中文数据手册

微功耗、双通道数字隔离器
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
VDD1 1
ADuM124x
20
VDD2
GND1 2
19
GND2
NIC 3
18
NIC
NIC 4
17
NIC
VIA/VOA 5
ENCODE
DECODE
16
VOA/VIA
VIB 6
ENCODE
DECODE
15
VOB
EN1 7
14
EN2
NIC 8
13
NIC
NIC 9
12
NIC
GND1 10
11
GND2
11925-002
功能框图
图1. 20引脚SSOP封装功能框图
VDD1 1
ADuM124x
8 VDD2
VIA/VOA 2
ENCODE
DECODE
7 VOA/VIA
VIB 3
ENCODE
DECODE
6 VOB
5 GND2
GND1 4
11925-102
产品特性
超低功耗工作
工作电压：3.3 V
5.6 µA(每通道静态电流，刷新使能)
0.3 µA(每通道静态电流，刷新禁用)
148 µA/Mbps(每通道典型动态电流)
工作电压：2.5 V
3.1 µA(每通道静态电流，刷新使能)
0.1 µA(每通道静态电流，刷新禁用)
116 µA/Mbps(每通道典型动态电流)
20引脚小型SSOP封装和8引脚小型SOIC封装
双向通信
数据速率最高可达2 Mbps(不归零NRZ)
工作温度最高可达：125°C
高共模瞬变抗扰度：>25 kV/µs
安全和法规认证
UL 1577器件认证计划(申请中)
依据UL 1577，1分钟3750 V rms(20引脚SSOP)
依据UL 1577，1分钟3000 V rms(8引脚SOIC)
CSA元件验收通知5A(申请中)
符合VDE标准证书(申请中)
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)： 2006-12
VIORM = 849 V峰值(20引脚SSOP)
VIORM = 560 V峰值(8引脚SOIC)
图2. 8引脚SOIC封装功能框图
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246的20引脚
SSOP版本提供3.75 kV增强隔离，8引脚SOIC版本提供3 kV
基本隔离。这些器件满足法定要求，如UL和CSA标准。
除 了 节 省 空 间 的 封 装 选 项 外 ， ADuM1240/ADuM1241/
ADuM1245/ADuM1246还可采用低至2.25 V的电源供电。
所有型号都具有8 ns以下的低脉宽失真。此外，每款型号均
应用
提供输入毛刺滤波器，以防外来噪声干扰。
通用低功耗多通道隔离
1 MHz低功耗串行外设接口(SPI)
4 mA至20 mA环路过程控制
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM12461是采用ADI
公司iCoupler®技术的微功耗双通道数字隔离器。这些隔离
器件将高速互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯
变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出
色 性 能 特 征 。 ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/
ADuM1246的20引脚SSOP版本可以控制内部刷新功能。如
图3所示，在标准工作模式下，当EN x = 0(内部刷新使能)
时，每通道电流低于10 µA。
100
10
ENx = 0
ENx = 1
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
10000
DATA RATE (kbps)
当ENx = 1(内部刷新禁用)时，每通道电流降至1 µA以下。
1
11925-001
概述
TYPICAL TOTAL SUPPLY CURRENT
PER CHANNEL (µA)
1000
图3. 每通道的典型总电源电流(IDD1 + IDD2 ，VDDx = 3.3 V)与
数据速率的关系
受美国专利第5,952,849号、6,873,065号、7,075,329号和6,262,600号保护，
其它专利正在申请中。
Rev. A
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的最新英文版数据手册。
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
目录
产品特性 ...........................................................................................1
绝对最大额定值...................................................................... 10
应用....................................................................................................1
连续工作电压 .......................................................................... 10
概述....................................................................................................1
ESD警告.................................................................................... 10
功能框图 ...........................................................................................1
引脚配置和功能描述 .................................................................. 11
修订历史 ...........................................................................................2
真值表 ....................................................................................... 13
技术规格 ...........................................................................................3
典型性能参数 ............................................................................... 14
电气特性—3.3 V电源................................................................3
应用信息 ........................................................................................ 17
电气特性—2.5 V电源................................................................4
PCB布局布线........................................................................... 17
电气特性—VDD1 = 3.3 V、VDD2 = 2.5 V .................................6
传播延迟相关参数 ................................................................. 17
电气特性—VDD1 = 2.5 V、VDD2 = 3.3 V .................................6
直流正确性和低功耗工作 .................................................... 17
封装特性......................................................................................7
磁场抗扰度 .............................................................................. 18
法规信息......................................................................................7
功耗 ........................................................................................... 19
隔离和安全相关特性............................................................... 8
隔离寿命................................................................................... 19
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12
封装和订购信息........................................................................... 20
绝缘特性..................................................................................... 8
外形尺寸................................................................................... 20
建议工作条件 .............................................................................9
订购指南................................................................................... 21
修订历史
2014年3月—修订版0至修订版A
更改表19 ........................................................................................ 11
增加8引脚SOIC封装 ...............................................................通篇
增加图7 .......................................................................................... 12
更改“产品特性”部分、“概述”部分和图3..................................1
更改表20 ........................................................................................ 12
删除“产品特色”部分......................................................................1
更改表22和表23 ........................................................................... 13
增加图2；重新排序 .......................................................................1
更改PCB布局部分 ....................................................................... 17
更改表12 ...........................................................................................7
增加图28 ........................................................................................ 17
更改表13 ...........................................................................................8
更改“低功耗工作模式的推荐输入电压”部分 ....................... 18
增加表14；重新排序 .....................................................................8
“外形尺寸”部分中增加图35...................................................... 20
图4标题中的“外壳温度”更改为“环境温度” ............................9
更改“订购指南”部分................................................................... 21
增加图5 .......................................................................................... 11
2013年12月—修订版0：初始版
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
技术规格
电气特性—3.3 V电源
所有典型规格均在TA = 25°C、VDD1 = VDD2 = 3.3 V时测得。除非另有说明，最小值和最大值适用于整个推荐工作范围：3.0 V ≤
VDD1 ≤ 3.6 V、3.0 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信号电平。
表1.
参数
开关规格
数据速率
传播延迟
温度变化率
最小脉冲宽度
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜1
通道匹配
同向
反向
1
符号
最小值 典型值 最大值 单位
tPHL, tPLH
80
200
PW
PWD
tPSK
2
180
8
10
Mbps
ns
ps/°C
ns
ns
ns
10
15
ns
ns
500
tPSKCD
tPSKOD
测试条件/注释
在脉宽失真(PWD)限值内
50%输入至50%输出
在PWD限值内
|tPLH − tPHL|
tPSK指两个器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tPHL和tPLH的最差情况偏差。
表2.
