INFINEON LH3364-M

LH 3364
3 mm (T1) LED, Diffused
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
Besondere Merkmale
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie
besonders hohe Lichtstärke
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06711
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Features
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colored, diffused package
double heterojunction in GaAIAs technology
especially high luminous intensity
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LH 3364-LP
LH 3364-M
LH 3364-N
LH 3364-MQ
hyper-red
red diffused
10 ... 80
16 ... 32
25 ... 50
16 ... 125
Q62703-Q3202
Q62703-Q3203
Q62703-Q2798
Q62703-Q3201
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LH 3364
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
40
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
120
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
400
K/W
Semiconductor Group
2
LH 3364
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
660
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
645
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
22
nm
2ϕ
45
Grad
deg.
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
1.75
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
µA
µA
(typ.) C0
25
pF
(typ.) tr
(typ.) tf
140
110
ns
ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
3
LH 3364
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH 3364
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LH 3364
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LH 3364
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GEX06717
Maßzeichnung
Package Outlines
Anodenkennzeichnung:
Anode mark:
Semiconductor Group
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
7