Hyper ARGUS® LED Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED, Non Diffused LH K376 Besondere Merkmale ● farbloses, klares Gehäuse ● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie, transparentes Substrat ● ● ● ● ● leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet. zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weißdruck) vor dem äußeren Reflektor Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06712 ● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung ● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe- ● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale Transmission an die von der LED emittierte Wellenlänge angepaßt werden. Features ● colorless, clear package ● double heterojunction in GaAIAs technology, transparent ● ● ● ● ● ● ● substrate plasic package with a special design in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels for optical coupling into light pipes uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 ● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral transmission must be adjusted to the wavelength emitted by the LED. Semiconductor Group 1 11.96 LH K376 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstrom Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Bestellnummer Ordering Code LH K376-QS LH K376-R LH K376-S LH K376-RT hyper-red colorless clear 63 ... 200 100 ... 200 160 ... 320 100 ... 500 Q62703-Q3492 Q62703-Q3304 Q62703-Q3305 Q62703-Q3493 Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0. Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 130 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 500 K/W Semiconductor Group 2 LH K376 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 660 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 645 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 22 nm Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 1.85 2.3 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 µA µA (typ.) C0 30 pF (typ.) tr (typ.) tf 100 100 ns ns – 0.4 %/K Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Temperaturkoeffizient von Iv bzw. Φv, IF = 50 mA Temperature coefficient of Iv or Φv, IF = 50 mA TCI (typ.) (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA (typ.) TCV (typ.) –3 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 50 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 50 mA (typ.) TCλ (typ.) + 0.16 nm/K Semiconductor Group 3 LH K376 Relative spektrale Emission Φrel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LH K376 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV(20 mA) = f (IF) Relative luminous flux TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 LH K376 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06712 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group Kürzerer Lötspieß Short solder lead 6