参数
电源电流
ADuM1240/ADuM1245
ADuM1241/ADuM1246
符号
最小值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
典型值 最大值 单位
366
246
306
306
600
375
450
450
测试条件/注释
2 Mbps、空载
µA
µA
µA
µA
表3.
参数
直流规格
输入阈值
逻辑高电平
逻辑低电平
输出电压
逻辑高电平
逻辑低电平
每个通道的输入电流
输入开关阈值
正阈值电压
趋负阈值
输入迟滞
欠压闭锁，VDD1或VDD2
每个通道的电源电流
静态电流
输入电源
输出电源
输入(刷新关闭)
输出(刷新关闭)
符号
最小值
VIH
VIL
0.7 VDDx 1
VOH
VDDx1 − 0.1
VDDx1 − 0.4
VOL
II
−1
典型值 最大值
3.3
3.1
0.0
0.2
+0.01
VT+
VT−
∆V T
UVLO
1.8
1.2
0.6
1.5
IDDI (Q)
IDDO (Q)
IDDI (Q)
IDDO (Q)
4.8
0.8
0.12
0.13
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单位
0.3 VDDx1
V
V
0.1
0.4
+1
V
V
V
V
µA
测试条件/注释
IOUTx = −20 µA, VIx = VIxH
IOUTx = −4 mA, VIx = VIxH
IOUTx = 20 µA, VIx = VIxL
IOUTx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx1
V
V
V
V
10
6
µA
µA
µA
µA
ENX低电平
ENX低电平
ENX高电平
ENX高电平
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
参数
符号
动态电源电流
输入
输出
交流规格
输出上升时间/下降时间
共模瞬变抗扰度2
IDDI (D)
IDDO (D)
tR/tF
|CM|
2
25
fr
刷新速率
1
最小值
典型值 最大值
单位
测试条件/注释
88
60
µA/Mbps
µA/Mbps
2
40
ns
kV/µs
14
kbps
10%至90%
VIx = VDDx1，VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
VDDx = VDD1或VDD2。
|CM|是在维持VOUT > 0.8 VDDx时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
电气特性—2.5 V电源
所有典型规格均在TA = 25°C、VDD1 = VDD2 = 2.5 V时测得。除非另有说明，最小值和最大值适用于整个推荐工作范围：2.25 V
≤ VDD1 ≤ 2.75 V、2.25 V ≤ VDD2 ≤ 2.75 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信号
电平。
表4.
参数
开关规格
数据速率
传播延迟
温度变化率
脉冲宽度失真
最小脉冲宽度
传播延迟偏斜1
通道匹配
同向
反向
1
符号
最小值
tPHL, tPLH
PWD
PW
tPSK
典型值 最大值
112
280
单位
测试条件/注释
在PWD限值内
50%输入至50%输出
10
Mbps
ns
ps/°C
ns
ns
ns
10
30
ns
ns
2
180
12
500
tPSKCD
tPSKOD
|tPLH − tPHL|
在PWD限值内
tPSK指两个器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tPHL或tPLH的最差情况偏差。
表5.
参数
电源电流
ADuM1240/ADuM1245
ADuM1241/ADuM1246
符号
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
最小值
典型值
最大值
单位
312
168
240
240
400
250
375
375
µA
µA
µA
µA
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测试条件/注释
2 Mbps、空载
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
表6.
参数
直流规格
输入阈值
逻辑高电平
逻辑低电平
输出电压
逻辑高电平
逻辑低电平
每个通道的输入电流
输入开关阈值
正阈值电压
趋负阈值
输入迟滞
欠压闭锁，VDD1或VDD2
每个通道的电源电流
静态电流
输入电源
输出电源
输入(刷新关闭)
输出(刷新关闭)
动态电源电流
输入
输出
交流规格
输出上升时间/下降时间
共模瞬变抗扰度2
刷新速率
1
2
符号
最小值
VIH
VIL
0.7 VDDx 1
VOH
VDDx1 − 0.1
VDDx1 − 0.4
VOL
II
−1
典型值 最大值
2.5
2.35
0.0
0.1
+0.01
单位
0.3 VDDx1
V
V
0.1
0.4
+1
V
V
V
V
µA
VT+
VT−
∆V T
UVLO
1.5
1.0
0.5
1.5
IDDI (Q)
IDDO (Q)
IDDI (Q)
IDDO (Q)
2.6
0.5
0.05
0.05
IDDI (D)
IDDO (D)
76
41
µA/Mbps
µA/Mbps
2
40
ns
kV/µs
14
kbps
tR/tF
|CM|
fr
25
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx1
V
V
V
V
3.75
3.75
µA
µA
µA
µA
VDDx = VDD1或VDD2。
|CM|是在维持VOUT > 0.8 VDDx时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。
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测试条件/注释
ENX低电平
ENX低电平
ENX高电平
ENX高电平
10%至90%
VIx = VDDx1, VCM = 1000 V，
瞬变幅度 = 800 V
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
电气特性—VDD1 = 3.3 V、VDD2 = 2.5 V
所有典型规格均在TA = 25°C、VDD1 = 3.3 V、VDD2 = 2.5 V时测得。除非另有说明，最小值和最大值适用于整个推荐工作范围：
3.0 V ≤ VDD1 ≤ 3.6 V、2.25 V ≤ VDD2 ≤ 2.75 V、−40 °C ≤ TA ≤ +125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信
号电平。
关于直流规格和交流规格，第1侧操作相关的参数参见表3，第2侧操作相关的参数参见表6。
表7.
参数
开关规格
数据速率
传播延迟
第1侧至第2侧
第2侧至第1侧
温度变化率
脉冲宽度失真
脉冲宽度
传播延迟偏斜1
通道匹配
同向
反向
1
符号
最小值
tPHL, tPLH
tPHL, tPLH
PWD
PW
tPSK
典型值 最大值
84
120
280
单位
测试条件/注释
2
Mbps
在PWD限值内
180
180
50%输入至50%输出
50%输入至50%输出
10
ns
ns
ps/°C
ns
ns
ns
10
60
ns
ns
12
500
tPSKCD
tPSKOD
|tPLH − tPHL|
在PWD限值内
tPSK指两个器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tPHL或tPLH的最差情况偏差。
表8.
