日本語版

±15 kV ESD保護機能付の
信号および電源絶縁型RS-485トランシーバ
ADM2582E/ADM2587E
機能ブロック図
特長
VCC
VISOOUT
isoPower DC-TO-DC CONVERTER
OSCILLATOR
RECTIFIER
VISOIN
REGULATOR
DIGITAL ISOLATION iCoupler
TRANSCEIVER
Y
TxD
DECODE
ENCODE
D
Z
DE
ENCODE
DECODE
RxD
DECODE
ENCODE
A
R
B
ADM2582E/ADM2587E
RE
GND1
ISOLATION
BARRIER
GND2
08111-001
半二重または全二重に設定可能な絶縁型 RS-485/RS-422 トラン
シーバ
isoPower® 内蔵の絶縁型 DC/DC コンバータ
±15 kV ESD 保護機能付きの RS-485 入力/出力ピン
ANSI/TIA/EIA-485-A-98 と ISO 8482:1987(E)に準拠
ADM2582E データレート: 16 Mbps
ADM2587E データレート: 500 kbps
5 V または 3.3 V 動作
1 本のバスに最大 256 ノード接続可能
断線/短絡でフェイルセーフなレシーバ入力
高い同相モード・トランジェント耐性: 25 kV/µs 以上
サーマル・シャットダウン保護機能を内蔵
安全性規制の認定
UL 認定: 2,500 V rms 1 分間の UL 1577 規格
安全性規制の認定
VDE の適合性認定済み
DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884 Rev. 2): 2003-01
VIORM = 560 V peak
動作温度範囲: −40°C～+85°C
高集積度の 20 ピン SOIC ワイド・ボディ・パッケージを採用
図 1.
アプリケーション
絶縁型 RS-485/RS-422 インターフェース
工業用回路
マルチポイント・データ伝送システム
概要
ADM2582E/ADM2587E は、±15 kV の ESD 保護を持つフル統合
の信号および電源絶縁型データ・トランシーバで、マルチポイ
ント伝送線を使った高速通信に適しています。
ADM2582E/ADM2587E は、外付け DC/DC アイソレーション・
ブロックを不要にする絶縁型 DC/DC 電源を内蔵しています。
平衡伝送線向けにデザインされ、ANSI/TIA/EIA-485-A-98 と ISO
8482:1987(E)に準拠しています。
両デバイスはアナログ・デバイセズの iCoupler®技術を採用して、
3 チャンネル・アイソレータ、スリー・ステート差動ライン・
ドライバ、差動入力レシーバ、アナログ・デバイセズの
isoPower DC/DC コンバータをシングル・パッケージに組込んだ
ものです。これらのデバイスは 5 V または 3.3 V の単電源で動作
し、フル統合された信号および電源絶縁型 RS-485 ソリューショ
ンを実現しています。
Rev. B
ADM2582E/ADM2587E ドライバはアクティブ・ハイのイネーブ
ルを持っています。アクティブ・ローのレシーバ・イネーブル
も持っており、ディスエーブル時にレシーバ出力をハイ・イン
ピーダンス状態にします。
これらのデバイスは、電流制限機能とサーマル・シャットダウ
ン機能も持っているため、出力の短絡とバス輻輳時に消費電力
が大きくならないように保護されています。これらのデバイス
は工業温度範囲仕様であり、高集積度 20 ピンのワイド・ボディ
SOIC パッケージを採用しています。
ADM2582E/ADM2587E は、トランスを介して電力を転送するた
めに高周波スイッチング・エレメントを使う isoPower 技術を採
用しています。プリント回路ボード(PCB)のレイアウトでは、ノ
イズ放出規格を満たすように特別な注意が必要です。ボード・
レイアウトの詳細については、アプリケーション・ノート AN0971 「Control of Radiated Emissions with isoPower Devices、for
details on board layout considerations」を参照してください。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に
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本
ADM2582E/ADM2587E
目次
特長......................................................................................................1
スイッチング特性............................................................................ 13
アプリケーション ..............................................................................1
回路説明............................................................................................ 14
機能ブロック図 ..................................................................................1
信号アイソレーション............................................................................ 14
概要......................................................................................................1
電源アイソレーション............................................................................ 14
改訂履歴..............................................................................................2
真理値表....................................................................................................... 14
仕様......................................................................................................3
サーマル・シャットダウン ................................................................... 14
ADM2582E タイミング仕様..................................................................... 4
断線/短絡でフェイルセーフなレシーバ入力 ................................... 14
ADM2587E タイミング仕様..................................................................... 4
DC 精度と磁界耐性 .................................................................................. 15
ADM2582E/ADM2587E パッケージ特性............................................... 4
アプリケーション情報 .................................................................... 16
ADM2582E/ADM2587E 規制について................................................... 5
PCB レイアウト......................................................................................... 16
ADM2582E/ADM2587E の絶縁および安全性関連の仕様................ 5
EMI の注意事項 ......................................................................................... 16
ADM2582E/ADM2587E の VDE 0884 絶縁特性 ................................... 5
絶縁寿命....................................................................................................... 16
絶対最大定格 ......................................................................................6
絶縁型電源の注意事項............................................................................ 17
ESD の注意.................................................................................................... 6
代表的なアプリケーション ................................................................... 19
ピン配置およびピン機能説明 ..........................................................7
外形寸法............................................................................................ 20
代表的な性能特性 ..............................................................................8
オーダー・ガイド..................................................................................... 20
テスト回路........................................................................................12
改訂履歴
3/11—Rev. A to Rev. B
Removed Pending from Safety and Regulatory
Approvals ............................................................................ Throughout
Changed Minimum External Air Gap (Clearance) Value and
Minimum External Tracking (Creepage) Value ....................................5
Added Text to the ADM2582E/ADM2587E VDE 0884
Insulation Characteristics Section ........................................................5
9/10—Rev. 0 to Rev. A
Changes to Features Section.................................................................1
Changes to Differential Output Voltage、Loaded Parameter、
Table 1 ..................................................................................................3
Changes to Table 5 ...............................................................................5
Added Table 6; Renumbered Sequentially............................................5
Change to Pin 8 Description、Table 11................................................7
Changes to Figure 5 and Figure 6.........................................................8
Changes to Table 13 and Table 14 ......................................................14
9/09—Revision 0: Initial Version
Rev. B
－ 2/20 －
ADM2582E/ADM2587E
仕様
すべての電圧はそれぞれのグラウンドを基準とします。3.0 ≤ VCC ≤ 5.5 V。特に指定のない限り、すべての最小/最大仕様は推奨動作範囲に
適用。特に指定のない限り、すべての typ 仕様は、TA = 25°C、VCC = 5 V で規定します。
表 1.
