PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 ® 可编程片上系统 （PSoC ） 概述 PSoC® 3 是真正的可编程嵌入式片上系统，它在单芯片中集成了可配置的模拟和数字外设、存储器以及微控制器。 PSoC 3 架构的性 能通过以下特性得到质的提升： 带有工作频率高达 50 MHz 的 DMA 控制器和 8051 内核 超低功耗与业界最宽的电压范围 带有支持用户自定义的可编程数字和模拟外设 任何模拟或数字外设端口可灵活路由至任意引脚 PSoC 器件是一个应用于嵌入式 （控制）系统设计的高度灵活的可配置系统级芯片。它集成了丰富的可配置模拟和数字资源以及片上 微控制器。单芯片可以实现高达上百种的模拟和数字外设功能。因此不仅可以缩短设计周期、减小电路板尺寸、降低系统功耗，还可 以在降低系统成本的基础上提升系统性能。 特性 工作特性 多功能 I/O 系统 29 至 72 个 I/O 引脚 — 多达 62 个通用 I/O （GPIO） 多达 8 个特殊功能 I/O （SIO）引脚 • 25 mA 灌电流 • 可编程输入 / 输出阀值 • 可作为通用比较器使用 • 支持热插拔功能和过压容限 两个 USBIO 可作为 GPIO 使用 任意数字或模拟外设信号可以路由至任意引脚 所有 GPIO 均支持段式 LCD 驱动，最多支持 46 Com x 16 Seg 所有 GPIO 均支持 CapSense 功能 1.2 V 至 5.5 V 接口电压，多达 4 个电压域 编程与调试 支持 4 线 JTAG、 SWD 以及 SWV 接口 2 支持通过 I C、 SPI、 UART、 USB 以及通信接口的 Bootloader 编程 性能 支持 32.768 kHz 外部时钟晶振 可布线到任何外设或 I/O 的 12 个时钟分频器 模拟外设 8 至 12 位可配置 Delta-Sigma ADC 8 位 DAC 两个电压比较器 ® 支持 CapSense ，最多支持 62 个触摸传感器 1.024 V ±1% 内部参考电压 电压范围：1.71 至 5.5 V，多达六个电压域 [1] （环境）温度范围：–40 至 85 °C 工作频率介于 DC 至 50 MHz 之间 功耗模式 • 在活动模式下，频率 6 MHz 电流 1.2 mA，频率 48 MHz 电 流 12 mA • 1 µA 睡眠模式 • 200 nA 休眠模式， RAM 数据保持 升压调节器的电压范围：最小输入电压 0.5 V，最大输出电压 5V 8 位 8051 CPU， 32 个中断输入 24 通道的直接存储器访问 （DMA）控制器 存储器 拥有缓存和安全特性的高达 64 KB 的编程闪存 高达 8 KB 的用于存储纠错码 （ECC）的闪存空间 高达 8 KB 的 RAM 高达 2 KB 的 EEPROM 数字外设 4 路 16 位定时器、计数器或 PWM 模块 （TCPWM） 1 路硬件 I2C 模块，总线速度 1 Mbps 已认证的 USB 2.0 (FS) 12 Mbps 外设接口 （TID#40770053），采用内部振荡器 [2] 16 到 24 个通用数字模块（UDB），通过配置 UDB 模块，可以 创建有限数量的如下功能模块： • 8、 16、 24 和 32 位定时器、计数器和 PWM • I2C、 UART、 SPI、 I2S、 LIN 2.0 接口 • 循环冗余校验 （CRC） • 伪随机序列 （PRS）发生器 • 正交解码器 • 门限逻辑功能 封装选项：48-SSOP、 48-QFN、 68-QFN、 100-TQFP 以及 72-WLCSP 支持使用免费的 PSoC Creator™ 工具进行开发 可编程时钟 提供原理图和固件级别的设计支持 提供了上百个 PSoC Component （PSoC 组件），相当于集 成了众多专有 IC 和系统接口。每个组件均可通过简单的拖放 添加到当前设计中。 包含免费的 Keil 8051 编译器 支持器件的编程和调试功能 3 到 24 MHz 内部高频振荡器（IMO），3 MHz 输出精确度 2% 支持 4 到 25 MHz 外部晶振 50 MHz 内部 PLL 最高输出频率 1 KHz 或 33/100 KHz 低功耗内部低频振荡器 （ILO） 注释： 1. 最大存放温度是 150°C，符合 JEDEC JESD22-A103 — 高温度存放使用寿命标准。 2. 该特性仅在特定器件上提供。更多详细信息，请参考 第 113 页上的订购信息。 赛普拉斯半导体公司 文档编号：001-92498 版本 *A • 198 Champion Court • San Jose, CA 95134-1709 • 408-943-2600 修订日期 ：May 26, 2015 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 更多有关的信息 赛普拉斯的网站 www.cypress.com 上提供了大量资料，有助于正确选择您设计的 PSoC 器件，并使您能够快速和有效地将器件集成 到设计中。有关使用资源的完整列表，请参考知识库文章 KBA86521 — 如何使用 PSoC 3、 PSoC 4 和 PSoC 5LP 进行设计。下面是 PSoC 3 的简要列表： 概况：PSoC 产品系列、 PSoC 路线图 开发套件： 产品选型器：PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LP。此外， PSoC Creator 还包含一个器件选择工具。 应用笔记：赛普拉斯提供了大量 PSoC 应用笔记，包括从基本到 高级的广泛主题。下面列出的是 PSoC3 入门的应用笔记： AN54181：PSoC 3 入门 AN61290：硬件设计的注意事项 AN57821：混合信号电路板布局 AN58304：模拟设计的引脚选择 AN81623：数字设计的最佳实践 AN73854：Bootloader 的简介 CY8CKIT-001为任何PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4或PSoC 5LP 器件系列提供一个通用的开发平台。 CY8CKIT-030 是专门为模拟性能而设计的。通过该套件，您 可以评估、开发并原型化高精度模拟、低功耗及低电压的 PSoC 3 应用。 这两种套件都支持连接 PSoC 扩展板套件。