IRL 80 A IRL 80 A feo06461 GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich ● Klares Miniaturkunststoffgehäuse, seitliche Abstrahlung ● Preiswertes Kunststoffgehäuse ● Lange Lebensdauer (Langzeitstabilität) ● Weiter Öffnungskegel (± 30°) ● Passend zu Fototransistor LPT 80 A Features ● GaAs infrared emitting diode ● Clear plastic package with lateral emission ● Low cost plastic package ● Long term stability ● Wide beam (± 30°) ● Matches phototransistor LPT 80 A Anwendungen Applications ● Fertigungs- und Kontrollanwendungen ● For a variety of manufacturing and der Industrie, die eine Unterbrechung des Lichtstrahls erfordern ● Lichtschranken monitoring applications which require beam interruption ● Light barriers Typ Type Bestellnummer Ordering Code IRL 80 A Q68000-A7851 Semiconductor Group 1 10.95 IRL 80 A Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 100 °C Löttemperatur Lötstelle ≥ 0.15 cm vom Gehäuse, Lötzeit t = 5 s Sodering temperature, ≥ 0.15 mm distance from case bottom, soldering time t = 5 s TS 240 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlaßstrom Forward current IF 60 mA Verlustleistung Power dissipation Ptot 100 mW 1.33 mW/°C RthJA 750 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung bei Imax Wavelength of peak emission λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax ∆λ ± 20 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 30 Grad deg. Durchlaßspannung, IF = 20 mA Forward voltage VF ≤ 1.5 V Strahlstärke1), IF = 20 mA Radiant intensity Ie ≥ 0.4 mW/sr Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 °C Derate above, TA > 25 °C Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1) 1) Ein Silizium-Empfänger mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach der mechanischen Achse ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet. A 1 cm2 silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used. Semiconductor Group 2 IRL 80 A Relative spectral emission Srel = f (λ) Directional characteristics Irel = f (ϕ) Semiconductor Group 3