Parameter
Symbol
ADM2587E SUPPLY CURRENT
Data Rate ≤ 500 kbps
ICC
ADM2582E SUPPLY CURRENT
Data Rate = 16 Mbps
ICC
ISOLATED SUPPLY VOLTAGE
VISOUT
DRIVER
Differential Outputs
Differential Output Voltage, Loaded
|VOD2|
Δ|VOD| for Complementary Output States
Common-Mode Output Voltage
Δ|VOC| for Complementary Output States
Short-Circuit Output Current
Output Leakage Current (Y, Z)
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
120
mA
mA
mA
mA
mA
VCC = 3.3 V, 100 Ω load between Y and Z
VCC = 5 V, 100 Ω load between Y and Z
VCC = 3.3 V, 54 Ω load between Y and Z
VCC = 5 V, 54 Ω load between Y and Z
120 Ω load between Y and Z
150
230
mA
mA
120 Ω load between Y and Z
54 Ω load between Y and Z
3.6
3.6
3.6
0.2
3.0
0.2
200
30
V
V
V
V
V
V
mA
µA
RL = 100 Ω (RS-422), see Figure 23
RL = 54 Ω (RS-485), see Figure 23
−7 V ≤ VTEST1 ≤ 12 V, see Figure 24
RL = 54 Ω or 100 Ω, see Figure 23
RL = 54 Ω or 100 Ω, see Figure 23
RL = 54 Ω or 100 Ω, see Figure 23
90
72
125
98
|VOD3|
Δ|VOD|
VOC
Δ|VOC|
IOS
IO
3.3
2.0
1.5
1.5
−30
µA
DE = 0 V, RE = 0 V, VCC = 0 V or 3.6 V,
VIN = 12 V
DE = 0 V, RE = 0 V, VCC = 0 V or 3.6 V,
VIN = −7 V
Logic Inputs DE, RE, TxD
Input Threshold Low
VIL
Input Threshold High
VIH
Input Current
II
−10
VTH
VHYS
II
−200
RECEIVER
Differential Inputs
Differential Input Threshold Voltage
Input Voltage Hysteresis
Input Current (A, B)
Line Input Resistance
Logic Outputs
Output Voltage Low
Output Voltage High
Short-Circuit Current
COMMON-MODE TRANSIENT IMMUNITY 1
1
0.3 × VCC
V
DE, RE, TxD
0.7 × VCC
V
DE, RE, TxD
0.01
10
µA
DE, RE, TxD
−125
15
−30
mV
mV
µA
µA
kΩ
−7 V < VCM < +12 V
VOC = 0 V
DE = 0 V, VCC = 0 V or 3.6 V, VIN = 12 V
DE = 0 V, VCC = 0 V or 3.6 V, VIN = −7 V
−7 V < VCM < +12 V
V
V
mA
IO = 1.5 mA, VA − VB = −0.2 V
IO = −1.5 mA, VA − VB = 0.2 V
kV/µs
VCM = 1 kV, transient magnitude = 800 V
125
RIN
−100
96
VOL
VOH
VCC − 0.3
0.2
VCC − 0.2
0.4
100
25
CM は、仕様に準拠した動作をしている間に維持できる同相モード電圧の最大スルーレートです。 VCM は、ロジック側とバス側との間の同相モード電位差です。 過
渡電圧振幅は、同相モードの平衡が失われる範囲を表します。 同相モード電圧スルーレートは、立上がりと立下がりの両同相モード電圧エッジに適用されます。
Rev. B
－ 3/20 －
ADM2582E/ADM2587E
ADM2582E タイミング仕様
TA = −40°C～+85°C。
表 2.
Parameter
Symbol
DRIVER
Maximum Data Rate
Propagation Delay, Low to High
Propagation Delay, High to Low
Output Skew
Rise Time/Fall Time
Enable Time
Disable Time
RECEIVER
Propagation Delay, Low to High
Propagation Delay, High to Low
Output Skew 1
Enable Time
Disable Time
1
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
tDPLH
tDPHL
tSKEW
tDR, tDF
tZL, tZH
tLZ, tHZ
63
64
1
100
100
8
15
120
150
Mbps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
RL = 54 Ω, CL1 = C L2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 54 Ω, CL1 = C L2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 54 Ω, CL1 = CL2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 54 Ω, CL1 = CL2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, see Figure 26 and Figure 31
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, see Figure 26 and Figure 31
tRPLH
tRPHL
tSKEW
tZL, tZH
tLZ, tHZ
94
95
1
110
110
12
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
CL = 15 pF, see Figure 27 and Figure 30
CL = 15 pF, see Figure 27 and Figure 30
CL = 15 pF, see Figure 27 and Figure 30
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, see Figure 28 and Figure 32
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, see Figure 28 and Figure 32
Typ
Max
Unit
Test Conditions
503
510
7
700
700
100
1100
2.5
200
kbps
ns
ns
ns
ns
µs
ns
RL = 54 Ω, CL1 = C L2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 54 Ω, CL1 = C L2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 54 Ω, CL1 = CL2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 54 Ω, CL1 = CL2 = 100 pF, see Figure 25 and Figure 29
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, see Figure 26 and Figure 31
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, see Figure 26 and Figure 31
91
95
4
200
200
30
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
CL = 15 pF, see Figure 27 and Figure 30
CL = 15 pF, see Figure 27 and Figure 30
CL = 15 pF, see Figure 27 and Figure 30
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, see Figure 28 and Figure 32
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, see Figure 28 and Figure 32
16
デザインで保証します。
ADM2587E タイミング仕様
TA = −40°C～+85°C。
表 3.
Parameter
Symbol
DRIVER
Maximum Data Rate
Propagation Delay, Low to High
Propagation Delay, High to Low
Output Skew
Rise Time/Fall Time
Enable Time
Disable Time
tDPLH
tDPHL
tSKEW
tDR, tDF
tZL, tZH
tLZ, tHZ
RECEIVER
Propagation Delay, Low to High
Propagation Delay, High to Low
Output Skew
Enable Time
Disable Time
tRPLH
tRPHL
tSKEW
tZL, tZH
tLZ, tHZ
Min
500
250
250
200
ADM2582E/ADM2587E パッケージ特性
表 4.