参数
电源电流
ADuM1240/ADuM1245
ADuM1241/ADuM1246
符号
最小值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
典型值
最大值
单位
366
168
306
240
500
375
400
375
µA
µA
µA
µA
测试条件/注释
2 Mbps、空载
电气特性—VDD1 = 2.5 V、VDD2 = 3.3 V
所有典型规格均在TA = 25°C、VDD1 = 2.5 V、VDD2 = 3.3 V时测得。除非另有说明，最小值和最大值适用于整个推荐工作范围：
2.25 V ≤ VDD1 ≤ 2.75 V、3.0 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40 °C ≤ TA ≤ +125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为CL = 15 pF和CMOS信
号电平。
关于直流规格和交流规格，第1侧操作相关的参数参见表6，第2侧操作相关的参数参见表3。
表9.
参数
开关规格
数据速率
传播延迟
第1侧至第2侧
第2侧至第1侧
温度变化率
脉冲宽度失真
脉冲宽度
传播延迟偏斜1
通道匹配
同向
反向
1
符号
最小值
tPHL, tPLH
tPHL, tPLH
PWD
PW
tPSK
tPSKCD
tPSKOD
典型值 最大值
120
84
200
单位
测试条件/注释
2
Mbps
在PWD限值内
180
180
50%输入至50%输出
50%输入至50%输出
10
ns
ns
ps/°C
ns
ns
ns
10
60
ns
ns
12
500
|tPLH − tPHL|
在PWD限值内
tPSK指两个器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的tPHL或tPLH的最差情况偏差。
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
表10.
参数
电源电流
ADuM1240/ADuM1245
ADuM1241/ADuM1246
符号
最小值
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
典型值
最大值
单位
306
248
240
306
500
375
375
450
µA
µA
µA
µA
测试条件/注释
2 Mbps、空载
封装特性
表11.
参数
电阻(输入至输出)1
电容(输入至输出)1
输入电容2
IC结至环境热阻
1
2
符号
RI-O
CI-O
CI
θJA
最小值 典型值 最大值
1013
2
4.0
85
单位
Ω
pF
pF
°C/W
测试条件/注释
f = 1 MHz
热电偶位于封装底部正中间
假设器件为双端器件：引脚1与引脚8短路，引脚9与引脚16短路。
输入电容是从任意输入数据引脚到地的容值。
法规信息
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246正在接受表12所列机构的认证。关于特定交叉隔离波形和绝缘水平下的推荐
最大工作电压，请参阅表18和“绝对最大额定值”部分。
表12.
UL(申请中)
1577器件认可程序认可1
CSA(申请中)
CSA元件验收通知5A批准
单一保护，8引脚SOIC封装，
3000 V rms隔离电压
8引脚SOIC封装，
基本绝缘符合CSA 60950-1-03和IEC 60950-1标准，
400 V rms (565 V峰值)最大工作电压
20引脚SSOP封装，
基本绝缘符合CSA 60950-1-03和IEC 60950-1标准，
530 V rms (700 V峰值)最大工作电压
20引脚SSOP封装，
加强绝缘符合CSA 60950-1-03和IEC 60950-1标准，
265 V rms (374 V峰值)最大工作电压
文件205078
单一保护，20引脚SSOP封装，
3750 V rms隔离电压
文件E214100
1
2
VDE(申请中)
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：
2006-12认证2
8引脚SOIC封装，
加强绝缘，
560 VPEAK
20引脚SSOP封装，
加强绝缘，
849 VPEAK
文件2471900-4880-0001
依据UL 1577，每个ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3000 V rms的验证测试(漏电流检测限值为5 µA)。
依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。
器件上的星号(*)标志表示通过DIN V VDE V 0884-10认证。
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
隔离和安全相关特性
表13.
参数
额定电介质隔离电压
(8引脚SOIC)
额定电介质隔离电压
(20引脚SSOP)
最小外部爬电距离和气隙，
8引脚SOIC(爬电距离和间隙)
印刷电路板层中的最小间隙，
8引脚SOIC(PCB间隙)
符号
数值
3000
单位
V rms
测试条件/注释
持续1分钟
3750
V rms
持续1分钟
L(I02)
4
mm min
L(I01)
4.5
mm min
印刷电路板层中的最小间隙，
20引脚SSOP(PCB间隙)
L(I01)
5.1
mm min
印刷电路板层中的最小间隙，
20引脚SSOP(PCB间隙)
L(I02)
5.1
mm min
0.017
mm min
测量输入端至输出端，
沿封装壳体最短距离
测量输入端至输出端，
PCB安装层中的隔空最短距离，视线
测量输入端至输出端，
沿封装壳体最短距离
测量输入端至输出端，
PCB安装层中的隔空最短距离，视线
隔离距离
CTI
>400
V
DIN IEC 112/VDE 0303第1部分
最小内部间隙
漏电阻抗
(相对漏电指数)
隔离组
II
材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1)
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12绝缘特性
这些隔离器适合安全限制数据范围内的加强电气隔离。通过保护电路保持安全数据。封装上的星号(*)标志表示通过DIN V
VDE V 0884-10认证。
表14. 8引脚SOIC (R-8)
参数
DIN VDE 0110装置分类
额定电源电压≤ 150 V rms
额定电源电压≤ 300 V rms
额定电源电压≤ 400 V rms
环境分类
污染度(DIN VDE 0110，表1)
最大工作绝缘电压
输入至输出测试电压，方法b1
符号
VIORM
Vpd(m)
输入至输出测试电压，方法a
跟随环境测试，子类1
Vpd(m)
跟随输入和/或安全测试，
子类2和子类3
最高允许过压
浪涌隔离电压
安全限值
Vpd(m)
壳温
25 °C时的总功耗
TS时的绝缘电阻
TS
IS1
RS
VIOTM
VIOSM
测试条件/注释
特性
单位
I至IV
I至III
I至II
40/105/21
2
560
1050
VPEAK
VPEAK
VIORM × 1.5 = Vpd(m)，
tini = 60秒，tm = 10秒，局部放电 < 5 pC
840
VPEAK
VIORM × 1.2 = Vpd(m)，
tini = 60秒，tm = 10秒，局部放电 < 5 pC
672
VPEAK
VIORM × 1.875 = Vpd(m)，100%生产测试，
tini = tm = 1秒，局部放电 < 5 pC
3500
VPEAK = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间 4000
出现故障时允许的最大值(见图4)
150
1.64
VIO = 500 V
>109
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VPEAK
VPEAK
°C
W
Ω
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
表15. 20引脚SSOP (RS-20)
参数
DIN VDE 0110装置分类
额定电源电压≤ 150 V rms
额定电源电压≤ 300 V rms
额定电源电压≤ 400 V rms
环境分类
污染度(DIN VDE 0110，表1)
最大工作绝缘电压
输入至输出测试电压，方法b1
符号
VIORM
Vpd(m)
输入至输出测试电压，方法a
跟随环境测试，子类1
Vpd(m)
Vpd(m)
跟随输入和/或安全测试，子类2和
子类3
最高允许过压
浪涌隔离电压
VIOTM
VIOSM
安全限值
TS
IS1
RS
壳温
第1侧IDD1电流
TS时的绝缘电阻
VIORM × 1.875 = Vpd(m)，
100%生产测试，tini = tm = 1秒，
局部放电 < 5 pC
VIORM × 1.5 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒，
局部放电 < 5 pC
VIORM × 1.2 = Vpd(m)，tini = 60秒，tm = 10秒，
局部放电 < 5 pC
VPEAK = 10 kV，1.2 µs上升时间，
50 µs，50%下降时间
出现故障时允许的最大值(见图4)
VIO = 500 V
单位
I至IV
I至III
I至II
40/105/21
2
849
1592
VPEAK
VPEAK
1273
VPEAK
1018
VPEAK
5335
6000
VPEAK
VPEAK
150
2.5
>109
°C
W
Ω
表16.
