Symbol MULTILED® 5 mm (T1 3/4), Partly Diffused LU H371 Besondere Merkmale ● nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse ● Lötspieße im 2.54 mm Raster ● Hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich VEX06728 ● ● ● ● ● von grün zu gelb und orange nach superrot geeignet für Multiplex- und Impulsbetrieb beide Grundfarben grün und rot getrennt ansteuerbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 Features ● partly diffused, colorless package ● 2.54 mm lead spacing ● high signal efficiency by color change of the LED from ● ● ● ● ● green to yellow and orange to superred ideal for multiplexed or pulsed operations both colors can be controlled separately solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LU H371-FJ super-red / green 1.0 ... 8.0 Q62703-Q2050 LU H371-GK super-red / green colorless clear partly diffused 1.6 ...12.5 Q62703-Q2051 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 4.0 (LU H371-FJ), ≤ 2.0 (LU H371-GK). 1) Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe der LED. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 4.0 (LU H371-FJ), ≤ 2.0 (LU H371-GK). 1) In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 1 11.96 LU H371 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 401) mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.51) A Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25˚C Ptot 1401) mW Wärmewiderstand Thermal resistence Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 400 K/W 1) 1) Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebene Grenze nicht überschreiten. With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed the specified limits. Semiconductor Group 2 LU H371 Kennwerte (TA = 25˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values super-red green Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF =20 mA (typ.) (typ.) λpeak 635 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF =20 mA (typ.) (typ.) λdom 628 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF =20 mA (typ.) (typ.) ∆λ 45 25 nm 2ϕ 100 100 Grad deg. Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF =10 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz (typ.) CO 12 15 pF (typ.) (typ.) tr tf 300 50 450 200 ns ns Schaltzeiten: Switching times: IV from 10% to 90% IV from 90% to 10% IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Semiconductor Group 3 LU H371 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharacteristic Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LU H371 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 LU H371 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelangth at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LU H371 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06728 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group Mittlerer Lötspieß Middle solder lead 7