3 mm (T1 3/4 ) LED, Diffused Wide-Angle LED LS 3380, LY 3380, LG 3380 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 ● ● ● ● ● VEX06710 Features colored, diffused package for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LS 3380-GK LS 3380-H LS 3380-J LS 3380-K LS 3380-HL super-red red diffused 1.6 2.5 4.0 6.3 2.5 … 12.5 … 5.0 … 8.0 … 12.5 … 20.0 Q62703-Q2629 Q62703-Q1726 Q62703-Q1349 Q62703-Q3824 Q62703-Q2630 LY 3380-GK LY 3380-H LY 3380-J LY 3380-K LY 3380-HL yellow yellow diffused 1.6 2.5 4.0 6.3 2.5 … 12.5 … 5.0 … 8.0 … 12.5 … 20.0 Q62703-Q1352 Q62703-Q1353 Q62703-Q1354 Q62703-Q2317 Q62703-Q1355 LG 3380-GK LG 3380-J LG 3380-K LG 3380-JL green green diffused 1.6 4.0 6.3 4.0 … 12.5 … 8.0 … 12.5 … 20.0 Q62703-Q1356 Q62703-Q2318 Q62703-Q2631 Q62703-Q3910 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 °C Durchlaßstrom Forward current IF 40 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 140 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 400 K/W Semiconductor Group 2 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LY LG Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) Wavelength at peak emission(typ.) IF = 20 mA λpeak 635 586 565 nm Dominantwellenlänge(typ.) Dominant wavelength(typ.) IF = 20 mA λdom 628 590 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.) IF = 20 mA 45 45 25 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV 2ϕ 100 100 100 deg. Durchlaßspannung(typ.) Forward voltage(max.) IF = 10 mA VF VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom(typ.) Reverse current(max.) VR = 5 V IR IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Kapazität(typ.) Capacitance VR = 0 V, ƒ = 1 MHz C0 12 10 15 pF tr tf 300 150 300 150 450 200 ns ns Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 %(typ.) IV from 90 % to 10 %(typ.) IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C OHL01263 10 2 OHL01632 10 1 Ι F mA ΙV Ι V(10mA) 10 0 10 1 5 5 10 -1 5 10 0 green yellow super-red 10 -2 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 10 -3 10 3.0 V 3.4 VF Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C Semiconductor Group -1 5 10 0 5 10 1 mA 10 ΙF 2 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 5 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA OHL01672 690 OHL01673 690 λ dom λ peak nm nm 650 650 super-red 630 630 610 610 590 yellow 590 570 green 570 550 0 20 40 60 550 80 ˚C 100 TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA VF yellow green 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA OHL01674 2.4 super-red OHL01675 2.0 ΙV V Ι V(25 ˚C) 1.6 2.2 2.0 1.2 green yellow green super-red, yellow 1.8 0.8 1.6 0.4 super-red 1.4 0 20 40 Semiconductor Group 60 0.0 80 ˚C 100 TA 6 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 4.8 4.4 2.7 2.1 0.7 0.4 0.8 0.4 1.1 0.9 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 1.8 1.2 29.0 27.0 3.7 3.5 6.1 5.7 ø2.9 ø2.7 Maßzeichnung Package Outlines 3.4 3.1 0.6 0.4 Chip position Collector/ Cathode GEX06710 Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß Cathode mark: Short solder lead Semiconductor Group 7 1998-07-13