s9055 series kpin1065j

PHOTODIODE
Si PINフォトダイオード
S9055シリーズ
高周波帯域までフラットな応答特性を実現
低バイアス電圧 (VR=2 V)で1 GHzを超える高速応答を実現したフォトダイオードです。低容量 (1 pF以下)のため、高速トラ
ンスインピーダンスアンプとの組み合わせに適しています。
特長
用途
l 高周波帯域までフラットな応答特性を実現
l 光ファイバ通信
l 高速計測システム
l 光インターコネクション
周波数平坦度: -0.5 dB Max.
(VR=2 V, λ=830 nm, f=100 MHz)
l 高速応答
S9055: 1.5 GHz (VR=2 V, -3 dB)
S9055-01: 2 GHz (VR=2 V, -3 dB)
l 低容量
S9055: 0.8 pF (VR=2 V)
S9055-01: 0.5 pF (VR=2 V)
l 高信頼性パッケージ: 3ピンTO-18パッケージ
■ 一般定格／絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
受光面サイズ
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
VR Max.
Topr
Tstg
S9055
φ0.2
単位
mm
V
°C
°C
S9055-01
φ0.1
20
-40 ∼ +100
-55 ∼ +125
■ 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
暗電流
端子間容量
λ
λp
S
ID
Ct
遮断周波数
fc
周波数平坦度
-
条件
λ=850 nm
VR=2 V
VR=2 V, f=1 MHz
VR=2 V, RL=25 Ω
-3dB
VR=2 V, λ=850 nm
f=100 MHz
S9055
Typ.
Max.
320 ∼ 1000
700
0.2
0.25
1
100
0.8
1.2
Min.
S9055-01
Typ.
Max.
320 ∼ 1000
700
0.2
0.25
1
100
0.5
0.75
Min.
単位
nm
nm
A/W
pA
pF
1.0
1.5
-
1.5
2
-
GHz
-
-
-0.5
-
-
-0.5
dB
1
Si PINフォトダイオード
■ 分光感度特性
■ 端子間容量−逆電圧
■ 暗電流−逆電圧
(Typ. Ta=25 ˚C)
S9055シリーズ
(Typ. Ta=25 ˚C)
100 pA
(Typ. Ta=25 ˚C)
10 pF
0.3
端子間容量
10 pA
暗電流
受光感度 (A/W)
0.4
0.2
S9055
1 pF
1 pA
S9055-01
0.1
0
200
600
400
1000
800
100 fA
0.01
1200
1
0.1
波 長 (nm)
100
10
逆電圧 (V)
KPINB0275JB
■ 周波数特性
λ=830 nm
(Typ. Ta=25 ˚C, VR=2 V, RL=25 Ω)
5
(Typ. Ta=25 ˚C, VR=2 V, RL=25 Ω)
5
S9055-01
S9055-01
0
-5
相対出力 (dB)
相対出力 (dB)
0
S9055
-5
S9055
-10
-10
-15
100 kHz
1 MHz
10 MHz
100 MHz
1 GHz
10 GHz
-15
100 kHz
1 MHz
10 MHz
KPINB0277JB
0.45
リード線
5.4 ± 0.2
2.8
3.6 ± 0.2
4.7 ± 0.1
13.5
受光面
2.54 ± 0.2
ケース
ガラス窓はキャップ上面より盛り上がる
ことはありませんが、最大0.1 mmくぼ
むことがあります。
KPINA0071JA
2
1 GHz
10 GHz
KPINB0278JB
■ 外形寸法図 (単位: mm)
入射窓
3.0 ± 0.1
100 MHz
周波数
周波数
1
10
100
逆電圧 (V)
KPINB0274JA
λ=410 nm
100 fF
0.1
KPINB0276JB
Si PINフォトダイオード
S9055シリーズ
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Oct. 2010 DN
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