扩展套件可用于 CapSense、高精度温度测量和电源监控等多种应用。 MiniProg3 编程工具可用于对 PSoC 器件的编程和调试（PSoC1 器件仅限编程）。 PSoC Creator PSoC Creator 是免费的基于 Windows 的集成开发环境（IDE）。通过它能同时在 PSoC 3、PSoC 4 和 PSoC 5LP 系统中设计硬件和 固件。PSoC Creator 通过基于原理图的经典方法设计系统架构，由上百个预验证可可用于生产的 PSoC Component tm 给与支持。更 多信息请参考组件数据手册列表。使用 PSoC Creator，可以执行以下操作： 1. 将组件图标施放到主要设计工作区中，以进行您的硬件系统 3. 使用配置工具配置各组件 设计。 4. 研究包含 100 多个组件的库 2. 使用 PSoC Creator 集成开发环境编译器对您的应用固件和 5. 查看组件数据手册 PSoC 硬件进行协同设计 图 1. PSoC Creator 中多传感器的示例项目 文档编号：001-92498 版本 *A 页 2/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 目录 1. 架构概述 .............................................................................. 4 2. 引脚布局 .............................................................................. 6 3. 引脚说明 ............................................................................ 12 4. CPU ................................................................................... 13 4.1 8051 CPU ................................................................. 13 4.2 寻址模式 ................................................................... 13 4.3 指令集 ....................................................................... 14 4.4 DMA 与 PHUB .......................................................... 18 4.5 中断控制器 ............................................................... 20 5. 存储器 ................................................................................ 24 5.1 静态 RAM ................................................................. 24 5.2 闪存程序存储器 ........................................................ 24 5.3 闪存安全性 ............................................................... 24 5.4 EEPROM .................................................................. 24 5.5 非易失性锁存器 （NVL） .......................................... 25 5.6 外部存储器接口 ........................................................ 26 5.7 存储器映射情况 ........................................................ 26 6. 系统集成 ............................................................................ 28 6.1 时钟系统 ................................................................... 28 6.2 供电系统 ................................................................... 31 6.3 复位 .......................................................................... 36 6.4 I/O 系统与路由 .......................................................... 38 7. 数字子系统 ......................................................................... 45 7.1 外设示例 ................................................................... 45 7.2 通用数字模块 ............................................................ 47 7.3 UDB 阵列说明 .......................................................... 50 7.4 DSI 走线接口说明 ..................................................... 50 7.5 USB .......................................................................... 