2.5
参数
工作温度
电源电压1
输入信号上升和下降时间
2.0
1.5
1
1.0
50
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
200
11925-003
0
符号
TA
VDD1, VDD2
最小值 最大值
−40
+125
2.25
3.6
1.0
更多信息参见“直流正确性和低功耗工作”部分。
0.5
0
特性
建议工作条件
3.0
SAFE LIMITING POWER (W)
测试条件/注释
图4. 热减额曲线，
依据DIN V VDE V 0884-10获得的安全限值与环境温度的关系
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单位
°C
V
ms
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
绝对最大额定值
连续工作电压
除非另有说明，T
= 25°C。
TA
A
表18. 最大连续工作电压1
表17.
参数
存储温度(TST)范围
工作环境温度
(TA)范围
电源电压(VDD1、VDD2)
输入电压(VIA、VIB)
输出电压(VOA、VOB)
每个引脚的平均输出电流1
第1侧(IO1)
第2侧(IO2)
共模瞬变2
1
2
额定值
−65°C至+150°C
−40°C至+125°C
参数
交流电压
双极性波形
−0.5 V至+5 V
−0.5 V至VDDI + 0.5 V
−0.5 V至VDD2 + 0.5 V
直流电压
−10 mA至+10 mA
−10 mA至+10 mA
−100 kV/μs至+100 kV/μs
ESD警告
单极性波形
1
最大值
单位
约束条件
565
V峰值
最少50年寿命
1131
V峰值
最少50年寿命
1131
V峰值
最少50年寿命
指隔离栅上的连续电压幅度。详情见“隔离寿命”部分。
不同温度下的最大额定电流值参见图4。
指隔离栅上的共模瞬变。超过绝对最大额定值的共模瞬变可能导致闩锁
或永久损坏。
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其他
超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器件
能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
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ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。
尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能
量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的
ESD防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
引脚配置和功能描述
VDD1 1
20 VDD2
GND1 2
19 GND2
NIC 4
VIA 5
VIB 6
EN1 7
VIA 2
VIB 3
GND1 4
ADuM1240/
ADuM1245
TOP VIEW
(Not to Scale)
8
VDD2
7
VOA
6
VOB
5
GND2
ADuM1240/
ADuM1245
TOP VIEW
(Not to Scale)
17 NIC
16 VOA
15 VOB
14 EN2
NIC 8
13 NIC
NIC 9
12 NIC
GND1 10
11925-104
VDD1 1
18 NIC
11 GND2
NIC = NOT INTERNALLY CONNECTED.
图5. ADuM1240/ADuM1245 8引脚SOIC (R-8)引脚配置
11925-004
NIC 3
图6. ADuM1240/ADuM1245 20引脚SSOP (RS-20)引脚配置
表19. ADuM1240/ADuM1245 8引脚SOIC (R-8)和20引脚SSOP (RS-20)引脚功能描述1
8引脚
SOIC
引脚编号2
1
20引脚
SSOP
引脚编号
1
引脚名称
VDD1
无
2
GND1
无
无
2
3
无
3
4
5
6
7
NIC
NIC
VIA
VIB
EN1
无
无
4
8
9
10
NIC
NIC
GND1
5
11
GND2
无
无
无
12
13
14
NIC
NIC
EN2
6
7
无
无
无
15
16
17
18
19
VOB
VOA
NIC
NIC
GND2
8
20
VDD2
1
2
说明
隔离器第1侧的电源电压(2.25 V至3.6 V)。
在VDD1与GND1之间连接一个值为0.01 µF至0.1 µF的陶瓷旁路电容。
地1。隔离器第1侧的接地基准点。
引脚2与引脚10内部互连，并且建议将二者均连至GND1。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
逻辑输入A。
逻辑输入B。
刷新和看门狗使能1。
在20引脚SSOP封装中，引脚7连接到GND1可使能第1侧的输入/输出刷新和看门狗功能，
支持标准iCoupler操作。引脚7连接到VDD1可禁用刷新和看门狗功能以实现最低功耗。
该模式的说明参见“直流正确性和低功耗工作”部分。
EN1和EN2必须设为相同的逻辑状态。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
地1。隔离器第1侧的接地基准点。
在20引脚SSOP封装中，引脚2与引脚10内部互连，并且建议将二者均连至GND1。
地2。隔离器第2侧的接地基准点。
在20引脚SSOP封装中，引脚11与引脚19内部互连，并且建议将二者均连至GND2。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
刷新和看门狗使能2。
在20引脚SSOP封装中，引脚14连接到GND2可使能第2侧的输入/输出刷新和看门狗功能，
支持标准iCoupler操作。引脚14连接到VDD2可禁用刷新和看门狗功能以实现最低功耗。
该模式的说明参见“直流正确性和低功耗工作”部分。
EN1和EN2必须设为相同的逻辑状态。
逻辑输出B。
逻辑输出A。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
地2。隔离器第2侧的接地基准点。
在20引脚SSOP封装中，引脚11与引脚19内部互连，并且建议将二者均连至GND2。
隔离器第2侧的电源电压(2.25 V至3.6 V)。
在VDD2与GND2之间连接一个值为0.01 µF至0.1 µF的陶瓷旁路电容。
关于具体布局原则，请参阅AN-1109。
N/A表示不适用。
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VDD1 1
20
VDD2
GND1 2
19
GND2
NIC 3
18
NIC
NIC 4
17
NIC
16
VIA
VOA 5
VIB 6
EN1 7
VOA 2
VIB 3
GND1 4
ADuM1241/
ADuM1246
TOP VIEW
(Not to Scale)
TOP VIEW
(Not to Scale)
15
VOB
14
EN2
8
VDD2
NIC 8
13
NIC
7
VIA
NIC 9
12
NIC
6
VOB
GND1 10
11
GND2
5
GND2
11925-105
VDD1 1
ADuM1241/
ADuM1246
NIC = NOT INTERNALLY CONNECTED.
