隔离式精密半桥驱动器，提供4 A输出 ADuM3223/ADuM4223 产品特性 概述 峰值输出电流：4 A 工作电压 高端或低端相对于输入：565 V峰值 高端至低端差分：800 V峰值 高工作频率：1 MHz(最大值) 3.3 V至5 V CMOS输入逻辑 4.5 V至18 V输出驱动 UVLO：2.5 V VDD1 ADuM3223A/ADuM4223A UVLO：4.1 V VDD2 ADuM3223B/ADuM4223B UVLO：7.0 V VDD2 ADuM3223C/ADuM4223C UVLO：11.0 V VDD2 精密时序特性 隔离器和驱动器传播延迟：54 ns(最大值) 通道间匹配：5 ns(最大值) CMOS输入逻辑电平 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 增强的系统级ESD保护性能，符合IEC 61000-4-x标准 工作结温高达：125°C 热关断保护 默认低电平输出 安全和法规认证 ADuM3223：窄体，16引脚SOIC封装 UL1577 3000 V rms输入至输出耐受电压 ADuM4223：宽体，16引脚SOIC封装 UL 1577 5000 V rms输入至输出耐受电压 通过汽车应用认证 ADuM3223/ADuM42231是4 A隔离式半桥栅极驱动器，采 用ADI公司的iCoupler®技术，提供独立且隔离的高端和低 端输出。ADuM3223能够提供3000 V rms隔离，采用窄体16 引脚SOIC封装，ADuM4223则提供5000 V rms隔离，采用宽 体16引脚SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片 变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器 组合等替代器件的出色性能特征。 ADuM3223/ADuM4223隔离器均提供两个独立的隔离通 道。这些器件采用3.0 V至5.5 V电源电压工作，可与低压系 统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比， ADuM3223/ADuM4223的输入与各输出之间具有真电流隔 离优势。相对于输入，各路输出的持续工作电压最高可达 565 V峰值，因而支持低端切换至负电压。高端与低端之间 的差分电压最高可达800 V峰值。 因此，ADuM3223/ADuM4223可以在很宽的正或负切换电 压范围内，可靠地控制IGBT/MOSFET配置的开关特性。 应用 开关电源 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器 工业逆变器汽车电子 功能框图 VIB 2 ADuM3223/ ADuM4223 16 VDDA ENCODE DECODE VDD1 3 15 VOA 14 GNDA GND1 4 13 NC DISABLE 5 12 NC NC 6 NC 7 11 VDDB ENCODE DECODE VDD1 8 10 VOB 9 NC = NO CONNECT GNDB 10450-001 VIA 1 图1. 1 受美国专利第5,952,849号、6,873,065号和7,075,239号保护，其它专利正在申请中。 Rev. D Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ©2012–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADuM3223/ADuM4223 目录 产品特性 ...........................................................................................1 应用....................................................................................................1 概述....................................................................................................1 功能框图 ...........................................................................................1 修订历史 ...........................................................................................2 技术规格 ...........................................................................................3 电气特性—5 V电源供电 ..........................................................3 电气特性——3.3 V电源供电...................................................4 封装特性......................................................................................5 隔离和安全相关特性................................................................5 法规信息......................................................................................6 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)隔离特性.............7 建议工作条件 .............................................................................8 绝对最大额定值..............................................................................9 ESD警告.......................................................................................9 引脚配置和功能描述 ...................................................................11 典型性能参数 ................................................................................12 应用信息 .........................................................................................15 PCB布局.....................................................................................15 传播延迟相关参数 ..................................................................15 热限制和开关负载特性 .........................................................15 输出负载特性 ...........................................................................15 