 • 高いパワー密度 • 標準ハウジング ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1700 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 800 1200 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1600 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Ptot 4,85 kW VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,80 2,10 2,20 2,20 2,60 2,70 V V V 5,80 6,40 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 8,30 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,9 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,0 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,10 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH VGE = ±15 V RGon = 0,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,20 0,59 0,63 0,64 µs µs µs 0,14 0,16 0,16 µs µs µs 1,00 1,15 1,15 µs µs µs 0,32 0,50 0,55 µs µs µs Eon 145 215 245 mJ mJ mJ IC = 800 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 255 330 365 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 3400 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 2 25,7 K/kW 22,8 -40 K/kW 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 最大損失 Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C 最小ターンオン時間 Minimumturn-ontime VRRM 1700 V IF 800 A IFRM 1600 A I²t 240 210 PRQM 1200 kW ton min 10,0 µs 電気的特性/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,55 1,60 1,65 2,00 2,05 2,10 IF = 800 A, - diF/dt = 5600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1000 1150 1200 A A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 5600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 240 410 450 µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 5600 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 160 280 325 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 順電圧 Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 3 V V V 36,8 K/kW 30,0 -40 K/kW 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate kV 4,0 AlSiC 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AlN 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 15,0 15,0 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 10,0 mm > 250 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI min. 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature 20 nH RCC'+EE' 0,33 mΩ Tstg -40 125 °C 4,25 5,75 Nm 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジM8 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M G preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 4 max. LsCE 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 質量 Weight typ. 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1050 g テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 1600 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 1400 1000 1000 IC [A] 1200 IC [A] 1200 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 VGE = 20 V VGE = 15 V VGE = 12 V VGE = 10 V VGE = 9 V VGE = 8 V 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=900V 1600 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 750 700 650 1200 600 550 500 E [mJ] IC [A] 1000 800 600 450 400 350 300 250 400 200 150 200 100 50 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 5 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=800A,VCE=900V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 1100 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 1000 ZthJC : IGBT 900 800 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 700 600 500 1 400 300 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 4,219 15,08 4,624 1,783 τi[s]: 0,002 0,045 0,539 6,941 200 100 0,1 0,001 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 RG [Ω] 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=150°C 0,1 t [s] 1 10 ゲート充電特性IGBT- インバータ（典型) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=800A,Tvj=25°C 2000 15 IC, Modul IC, Chip 1800 VCC = 900 V 13 11 1600 9 7 1400 5 3 IC [A] VGE [V] 1200 1000 800 1 -1 -3 -5 600 -7 400 -9 -11 200 0 0,01 -13 0 200 400 600 -15 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 6 0 1 2 3 4 5 QG [µC] 6 7 8 9 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.8Ω,VCE=900V 1600 450 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1400 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 400 1000 300 E [mJ] 350 IF [A] 1200 800 250 600 200 400 150 200 100 0 50 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=900V 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 350 100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 300 E [mJ] ZthJC [K/kW] 250 200 10 150 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 6,699 22,012 6,296 1,796 τi[s]: 0,002 0,05 0,427 7,014 100 0 1 2 3 4 RG [Ω] 5 6 7 1 0,001 8 preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 安全動作領域Diode、インバータ(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 1800 IR, Modul 1600 1400 1200 IR [A] 1000 800 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 8 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 回路図/Circuitdiagram パッケージ概要/Packageoutlines preparedby:WB dateofpublication:2016-03-09 approvedby:IB revision:V3.1 9 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FF800R17KP4_B2 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved. この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 重要事項 本文書に記載された情報は、いかなる場合も、条件または特性の保証とみなされるものではありません（「品質の保証」）。本文に記 された一切の事例、手引き、もしくは一般的価値、および／または本製品の用途に関する一切の情報に関し、インフィニオンテクノロジ ーズ（以下、「インフィニオン」）はここに、第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず、あらゆる種類の一切の保証およ び責任を否定いたします。 さらに、本文書に記載された一切の情報は、お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し、本文 書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件、規範、および基準をお客様が遵守することを条件としています。 本文書に含まれるデータは、技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています。本製品の対象用途への適合性、およびこれら用途 に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は、お客様の技術部門の責任にて実施してください。 本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください （www.infineon.com）。 警告事項 技術的要件に伴い、製品には危険物質が含まれる可能性があります。当該種別の詳細については、インフィニオンの最寄りの営業所ま でお問い合わせください。 インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ、インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き、インフィニオンの製品は、 当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が、合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできない こと予めご了承ください Terms&Conditionsofusage IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. 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