52 7.6 定时器、计数器和 PWM ........................................... 52 7.7 I2C ............................................................................ 53 8. 模拟子系统 ......................................................................... 55 8.1 模拟布线 ................................................................... 56 8.2 Delta-sigma ADC ...................................................... 58 8.3 电压比较器 ............................................................... 59 8.4 LCD 直接驱动器 ....................................................... 61 8.5 CapSense ................................................................. 61 8.6 温度传感器 ............................................................... 61 8.7 DAC .......................................................................... 62 9.1 JTAG 接口 ................................................................ 63 9.2 串行线调试接口 ........................................................ 65 9.3 调试功能 ................................................................... 66 9.4 跟踪特性 ................................................................... 66 9.5 单线浏览器接口 ........................................................ 66 9.6 编程特性 ................................................................... 66 9.7 器件安全性 ............................................................... 66 9.8 CSP 封装 Bootloader ................................................ 67 10. 开发支持 .......................................................................... 67 10.1 文档 ........................................................................ 67 10.2 在线资源 ................................................................. 67 10.3 工具 ........................................................................ 67 11. 电气规范 .......................................................................... 68 11.1 最大绝对额定值 ...................................................... 68 11.2 器件级规范 ............................................................. 69 11.3 电源调节器 ............................................................. 73 11.4 输入和输出 ............................................................. 77 11.5 模拟外设 ................................................................. 86 11.6 数字外设 ................................................................. 98 11.7 存储器 ................................................................... 101 11.8 PSoC 系统资源 ..................................................... 107 11.9 时钟 ...................................................................... 109 12. 订购信息 ........................................................................ 113 12.1 器件型号约定 ........................................................ 114 13. 封装 ............................................................................... 