11925-005
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
图8. ADuM1241/ADuM1246 20引脚SSOP (RS-20)引脚配置
图7. ADuM1241/ADuM1246 8引脚SOIC (R-8)引脚配置
表20. ADuM1241/ADuM1246 8引脚SOIC (R-8)和20引脚SSOP (RS-20)引脚功能描述1
8引脚
SOIC
引脚编号2
1
20引脚
SSOP
引脚编号
1
引脚名称
VDD1
无
2
GND1
无
无
2
3
无
3
4
5
6
7
NIC
NIC
VOA
VIB
EN1
无
无
8
9
10
NIC
NIC
GND1
11
GND2
12
13
14
NIC
NIC
EN2
15
16
17
18
19
VOB
VIA
NIC
NIC
GND2
20
VDD2
4
5
无
无
无
6
7
无
无
无
8
1
2
说明
隔离器第1侧的电源电压(2.25 V至3.6 V)。
在VDD1与GND1之间连接一个值为0.01 µF至0.1 µF的陶瓷旁路电容。
地1。隔离器第1侧的接地基准点。
引脚2与引脚10内部互连，并且建议将二者均连至GND1。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
逻辑输出A。
逻辑输入B。
刷新和看门狗使能1。
在20引脚SSOP封装中，引脚7连接到GND1可使能第1侧的输入/输出刷新和看门狗功能，
支持标准iCoupler操作。引脚7连接到VDD1可禁用刷新和看门狗功能以实现最低功耗。
该模式的说明参见“直流正确性和低功耗工作”部分。EN1和EN2必须设为相同的逻辑状态。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
地1。隔离器第1侧的接地基准点。
在20引脚SSOP封装中，引脚2与引脚10内部互连，并且建议将二者均连至GND1。
地2。隔离器第2侧的接地基准点。
在20引脚SSOP封装中，引脚11与引脚19内部互连，并且建议将二者均连至GND2。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
刷新和看门狗使能2。在20引脚SSOP封装中，引脚14连接到GND2可使能第2侧的输入/
输出刷新和看门狗功能，支持标准iCoupler操作。
引脚14连接到VDD2可禁用刷新和看门狗功能以实现最低功耗。
该模式的说明参见“直流正确性和低功耗工作”部分。
EN1和EN2必须设为相同的逻辑状态。
逻辑输出B。
逻辑输入A。
内部不连接。此引脚保持悬空。
内部不连接。此引脚保持悬空。
地2。隔离器第2侧的接地基准点。
在20引脚SSOP封装中，引脚11与引脚19内部互连，并且建议将二者均连至GND2。
隔离器第2侧的电源电压(2.25 V至3.6 V)。
在VDD2与GND2之间连接一个值为0.01 µF至0.1 µF的陶瓷旁路电容。
关于具体布局原则，请参阅AN-1109。
N/A表示不适用。
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
真值表
表22为ADuM1240和ADuM1241的真值表(正逻辑)，表23为
表21. 真值表缩略语
ADuM1245和ADuM1246的真值表。关于真值表所用缩写
字母
H
L
↑
↓
X
QO
Z
的说明，参见表21。
说明
高电平
低电平
上升数据跃迁
下降数据跃迁
无关
电平建立之前的VOX电平
高阻抗
表22. ADuM1240/ADuM1241真值表(正逻辑)1, 2, 3
VIx输入
H
L
X
VDDI状态
有电
有电
无电
VDDO状态
有电
有电
有电
ENx
状态
L
L
L
VOx输出
H
L
H
X
无电
有电
H
QO
↑
↓
X
有电
有电
有电
有电
有电
无电
H
H
X
H
L
Z
说明
正常工作；数据为高电平，刷新使能。
正常工作；数据为低电平，刷新使能。
输入无电。输出处于默认高电平状态。
输出在VDDI电源恢复后的150 μs内恢复到输入状态。
详情见引脚功能描述(表19和表20)。
输入无电。
输出为静态，处于输入最后发送的电平或上电电平。
详情见引脚功能描述(表19和表20)。
经过传播延迟后，输出为高电平，刷新禁用。
经过传播延迟后，输出为低电平，刷新禁用。
输出无电。输出引脚处于高阻态。
输出在VDDO电源恢复后的150 μs内恢复到输入状态。
详情见引脚功能描述(表19和表20)。
VIx和VOx指给定通道(A、B、C或D)的输入和输出信号。
VDDI指给定通道(A、B、C或D)输入侧的电源。
3
VDDO 指给定通道(A、B、C或D)输出侧的电源。
1
2
表23. ADuM1245/ADuM1246真值表(正逻辑)1, 2, 3
VIx输入
H
L
X
VDDI状态
有电
有电
无电
VDDO状态
有电
有电
有电
ENx状态
L
L
L
VOx输出
H
L
L
X
无电
有电
H
QO
↑
↓
X
有电
有电
有电
有电
有电
无电
H
H
X
H
L
Z
说明
正常工作；数据为高电平，刷新使能。
正常工作；数据为低电平，刷新使能。
输入无电。输出处于默认低电平状态。
输出在VDDI电源恢复后的150 μs内恢复到输入状态。
详情见引脚功能描述(表19和表20)。
输入无电。
输出为静态，处于输入最后发送的电平或上电电平。
详情见引脚功能描述(表19和表20)。
输出为高电平，刷新禁用。
输出为低电平，刷新禁用。
输出无电。输出引脚处于高阻态。
输出在VDDO电源恢复后的150 μs内恢复到输入状态。
详情见引脚功能描述(表19和表20)。
VIx和VOx指给定通道(A、B、C或D)的输入和输出信号。
VDDI指给定通道(A、B、C或D)输入侧的电源。
3
VDDO 指给定通道(A、B、C或D)输出侧的电源。
1
2
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
典型性能参数
15
10
250
5
0
200
0
20
40
150
100
50
VDDx INPUT CURRENT
0
500
1000
1500
2000
DATA RATE (kbps)
图9. 每路输入的功耗与数据速率的关系(2.5 V，ENx = 低电平)
20
40
60
40
20
VDDx OUTPUT CURRENT
0
500
1000
1500
2000
DATA RATE (kbps)
2
60
0
50
0
20
40
40
30
20
10
VDDx OUTPUT CURRENT
0
500
1000
1500
2000
图10. 每路输出的功耗与数据速率的关系(2.5 V，ENx = 低电平)
140
1.0
120
0.5
100
0
0
5
10
80
60
40
20
0
VDDx INPUT CURRENT
0
500
1000
1500
2000
DATA RATE (kbps)
11925-010
CURRENT CONSUMPTION PER INPUT (µA)
4
70
11925-007
CURRENT CONSUMPTION PER OUTPUT (µA)
0
160
DATA RATE (kbps)
图13. 每路输入的功耗与数据速率的关系(2.5 V，ENx = 高电平)
90
350
CURRENT CONSUMPTION PER OUTPUT (µA)
400
15
10
300
5
0
250
0
20
40
200
150
100
50
VDDx INPUT CURRENT
0
500
1000
1500
2000
DATA RATE (kbps)
图11. 每路输入的功耗与数据速率的关系(3.3 V，ENx = 低电平)
80
1.0
70
0.5
60
0
50
0
5
10
40
30
20
10
0
11925-008
CURRENT CONSUMPTION PER INPUT (µA)
0
80
