CHIPLED LG R971 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● ● Gehäusebauform: 0805 Industriestandard bzgl. Lötpadraster geringe Bauteilhöhe für IR-Lötung geeignet für Hinterleuchtungen und als opt. Indikator einsetzbar gegurtet (8-mm-Filmgurt) VEO06987 Features ● ● ● ● ● ● 0805 package Industry standard footprint low profile suitable for IR reflow soldering process for use as optical indicator and backlighting available taped on reel (8 mm tape) Typ Type LG R971-KO Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of the Emission Light Emitting Area green Semiconductor Group colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA I V (mcd) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Ordering Code ≥ 6.30 (12 typ.) 100 (typ.) Q62702-P5099 1 1998-08-28 LG R971 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 30 ... + 85 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 40 ... + 85 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 95 °C Durchlaßstrom Forward current IF 25 mA Stoßstrom Surge current tp ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.1 A Sperrspanung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 70 mW Wärmewiderstand Sperrschicht / Umgebung Thermal resistance Junction / air Rth JA 610 K/W Semiconductor Group 2 1998-08-28 LG R971 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) (typ.) λpeak 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) (typ.) λdom 570 nm Spektrale Bandbreite Spectral bandwidth IF = 20 mA (typ.) (typ.) ∆λ 26 nm 2ϕ 160 Grad deg. Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) (max.) VF VF 2.3 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 10 µA µA Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.06 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.10 nm/K Temperaturkoeffizient von ∆λ (IF = 20 mA) Temperature coefficient of ∆λ (IF = 20 mA) TCλ 0.03 nm/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) TCV – 1.3 mV/K Temperaturkoeffizient von IV, IF = 20 mA (typ.) Temperature coefficient of IV, IF = 20 mA (typ.) TCIv – 0.3 %/K Semiconductor Group (typ.) (typ.) 3 1998-08-28 LG R971 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00406 1.0 Ι rel % 0.8 Vλ 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 400 450 500 550 600 650 700 nm 750 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL00408 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0˚ 20˚ 4 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-08-28 LG R971 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C OHL00407 10 2 OHL00409 10 1 Ι F mA ΙV Ι V (20 mA) 10 1 10 0 10 0 10 -1 10 -1 10 -2 10 -2 10 -3 10 -3 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 10 -4 -1 10 V 3.2 10 0 10 1 mA 10 2 ΙF VF Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) ΙF OHL00405 30 mA 25 20 15 10 5 0 0 20 40 Semiconductor Group 60 80 ˚C 100 TA 5 1998-08-28 LG R971 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 0.8 ±0.1 1.25 ±0.1 0.3 ±0.1 0.5 ±0.1 0.29 ±0.1 1.2 ±0.1 2 ±0.1 1.3 ±0.1 Kathode/ Cathode mark GEO06987 Semiconductor Group 6 1998-08-28