自举半桥操作 ...........................................................................16 直流正确性和磁场抗扰度 .....................................................16 功耗 ............................................................................................17 隔离寿命....................................................................................18 外形尺寸 .........................................................................................19 订购指南....................................................................................20 汽车应用级产品.......................................................................20 修订历史 2014年4月—修订版C至修订版D 2013年5月—修订版A至修订版B 更改应用部分 ..................................................................................1 更改隔离寿命部分 .......................................................................18 更改“订购指南”.............................................................................20 表10中增加VDDA、VDDB上升时间：0.5 V/µs .............................8 更改图22 .........................................................................................16 2013年1月—修订版0至修订版A 2013年12月—修订版B至修订版C 增加汽车应用信息(通篇)..............................................................1 更改特性部分 ..................................................................................1 更改表1的开关规格参数...............................................................3 表1中增加热关断温度参数 ..........................................................3 更改表2的开关规格参数...............................................................4 表2中增加热关断温度参数 ..........................................................4 更改表10 ...........................................................................................8 更改图13标题 ................................................................................13 更改热限制和开关负载特性部分 15 更改自举半桥操作部分...............................................................16 更新安全和法规认证(通篇) .........................................................1 将高端至低端差分从700 VDC PEAK改为800 Vpeak.....................1 表1中增加ROA、ROB最小和最大值..............................................3 表2中增加ROA、ROB最小和最大值..............................................4 更改表13 .........................................................................................10 更改图19 .........................................................................................15 增加自举半桥操作部分和图22；重新排序............................16 更改“订购指南”.............................................................................20 2012年5月—修订版0：初始版 Rev. D | Page 2 of 20 ADuM3223/ADuM4223 技术规格 电气特性——5 V电源 所有电压均参照其各自的地。除非另有说明，4.5 V ≤ VDD1 ≤ 5.5 V，4.5 V ≤ VDD2 ≤ 18 V。所有最小值/最大值规格适用于TJ = −40°C到125°C。所有典型值规格在TJ = 25°C，VDD1 = 5 V，VDD2 = 12 V下测得。开关规格的测试条件为CMOS信号电平。 表1. 参数 直流规格 输入电源电流，静态 每个通道的输出电源电流，静态 1 MHz时的电源电流 VDD1电源电流 VDDA/VDDB电源电流 输入电流 逻辑高电平输入阈值 逻辑低电平输入阈值 逻辑高电平输出电压 逻辑低电平输出电压 欠压闭锁，VDD2供电 趋正阈值 趋负阈值 迟滞 趋正阈值 趋负阈值 迟滞 趋正阈值 趋负阈值 迟滞 输出短路脉冲电流1 输出脉冲源电阻 输出脉冲灌电阻 热关断温度 结温关断，上升沿 结温关断，下降沿 开关规格 脉冲宽度2 最大数据速率3 传播延迟4 ADuM3223A/ADuM4223A 传播延迟偏斜5 通道间匹配6 输出上升/下降时间(10%至90%) 每个通道的动态输入电源电流 每个通道的动态输出电源电流 刷新速率 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 IDDI(Q) IDDO(Q) 1.4 2.3 2.4 3.2 mA mA IDD1(Q) IDDA/IDDB(Q) IIA, IIB VIH VIL VOAH, VOBH VOAL, VOBL 1.6 5.6 +0.01 2.5 8.0 +1 mA mA µA V V V V 最高1 MHz，空载 最高1 MHz，空载 0 ≤ VIA, VIB ≤ VDD1 VDD2UV+ VDD2UV− VDD2UVH VDD2UV+ VDD2UV− VDD2UVH VDD2UV+ VDD2UV− VDD2UVH IOA(SC), IOB(SC) ROA, ROB ROA, ROB −1 0.7 × VDD1 0.3 × VDD1 VDD2 – 0.1 3.2 5.7 8.9 2.0 0.3 0.3 TJR TJF PW tDHL, tDLH tDHL, tDLH tPSK tPSKCD