Multi TOPLED® RG LSG T770 Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich bei geeigneter Ansteuerung, Farbwechsel von grün über gelb und orange bis super-rot möglich ● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet ● gegurtet (12-mm-Filmgurt) ● Störimpulsfest nach DIN 40839 ● ● ● ● ● ● ● VPL06908 Besondere Merkmale Features P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses both chips can be controlled separately high signal efficiency possible by color change of the LED with appropriate controlling it is possible to change color from green to yellow and orange to super-red ● suitable for all SMT assembly and soldering methods ● available taped on reel (12 mm tape) ● load dump resistant acc. to DIN 40839 ● ● ● ● ● ● ● Semiconductor Group 1 11.96 LSG T770 Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LSG T770-HK LSG T770-J LSG T770-K LSG T770-JL super-red / green Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 10 mA IV(mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering Code colorless clear 2.5 ... 12.5 4.0 ... 8.0 6.3 ... 12.5 4.0 ... 20.0 18 (typ.) 30 (typ.) - Q62703-Q2567 Q62703-Q2893 Q62703-Q2894 Q62703-Q2895 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 3.0. 1) Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe der LED. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 3.0. 1) In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 2 LSG T770 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Wert Symbol Value Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 100 mW 480 650 K/W K/W Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm 2) Rth JA1) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm 2) Rth JA2) *) PC-board: FR4 1) 2) nur ein Chip betrieben beide Chips betrieben 1) 2) one system only both systems on simultaneously Notes Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip. The stated maximum ratings refer to one chip. Semiconductor Group 3 LSG T770 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value LS LG Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) (typ.) λpeak 635 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) (typ.) λdom 628 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.) IF = 10 mA ∆λ 45 25 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV 2ϕ 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 10 0.01 10 µA µA (typ.) C0 12 15 pF (typ.) (typ.) tr tf 300 150 450 200 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 LSG T770 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LSG T770 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV / IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA) Max. permissible forward current Semiconductor Group 6 LSG T770 Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 7 LSG T770 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) L S LED Emission color 1 Emission color 2 Package cathode: pin 1 Semiconductor Group G T770 cathode: pin 3 8 GPL06908 Maßzeichnung Package Outlines