Parameter
Symbol
Resistance (Input-to-Output) 1
Capacitance (Input-to-Output)1
Input Capacitance 2
Input IC Junction-to-Case Thermal Resistance
RI-O
CI-O
CI
θJCI
1012
3
4
33
Ω
pF
pF
°C/W
Output IC Junction-to-Case Thermal Resistance
θJCO
28
°C/W
1
2
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
f = 1 MHz
Thermocouple located at center of
package underside
Thermocouple located at center of
package underside
デバイスは 2 ピン・デバイスと見なします。 すなわち、ピン 1～ピン 10 を相互に接続し、ピン 11～ピン 20 を相互に接続します。
入力容量は任意の入力データ・ピンとグラウンド間で測定。
Rev. B
－ 4/20 －
ADM2582E/ADM2587E
ADM2582E/ADM2587E 規制について
表 5.ADM2582E/ADM2587E 認定
Organization
Approval Type
Notes
UL
Recognized under the Component
Recognition Program of Underwriters
Laboratories, Inc.
In accordance with UL 1577, each ADM2582E/ADM2587E is proof tested
by applying an insulation test voltage ≥ 3000 V rms for 1 second.
表 6.ADM2582E/ADM2587E 認定
Organization
Approval Type
Notes
VDE
To be certified according to
DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884 Rev. 2): 2003-01
In accordance with DIN EN 60747-5-2, each ADM2582E/ADM2587E is proof tested
by applying an insulation test voltage ≥ 1050 VPEAK for 1 second.
ADM2582E/ADM2587Eの絶縁および安全性関連の仕様
表 7.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Conditions
Rated Dielectric Insulation Voltage
Minimum External Air Gap (Clearance)
L(I01)
2500
7.7
V rms
mm
Minimum External Tracking (Creepage)
L(I02)
7.6
mm
Minimum Internal Gap (Internal Clearance)
Tracking Resistance (Comparative Tracking Index)
Isolation Group
CTI
0.017 min
>175
IIIa
mm
V
1-minute duration
Measured from input terminals to output terminals,
shortest distance through air
Measured from input terminals to output terminals,
shortest distance along body
Insulation distance through insulation
DIN IEC 112/VDE 0303-1
Material Group (DIN VDE 0110: 1989-01, Table 1)
ADM2582E/ADM2587E のVDE 0884 絶縁特性
このアイソレータは、安全性制限値データ以内での基本的な電気的アイソレーションに対して有効です。安全性データの維持は、保護回
路を使って確実にする必要があります。
パッケージ表面の*マークは、VDE 0884 Rev. 2 認定済みであることを表示します。
表 8.
Description
CLASSIFICATIONS
Installation Classification per DIN VDE 0110 for
Rated Mains Voltage
≤150 V rms
≤300 V rms
≤400 V rms
Climatic Classification
Pollution Degree
VOLTAGE
Maximum Working Insulation Voltage
Input-to-Output Test Voltage
Method b1
Method a
After Environmental Tests, Subgroup 1
After Input and/or Safety Test,
Subgroup 2/Subgroup 3
Highest Allowable Overvoltage
SAFETY-LIMITING VALUES
Case Temperature
Input Current
Output Current
Conditions
Symbol
Characteristic
Unit
I to IV
I to III
I to II
40/85/21
2
DIN VDE 0110, see Table 1
VIORM
VPR
560
V peak
VIORM × 1.875 = VPR, 100% production tested,
tm = 1 sec, partial discharge < 5 pC
1050
V peak
VIORM × 1.6 = VPR, tm = 60 sec, partial discharge < 5 pC
VIORM × 1.2 = VPR, tm = 60 sec, partial discharge < 5 pC
896
672
V peak
V peak
VTR
4000
V peak
TS
IS, INPUT
IS,
150
265
335
°C
mA
mA
>109
Ω
Transient overvoltage, tTR = 10 sec
Maximum value allowed in the event of a failure
OUTPUT
Insulation Resistance at TS
Rev. B
VIO = 500 V
RS
－ 5/20 －
ADM2582E/ADM2587E
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA = 25°C。すべての電圧はそれぞれのグ
ラウンドを基準とします。
表 10.最大連続動作電圧 1
Parameter
Max
Unit
Reference Standard
表 9.
AC Voltage
Bipolar Waveform
424
V peak
50-year minimum
lifetime
Unipolar Waveform
Basic Insulation
600
V peak
560
V peak
Maximum approved
working voltage per
IEC 60950-1 (pending)
Maximum approved
working voltage per
IEC 60950-1 and
VDE V 0884-10
(pending)
Basic Insulation
600
V peak
Reinforced Insulation
560
V peak
Parameter
Rating
VCC
Digital Input Voltage (DE, RE, TxD)
−0.5 V to +7 V
Digital Output Voltage (RxD)
−0.5 V to VDD + 0.5 V
Driver Output/Receiver Input Voltage
−9 V to +14 V
Operating Temperature Range
−40°C to +85°C
Storage Temperature Range
ESD (Human Body Model) on
A, B, Y, and Z pins
−55°C to +150°C
±15 kV
ESD (Human Body Model) on Other Pins
±2 kV
−0.5 V to VDD + 0.5 V
Reinforced Insulation
DC Voltage
Lead Temperature
Soldering (10 sec)
260°C
Vapor Phase (60 sec)
215°C
Infrared (15 sec)
220°C
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは
ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ
イスの信頼性に影響を与えます。
1
Maximum approved
working voltage per
IEC 60950-1(pending)
Maximum approved
working voltage per
IEC 60950-1 and
VDE V 0884-10
(pending)
アイソレーション障壁に加わる連続電圧の大きさを意味します。詳細につい
ては、絶縁寿命のセクションを参照してください。
ESDの注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
Rev. B
－ 6/20 －
ADM2582E/ADM2587E
ピン配置およびピン機能説明
GND1 1
20 GND2
VCC 2
RxD 4
RE 5
DE 6
TxD
7
VCC 8
19 VISOIN
ADM2582E
ADM2587E
18 A
17 B
16 GND2
TOP VIEW
(Not to Scale) 15 Z
14 GND2
13 Y
GND1 9
12 VISOOUT
GND1 10
11 GND2
NOTES
1. PIN 12 AND PIN 19 MUST BE
CONNECTED EXTERNALLY.
