INFINEON LGQ971

CHIPLED
LG Q971
Besondere Merkmale
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Gehäusebauform: 0603
Industriestandard bzgl. Lötpadraster
geringe Bauteilhöhe
für IR-Lötung geeignet
für Hinterleuchtungen und als opt. Indikator einsetzbar
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
VEO06989
Features
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0603 package
Industry standard footprint
low profile
suitable for IR reflow soldering process
for use as optical indicator and backlighting
available taped on reel (8 mm tape)
Typ
Type
LG Q971-KO
Emissions- Farbe der
farbe
Lichtaustrittsfläche
Color of
Color of the
Emission
Light Emitting
Area
green
Semiconductor Group
colorless clear
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
I V (mcd)
Luminous
Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
≥ 6.30 (15 typ.)
120 (typ.)
Q62702-P5098
1
1998-08-28
LG Q971
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 30 ... + 85
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 40 ... + 85
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 95
°C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
20
mA
Stoßstrom
Surge current
tp ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.1
A
Sperrspanung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
55
mW
Wärmewiderstand
Sperrschicht / Umgebung
Thermal resistance
Junction / air
Rth JA
800
K/W
Semiconductor Group
2
1998-08-28
LG Q971
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
λpeak
565
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
λdom
570
nm
Spektrale Bandbreite
Spectral bandwidth
IF = 20 mA
(typ.)
(typ.)
∆λ
28
nm
2ϕ
160
Grad
deg.
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.2
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01
10
µA
µA
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.06
nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.10
nm/K
Temperaturkoeffizient von ∆λ (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of ∆λ (IF = 20 mA)
TCλ
0.02
nm/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
TCV
– 1.2
mV/K
Temperaturkoeffizient von IV, IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of IV, IF = 20 mA (typ.)
TCIv
– 0.6
%/K
Semiconductor Group
(typ.)
(typ.)
3
1998-08-28
LG Q971
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00406
1.0
Ι rel
%
0.8
Vλ
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
400
450
500
550
600
650
700
nm 750
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
ϕ
50˚
OHL00408
1.0
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
0
90˚
100˚
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0˚
20˚
4
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
1998-08-28
LG Q971
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
OHL00427
10 2
OHL00426
10 1
Ι F mA
ΙV
Ι V (20 mA)
10 1
10 0
5
10 0
10 -1
5
10 -1
10
10 -2
-2
5
10 -3
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
10 -3 -1
10
V 3.2
5 10 0
5 10 1
mA 10 2
ΙF
VF
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL00428
30
mA
Ι F 25
20
15
10
5
0
C 100
0 10 20 30 40 50 60 70 80
TA
Semiconductor Group
5
1998-08-28
LG Q971
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
0.8 ±0.05
(0.3)
0.8 ±0.05
0.3 ±0.05
Soldering terminal
LED die
1.0 ±0.15
(0.4)
P.C. board
Semiconductor Group
Resin
6
Soldering terminal
0.3 ±0.15
(0.3)
(1.2)
1.6 ±0.05
(1.08)
Cathode mark
Polarity
GEO06989
1998-08-28