tPSKCD tR/tF IDDI(D) IDDO(D) fr VDD2 0.0 0.15 4.1 3.6 0.5 4.4 V V V A级 A级 A级 6.9 6.2 0.7 10.5 9.6 0.9 4.0 1.1 0.6 7.4 V V V V V V A Ω Ω B级 B级 B级 C级 C级 C级 VDD2 = 12 V VDD2 = 12 V VDD2 = 12 V 11.1 3.0 3.0 150 140 50 1 31 35 6 IOx = −20 mA, VIx = VIxH IOx = +20 mA, VIx = VIxL 43 47 1 1 12 0.05 1.65 1.2 °C °C 54 59 12 5 7 18 ns MHz ns ns ns ns ns ns mA/Mbps mA/Mbps Mbps CL = 2 nF, VDD2 = 12 V CL = 2 nF, VDD2 = 12 V CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V; 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V; 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 VDD2 = 12 V VDD2 = 12 V 短路持续时间小于1 µs。平均功率必须符合“绝对最大额定值”下所示的限值。 最小脉冲宽度指保证额定时序参数的最短脉冲宽度。 3 最大数据速率指保证额定时序参数的最快数据速率。 4 tDLH传播延迟根据输入上升逻辑高电平阈值VIH到VOx信号的输出上升10%电平的时间测得。tDHL传播延迟根据输入下降逻辑低电平阈值VIL到VOx信号的输出下降 90%阈值测得。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 5 tPSK指器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tDLH和/或tDHL的最差情况偏差。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 6 通道间匹配指两个通道间传播延迟之差的绝对值。 1 2 Rev. D | Page 3 of 20 ADuM3223/ADuM4223 电气特性——3.3 V电源 所有电压均参照其各自的地。除非另有说明，3.0 V ≤ VDD1 ≤ 3.6 V，4.5 V ≤ VDD2 ≤ 18 V。所有最小值/最大值规格适用于TJ = −40°C 到125°C。所有典型值规格在TJ = 25°C，VDD1 = 3.3 V，VDD2 = 12 V下测得。开关规格的测试条件为CMOS信号电平。 表2. 参数 直流规格 输入电源电流，静态 每个通道的输出电源电流，静态 1 MHz时的电源电流 VDD1电源电流 VDDA/VDDB电源电流 输入电流 逻辑高电平输入阈值 逻辑低电平输入阈值 逻辑高电平输出电压 逻辑低电平输出电压 欠压闭锁，VDD2供电 趋正阈值 趋负阈值 迟滞 趋正阈值 趋负阈值 迟滞 趋正阈值 趋负阈值 迟滞 输出短路脉冲电流1 输出脉冲源电阻 输出脉冲灌电阻 热关断温度 结温关断，上升沿 结温关断，下降沿 开关规格 脉冲宽度2 最大数据速率3 传播延迟4 ADuM3223A/ADuM4223A 传播延迟偏斜5 通道间匹配6 输出上升/下降时间(10%至90%) 每个通道的动态输入电源电流 每个通道的动态输出电源电流 刷新速率 1 符号 典型值 最大值 单位 IDDI(Q) IDDO(Q) 0.87 2.3 1.4 3.2 mA mA IDD1(Q) IDDA/IDDB(Q) IIA, IIB VIH VIL VOAH, VOBH VOAL, VOBL 1.1 5.6 +0.01 1.5 8.0 +10 mA mA µA V V V V 最高1 MHz，空载 最高1 MHz，空载 0 ≤ VIA, VIB ≤ VDD1 V V V V V V V V V A Ω Ω A级 A级 A级 B级 B级 B级 C级 C级 C级 VDD2 = 12 V VDD2 = 12 V VDD2 = 12 V VDD2UV+ VDD2UV− VDD2UVH VDD2UV+ VDD2UV− VDD2UVH VDD2UV+ VDD2UV− VDD2UVH IOA(SC), IOB(SC) ROA, ROB ROA, ROB 最小值 −10 0.7 × VDD1 0.3 × VDD1 VDD2 – 0.1 3.2 5.7 8.9 2.0 0.3 0.3 TJR TJF PW tDHL, tDLH tDHL, tDLH tPSK tPSKCD tPSKCD tR/tF IDDI(D) IDDO(D) fr VDD2 0.0 4.1 3.6 0.5 6.9 6.2 0.7 10.5 9.6 0.9 4.0 1.1 0.6 0.15 4.4 7.4 11.1 3.0 3.0 150 140 50 1 35 37 6 47 51 1 1 12 0.05 1.65 1.1 测试条件 IOx = −20 mA, VIx = VIxH IOx = +20 mA, VIx = VIxL °C °C 59 65 12 5 7 22 ns MHz ns ns ns ns ns ns mA/Mbps mA/Mbps Mbps CL = 2 nF, VDD2 = 12 V CL = 2 nF, VDD2 = 12 V CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V, 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V, 见图20 CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 VDD2 = 12 V VDD2 = 12 V 短路持续时间小于1 µs。平均功率必须符合“绝对最大额定值”下所示的限值。 2 最小脉冲宽度指保证额定时序参数的最短脉冲宽度。 3 最大数据速率指保证额定时序参数的最快数据速率。 4 tDLH传播延迟根据输入上升逻辑高电平阈值VIH到VOx信号的输出上升10%电平的时间测得。tDHL传播延迟根据输入下降逻辑低电平阈值VIL到VOx信号的输出下降 5 tPSK指器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tDLH和/或tDHL的最差情况偏差。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 90%阈值测得。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 6 通道间匹配指两个通道间传播延迟之差的绝对值。 Rev. D | Page 4 of 20 ADuM3223/ADuM4223 ADP1740/ADP1741 封装特性 表3. 参数 电阻(输入至输出) 电容(输入至输出) 输入电容 IC结至环境热阻 ADuM3223 ADuM4223 IC结至外壳热阻 ADuM3223 ADuM4223 符号 RI-O CI-O CI 最小值 典型值 最大值 1012 2.0 4.0 单位 Ω pF pF θJA θJA 76 45 °C/W °C/W θJC θJC 42 29 °C/W °C/W 测试条件 f = 1 MHz 隔离和安全相关特性 ADuM3223 表4. 参数 额定电介质隔离电压 最小外部气隙(间隙) 最小外部爬电距离 最小内部间隙 漏电阻抗(相对漏电指数) 隔离组 符号 L(I01) L(I02) CTI 数值 3000 4.0 min 4.0 min 单位 V rms mm mm 条件 持续1分钟 测量输入端至输出端，隔空最短距离 测量输入端至输出端，沿壳体最短距离 0.017(最小值) >400 II mm V 隔离距离 DIN IEC 112/VDE 0303第1部分 材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1) 单位 V rms mm mm mm V 条件 持续1分钟 测量输入端至输出端，隔空最短距离 测量输入端至输出端，沿壳体最短距离 隔离距离 DIN IEC 112/VDE 0303第1部分 材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1) ADuM4223 表5. 