08111-002
GND1 3
図 2.ピン配置
表 11.ピン機能の説明
ピン
番号
記号
説明
1
GND1
グラウンド(ロジック側)。
2
VCC
電源、ロジック側。ピン 2 とピン 1 の間に 0.1 µF と 10 µF のデカップリング・コンデンサを接続することが推奨され
ます。
3
GND1
グラウンド(ロジック側)。
4
RxD
レシーバの出力データ。この出力は(A - B) > 200 mVのときハイ・レベルに、(A - B) < -200 mVのとき、ロー・レベルに
それぞれなります。レシーバがディスエーブルされたとき、すなわちREがハイ・レベルに駆動されたとき、この出力
はスリー・ステート状態になります。
5
RE
レシーバのイネーブル入力。アクティブ・ロー入力。この入力をロー・レベルにするとレシーバがイネーブルされ、
ハイ・レベルにするとレシーバがディスエーブルされます。
6
DE
ドライバのイネーブル入力。この入力をハイ・レベルにするとドライバがイネーブルされ、ロー・レベルにするとド
ライバがディスエーブルされます。
7
TxD
ドライバ入力。ドライバから送信するデータがこの入力に入力されます。
8
VCC
電源、ロジック側。ピン 8 とピン 9 の間に 0.1 µF と 0.01 µF のデカップリング・コンデンサを接続することが推奨され
ます。
9
GND1
グラウンド(ロジック側)。
10
GND1
グラウンド(ロジック側)。
11
GND2
グラウンド、バス側。
12
VISOOUT
絶縁電源出力。このピンは、外部で VISOIN へ接続する必要があります。ピン 12 とピン 11 の間に 10 µF のリザーバ・コ
ンデンサと 0.1 µF のデカップリング・コンデンサを接続することが推奨されます。
13
Y
ドライバ非反転出力。
14
GND2
グラウンド、バス側。
15
Z
ドライバ反転出力。
16
GND2
グラウンド、バス側。
17
B
レシーバ反転入力。
18
A
レシーバ非反転入力。
19
VISOIN
絶縁型電源入力。このピンは、外部で VISOOUT へ接続する必要があります。ピン 19 とピン 20 の間に 0.1 µF と 0.01 µF
のデカップリング・コンデンサを接続することが推奨されます。
20
GND2
グラウンド、バス側。
Rev. B
－ 7/20 －
ADM2582E/ADM2587E
代表的な性能特性
180
140
120
RL = 54Ω
140
SUPPLY CURRENT, ICC (mA)
120
RL = 120Ω
100
80
NO LOAD
60
40
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
80
RL = 120Ω
60
40
NO LOAD
0
–40
08111-103
–15
図 3.ADM2582E 電源電流 (ICC)の温度特性
(データレート = 16 Mbps、DE = 3.3 V、VCC = 3.3 V)
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
図 6.ADM2587E 電源電流 (ICC)の温度特性
(データレート = 500 kbps、DE = 3.3 V、VCC = 3.3 V)
140
72
70
DRIVER PROPAGATION DELAY (ns)
RL = 54Ω
120
SUPPLY CURRENT, ICC (mA)
100
20
20
0
–40
RL = 54Ω
08111-105
SUPPLY CURRENT, ICC (mA)
160
100
RL = 120Ω
80
60
NO LOAD
40
20
68
66
64
tDPHL
62
tDPLH
60
58
56
54
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
50
–40
08111-104
–15
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
08111-107
52
0
–40
図 7.ADM2582E 差動ドライバ伝搬遅延の温度特性
図 4.ADM2582E 電源電流 (ICC)の温度特性
(データレート = 16 Mbps、DE = 5 V、VCC = 5 V)
600
120
DRIVER PROPAGATION DELAY (ns)
580
RL = 54Ω
80
RL = 120Ω
60
40
NO LOAD
540
tDPLH
520
tDPHL
500
480
460
440
420
20
400
–40
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
08111-106
0
–40
560
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
図 8.ADM2587E 差動ドライバ伝搬遅延の温度特性
図 5.ADM2587E 電源電流 (ICC)の温度特性
(データレート = 500 kbps、DE = 5 V、VCC = 5 V)
Rev. B
－ 8/20 －
08111-108
SUPPLY CURRENT, ICC (mA)
100
ADM2582E/ADM2587E
60
TxD
OUTPUT CURRENT (mA)
50
1
Z
Y
40
30
20
CH2 2.0V
M10.00ns
A CH1
1.28V
0
08111-109
CH1 2.0V
CH3 2.0V
0
図 9.ADM2582E ドライバの伝搬遅延
1
2
3
OUTPUT VOLTAGE (V)
4
5
08111-112
10
3
図 12.レシーバ出力ロー・レベル電圧対レシーバ出力電流
4.75
4.74
OUTPUT VOLTAGE(V)
4.73
TxD
1
Z
4.72
4.71
4.70
4.69
4.68
Y
4.67
3
A CH1
2.56V
4.65
–40
図 10.ADM2587E ドライバの伝搬遅延
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
08111-113
M200ns
85
08111-114
CH2 2.0V
08111-110
4.66
CH1 2.0V
CH3 2.0V
図 13.レシーバ出力ハイ・レベル電圧の温度特性
0
0.32
–10
OUTPUT VOLTAGE (V)
OUTPUT CURRENT (mA)
0.30
–20
–30
–40
–50
–60
0
1
2
3
OUTPUT VOLTAGE (V)
4
5
0.24
0.20
–40
図 11.レシーバ出力高電圧対レシーバ出力電流
Rev. B
0.26
0.22
08111-111
–70
0.28
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
図 14.レシーバ出力ロー・レベル電圧の温度特性
－ 9/20 －
ADM2582E/ADM2587E
RxD
3
CH2 2.0V
M10.00ns
A CH1
2.56V
97
96
tRPHL
95
94
93
92
tRPLH
91
90
–40
08111-115
CH1 2.0V
CH3 2.0V
98
図 15.ADM2582E レシーバの伝搬遅延
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
08111-118
A
1
99
85
08111-119
B
85
08111-120
RECEIVER PROPAGATION DELAY (ns)