图12. 每路输出的功耗与数据速率的关系(3.3 V，ENx = 低电平)
80
0
2
100
0
90
0
4
VDDx OUTPUT CURRENT
0
500
1000
DATA RATE (kbps)
1500
2000
11925-011
0
120
11925-009
300
CURRENT CONSUMPTION PER OUTPUT (µA)
140
11925-006
CURRENT CONSUMPTION PER INPUT (µA)
350
图14. 每路输出的功耗与数据速率的关系(2.5 V，ENx = 高电平)
Rev. A | Page 14 of 24
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
300
180
1.0
0
120
0
5
IDDx CURRENT (µA)
0.5
140
10
100
80
60
40
200
150
100
50
VDDx INPUT CURRENT
0
500
1000
1500
2000
DATA RATE (kbps)
0
图15. 每路输入的功耗与数据速率的关系(VDDx = 3.3 V，ENx = 高电平)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
图18. 每路输入的IDDx 电流与数据输入电压的关系(VDDx = 2.5 V)
10
0.5
100
0
0
5
10
80
60
40
20
VDDx OUTPUT CURRENT
500
1000
1500
2000
DATA RATE (kbps)
7
6
5
4
3
2
1
OUTPUT
INPUT
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TEMPERATURE (°C)
图16. 每路输出的功耗与数据速率的关系(VDDx = 3.3 V，ENx = 高电平)
图19. 每个通道的典型输入和输出电源电流与温度的关系
(VDDx = 2.5 V，数据速率 = 100 kbps)
600
10
500
400
300
200
0
1
2
DATA INPUT VOLTAGE (V)
3
4
11925-014
100
图17. 每路输入的典型IDDx 电流与数据输入电压的关系(VDDx = 3.3 V)
Rev. A | Page 15 of 24
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–40
OUTPUT
INPUT
–20
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
图20. 每个通道的典型输入和输出电源电流与
温度的关系(VDDx = 3.3 V，数据速率 = 100 kbps)
140
11925-017
SUPPLY CURRENT PER CHANNEL (µA)
FALLING
RISING
0
8
0
–40
11925-013
0
9
11925-016
SUPPLY CURRENT PER CHANNE L (µA)
1.0
120
IDDx CURRENT (µA)
0.5
DATA INPUT VOLTAGE (V)
140
0
0
11925-015
20
0
CURRENT CONSUMPTION PER OUTPUT (µA)
FALLING
RISING
250
160
11925-012
CURRENT CONSUMPTION PER INPUT (µA)
200
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
120
90
100
GLITCH FILTER WIDTH (ns)
80
70
60
50
40
30
20
60
40
OUTPUT
INPUT
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TEMPERATURE (°C)
0
2.0
2.5
图21. 每个通道的典型输入和输出电源电流与温度的关系
(VDDx = 2.5 V，数据速率 = 1000 kbps)
4.0
140
90
120
70
60
50
40
30
20
OUTPUT
INPUT
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TEMPERATURE (°C)
60
40
0
–40
VDDx = 2.5V
VDDx = 3.3V
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TEMPERATURE (°C)
图25. 典型刷新周期与温度的关系(3.3 V和2.5 V工作电压)
图22. 每个通道的典型输入和输出电源电流与温度的关系
(VDDx = 3.3 V，数据速率 = 1000 kbps)
140
120
120
100
REFRESH PERIOD (µs)
100
80
60
40
80
60
40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TEMPERATURE (°C)
11925-020
VDDx = 2.5V
VDDx = 3.3V
图23. 典型传播延迟与温度的关系(VDDx = 3.3 V或VDDx = 2.5 V)
0
2.0
2.5
3.0
3.5
VDDx VOLTAGE (V)
图26. 典型刷新周期与VDDx 电压的关系
Rev. A | Page 16 of 24
4.0
11925-023
20
20
0
–40
80
20
10
0
–40
100
11925-022
REFRESH PERIOD (µs)
80
11925-019
SUPPLY CURRENT PER CHANNEL (µA)
3.5
图24. 典型毛刺滤波器操作阈值
100
PROPAGATION DELAY (ns)
3.0
TRANSMITTER VDDx (V)
11925-021
0
–40
80
20
10
11925-018
SUPPLY CURRENT PER CHANNEL (µA)
100
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
应用信息
通道间匹配指单个ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/
PCB布局布线
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246数字隔离器
ADuM1246器件内各通道的传播延迟之间的最大差异。
的逻辑接口不需要外部接口电路。强烈建议为输入和输出
传 播 延 迟 偏 斜 指 在 相 同 条 件 下 运 行 的 多 个 ADuM1240/
供电引脚提供电源旁路：VDD1和VDD2(参见图27)。电容值应
ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246器件的传播延迟之间的
维持在0.01 µF到0.1 µF范围内；为获得最佳效果，确保电容
最大差异。
两端与输入电源之间的总引线长度不超过20 mm。
如 果 PCB设 计 选 择 得 当 ， 这 些 数 字 隔 离 器 很 容 易 满 足
CISPR 22 Class A(和FCC Class A)辐射标准，甚至能够满足
更严格的无屏蔽环境CISPR 22 Class B(和FCC Class B)标准。
有关PCB相关的抗电磁辐射技术，包括电路板布局和堆叠
问题，请参见AN-1109。
直流正确性和低功耗工作
标准工作模式
在隔离器输入端的正负逻辑电平转换会使一个很窄的(约
1 ns)脉冲通过变压器被送到解码器。解码器是双稳态的，
因此，可以被这个脉冲置位或复位，表示输入逻辑的转
换。通过拉低EN1和EN2而使能刷新和看门狗功能时，如
NIC = NOT INTERNALLY CONNECTED.