参数 额定电介质隔离电压 最小外部气隙(间隙) 最小外部爬电距离 最小内部间隙 漏电阻抗(相对漏电指数) 隔离组 符号 L(I01) L(I02) CTI 数值 5000 8.0(最小值) 7.6 min 0.017(最小值) >400 II Rev. D | Page 5 of 20 ADuM3223/ADuM4223 法规信息 ADuM3223已获得表6所列机构的认可。 表6. UL UL 1577器件认可程序认可1 CSA CSA元件验收通知#5A批准 单一保护3,000 V均方根值 隔离电压 文件E214100 基本绝缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准， 400 V rms (565 V峰值)最大工作电压 文件205078 VDE 进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10) 认证： 2006-122 加强绝缘，560 V峰值 文件2471900-4880-0001 1 依据UL1577，每个ADuM3223都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3,600 V rms的验证测试(漏电流检测限值为6 µA)。 2 依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM3223器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件标识中的星号(*)表示通过 DIN V VDE V 0884-10认证。 ADuM4223已获得表7所列机构的认可。 表7. UL CSA VDE UL 1577器件认可程序认可 CSA元件验收通知#5A批准 单一保护5,000 V均方根值 隔离电压 加强绝缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准， 400 V rms(565 V峰值)最大工作电压；基本绝 缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准， 800 V rms(1131 V峰值)最大工作电压 文件205078 进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10) 认证： 2006-122 加强绝缘，849 V峰值 1 文件E214100 1 2 文件2471900-4880-0001 依据UL1577，每个ADuM4223都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 6,000 V rms的验证测试(漏电流检测限值为10 µA)。 依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM4223器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1,590 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件标识中的星号(*)表示通过 DIN V VDE V 0884-10认证。 Rev. D | Page 6 of 20 ADuM3223/ADuM4223 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)隔离特性 这些隔离器仅适合安全限制数据范围内的加强隔离。通过保护电路保持安全数据。封装上的星号(*)标志表示通过560 V峰值工 作电压的DIN V VDE V 0884-10认证。 表8. ADuM3223 VDE特性 说明 DIN VDE 0110装置分类 额定电源电压≤ 150 V rms 额定电源电压≤ 300 V rms 额定电源电压≤ 400 V rms 环境分类 污染度(DIN VDE 0110，表1) 最大工作绝缘电压 输入至输出测试电压，方法B1 输入至输出测试电压，方法A 跟随环境测试，子类1 跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3 最高允许过压 浪涌隔离电压 安全限值 最高结温 总安全功耗 TS上的绝缘电阻 条件 符号 VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试， tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC VIORM × 1.5 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒， 局部放电 < 5 pC VIORM × 1.2 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒， 局部放电 < 5 pC VPEAK = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间 出现故障时允许的最大值(见图2) VIO = 500 V 特性 单位 I至IV I至III I至II 40/105/21 2 560 1050 V峰值 V峰值 Vpd(m) 896 672 V峰值 V峰值 VIOTM VIOSM 4000 6000 V峰值 V峰值 TS PS RS 150 1.64 >109 °C W Ω VIORM Vpd(m) Vpd(m) 表9. ADuM4223 VDE特性 说明 DIN VDE 0110装置分类 额定电源电压≤ 150 V rms 额定电源电压≤ 300 V rms 额定电源电压≤ 400 V rms 环境分类 污染度(DIN VDE 0110，表1) 最大工作绝缘电压 输入至输出测试电压，方法B1 输入至输出测试电压，方法A 跟随环境测试，子类1 跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3 最高允许过压 浪涌隔离电压 安全限值 最高结温 总安全功耗 TS上的绝缘电阻 条件 符号 VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试， tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试， VIORM Vpd(m) Vpd(m) VIOTM VPEAK = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间 VIOSM 出现故障时允许的最大值(见图3) TS PS VIO = 500 V RS Rev. D | Page 7 of 20 单位 I至IV I至III I至II 40/105/21 2 849 1592 V峰值 V峰值 1273 1018 V峰值 V峰值 6000 6000 V峰值 V峰值 150 2.77 >109 °C W Ω Vpd(m) tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC VIORM × 1.2 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒， 局部放电 < 5 pC 特性 建议工作条件 1.8 表10. 