100
図 18.ADM2587E レシーバ伝搬遅延の温度特性
3.33
ISOLATED SUPPLY VOLTAGE (V)
A
B
1
RxD
3
3.32
3.31
3.30
3.29
CH2 2.0V
M10.00ns
A CH1
2.56V
08111-116
3.27
CH1 2.0V
CH3 2.0V
3.26
–40
図 16.ADM2587E レシーバの伝搬遅延
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
図 19.ADM2582E 絶縁型電源電圧の温度特性
(VCC = 3.3 V、データレート = 16 Mbps)
98
3.36
97
ISOLATED SUPPLY VOLTAGE (V)
3.35
96
tRPHL
95
tRPLH
94
93
92
–40
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
3.34
3.33
3.32
3.31
3.30
3.29
NO LOAD
RL = 120Ω
RL = 54Ω
3.28
3.27
08111-117
RECEIVER PROPAGATION DELAY (ns)
NO LOAD
RL = 120Ω
RL = 54Ω
3.28
3.26
–40
図 17.ADM2582E レシーバ伝搬遅延の温度特性
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
図 20.ADM2582E 絶縁型電源電圧の温度特性
(VCC = 5 V、データレート = 16 Mbps)
Rev. B
－ 10/20 －
ADM2582E/ADM2587E
40
RL = 54Ω
40
ISOLATED SUPPLY CURRENT (mA)
50
RL = 120Ω
30
NO LOAD
20
10
30
RL = 120Ω
25
20
15
10
NO LOAD
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
85
0
–40
図 21.ADM2582E 絶縁型電源電流の温度特性
(VCC = 3.3 V、データレート = 16 Mbps)
–15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
図 22.ADM2587E 絶縁型電源電流の温度特性
(VCC = 3.3 V、データレート = 500 kbps)
－ 11/20 －
85
08111-122
5
0
–40
Rev. B
RL = 54Ω
35
08111-121
ISOLATED SUPPLY CURRENT (mA)
60
ADM2582E/ADM2587E
テスト回路
RL
2
VOD2
RL
2
TxD
VOC
VCC
RL
110Ω
S1
S2
CL
50pF
Z
DE
08111-003
Z
VOUT
Y
08111-006
Y
TxD
図 26.ドライバ・イネーブル/ディスエーブル
図 23.ドライバ電圧測定
A
375Ω
60Ω
B
375Ω
Z
VTEST
08111-004
VOD3
TxD
VOUT
RE
CL
08111-007
Y
図 27.レシーバ伝搬遅延
図 24.ドライバ電圧測定
VCC
+1.5V
S1
TxD
CL
–1.5V
RL
CL
RE IN
08111-005
Z
S2
CL
VOUT
図 28.レシーバ・イネーブル/ディスエーブル
図 25.ドライバ伝搬遅延
Rev. B
RL
RE
08111-008
Y
－ 12/20 －
ADM2582E/ADM2587E
スイッチング特性
VCC
VCC/2
VCC/2
0V
tDPLH
VCC
tDPHL
Z
DE
VO
0.5VCC
0.5VCC
1/2VO
0V
tZL
tLZ
2.3V
Y
Y, Z
90% POINT
VDIFF
tZH
tHZ
2.3V
VOH
10% POINT
10% POINT
tDF
tDR
VOH – 0.5V
Y, Z
08111-011
–VO
VOL
90% POINT
VDIFF = V(Y) – V(Z)
VOL + 0.5V
08111-009
+VO
tSKEW = │tDPHL – tDPLH │
図 31.ドライバ・イネーブル/ディスエーブル・タイミング
図 29.ドライバ伝搬遅延、立上がり/立下がりタイミング
0.7VCC
RE
0.5VCC
0.5VCC
0.3VCC
tZL
1.5V
RO
tRPLH
tRPHL
tSKEW = |tRPLH – tRPHL |
RO
1.5V
VOL
0V
VOL
tHZ
OUTPUT HIGH
08111-010
1.5V
VOL + 0.5V
OUTPUT LOW
tZH
VOH
RxD
tLZ
0V
0V
1.5V
VOH – 0.5V
VOH
08111-012
A–B
図 32.レシーバ・イネーブル/ディスエーブル・タイミング
図 30.レシーバ伝搬遅延
Rev. B
－ 13/20 －
ADM2582E/ADM2587E
回路説明
表 14.受信 (省略表示については表 12を参照)
信号アイソレーション
ADM2582E/ADM2587Eでは、信号の絶縁性はインターフェース
のロジック側で実現されています。デバイスの信号アイソレー
ションは、デジタル・アイソレーション・セクションとトラン
シーバ・セクションを設けることにより実現されています (図
1).TxDピンとDEピンに入力されるデータはロジック・グラウン
ド(GND1)を基準としており、絶縁障壁を超えて絶縁グラウンド
(GND2)を基準とするトランシーバ・セクションに渡されます。
同様に、トランシーバ・セクションの絶縁グラウンドを基準と
するシングルエンド・レシーバ出力信号は、絶縁障壁を超えて
渡され、ロジック・グラウンドを基準とするRXDピンに出力さ
れます。
電源アイソレーション
ADM2582E/ADM2587E の 電 源 ア イ ソ レ ー シ ョ ン は 、 内 蔵 の
isoPower 絶縁型 DC/DC コンバータを使って実現されています。
ADM2582E/ADM2587E の DC/DC コンバータ・セクションは、現
代の電源で広く採用されている原理に基づいて動作します。こ
れは、絶縁型パルス幅変調 (PWM) 帰還を持つ二次側コントロー
ラ・アーキテクチャになっています。VCC 電源は、チップ・ス
ケールの中空トランスへ流れる電流をスイッチする発振回路に
電源を供給します。二次側へ転送される電源は、整流されて 3.3
V に安定化されます。二次側 (VISO) のコントローラは、専用
iCoupler データ・チャンネルを使って一次側 (VCC) へ送られる
PWM 制御信号を発生することにより出力を安定化します。
PWM では発振器回路を変調して、二次側へ送られる電源を制御
します。帰還の使用により、非常に高い電力と効率が可能にな
っています。
真理値表
このセクションの真理値表では表 12の省略表示を使っています。
表 12.真理値表の省略表示
Letter
Description
H
L
X
Z
NC
High level
Low level
Don’t care
High impedance (off)
Disconnected
Inputs
RE
RxD
> −0.03 V
< −0.2 V
−0.2 V < A − B < −0.03 V
Inputs open
X
L or NC
L or NC
L or NC
L or NC
H
H
L
X
H
Z
サーマル・シャットダウン
