LC ARGUS® LED Low current 3 mm (T1) LED, Non Diffused LS K389, LY K389, LG K389 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● ● eingefärbtes, klares Gehäuse Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA) bei Einsatz eines äußeren Reflectors zur Hintergrundbeleuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet. zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weißdruck) vor dem äußeren Reflektor Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale Transmission an die, von der LED emittierte Wellenlänge angepaßt werden. VEX06712 ● ● ● ● Features ● colored, clear package ● plasic package with a special design ● high light intensity at low currents (typ. 2 mA) ● in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels ● for optical coupling into light pipes ● uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector ● solder leads with stand-off ● available taped on reel ● load dump resistant acc. to DIN 40839 ● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral transmission must be adjusted to the wavelength emitted by the LED. Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstrom Luminous Flux IF = 2 mA ΦV (mlm) Bestellnummer Ordering Code LS K389-FO super-red red clear ≥1 (5.0 typ.) Q62703-Q1771 LY K389-FO yellow yellow clear ≥1 (3.2 typ.) Q62703-Q1772 LG K389-FO green green clear ≥1 (3.2 typ.) Q62703-Q1773 Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max /ΦV min ≤ 2.0. Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max /ΦV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LS K389, LY K389, LG K389 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 7.5 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 150 mA Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 20 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA 500 K/W Semiconductor Group 2 LS K389, LY K389, LG K389 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LY LG Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak Wavelength at peak emission (typ.) IF = 7.5 mA 635 586 565 nm (typ.) λdom (typ.) 628 590 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max(typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Φrel max (typ.) IF = 7.5 mA 45 45 25 nm Durchlaßspannung Forward voltage IF = 2 mA (typ.) VF (max.) VF 1.8 2.6 2.0 2.7 1.9 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA (typ.) C0 3 3 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 200 150 200 150 450 200 ns ns Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 7.5 mA Kapazität Capacitance VR = 0 V, ƒ = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 LS K389, LY K389, LG K389 Relative spektrale Emission Φrel = ƒ (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LS K389, LY K389, LG K389 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV (2 Relative luminous flux TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 mA) = f (IF) LS K389, LY K389, LG K389 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 7.5 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 7.5 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 2 mA Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV(25 °C) = ƒ (TA) Relative luminous flux IF = 2 mA Semiconductor Group 6 LS K389, LY K389, LG K389 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06712 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group Kürzerer Lötspieß Short solder lead 7