1.6 参数 工作结温 电源电压1 1.4 1.2 1.0 VDD1上升时间 VDDA、VDDB上升时间 输入信号最大上升和 下降时间 共模瞬变抗扰度，静态2 共模瞬变抗扰度，动态3 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 50 100 150 200 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 10450-102 SAFE OPERATING PVDD1 , PVDDA OR PVDDB POWER (W) ADuM3223/ADuM4223 2 3.0 3 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 50 100 150 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 200 最小值 最大值 单位 −40 +125 °C VDD1 3.0 VDDA, VDDB 4.5 TVDD1 TVDDA, TVDDB TVIA, TVIB −50 −25 5.5 18 1 10 1 V V V/µs V/µs ms +50 +25 kV/µs kV/µs 所有电压均参照各自的地。有关外部磁场抗扰度的信息，参见“应用信息” 部分。 静态共模瞬变抗扰度定义为GND1和GNDA/GNDB之间的最高dv/dt值，其输 入保持高电平或低电平，从而使输出电压保持在0.8 × VDD2以上(如果VIA/VIB = 高电平)，或0.8 V(如果VIA/VIB = 低电平)。以超出建议水平的瞬态电压工作 可能会导致暂时性的数据扰乱。 动态共模瞬变抗扰度定义为GND1和GNDA/GNDB之间的最高dv/dt值，其开 关边沿与瞬变测试脉冲重合。以超出建议水平的瞬态电压工作可能会导致 暂时性的数据扰乱。 10450-103 SAFE OPERATING PVDD1 , PVDDA OR PVDDB POWER (W) 图2. ADuM3223热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的 安全限值与壳温的关系 1 符号 TJ 图3. ADuM4223热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的 安全限值与壳温的关系 Rev. D | Page 8 of 20 ADuM3223/ADuM4223 绝对最大额定值 除非另有说明，环境温度 = 25°C。 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性 损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器 件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影 响器件的可靠性。 表11. 参数 存储温度 工作结温 电源电压1 输入电压1 输出电压1 每个引脚的平均 输出电流2 共模瞬变3 1 2 3 符号 TST TJ VDD1 VDDA, VDDB VIA, VIB， 禁用 VOA VOB IO 额定值 −55 °C至+150 °C −40 °C至+150 °C −0.5 V至+7.0 V −0.5 V至+20 V −0.5 V至VDD1 + 0.5 V −0.5 V至VDDA + 0.5 V −0.5 V至VDDB + 0.5 V −35 mA至+35 mA CMH, CML −100 kV/µs至+100 kV/µs ESD警告 ESD(静电放电)敏感器件。 所有电压均参照各自的地。 不同温度下的最大容许电流参见图2和图3。 指隔离栅上的共模瞬变。超过绝对最大额定值的共模瞬变可能导致闩 锁或永久损坏。 Rev. D | Page 9 of 20 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 ADuM3223/ADuM4223 表12. 最大连续工作电压1 参数 交流电压，双极性波形 交流电压，单极性波形 直流电压 1 最大值 565 1131 1131 单位 V峰值 V峰值 V峰值 约束条件 最少50年寿命 最少50年寿命 最少50年寿命 指隔离栅上的连续电压幅度。详情见隔离寿命摂部分。 表13. 真值表ADuM3223/ADuM4223(正逻辑)1 禁用 L VIA 输入 L VIB 输入 L VDD1 状态 有电 VDDA/VDDB 状态 有电 VOA 输出 L VOB 输出 L L L H 有电 有电 L H L H L 有电 有电 H L L H H 有电 有电 H H H X X 有电 有电 L L L L L 无电 有电 L L X X X 有电 无电 L L 1 X = 无关，L = 低电平，H = 高电平。 Rev. D | Page 10 of 20 注释 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 输出在DISABLE = H置位后的3 µs内处于 默认低电平状态。 输出在VDD1电源恢复后的1 µs内返回到 输入状态。 输出在VDDA/VDDB电源恢复后的50 μs内 恢复到输入状态。 ADuM3223/ADuM4223 引脚配置和功能描述 VIA 1 VDD1 3 GND1 4 DISABLE 5 16 VDDA ADuM3223/ ADuM4223 TOP VIEW (Not to Scale) 15 VOA 14 GNDA 13 NC 12 NC NC 6 11 VDDB NC 7 10 VOB VDD1 8 9 GNDB NOTES 1. NC = NO CONNECT. DO NOT CONNECT TO THIS PIN. 10450-003 VIB 2 图4. 引脚配置 表14. ADuM3223/ADuM4223引脚功能描述 引脚编号1 1 6, 7, 12, 13 2 3, 8 4 5 引脚名称 VIA NC VIB VDD1 GND1 禁用 9 10 11 14 15 16 GNDB VOB VDDB GNDA VOA VDDA 1 说明 逻辑输入A。 不连接。 逻辑输入B。 输入电源电压。 输入逻辑信号的接地参考。 输入禁用。禁用隔离器输入，刷新电路。输出在DISABLE = H置位后的3 µs内处于默认低电平状态。 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复到输入状态。 输出B的接地参考。 输出B。 输出B电源电压。 输出A的接地参考。 输出A。 输出A电源电压。 引脚3和引脚8内部互连，并且建议将二者均连接至VDD1。 关于特定布局原则，请参考AN-1109应用笔记：iCoupler器件的辐射控制建议。 Rev. D | Page 11 of 20 ADuM3223/ADuM4223 典型性能参数 1000 800 GATE CHARGE (nC) CH2 = VO (5V/DIV) 2 VDD2 = 5V 600 VDD2 = 8V 400 VDD2 = 10V CH1 = VI (5V/DIV) 200 1 CH1 5.00V Ω M40.0ns 2.50GS/s 100k POINTS A CH1 2.70V 10450-105 CH1 5.00V 0 200 400 600 800 1000 SWITCHING FREQUENCY (kHz) 10450-108 VDD2 = 15V 0 图8. 典型ADuM4223最大负载与频率的关系(RG = 1 Ω) 图5. 2 nF负载的输出波形(12 V输出电源) 3.0 a b –820ps b 10.5ns Δ11.3ns a 1.40V 11.4V Δ10.0V 2.5 IDD1 CURRENT (mA) CH2 = VOB (5V/DIV) 2 2.0 VDD1 = 5V 1.5 VDD1 = 3.3V 1.0 CH1 = VOA (5V/DIV) 0.5 CH2 5.00V Ω M20.0ns 2.50GS/s 100k POINTS A CH1 2.70V 0 10450-106 0 CH1 5.00V 0.25 0.50 0.75 1.00 FREQUENCY (MHz) 10450-109 1 图9. 