ADM2582E/ADM2587E はサーマル・シャットダウン回路を内蔵
しており、故障時に消費電力が大きくなり過ぎないように保護
しています。ドライバ出力を低インピーダンス電源に短絡させ
ると、大きなドライバ電流が流れます。温度検出回路がこの状
態でのチップ温度上昇を検出して、ドライバ出力をディスエー
ブルします。この回路は、チップ温度が 150 °C に到達したとき、
ドライバ出力をディスエーブルするようにデザインされていま
す。デバイスが冷えて温度 140 °C になると、ドライバは再イネ
ーブルされます。
断線/短絡でフェイルセーフなレシーバ入力
レシーバ入力には断線/短絡のフェイル・セーフ機能があるため、
入力の断線または短絡時にロジック・ハイのレシーバ出力レベ
ルが保証されます。ライン・アイドル状態時、バス上でイネー
ブルされているドライバがないとき、レシーバ入力終端抵抗の
両端の電圧は 0 V に向かって減少します。従来型のトランシー
バでは、-200 mV と+200 mV の間に規定されたレシーバ入力ス
レッショールドは、レシーバ出力を既知状態にするために、A
ピンと B ピンに外付けバイアス抵抗が必要であることを意味し
ていました。レシーバ入力には短絡のフェイル・セーフ機能が
あるため、レシーバ入力スレッショールドを–30 mV～-200 mV
の間に指定すると、バイアス抵抗が不要になります。負のスレ
ッショールドを保証するということは、A と B の間の電圧が 0
V に減少したとき、レシーバ出力がハイ・レベルになることが
保証されることを意味します。
表 13.送信 (省略表示については表 12を参照)
Inputs
Outputs
DE
TxD
Y
Z
H
H
L
X
H
L
X
X
H
L
Z
Z
L
H
Z
Z
Rev. B
Output
A−B
－ 14/20 －
ADM2582E/ADM2587E
DC精度と磁界耐性
100
MAXIMUM ALLOWABLE MAGNETIC FLUX
DENSITY (kGauss)
デジタル信号は iCoupler 技術を採用する絶縁障壁を超えて送信
されます。この技術では、チップ・サイズのトランス巻線を使
って、障壁の一方から他方へデジタル信号を磁気的に結合しま
す。デジタル入力は、トランスの一次巻線を励磁できる能力を
持つ波形にエンコードされます。二次巻線では、誘導された波
形が送信された元のバイナリ値にデコードされます。
アイソレータ入力での正および負のロジック変化により、狭い
パルス(約 1 ns)がトランスを経由してデコーダに送られます。デ
コーダは双安定であるため、パルスによるセットまたはリセッ
トにより入力ロジックの変化が表されます。1 µs 以上入力にロ
ジック変化がない場合、正常な入力状態を表す周期的なリフレ
ッシュ・パルスのセットを送信して、出力での DC を正常に維
持します。デコーダが約 5μs 間以上この内部パルスを受信しな
いと、入力側が電源オフであるか非動作状態にあると見なされ、
ウォッチドッグ・タイマ回路によりアイソレータ出力が強制的
にデフォルト状態にされます。
この状況は 、ADM2582E/ADM2587E デバイスではパワーアップ
動作とパワーダウン動作時にのみ発生します。
ADM2582E/ADM2587E の磁界耐性の限界は、トランスの受信側
コイルに発生する誘導電圧が十分大きくなって、デコーダをセ
ットまたはリセットさせる誤動作の発生により決まります。こ
の状態が発生する条件を以下の解析により求めます。
ADM2582E/ADM2587E の 3.3 V 動作は最も感度の高い動作モー
ドであるため、この条件を調べます。トランス出力でのパルス
は 1.0 V 以上の振幅を持っています。デコーダは約 0.5 V の検出
スレッショールドを持つので、誘導電圧に対しては 0.5 V の余
裕を持っています。受信側コイルへの誘導電圧は次式で与えら
れます。
V = (−dβ/dt)Σπrn2; n = 1、2、… 、N
ここで、β は磁束密度 (gauss)。
N =受信側コイルの巻数。
rn =受信側コイルの n 回目の半径(cm)。
10
1
0.1
0.001
1k
1M
10k
100k
10M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
100M
08111-019
0.01
図 33.最大許容外部磁束密度
例えば、、磁界周波数= 1 MHz で、最大許容磁界= 0.2 k Ggauss
の場合、受信側コイルでの誘導電圧は 0.25V になります。これ
は検出スレッショールドの約 50%であるため、出力変化の誤動
作はありません。同様に、仮にこのような条件が送信パルス内
に存在しても(さらに最悪ケースの極性であっても)、受信パル
スが 1.0 V 以上から 0.75V へ減少されるため、デコーダの検出ス
レッショールド 0.5 V に対してなお余裕を持っています。
前述の磁束密度値は、ADM2582E/ADM2587Eトランスから与え
られた距離だけ離れた特定の電流値に対応します。図 34 に、周
波数の関数としての許容電流値を与えられた距離に対して示し
ます。図 34から読み取れるように、ADM2582E/ ADM2587Eの
耐性は極めて高く、影響を受けるのは、高周波でかつ部品に非
常に近い極めて大きな電流の場合に限られます。1 MHzの例で
は、デバイス動作に影響を与えるためには、0.5 kAの電流を
ADM2582E/ADM2587Eから 5 mmの距離まで近づける必要があり
ます。
1k
DISTANCE = 1m
100
10
DISTANCE = 100mm
1
DISTANCE = 5mm
0.1
0.01
1k
10k
100k
1M
10M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
100M
08111-020
MAXIMUM ALLOWABLE CURRENT (kA)
ADM2582E/ ADM2587E受信側コイルの形状が与えられ、かつ誘
導電圧がデコーダにおける 0.5 V余裕の最大 50%であるという条
件が与えられると、最大許容磁界は図 33のように計算されます。
図 34.様々な電流値と ADM2582E/ADM2587E までの距離に対
する最大許容電流
強い磁界と高周波が組合わさると、プリント回路ボード(PCB)の
パターンで形成されるループに十分大きな誤差電圧が誘導され
て、後段回路のスレッショールドがトリガされてしまうことに
注意が必要です。パターンのレイアウトでは、このようなこと
が発生しないように注意する必要があります。
Rev. B
－ 15/20 －
ADM2582E/ADM2587E
アプリケーション情報
PCBレイアウト
ADM2582E/ADM2587E 絶 縁 型 RS-422/RS-485 トランシーバに は
isoPower絶縁型 DC/DCコンバータが内蔵されているため、ロジ
ック・インターフェース用の外付けインターフェース回路は不
要です。入力電源ピンと出力電源ピンには電源バイパスが必要
です( 図 35参照)。ADM2582E/ ADM2587Eの電源セクションでは、
非常に周波数の高い発振器を使って、チップ・スケール・トラ
ンスを介して効率良く電力を渡しています。さらに、iCouplerの
データ・セクションの通常動作により、スイッチング過渡電圧
が電源ピンに発生します。
複数の動作周波数に対してバイパス・コンデンサが必要になり
ます。ノイズの抑圧には、低インダクタンス高周波のコンデン
サが必要です。リップル抑圧と適切なレギュレーションには大
