GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position fex06626 Anode 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06626 Approx. weight 0.5 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit ● Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Features ● Fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● Spectral match with silicon photodetectors Anwendungen Applications ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und ● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern ● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 486 Q62703-Q1094 Semiconductor Group tape recorders, dimmers ● Remote control for steady and varying intensity 1 1997-11-01 SFH 486 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaβstrom Forward current IF 100 mA Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel Spectral bandwidth at 50 % of Irel IF = 100 mA ∆λ 80 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 11 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.4 × 0.4 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H 5.1 ... 5.7 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1997-11-01 SFH 486 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.6/0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.50 (≤ 1.8) 3.00 (≤ 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ 0.25 nm/K Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr Bezeichnung Description Symbol Wert Value Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max 40 typ. 60 mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 600 mW/sr Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 486 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity OHR00877 100 Ιe Ι e (100mA) % Ι rel Ι F mA 10 1 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 oC, duty cycle D = parameter OHR00881 10 1 OHR00886 10 4 mA A OHR00880 125 80 0 750 ΙF OHR00878 10 2 Max. permissible forward current IF = f (TA) 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (l), TA = 25 oC OHR00949 120 mA ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 Ι F 100 10 3 0.1 0.2 80 10 -1 60 0.5 10 2 10 DC 40 -2 D= 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF tp tp T T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0 8 20 ΙF 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHR01733 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-01