果输入端没有超过约140 µs的逻辑跃迁，则会发送一组用
以表示正确输入状态的周期性刷新脉冲，以确保输出的直
流正确性。如果解码器在超过大约200 μs时还没有接收到
内部脉冲，器件将认为输入侧无电或无效。这种情况下，
隔离器的看门狗电路强制输出处于默认状态。默认状态与
器件相关，ADuM1240和ADuM1241为高电平，ADuM1245
11925-024
VDD2
GND2
NIC
NIC
VOA/VIA
VOB
EN2
NIC
NIC
GND2
VDD1
GND1
NIC
NIC
VIA/VOA
VIB
EN1
NIC
NIC
GND1
和ADuM1246为低电平。
图27. 建议PCB布局，20引脚SSOP (RS-20)
低功耗工作模式
为实现最低功耗，应拉高EN1和EN2以禁用ADuM1240/
11925-124
VDD2
VOA/VIA
VOB
GND2
VDD1
VIA/VOA
VIB
GND1
ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246的刷新和看门狗功能。
图28. 建议PCB布局，8引脚SOIC (R-8)
为确保正常工作，在器件每一侧上，这些控制引脚必须设
对于具有高共模瞬变的应用，必须确保隔离栅两端的电路
为相同的值。
板耦合最小。此外，电路板布局设计应使得任何出现的耦
这种模式下，芯片的功耗降至微安范围。然而，使用这种
合都会均等影响器件侧所有的引脚。如果不能确保引脚均
模式时必须小心，因为启动时直流正确性不再有保证。例
等容性耦合，将会使引脚间的电压差异超过器件的绝对最
如，若发生下述事件序列：
大额定值，造成器件闩锁或者永久损坏。
1 第1侧加电。
传播延迟相关参数
2. VIA输入端置位高电平。
传播延迟是衡量逻辑信号穿过器件所需时间的参数。高到
3. 第2侧加电。
低转换的输入至输出传播延迟时间可能不同于低到高转换
VIA高电平不会自动传递到第2侧VOA，因而可能存在电平不
的传播延迟时间。
一致情况，这种状况只有等到VIA发生跃迁时才会被纠正。
各侧的电源达到稳定状态且通道输入端发生跃迁后，通道
INPUT (VIx)
的输入和输出状态便正确匹配。这种事故可通过多种方式
50%
处理，例如发送伪数据，或在启动后短时间开启刷新功能
tPHL
OUTPUT (VOx)
50%
11925-025
tPLH
以强制同步。
图29. 传播延迟参数
脉冲宽度失真指这两个传播延迟值的最大差异，反映了输
入信号时序的保持精度。
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246采用施密特
触发输入缓冲器，器件在低数据速率或高噪声环境下也能
干净地工作。当输入电压不接近VDDx或GNDx电平时，施密
特触发器支持少量直通电流。这是因为，当输入电压在电
源范围的中间时，两个晶体管都会轻微开启。对于许多数
字器件，此漏电流只是总电源电流中的很小一部分，不会
被 注 意 到 ， 但 对 于 超 低 功 耗 ADuM1240/ADuM1241/
ADuM1245/ADuM1246，此漏电流可能比器件的总工作电
流还大，不能予以忽略。
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
1k
10k
10M
100k
1M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
使用ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246时，
为 实 现 最 佳 功 耗 ， 应 尽 可 能 将 输 入 驱 动 到 接 近 V DDx 或
GNDx的电平。图17和图18显示了输入的直通漏电流，虽
然输入的逻辑阈值是标准CMOS电平，但只要将输入逻辑
电平驱动到VDDx或GNDx电平的0.5 V范围内，便可实现最佳
功耗性能。
100M
11925-026
低功耗工作模式的推荐输入电压
MAXIMUM ALLOWABLE MAGNETIC FLUX (kgauss)
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
图30. 最大允许外部磁通密度
例如，在1 MHz的磁场频率下，最大允许0.5 K高斯的磁场
可以在接收线圈感应出0.25 V的电压。这大约是检测阈值的
50%并且不会引起输出转换错误。如果这样的情况在发送
脉冲时发生(最差的极性)，这会使接收到的脉冲从大于1.0 V
下降到0.75 V。注意，这仍然高于解码器检测阈值0.5 V。
器件磁场抗扰度的限制由变压器接收线圈中的感应电压状
态决定，电压足够大就会错误地置位或复位解码器。下面
的分析可说明此情况。在3 V工作条件下检测ADuM1240，
这是这些产品的典型工作模式。
变压器输出端的脉冲幅度大于1.5 V。解码器的检测阈值大
先前的磁通密度值对应于与ADuM1240变压器给定距离的
额定电流幅度。图31表明这些允许的电流幅度是频率与所
选距离的函数。ADuM1240不受外部磁场的影响，只会受
非常靠近器件的极大高频电流的影响。例如1 MHz时，用户
必须将1.2 kA电流置于距离ADuM1240 5 mm以内才会影响
器件的工作。
约是1.0 V，因此有一个0.5 V的噪声容限。接收线圈上的感
1000
V = (−dβ/dt)∑πr ; n = 1, 2, …, N
2
n
其中：
β是磁通密度。
rn是接收线圈第n圈的半径。
N是接收线圈匝数。
给定ADuM1240接收线圈几何形状及感应电压，解码器
最多能够有0.5 V余量的50%，允许的最大磁场见图30所示
MAXIMUM ALLOWABLE CURRENT (kA)
应电压由以下公式计算：
计算。
DISTANCE = 1m
100
10
DISTANCE = 100mm
1
DISTANCE = 5mm
0.1
0.01
1k
10k
10M
100k
1M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
100M
11925-027
磁场抗扰度
图31. 不同电流至ADuM1240距离下的最大允许电流
请注意，在强磁场和高频率的叠加作用下，PCB走线形成
的任何回路都会感应出足够大的错误电压，进而触发后续
电路的阈值。应避免PCB结构形成环路。
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
功耗
了双极性交流工作条件下50年工作寿命的峰值电压以及
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246隔离器给定
CSA/VDE认可的最大工作电压。许多情况下，认可工作电
通道的电源电流(刷新使能)是电源电压、通道数据速率和
压高于50年工作寿命电压。某些情况下，在这些高工作电
通道输出负载的函数。
压下工作会导致隔离寿命缩短。
对于每个输入通道，电源电流按照下式计算：
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246的隔离寿命
IDDI = IDDI (Q)
f ≤ 0.5 fr
IDDI = IDDI (D) × (2f − fr) + IDDI (Q)
f > 0.5 fr
以不同速率衰减，这由波形是否为双极性交流、单极性交
流或直流决定。图19、图20和图21显示这些不同隔离电压
的波形。
对于每个输出通道，电源电流按照下式计算：
f ≤ 0.5 fr