きな値のコンデンサが必要です。これらのコンデンサは、VCC
についてはピン 1 (GND1)、ピン 2 (VCC)、ピン 8 (VCC)、ピン 9
(GND1)の間に接続します。VISOIN と VISOOUT のコンデンサは、ピ
ン 11 (GND2)、ピン 12 (VISOOUT)、ピン 19 (VISOIN)、ピン 20 (GND2)
の間に接続します。ノイズとリップルを抑圧するときは、少な
くとも 2 個のコンデンサの並列組み合わせが必要です。推奨コ
ンデンサ値は、0.1 µF と 10 µF です。非常に低いインダクタン
スを持つセラミックまたは同等のコンデンサの使用が推奨され
ます。コンデンサの両端と入力電源ピンとの間の合計リード長
は 20 mm 以下にする必要があります。
GND1
1
20
VCC
2
19
GND1
3
18
A
RxD
4
17
B
RE
5
16
GND2
DE
6
15
Z
TxD
7
14
GND2
VCC
8
13
Y
GND1
9
12
GND1
10
11
VISOIN
ADM2582E/ADM2587E の DC/DC コンバータ・セクションは、非
常に高い周波数で動作して、小型のトランスを経由して効率良
い電力転送を行う必要があります。このため高周波電流が発生
して回路ボード・グラウンドと電源プレーンに混入して、エッジ
放射とダイポール放射が発生します。これらのデバイスを使用
するアプリケーションでは接地した筺体の使用が推奨されます。
接地した筺体を使用できない場合は、 RF デザイン技術を採用
した PCB レイアウト を行う必要があります。詳細については、
ア プ リ ケ ー シ ョ ン ・ ノ ー ト AN-0971 、 「 Control of Radiated
Emissions with isoPower Devices, for more information」を参照してくだ
さい。
すべての絶縁構造は、十分長い時間電圧ストレスを受けるとブレ
ークダウンします。絶縁性能の低下率は、絶縁に加えられる電
圧波形の特性に依存します。アナログ・デバイセズは、広範囲
なセットの評価を実施して ADM2582E/ADM2587E の絶縁構造
の寿命を測定しています。
08111-125
VISOOUT
EMIの注意事項
絶縁寿命
GND2
GND2
ADM2582E/ADM2587Eの消費電力はフル負荷で 約 650 mWです。
アイソレーション・デバイスにヒートシンクを使うことができな
いため、デバイスは基本的にPCBからGND ピンへの熱放散に依
存しています。デバイスを高い周囲温度で使用する場合には、
GNDピンからPCBグラウンド・プレーンへの熱パスを用意して
ください。図 35のボード・レイアウトに、ピン 1、ピン 3、ピ
ン 9、ピン 10、ピン 11、ピン 14、ピン 16、ピン 20 の拡大した
パッドを示します。パッドからグラウンド・プレーンへ複数のビ
アを設けて、チップ内部の温度を下げてください。パッド拡大寸
法は、設計者と使用可能なボード・スペースによって決定され
ます。
図 35.推奨 PCB レイアウト
高い同相モード過渡電圧が発生するアプリケーションでは、ア
イソレーション障壁を通過するボード結合が最小になるように
注意する必要があります。さらに、如何なる結合もデバイス側
のすべてのピンで等しく発生するようにボード・レイアウトを
デザインしてください。この注意を怠ると、ピン間で発生する
電位差がデバイスの絶対最大定格を超えてしまい、ラッチアッ
プまたは恒久的な損傷が発生することがあります。
定格連続動作電圧より高い電圧レベルを使った加速寿命テスト
を実施しています。複数の動作条件に対して加速ファクタを定め
て、実際の動作電圧での故障までの時間を計算できるようにして
います。表 10に、複数の動作条件での 50 年サービス寿命に対
するピーク電圧の一覧を示します。多くのケースで、当局のテ
ストにより認定された動作電圧は 50 年サービス寿命の電圧より
高くなっています。記載されたサービス寿命電圧より高い動作
電圧で動作させると、早期絶縁故障が発生します。
ADM2582E/ADM2587Eの絶縁寿命は、アイソレーション障壁に
加えられる電圧波形のタイプに依存します。iCoupler絶縁構造の
性能は、波形がバイポーラAC、ユニポーラAC、DCのいずれで
あるかに応じて、異なるレートで低下します。図 36、図 37、
図 38に、これらのアイソレーション電圧波形を示しま
す。
バイポーラ AC 電圧は最も厳しい環境です。AC バイポーラ条件
での 50 年動作寿命から、アナログ・デバイセズが推奨する最大
動作電圧が決定されています。
ユニポーラACまたはユニポーラDC電圧の場合、絶縁に加わる
ストレスは大幅に少なくなります。このために高い動作電圧で
の動作が可能になり、さらに 50 年のサービス寿命を実現するこ
とができます。表 10に示す動作電圧は、ユニポーラAC電圧ま
たはユニポーラDC電圧のケースに適合する場合、50 年最小寿命
に適用することができます。図 37または図 38に適合しない絶縁
電圧波形は、バイポーラAC波形として扱う必要があり、ピーク
電圧は表 10に示す 50 年寿命電圧値に制限する必要があります。
Rev. B
－ 16/20 －
ADM2582E/ADM2587E
RATED PEAK VOLTAGE
08111-021
120°C 以下に維持したとき 55 mA の電流 を供給することができ
ます。VISOOUT ピンから供給できる電流は合計電流であり、内部
RS-485 回路へ供給する電流が含まれていることに注意すること
は重要です。
0V
図 36.バイポーラ AC 波形
ドライバが 54 Ω 負荷で、500 kbps でスイッチングし、かつデバイ
スのジャンクション温度が 120°C 以下の場合、ADM2587E は
VISOOUT から外部へ 15 mA (typ)を供給することができます。
08111-023
RATED PEAK VOLTAGE
0V
表 15.VISOOUT から供給できる最大外部電流
図 37.DC 波形
External Load
Current (mA)
RT
System Configuration
15
54 Ω
29
46
120 Ω
Unloaded
Double terminated bus with
RT = 110 Ω
Single terminated bus
Unterminated bus
RATED PEAK VOLTAGE
ADM2582E は一般に VISOOUT から外部へ電流を供給できません。
VISOOUT ピンから外部電流が流れると、isoPower DC/DC コンバ
ータで使用される高周波スイッチング・エレメントに起因して
電磁放射が増える危険性があります。PCB のレイアウトでは、
ノイズ放出規格を満たすように特別な注意が必要です。ボー
ド・レイアウトの詳細については、アプリケーション・ノート
AN-0971 「Control of Radiated Emissions with isoPower Devices, for
details on board layout considerations」を参照してください。
08111-022
0V
NOTES
1. THE VOLTAGE IS SHOWN AS SINUSODIAL FOR ILLUSTRATION
PURPOSES ONLY. IT IS MEANT TO REPRESENT ANY VOLTAGE
WAVEFORM VARYING BETWEEN 0 AND SOME LIMITING VALUE.
