TOPLED® LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 ● ● ● ● ● ● ● Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 Features ● ● ● ● ● ● ● VPL06724 Besondere Merkmale P-LCC-2 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 11.96 LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LS T670-HK LS T670-J LS T670-K LS T670-L LS T670-JM super-red LO T670-HK LO T670-J LO T670-K LO T670-L LO T670-JM Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 10 mA I V (mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering Code colorless clear 2.5 4.0 6.3 10.0 4.0 ... ... ... ... ... 12.5 8.0 12.5 20.0 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) 45 (typ.) - Q62703-Q2309 Q62703-Q2357 Q62703-Q2358 Q62703-Q3848 Q62703-Q3849 orange colorless clear 2.5 4.0 6.3 10.0 4.0 ... ... ... ... ... 12.5 8.0 12.5 20.0 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) 45 (typ.) - Q62703-Q2310 Q62703-Q2475 Q62703-Q2476 Q62703-Q3850 Q62703-Q3851 LY T670-HK LY T670-J LY T670-K LY T670-L LY T670-JM yellow colorless clear 2.5 4.0 6.3 10.0 4.0 ... ... ... ... ... 12.5 8.0 12.5 20.0 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) 45 (typ.) - Q62703-Q2311 Q62703-Q2376 Q62703-Q2375 Q62703-Q3098 Q62703-Q3852 LG T670-HK LG T670-J LG T670-K LG T670-L LG T670-JM green colorless clear 2.5 4.0 6.3 10.0 4.0 ... ... ... ... ... 12.5 8.0 12.5 20.0 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) 45 (typ.) - Q62703-Q2312 Q62703-Q2377 Q62703-Q2378 Q62703-Q3146 Q62703-Q3853 LP T670-FJ LP T670-G LP T670-H LP T670-J LP T670-GK pure green colorless clear 1.0 1.6 2.5 4.0 1.6 ... 2.0 ... 3.2 ... 5.0 ... 8.0 ... 12.5 8 (typ.) 12 (typ.) 18 (typ.) - Q62703-Q2619 Q62703-Q3102 Q62703-Q2555 Q62703-Q2553 Q62703-Q2456 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspanung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 100 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA 400 K/W *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG LP Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) (typ.) λpeak 635 610 586 565 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) (typ.) λdom 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) (typ.) ∆λ 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 120 120 120 120 120 Grad deg. 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 2.6 Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA (typ.) C0 12 8 10 15 15 pF (typ.) (typ.) tr tf 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 6 LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 7 LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06724 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge Semiconductor Group 8