Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages VRRM IFRMSM TC = 100 °C IFAVM 2200 A TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 3150 A IFRMS 4950 A 41000 A 35000 A Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj =25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max tP = 10 ms IFSM Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 9,4 kA Tvj = Tvj max , iF = 2,0 kA vF Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Durchlaßkennlinie 600 A ≤ iF ≤ 11000 A on-state characteristic Tvj = Tvj max v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅ Sperrstrom reverse current Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink 8405 10³A²s 6125 10³A²s max. max. iF Tvj = Tvj max , vR = VRRM 2,3 V 1,2 V 0,83 V 0,145 mΩ A= B= C= D= Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case V V V A 2000 2200 2400 4900 Tvj = -40°C... Tvj max iR Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC RthJC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH -4,860E-01 1,750E-04 2,311E-01 -9,977E-03 max. 150 mA max. max. max. max. max. max. 0,0169 0,0160 0,0329 0,0320 0,0329 0,0320 max. max. 0,0025 °C/W 0,0050 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W 160 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Tvj max Tc op -40...+160 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+160 °C prepared by: H.Sandmann date of publication: revision: approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 2009-06-15 2.0 Seite/page 1/8 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 24...60 kN typ. 600 g Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance 25 mm f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 2/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Maßbild Maßbild 1 2 1: Anode/ Anode 2: Kathode/ Cathode IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 3/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Transienter Wärmewiderstand Kühlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,000037 0,000393 0,00138 0,00177 0,00503 0,00739 - τn [s] 0,000204 0,001180 0,01030 0,05420 0,21900 1,15000 - Rthn [°C/W] 0,000042 0,000578 0,00184 0,00617 0,00487 0,0185 - τn [s] 0,000193 0,001660 0,01610 0,16400 2,46000 6,1100 - Rthn [°C/W] 0,000042 0,000578 0,00184 0,00617 0,00487 0,0185 - τn [s] 0,000193 0,001660 0,01610 0,16400 2,46000 6,1100 - Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = nmax ΣR n=1 thn 1− e -t τn 0,035 c a 0,030 0,020 b 0,015 Z thJC [°C/W] 0,025 0,010 0,005 0,000 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 4/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ Diagramme ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Diagramme Kühlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00136 0,00219 0,00284 0,00384 0,00568 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00088 0,00123 0,00172 0,00257 0,00441 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00448 0,00759 0,00985 0,01292 0,01725 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00334 0,00489 0,00693 0,01005 0,01518 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00448 0,00759 0,00985 0,01292 0,01725 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00334 0,00489 0,00693 0,01005 0,01518 Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin 12.000 Durchlasskennlinie 10.000 Tvj = Tvj max iF [A] 8.000 6.000 4.000 2.000 0 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 VF [V] 2 2,2 2,4 2,6 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 5/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N 8000 a Durchlassverluste 7000 b c 6000 d e 5000 PFAV [W] f Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) 4000 3000 2000 1000 0 0 1000 2000 3000 IFAV [A] 4000 5000 6000 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig 180 160 140 [°C] 80 T 100 C 120 Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) 60 40 20 f e c d a b 0 0 1000 2000 I 3000 FAV [A] 4000 5000 6000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 6/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N 100000 Qr [µAs] Qr Diagramm iF M = 3200A 1600A 800A 400A 200A 100A 10000 1000 0,1 1 10 -di/dt [A/µs] 100 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr =f(-di/dt) Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF 40 35 IF (OV)M [kA] 30 25 20 0-50V 15 0,33 VRRM 0,67 VRRM 10 5 0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 7/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Disclaimer Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 8/8