Multi TOPLED® LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670, LPP T670 ● ● ● ● ● ● ● ● Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 VPL06837 Besondere Merkmale Features ● ● ● ● ● ● ● ● P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator both chips can be controlled separately for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 11.96 LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670, LPP T670 Typ Type ■ LSS T670-JO Lichtstärke1) Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity1) IF = 10 mA I V (mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering Code colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.) 24 (typ.) Q62703-Q2902 colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.) 24 (typ.) Q62703-Q2903 Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of the Emission Light Emitting Area super-red/ super-red ■ LOO T670-JO orange/ orange ■ LYY T670-JO yellow/ yellow colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.) 24 (typ.) Q62703-Q2904 LGG T670-JO green/ green colorless clear ≥ 4.0 (10 typ.) 30 (typ.) Q62703-Q2905 LPP T670-HO pure green/ pure green colorless clear ≥ 2.5 (5 typ.) 15 (typ.) Q62703-Q2906 ■ Not for new design / Nicht für Neuentwicklungen Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 2.0. 1) Bei MULTILED® mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehäuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert der Lichtstärken ermittelt. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 2.0. 1) In case of MULTILED® with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines the brightness group of the LED. Semiconductor Group 2 LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670 LPP T670 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspanung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 100 mW Rth JA1) Rth JA2) 480 650 K/W K/W Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) *) PC-board: FR4 1) nur ein Chip betrieben 2) beide Chips betrieben 1) 2) one system on both systems on simultaneously Notes Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip. The stated maximum ratings refer to one chip. Semiconductor Group 3 LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670, LPP T670 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG LP λpeak 635 610 586 565 557 nm λdom 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.) IF = 10 mA ∆λ 45 40 45 25 22 nm Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv 2ϕ 120 120 120 120 120 deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA (typ.) C0 12 8 10 15 15 pF tr tf 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % (typ.) IV from 90 % to 10 % (typ.) IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670, LPP T670 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670, LPP T670 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 6 LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670, LPP T670 Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 7 LSS T670, LOO T670, LYY T670 LGG T670, LPP T670 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06837 Maßzeichnung Package Outlines Semiconductor Group 8