Power TOPLED® Hyper-Bright LED LY E676 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • • • • Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestücktechniken geeignet gegurtet (8 mm-Filmgurt) JEDEC Level 3 nur IR Reflow Löten VPL06837 • • • • Features • • • • • • • • P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly methods available taped on reel (8 mm tape) JEDEC Level 3 IR reflow soldering only Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LY E676 LY E676-T1 LY E676-T2 LY E676-U1 LY E676-U2 yellow Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 50 mA I V (mcd) Luminous Flux IF = 50 mA ΦV (mlm) Ordering Code 250 320 400 500 900 (typ.) 1200 (typ.) 1500 (typ.) 1800 (typ.) colorless clear Q62703-Q3759 ... ... ... ... 400 500 630 800 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 1.6. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 1.6. Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert. Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms. Semiconductor Group 1 1998-11-05 LY E676 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 40 ... + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 40 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 120 °C Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR 3 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot 130 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 12 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 12 mm2) Rth JA 290 K/W 1) 1) Werte Values Einheit Unit Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 2 1998-11-05 LY E676 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit typ. max. Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 50 mA λpeak 594 – nm Dominantwellenlänge 2) Dominant wavelength 2) IF = 50 mA λdom 590 – nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 50 mA ∆λ 17 – nm Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv 2ϕ 120 – Grad deg. Durchlaßspannung 1) Forward voltage 1) IF = 50 mA VF 2.1 2.55 V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V IR 0.01 10 µA Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 50 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 50 mA) TCλ t.b.d. – nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak (IF = 50 mA) Temperature coefficient of λpeak (IF = 50 mA) TCλ t.b.d. – nm/K Temperaturkoeffizient von VF (IF = 50 mA) Temperature coefficient of VF (IF = 50 mA) TCV t.b.d. – mV/K Temperaturkoeffizient von IV (IF = 50 mA) Temperature coefficient of IV (IF = 50 mA) TCI t.b.d. – %/K 1) V 2) Durchlaßspannungsgruppen Forward voltage groups Gruppe Group Durchlaßspannung Forward voltage Einheit Unit min. max. 1 1.85 2.25 V 2 2.15 2.55 V Semiconductor Group Wellenlängengruppen Wavelength groups Gruppe Group 3 Wellenlänge Wavelength Einheit Unit min. max. 1 585 590 nm 2 588 593 nm 3 591 596 nm 1998-11-05 LY E676 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 50 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00443 100 Ι rel % 80 Vλ yellow 60 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0˚ 20˚ 4 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-05 LY E676 Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C OHL00444 10 2 ΙV Ι F mA OHL00445 10 1 Ι V (50 mA) 10 1 10 0 5 5 10 0 10 -1 5 5 10 -1 10 -2 5 5 10 -2 1.6 1.8 2.0 2.2 V VF 10 -3 -1 10 2.4 5 10 0 5 10 1 mA 10 2 ΙF Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL00446 100 Ι F mA 80 60 40 20 0 0 20 40 Semiconductor Group 60 80 C 100 TA 5 1998-11-05 LY E676 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.8 0.6 A 0.9 0.7 C C A: Anode C: Cathode 0.18 0.12 0.6 0.4 GPL06991 package marking 1.1 0.5 C 3.7 3.3 3.4 3.0 (2.4) 0.1 typ Empfehlung Lötpaddesign Recommended Pad Infrarot/Vapor-Phase Reflow-Lötung Infrared Vapor-Phase Reflow-Soldering 3.3 3.3 0.4 2.6 1.85 4.2 7.5 0.5 1.1 Paddesign for improved heat dissipation Semiconductor Group Lötstoplack solder resist 6 Cu Fläche / Cu-area = 12 mm 2 per pad OHLP0439 Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung 1998-11-05 LY E676 Gurtung Taping C C A OHA00440 C Semiconductor Group 7 1998-11-05