THE LIMITING VALUE CAN BE POSITIVE OR NEGATIVE, BUT THE
VOLTAGE CANNOT CROSS 0V.
図 38.ユニポーラ AC 波形
絶縁型電源の注意事項
内蔵 isoPower DC/DC 絶縁型電源の出力電圧 は 3.3 V(typ)です。
ADM2587E の絶縁型電源は、デバイスのジャンクション温度を
VCC
EXTERNAL
LOAD
VISOOUT
VCC
isoPower DC-TO-DC CONVERTER
GND1
OSCILLATOR
GND
RECTIFIER
GND2
VISOIN
REGULATOR
TRANSCEIVER
DIGITAL ISOLATION iCoupler
Y
TxD
500kbps
ENCODE
DECODE
ENCODE
DECODE
DECODE
ENCODE
D
Z
VCC
DE
RT
A
R
ADM2582E/ADM2587E
RE
GND1
ISOLATION
BARRIER
GND2
図 39.ADM2587E の最大外部電流の代表的な測定
Rev. B
B
－ 17/20 －
08111-038
RxD
ADM2582E/ADM2587E
3.3V/5V POWER
SUPPLY
100nF
10µF
100nF
10nF
VCC
VCC
VISOOUT
100nF
10µF
isoPower DC-TO-DC CONVERTER
OSCILLATOR
RECTIFIER
VISOIN
100nF
REGULATOR
DIGITAL ISOLATION iCoupler
TxD
DE
ENCODE
DECODE
ENCODE
DECODE
DECODE
ENCODE
D
Z
RT
A
RxD
RE
R
B
RT
ADM2582E/ADM2587E
GND1
ISOLATION
BARRIER
GND2
GND1
図 40.ADM2582E/ADM2587E を使用する回路例
図 40 に、ADM2582E/ADM2587Eを使用する回路図の例を示します。
Rev. B
Y
－ 18/20 －
08111-124
MICROCONTROLLER
AND UART
TRANSCEIVER
10nF
ADM2582E/ADM2587E
代表的なアプリケーション
図 41 と図 42に、半二重と全二重 RS-485 ネットワーク構成の
ADM2582E/ADM2587Eの代表的なアプリケーションを示します。
最大 256 個のトランシーバをRS-485 バスに接続することができ
ます。 反射を小さくするため、受信端を特性インピーダンスで
終端し、メイン・ラインからの分岐をできるだけ短くする必要
があります。半二重動作では、ケーブルの両端を終端する必要
があります。これは両端が受信端になるためです。
MAXIMUM NUMBER OF TRANSCEIVERS ON BUS = 256
ADM2582E/
ADM2587E
RxD
R
A
A
B
B
RE
TxD
D
RxD
R
RE
RT
RT
DE
ADM2582E/
ADM2587E
Z
Z
Y
Y
A
B
ADM2582E/
ADM2587E
R
Z
Y
A
D
RxD RE
B
ADM2582E/
ADM2587E
DE TxD
R
Z
DE
D
TxD
Y
D
RxD RE
DE TxD
08111-027
NOTES
1. RT IS EQUAL TO THE CHARACTERISTIC IMPEDANCE OF THE CABLE.
2. ISOLATION NOT SHOWN.
図 41.ADM2582E/ADM2587E による代表的な半二重 RS-485 ネットワーク
MAXIMUM NUMBER OF NODES = 256
MASTER
SLAVE
A
R
RxD
B
Y
D
RT
DE
Z
DE
TxD
D
B
RT
Y
A
ADM2582E/
ADM2587E
RE
R
RxD
ADM2582E/
ADM2587E
A
B
Z
Y
A
B
Z
Y
SLAVE
SLAVE
RxD RE
R
D
RxD RE
DE TxD
D
ADM2582E/
ADM2587E
DE TxD
08111-028
R
ADM2582E/
ADM2587E
NOTES
1. RT IS EQUAL TO THE CHARACTERISTIC IMPEDANCE OF THE CABLE.
2. ISOLATION NOT SHOWN.
図 42.ADM2582E/ADM2587E による代表的な全二重 RS-485 ネットワーク
Rev. B
TxD
Z
RE
－ 19/20 －
ADM2582E/ADM2587E
外形寸法
13.00 (0.5118)
12.60 (0.4961)
20
11
7.60 (0.2992)
7.40 (0.2913)
2.65 (0.1043)
2.35 (0.0925)
0.30 (0.0118)
0.10 (0.0039)
COPLANARITY
0.10
10.65 (0.4193)
10.00 (0.3937)
10
1.27
(0.0500)
BSC
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
SEATING
PLANE
0.75 (0.0295)
45°
0.25 (0.0098)
8°
0°
0.33 (0.0130)
0.20 (0.0079)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-013-AC
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
06-07-2006-A
1
図 43.20 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ [SOIC_W]
ワイドボディ (RW-20)
寸法: mm (インチ)
オーダー・ガイド
Model 1
Data Rate (Mbps)
Temperature Range
Package Description
Package Option
ADM2582EBRWZ
ADM2582EBRWZ-REEL7
16
16
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
20-Lead SOIC_W
20-Lead SOIC_W
RW-20
RW-20
ADM2587EBRWZ
ADM2587EBRWZ-REEL7
0.5
0.5
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
20-Lead SOIC_W
20-Lead SOIC_W
RW-20
RW-20
EVAL-ADM2582EEBZ
EVAL-ADM2587EEBZ
1
ADM2582E Evaluation Board
ADM2587E Evaluation Board
Z = RoHS 準拠製品。
Rev. B
－ 20/20 －