典型IDD1 电源电流与频率的关系 图6. 2 nF负载的输出匹配和上升时间波形(12 V输出电源) 50 500 40 IDDA , IDDB CURRENT (mA) VDD2 = 5V 300 VDD2 = 8V 200 VDD2 = 10V VDD2 = 15V 30 VDD2 = 10V 20 VDD2 = 5V 10 VDD2 = 15V 0 0 200 0 400 600 800 1000 SWITCHING FREQUENCY (kHz) 图7. 典型ADuM3223最大负载与频率的关系(RG = 1 Ω) Rev. D | Page 12 of 20 0 0.25 0.50 0.75 1.00 FREQUENCY (MHz) 图10. 典型IDDA 、IDDB 电源电流与频率的关系(2 nF负载) 10450-110 100 10450-107 GATE CHARGE (nC) 400 ADuM3223/ADuM4223 60 30 25 tDHL 40 RISE/FALL TIME (ns) tDLH 30 20 0 20 40 60 80 100 120 140 RISE TIME 5 7 9 11 13 15 17 OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V) 图11. 典型传播延迟与温度的关系 图14. 典型上升/下降时间变化与输出电源电压的关系 5 50 tDHL 40 tDLH 30 20 0 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 INPUT SUPPLY VOLTAGE (V) 3 2 PD MATCH tDHL PD MATCH tDLH 1 0 10450-112 10 4 5 7 9 11 13 15 10450-115 PROPAGATION DELAY CH-CH MATCHING (ns) 60 PROPAGATION DELAY (ns) 10 0 10450-111 –20 JUNCTION TEMPERATURE (°C) 17 OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V) 图12. 典型传播延迟与输入电源电压的关系，(VDDA 、VDDB = 12 V) 图15. 典型传播延迟通道间匹配与输出电源电压的关系 5 PROPAGATION DELAY CH-CH MATCHING (ns) 60 50 tDHL 40 tDLH 30 20 10 5 7 9 11 13 15 17 OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V) 图13. 典型传播延迟与输出电源电压的关系，VDD1 = 5 V 4 3 2 PD MATCH tDLH 1 0 –40 10450-113 PROPAGATION DELAY (ns) FALL TIME 5 0 –40 0 15 10450-114 10 20 PD MATCH tDHL –20 0 20 40 60 80 100 JUNCTION TEMPERATURE (°C) 120 140 10450-116 PROPAGATION DELAY (ns1 50 图16. 典型传播延迟通道间匹配与温度的关系，(VDDA 、VDDB = 12 V) Rev. D | Page 13 of 20 ADuM3223/ADuM4223 8 1.4 7 1.2 SOURCE/SINK CURRENT (A) 1.6 VOUT SOURCE RESISTANCE 0.8 VOUT SINK RESISTANCE 0.6 0.4 4 SOURCE IOUT 3 2 4 6 8 10 12 14 16 OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V) 18 图17. 典型输出电阻与输出电源电压的关系 0 4 6 8 10 12 14 16 OUTPUT SUPPLY VOLTAGE (V) 图18. 典型输出电流与输出电源电压的关系 Rev. D | Page 14 of 20 18 10450-118 0 5 1 0.2 10450-117 ROUT (Ω) 1.0 SINK IOUT 6 ADuM3223/ADuM4223 应用信息 PCB布局 ADuM3223/ADuM4223数字隔离器不需要外部接口电路作 为逻辑接口。输入和输出供电引脚需要电源旁路，如图19 所示。使用电容值在0.01 µF到0.1 µF之间的小型陶瓷电容， 以提供良好的高频旁路。在输出电源引脚VDDA或VDDB上，建 议再增加一个10 µF电容，以提供驱动ADuM3223/ADuM4223输 出端栅极电容所需的电荷。在输出电源引脚上，应避免使 用旁路电容过孔，或者应该使用多个过孔来降低旁路电感 值。较小的电容两端到输入或输出电源引脚的走线总长不 应超过5 mm。 VIA VDDA VOA VDD1 GNDA GND1 NC DISABLE NC VDDB NC VOB VDD1 GNDB 10450-119 NC 图19. 推荐的PCB布局 传 播 延 迟 偏 斜 指 在 相 同 条 件 下 工 作 的 多 个 ADuM3223/ ADuM4223器件的传播延迟之间的最大差异。 热限制和开关负载特性 对于隔离式栅极驱动器，在输入和输出电路之间进行必要 的隔离可防止在部件下方使用单一散热焊盘。因此主要通 过封装引脚来散热。 对于不同输出电压值使用1 Ω串联栅极电阻能够驱动的最大 负载电容，封装散热限制了开关频率与输出负载之间的性 能 表 现 ， 如 图 7和 图 8所 示 。 例 如 ， 此 曲 线 显 示 典 型 的 ADuM3223器件可以驱动140 nC栅极电荷、8 V输出(相当于 17 nF负载)、最高频率约300 kHz的大型MOSFET。 ADuM3223/ADuM4223隔离器的全部输出均提供热关断保 护功能，当上升结温典型值达到150°C时，该功能会将输 出设为逻辑低电平，并当结温从关断时的温度下降约10°C 时返回原状态。 输出负载特性 传播延迟相关参数 传播延迟是衡量逻辑信号穿过器件所需时间的参数。到逻 辑低电平输出的传播延迟可能不同于到逻辑高电平输出的 传播延迟。ADuM3223/ADuM4223指定tDLH(见图20)作为上 升输入高电平逻辑阈值VIH到输出上升10%阈值之间的时间。 同样，下降传播延迟tDHL定义为输入下降逻辑低电平阈值 VIL到输出下降90%阈值之间的时间。上升和下降时间取决 于负载条件，并且不包含在传播延迟中，这是栅极驱动器 的工业标准。 ADuM3223/ADuM4223输出信号取决于输出负载(通常是N 通道MOSFET)的特性。驱动器输出对于N通道MOSFET负 载的响应可以模拟为开关输出电阻(RSW)、印刷电路板走线 的电感(LTRACE)、串联栅极电阻(RGATE)和源电容栅极(Cgs)， 如图21所示。 VIA ADuM3223/ ADuM4223 VOA RSW RGATE LTRACE VO CGS 10450-006 VIB 通道间匹配指单个ADuM3223/ADuM4223器件内各通道的 传播延迟之间的最大差异。 图21. N通道MOSFET栅极的RLC模型 90% RSW为内部ADuM3223/ADuM4223驱动器输出的开关电阻， 约等于1.1 Ω。RGATE为MOSFET的固有栅极电阻加任意外部 串联电阻。需要4 A栅极驱动器的MOSFET，其典型固有栅 极电阻约为1 Ω，栅极-源极电容CGS介于2 nF到10 nF之间。 LTRACE为印刷电路板走线的电感，其典型值为5 nH，或者当 采用从ADuM3223/ADuM4223输出端到MOSFET栅极具有短 而宽的连接的精心布局，这个值会更小。 OUTPUT 10% VIH INPUT VIL tR tF 10450-005 tDHL tDLH 图20. 