115 14. 缩略语 ............................................................................ 119 15. 参考文档 ........................................................................ 120 16. 文档规范 ........................................................................ 121 16.1 测量单位 ............................................................... 121 17. 修订记录 ........................................................................ 122 18. 销售、解决方案和法律信息 ........................................... 123 全球销售和设计支持 ..................................................... 123 产品 .............................................................................. 123 PSoC® 解决方案 ...........................................................123 赛普拉斯开发者社区 ..................................................... 123 技术支持 ....................................................................... 123 9. 编程、调试接口与资源 ....................................................... 63 文档编号：001-92498 版本 *A 页 3/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 1. 架构概述 CY8C32 系列的超低功耗闪存可编程片上系统（PSoC®）器件是可扩展的 8 位 PSoC 3 和 32 位 PSoC 5 平台的一部分。CY8C32 系 列提供了 CPU 子系统的多个可配置的模拟、数字和互连电路模块。通过将 CPU 同高度灵活的模拟子系统、数字子系统、路由及 I/O 相结合，可以在众多消费、工业和医疗应用场合实现高度集成。 图 1-1. 简化的框图 Analog Interconnect Quadrature Decoder UDB UDB UDB UDB Sequencer Usage Example for UDB IMO I2C Universal Digital Block Array (24 x UDB) 8- Bit Timer 16- Bit PWM UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB 22 UDB 8- Bit Timer Logic UDB 8- Bit SPI I2C Slave Master/ Slave 16- Bit PRS FS USB 2.0 USB PHY 12- Bit SPI UDB UDB UDB UDB UDB UDB Logic UART UDB UDB GPIOs GPIOs Clock Tree 32.768 KHz ( Optional) Digital System System Wide Resources Xtal Osc SIO 4- 25 MHz ( Optional) GPIOs Digital Interconnect 12- Bit PWM RTC Timer System Bus GPIOs EEPROM SRAM EMIF FLASH CPU System 8051 or Cortex M3 CPU Interrupt Controller Program Debug & Trace PHUB DMA ILO Program & Debug GPIOs Memory System WDT and Wake Boundary Scan Clocking System GPIOs SIOs Analog System Power Management System LCD Direct Drive ADC POR and LVD 1.8V LDO 1x Del Sig ADC Temperature Sensor DAC SMP + 2x CMP - GPIOs 1.71 to 5.5V Sleep Power CapSense 0. 5 to 5.5V ( Optional) 图 1-1 显示了 CY8C32 系列的主要组件，它们分别为： 8051 CPU 子系统 非易失性存储子系统 编程、调试和测试子系统 输入和输出 时钟 功耗 PSoC 具有独特的可配置性，其中有一半是由其数字子系统提供 的。数字子系统不仅能够通过数字系统互连 （DSI）将来自任意 外设的数字信号连接至任意引脚，而且还能够通过小而快的低功 耗 UDB 实现功能灵活性。PSoC Creator 提供了一个外设库，其 中包括经过测试并已映射至 UDB 阵列的标准预建数字外设，如 UART、SPI、LIN、PRS、CRC、定时器、计数器、PWM、AND、 OR 等。此外，您还可以通过图形设计输入的方式，使用底层逻 辑元件库轻松创建数字电路。每个 UDB 均包含可编程阵列逻辑 （PAL）/ 可编程逻辑器件（PLD）功能，以及支持众多外设的小 型状态机引擎。 数字子系统 模拟子系统 文档编号：001-92498 版本 *A 页 4/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 除了能够提高 UDB 阵列的灵活性之外，PSoC 还提供旨在实现特 定功能的可配置数字模块。对于 CY8C32 系列，这些模块包括四 个 16 位定时器、计数器和 PWM 模块； I2C 从设备、主设备和 多主设备；以及全速 USB。 