IDDO = (IDDO (D) + (0.5 × 10 ) × CL × VDDO) × (2f − fr) + IDDO (Q)
f > 0.5 fr
其中：
−3
IDDI (D)和IDDO (D)是每个通道的输入和输出动态电源电流
双极性交流电压是最苛刻的环境。在交流双极性条件下工
作50年的目标决定ADI推荐的最大工作电压。
在单极性交流或者直流电压的情况下，隔离应力显然低得
多。此工作模式在能够获得50年工作时间的前提下，允许
更高的工作电压。表18中列出的工作电压在维持50年最低
(mA/Mbps)。
工作寿命的前提下，提供了符合单极性交流或者直流电压
CL是输出负载电容(pF)。
情况下的工作电压。任何与图33或图34不一致的横跨隔离
VDDO是输出电源电压(V)。
f是输入逻辑信号频率(MHz)；它是输入数据速率的一半，
单位为Mbps。
fr是输入级刷新速率(Mbps) = 1/Tr (µs)。
的电压波形都应被认为是双极性交流波形，其峰值电压应
限制在表18中列出的50年工作寿命电压以下。
请注意，图33所示的正弦电压波形仅作为示例提供，它代
表任何在0 V与某一限值之间变化的电压波形。该限值可以
IDDI (Q)和IDDO (Q)是额定输入和输出静态电源电流(mA)。
为了计算总VDD1和VDD2电源电流，必须计算与VDD1和VDD2相
为正值或负值，但电压不得穿过0 V。
对应的各输入和输出通道的电源电流并求和。图9至图16
显示无输出负载条件下每个通道的电源电流与数据速率的
RATED PEAK VOLTAGE
11925-028
IDDO = IDDO (Q)
取决于施加在隔离栅上的电压波形。 iCoupler隔离结构度
0V
关系。
图32. 双极性交流波形
隔离寿命
所有的隔离结构在长时间的电压作用下，性能最终都会下
RATED PEAK VOLTAGE
除了由监管机构进行测试，ADI也进行一系列广泛的评估
11925-029
降。隔离衰减率由施加在隔离层上的电压波形特性决定。
0V
来确定ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246内部
图33. 单极性交流波形
隔离架构的寿命。
ADI公司使用超过额定连续工作电压的电压执行加速寿命
RATED PEAK VOLTAGE
以计算实际工作电压下的失效时间。表18中显示的值总结
11925-030
测试。确定多种工作条件下的加速系数，利用这些系数可
0V
图34. 直流波形
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
封装和订购信息
外形尺寸
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
1
5
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
012407-A
8
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
图35. 8引脚标准小型封装[SOIC_N]
窄体
(R-8)
图示尺寸单位：mm和(inch)
7.50
7.20
6.90
11
5.60
5.30
5.00
1
10
0.25
0.09
1.85
1.75
1.65
2.00 MAX
0.05 MIN
COPLANARITY
0.10
8.20
7.80
7.40
0.65 BSC
0.38
0.22
SEATING
PLANE
8°
4°
0°
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-150-AE
图36. 20引脚紧缩小型封装[SSOP]
(RS-20)
图示尺寸单位：mm
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0.95
0.75
0.55
060106-A
20
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
订购指南
型号1, 2
ADuM1240ARZ
ADuM1240ARZ-RL7
ADuM1240ARSZ
ADuM1240ARSZ-RL7
ADuM1241ARZ
ADuM1241ARZ-RL7
ADuM1241ARSZ
ADuM1241ARSZ-RL7
ADuM1245ARZ
ADuM1245ARZ-RL7
ADuM1245ARSZ
ADuM1245ARSZ-RL7
ADuM1246ARZ
ADuM1246ARZ-RL7
ADuM1246ARSZ
ADuM1246ARSZ-RL7
1
2
输入数，
VDD1侧
输入数，
VDD2侧
2
2
2
2
1
1
1
1
2
2
2
2
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
最大数据
速率(Mbps)
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大传播
延迟，3.3 V
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
180
Z = 符合RoHs标准的器件。
可提供卷带和卷盘形式。–RL7后缀表示产品以7”卷带和卷盘供货。
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输出
默认状态
高
高
高
高
高
高
高
高
低
低
低
低
低
低
低
低
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
20引脚 SSOP
20引脚 SSOP
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
20引脚 SSOP
20引脚 SSOP
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
20引脚 SSOP
20引脚 SSOP
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
20引脚 SSOP
20引脚 SSOP
封装选项
R-8
R-8
RS-20
RS-20
R-8
R-8
RS-20
RS-20
R-8
R-8
RS-20
RS-20
R-8
R-8
RS-20
RS-20
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
注释
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ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
注释
Rev. A | Page 23 of 24
ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
注释
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registered trademarks are the property of their respective owners.
D11925sc-0-4/14(A)
www.analog.com/ADuM1240/ADuM1241/ADuM1245/ADuM1246
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