传播延迟参数 Rev. D | Page 15 of 20 ADuM3223/ADuM4223 在图5中，12 V输出的ADuM3223/ADuM4223输出波形显示对 应2 nF的CGS。请注意图5中的少量输出响铃振荡，CGS为2 nF， RSW为1.1 Ω，RGATE为0 Ω，计算得出的Q因数为0.75，对 于高阻尼应用应小于1。 通过添加串联栅极电阻可以减少输出响铃振荡，从而抑制 响应。对于负载低于1 nF的应用，建议添加一个数值约为2 Ω 至5 Ω的串联栅极电阻。 自举半桥操作 ADuM3223/ADuM4223非常适合用于两个输出栅极信号参 考不同接地的操作，比如半桥配置。减少电源数是有好处 的，因为隔离辅助电源通常十分昂贵。实现该配置的一种 方法是为ADuM3223/ADuM4223的高端电源采用自举配 置。在该拓扑中，去耦电容CA用来存储高端电源的电能， 并且只要关闭低端开关，就会对其填充电能，将GNDA变 为GNDB。在CA充电期间，必须控制VDDA电压的dv/dt，减 少 输 出 端 产 生 毛 刺 的 可 能 性 。 对 于 ADuM3223/ ADuM4223，建议将dv/dt保持在10 V/µs以下。这可以通过 在CA的充电路径上引入一个串联电阻RBOOT来控制。例如， 假定VAUX为12 V，CA总电容为10 µF，自举二极管的正向压 降为1 V： VIA VIB VPRIM VPRIM VDD1 CDD1 1 GND1 DISABLE NC VPRIM NC VDD1 1 2 直流正确性和磁场抗扰度 在隔离器输入端的正负逻辑电平转换会使一个很窄的(约1 ns) 脉冲通过变压器被送到解码器。解码器是双稳态的，因此， 可以被这个脉冲置位或复位，表示输入逻辑的转换。当输 入端超过1 µs没有逻辑转换时，会发送一组用以表示正确输 入状态的周期性刷新脉冲，以确保输出的直流正确性。 如果解码器在超过大约3 µs没有接收到内部脉冲，则输入侧 认为没有供电或者无效，在这种情况下，隔离器的输出被 看门狗计时电路强制设置为默认低电平状态。此外，当电 源电压小于UVLO阈值时，输出端处于低电平默认值状态。 ADuM3223/ADuM4223具有抗扰性能，不易受外部磁场的 影响。ADuM3223/ADuM4223磁场抗扰度的限制是由变压 器接收线圈中的感应电压的状态决定的，电压足够大就会 错误地置位或复位解码器。下面的分析说明此情况发生的 条件。检测ADuM3223/ADuM4223的3 V工作电压是因为它 在此条件下工作时最易受到干扰。变压器输出端的脉冲幅 度大于1.0 V。解码器的检测阈值大约是0.5 V，因此感应电 压可承受的噪声容限为0.5 V。接收线圈上的感应电压由以 下公式计算： V = (−dβ/dt) ∑π rn2, n = 1, 2, ... , N 其中： β是磁通密度(高斯)。 N是接收线圈匝数。 rn是接收线圈第n圈的半径(cm)。 ADuM3223/ ADuM4223 ENCODE 16 DECODE 15 3 14 4 13 5 12 6 11 7 ENCODE DECODE 10 9 8 VDDA RBOOT VOA REXT_A VDBOOT VBUS DBOOT CA GNDA NC NC VDDB VOB VAUX REXT_B CB GNDB 2 NC = NO CONNECT 图22. 自举半桥操作电路图 Rev. D | Page 16 of 20 10450-222 以 下 公 式 定 义 了 RLC电 路 的 Q因 数 ， 表 示 ADuM3223/ ADuM4223输出端如何响应阶跃变化。对于高阻尼输出而 言，Q小于1。添加串联栅极电阻会抑制输出响应。 ADuM3223/ADuM4223 给定ADuM3223/ADuM4223接收线圈几何形状及感应电压， 解码器最多能够有0.5 V余量的50%，允许的最大磁场见图23 所示计算。 ADuM3223/ADuM4223隔离器给定通道的电源电流是电源 电压、通道数据速率和通道输出负载的函数。 对于每个输入通道，电源电流按照下式计算： 100 MAXIMUM ALLOWABLE MAGNETIC FLUX DENSITY (kgauss) 功耗 10 f ≤ 0.5fr IDDI = IDDI(D) × (2f – fr) + IDDI(Q) f > 0.5fr 对于每个输出通道，电源电流按照下式计算： 1 IDDO = IDDO(Q) 10k 100k 1M 10M 100M MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz) 10450-122 0.001 1k 图23. 最大允许外部磁通密度 例如，在1 MHz的磁场频率下，最大允许0.08 K高斯的磁场 在接收线圈可以感应出0.251 V的电压。这大约是检测阈值 的50%并且不会引起输出转换错误。同样，如果这样的情 况在发送脉冲时发生(最差的极性)，这会使接收到的脉冲 从大于1.0 V下降到0.75 V，仍然高于解码器检测阈值0.5 V。 先前的磁通密度值对应于与ADuM3223/ADuM4223变压器 给定距离的额定电流幅度。图24表明这些允许的电流幅度 是 频 率 与 所 选 距 离 的 函 数 。 如 图 所 示 ， ADuM3223/ ADuM4223只有在离器件很近的高频大电流下才会受影 响。例如：当工作频率为1 MHz时，0.2 kA电流必须放置在 距离ADuM3223/ADuM4223 5 mm以外的地方，才不会影响 器件的工作。 其中： IDDI(D)、IDDO(D)是每个通道的输入和输出动态电源电流 (mA/Mbps)。 CL是输出负载电容(pF)。 VDDO是输出电源电压(V)。 f是输入逻辑信号频率(MHz，输入数据速率的一半，NRZ 信令)。 fr是输入级刷新速率(Mbps)。 IDDI(Q)、IDDO(Q)是额定输入和输出静态电源电流(mA)。 为了计算总电源电流，必须计算与IDD1、IDDA和IDDB相 对应的各输入和输出通道的电源电流并求和。 图9提供了两个输入通道的总输入IDD1电源电流与数据速 率的函数关系。图10提供了两个2 nF电容负载输出端的总 IDDA或IDDB电源电流与数据速率的函数关系。 1k DISTANCE = 1m 100 10 DISTANCE = 100mm 1 DISTANCE = 5mm 10k 100k 1M 10M MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz) 100M 10450-123 0.1 0.01 1k f ≤ 0.5fr IDDO = (IDDO(D) + (0.5) × CLVDDO) × (2f – fr) + IDDO(Q) f > 0.5fr 0.1 0.01 MAXIMUM ALLOWABLE CURRENT (kA) IDDI = IDDI(Q) 图24. 不同电流至ADuM3223/ADuM4223距离下的最大允许电流 Rev. D | Page 17 of 20 ADuM3223/ADuM4223 表12中显示的值总结了双极性交流工作条件下50年工作寿 命的峰值电压以及CSA/VDE认可的最大工作电压。许多情 况下，认可工作电压高于50年工作寿命电压。某些情况 下，在这些高工作电压下工作会导致隔离寿命缩短。 ADuM3223/ADuM4223的隔离寿命由施加在隔离栅上的电 压波形决定。iCoupler结构的隔离度以不同速率衰减，这 由波形是否为双极性交流、单极性交流或直流决定。图 25、图26和图27显示这些不同隔离电压的波形。 双极性交流电压环境对于 i Coupler产品而言是最差的情 况，ADI公司推荐的最大工作电压对应的工作寿命为50 年。在单极性交流或者直流电压的情况下，隔离应力显然 低得多。此工作模式在能够获得50年工作时间的前提下， Rev. D | Page 18 of 20 RATED PEAK VOLTAGE 10450-009 ADI公司使用超过额定连续工作电压的电压执行加速寿命 测试。确定多种工作条件下的加速系数，利用这些系数可 以计算实际工作电压下的失效时间。 