INFINEON T2510N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
ITRMSM
200
400
600
200
400
600
250
450
650
4900
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
VDSM
ElektrischeT Eigenschaften
= -40°C... T
vj
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
vj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
ITAVM
2510 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
ITAVM
3410 A
ITRMS
5350 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
1)
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
46000 A
42000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
10580 10³ A²s
8820 10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
200 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 6 kA
Tvj = Tvj max , iT = 2,5 kA
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlasskennlinie
600 A ≤ iT ≤ 12600 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅
max.
max.
0,75 V
0,072 mΩ
A=
B=
C=
D=
iT
1,22 V
0,96 V
8,549E-01
4,318E-05
-3,346E-02
5,182E-03
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
max.
250 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25 °C, vD = 12V
VGT
max.
1,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IH
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20 µs
IL
max.
1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
i D, i R
max.
150 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd
max.
4 µs
1) 600V auf Anfrage / 600V on request
prepared by: H.Sandmann
date of publication:
revision:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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2008-09-15
3.0
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
= 100 V, v = 0,67 V
ThermischevdvEigenschaften
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
/ 4 letter O
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
RM
D
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
DM
tq
typ.
200 µs
DRM
T
th
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0184
0,0170
0,0344
0,0330
0,0364
0,0350
max.
max.
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
140 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
Gewicht
weight
G
24...56 kN
A 2,8x0,5
Ø 1,5
A 4,8x0,5
typ.
600
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
mm
mm
mm
g
20 mm
f = 50 Hz
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50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
Massbild
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
1
2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung
/
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
T2510N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,00022
0,00110
0,00102
0,00283
0,00608
0,00575
-
τn [s]
0,00136
0,00306
0,01390
0,06620
0,51200
1,49000
-
Rthn [°C/W]
0,00065
0,0019
0,00239
0,00381
0,00425
0,02
-
τn [s]
0,00160
0,0091
0,07910
0,26000
1,73600
7,21
-
Rthn [°C/W]
0,00055
0,00206
0,00604
0,00551
0,02084
-
-
τn [s]
0,00140
0,00857
0,15400
2,58000
7,00700
-
-
Rthn [°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,04
c
a
Z thJC [°C/W]
0,03
0,02
b
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Durchlasskennlinie
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00188
0,00316
0,00413
0,00547
0,00745
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00135
0,00198
0,00282
0,00416
0,00646
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00185
0,00302
0,00393
0,00523
0,00727
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00131
0,00187
0,00263
0,00388
0,00622
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00185
0,00302
0,00390
0,00517
0,00724
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00132
0,00186
0,00259
0,00381
0,00614
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
14.000
Tvj = Tvj max
12.000
iT [A]
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
0
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2
VT [V]
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
5000
Durchlassverluste
180°
4000
120°
0°
0
180°
90°
PTAV [W]
60°
3000
θ = 30°
2000
1000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
0°
180°
0
T C [°C]
100
80
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
20
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
I TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
6000
Tc
5000
0°
180°
0
180°
120°
4000
PTAV [W]
DC
90°
60°
θ = 30°
3000
2000
1000
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
0°
0
180°
T C [°C]
100
80
60
40
θ = 30°
60°
90°
120°
180°
DC
20
0
1000
2000
3000
I TAV [A]
4000
5000
6000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
100
Steuerkennlinie
vG [V]
10
c
d
Tvj =
-40 °C
Tvj =
+140°C
1
Tvj =
+25°C
a
b
0,1
10
100
1000
iG [mA]
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
c - 100W / 0,5ms
Zündverzug
a - 40W / 10ms
b - 80W / 1ms
d – 150W / 0,1ms
10000
Qr [µAs]
iTM = 1000A
- 4000A
500A
200A
100A
50A
1000
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
50
IT(OV)M [kA]
40
30
0-50V
20
0,33 VRRM
0,67 VRRM
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T2510N
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