请注意，图26所示的正弦电压波形仅作为示例提供，它代 表任何在0 V与某一限值之间变化的电压波形。该限值可以 为正值或负值，但电压不能穿过0 V。 0V 图25. 双极性交流波形 RATED PEAK VOLTAGE 10450-010 所有的隔离结构在长时间的电压作用下，最终会被破坏。 隔离衰减率由施加在隔离层上的电压波形特性决定。除了 由监管机构进行测试，ADI也进行一系列广泛的评估来确 定ADuM3223/ADuM4223内部隔离架构的寿命。 允许更高的工作电压。任何与图26和图27中不一致的交叉 隔离电压波形都应被认为是双极性交流波形，其峰值电压 应限制在表12中列出的50年工作寿命电压以下。 0V 图26. 单极性交流波形 RATED PEAK VOLTAGE 10450-011 隔离寿命 0V 图27. 直流波形 ADuM3223/ADuM4223 外形尺寸 10.00 (0.3937) 9.80 (0.3858) 9 16 4.00 (0.1575) 3.80 (0.1496) 1 8 1.27 (0.0500) BSC 0.50 (0.0197) 0.25 (0.0098) 1.75 (0.0689) 1.35 (0.0531) 0.25 (0.0098) 0.10 (0.0039) COPLANARITY 0.10 6.20 (0.2441) 5.80 (0.2283) SEATING PLANE 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) 45° 8° 0° 0.25 (0.0098) 0.17 (0.0067) 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AC 060606-A CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 图27. 16引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体 (R-16) 图示尺寸单位：mm和(inch) 10.50 (0.4134) 10.10 (0.3976) 9 16 7.60 (0.2992) 7.40 (0.2913) 8 1.27 (0.0500) BSC 0.30 (0.0118) 0.10 (0.0039) COPLANARITY 0.10 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) 10.65 (0.4193) 10.00 (0.3937) 0.75 (0.0295) 45° 0.25 (0.0098) 2.65 (0.1043) 2.35 (0.0925) SEATING PLANE 8° 0° 0.33 (0.0130) 0.20 (0.0079) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-013-AA CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 图28. 16引脚标准小型封装[SOIC_W] 宽体 (RW-16) 图示尺寸单位：mm和(inch) Rev. D | Page 19 of 20 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) 03-27-2007-B 1 ADuM3223/ADuM4223 订购指南 型号1, 2 ADuM3223ARZ ADuM3223ARZ-RL7 ADuM3223BRZ ADuM3223BRZ-RL7 ADuM3223CRZ ADuM3223CRZ-RL7 ADuM3223WARZ ADuM3223WARZ-RL7 ADuM3223WBRZ ADuM3223WBRZ-RL7 ADuM3223WCRZ ADuM3223WCRZ-RL7 ADuM4223ARWZ ADuM4223ARWZ-RL ADuM4223BRWZ ADuM4223BRWZ-RL ADuM4223CRWZ ADuM4223CRWZ-RL ADuM4223WARWZ ADuM4223WARWZ-RL ADuM4223WBRWZ ADuM4223WBRWZ-RL ADuM4223WCRWZ ADuM4223WCRWZ-RL EVAL-ADuM3223AEBZ EVAL-ADuM4223AEBZ 1 2 通道数 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 输出峰值电流 (A) 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 最小输出 电压(V) 4.5 4.5 7.5 7.5 11.5 11.5 4.5 4.5 7.5 7.5 11.5 11.5 4.5 4.5 7.5 7.5 11.5 11.5 4.5 4.5 7.5 7.5 11.5 11.5 4.5 4.5 温度范围 −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C 封装描述 16引脚 SOIC_N 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_N 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_N 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_N 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_N 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_N 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_W 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_W 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_W 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_W 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_W 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 16引脚 SOIC_W 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 ADuM3223评估板 ADuM3223评估板 封装选项 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 R-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 RW-16 订购数量 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 Z = 符合RoHS标准的器件。 ADuM3223W和ADuM4223W = 通过汽车应用认证。 汽车应用产品 ADuM3223W和ADuM4223W生产工艺受到严格控制，以提供满足汽车应用的质量和可靠性要求。请注意，车用型号的 技术规格可能不同于商用型号；因此，设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有显示为汽车应用级的产品 才能用于汽车应用。欲了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告，请联系当地ADI客户代表。 ©2012–2014 Analog Devices, Inc. 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