有关外设的详细信息，请参见本数据手册的第 45 页上的外设示 例一节。有关 UDB、DSI 及其他数字模块的信息，请参见本数据 手册的第 45 页上的数字子系统一节。 PSoC 独特可配置性的另外一半则来自于其模拟子系统。所有模 拟性能都基于高度精确的绝对电压参考（在有效工作温度和电压 下误差小于 1%）。可配置模拟子系统包括： 模拟复用器 电压比较器 参考电压 ADC DAC 所有 GPIO 引脚都可以使用内部模拟总线将模拟信号输入和输出 器件。因此，器件可接多达 62 个分立模拟信号。模拟子系统中 包含一 个 快 速、精 确 并 具 有 以 下 特 性 的 可 配 置 Delta-Sigma ADC： 偏移小于 100 µV 增益误差为 0.2% INL 小于 ±1 LSB DNL 小于 ±1 LSB SINAD 优于 66 dB 该转换器能够满足众多高精度模拟应用的需求，其中包括一些要 求最为严苛的传感器。 高速电压或电流 DAC 支持 8 位输出信号，电流 DAC （IDAC） 的更新速率为 8 Msps，电压 DAC （VDAC）的更新速率为 1 Msps。它可以路由到任何 GPIO 引脚。您可以使用 UDB 阵列创 建分辨率更高的电压 PWM DAC 输出。利用此方法，可以在高达 48 kHz 的频率下创建高达 10 位的脉冲宽度调制（PWM）DAC。 每个 UDB 中的数字 DAC 都支持 PWM、 PRS 或 delta-sigma 算 法，并且宽度可编程。 PSoC 的非易失性子系统由闪存、按字节写入的 EEPROM 以及 非易失性配置选项构成。它能够提供高达 64 KB 的片上闪存。 CPU 可以对闪存的各个区块重新进行编程，以便使能 Bootloader。您可以针对可靠性较高的应用使能纠错码。功能强 大且非常灵活的保护模型能够保护用户的敏感信息，并能够锁定 选定的存储器模块，以便实现读写保护。片上提供了高达 2 KB 的按字节写入的 EEPROM，用于存储应用程序数据。此外，选 定的配置选项 （如引导速度和引脚驱动模式）存储在非易失性 存储器中，以便在加电复位 （POR）后立即激活相关设置。 三种类型的 PSoC I/O 都非常灵活。所有 I/O 都具有多种可在上 电复位时设置的驱动模式。 PSoC 还通过 VDDIO 引脚提供多达 四个 I/O 电压域。每个 GPIO 都具有模拟 I/O、 LCD 驱动 [3]、 CapSense[4]、灵活的中断生成、转换速率控制以及数字 I/O 功 能。PSoC 上的 SIO 允许在用作输出时独立设置 Voh 和 VDDIO。 SIO 在输入模式下处于高阻抗状态。即使当器件未加电或引脚电 压高于供电电压时，亦是如此。这使得 SIO 非常适合在 I2C 总线 上使用，因为当该总线上的其他器件处于加电状态时， PSoC 可 能未加电。SIO 引脚还具有非常高的灌电流能力，适用于 LED 驱 动等应用。通过使用 SIO 的可编程输入阈值特性，可以将 SIO 用 作通用模拟电压比较器。此外，对于带全速 USB 的器件，还提 供了 USB 物理接口 （USBIO）。当不使用 USB 时，这些引脚还 可以用于实现有限的数字功能和进行器件编程。本数据表的第 38 页上的 I/O 系统与路由一节对 PSoC I/O 的所有特性进行了详细 说明。 PSoC 器件集成了非常灵活的内部时钟生成器，能够实现高度的 稳定性和准确度。内部主振荡器 （IMO）是系统的时基，在 3 MHz 下的精度为 2%。IMO 的工作频率介于 3 MHz 至 24 MHz 之 间可配置。为满足应用的要求，可将主时钟频率分频成多个时 钟。器件提供了一个 PLL，以便从 IMO、外部晶振或外部基准时 钟生成高达 50 MHz 的时钟频率。器件还包含一个单独的超低功 耗内部低速振荡器 (ILO)，以便供睡眠和看门狗定时器使用。此 外，在实时时钟 （Real Time Clock， RTC）应用中，还支持使 用 32.768 kHz 的外部时钟晶体。时钟以及可编程时钟分频器具 有高度的灵活性，能够满足大多数时序要求。 CY8C32 系列能够在 1.71 至 5.5 V 的电压范围内工作。可以采用 1.8 V ± 5%、 2.5 V ±10%、 3.3 V ± 10% 或 5.0 V ± 10% 等稳压 电源，或直接采用多种不同类型的电池。此外，该系列还提供了 一个集成的高效同步升压器，能够采用低至 0.5 V 的供电电压为 器件供电。 除了 ADC 和 DAC 以外，模拟子系统还提供多个电压比较器。 相关详细信息，请参见本数据手册中第 55 页上的模拟子系统一 节一节。 PSoC 的 8051 CPU 子系统是围绕工作频率高达 50 MHz 的单周 期流水线 8051 8 位处理器构建的。CPU 子系统包括可编程的嵌 套向量中断控制器、 DMA 控制器和 RAM。 PSoC 的嵌套向量中 断控制器可让CPU直接前进到中断服务子程序的第一个地址，而 无需在其他架构中使用的跳转指令，因此具有较低的延迟。DMA 控制器使能外设，以在没有 CPU 干预的情况下交换数据。这样 一来， CPU 就能够以较慢的速度运行 （降低功耗）或使用这些 CPU 周期来提高固件算法的性能。单周期 8051 CPU 的运行速度 比标准 8051 处理器快十倍。处理器速度本身是可配置的，从而 能够针对特定应用调整运行功耗。 注释： 3. 该特性仅在特定器件上提供。更多有关信息，请参考 第 113 页上的订购信息。 4. Opamp 的固有输出引脚不建议用作 CapSense 功能。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 5/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 这样一来，便可以通过单个电池或太阳能电池为器件直接供电。 不仅如此，您还可以使用升压转换器来生成器件所需的其他电 压，例如，驱动 LCD 显示屏所需的 3.3 V 电压。升压器的输出引 脚是 VBOOST，从而可以从 PSoC 为应用中的其他器件供电。 PSoC 支持多种低功耗模式。其中包括 200 nA 休眠模式 （RAM 保留数据）和 1 µA 睡眠模式 （RTC 保持运行）。在第二种模式 下，可选的 32.768 kHz 时钟晶体会连续运行，以保持精确的 RTC。 固件可以独立控制所有主要功能模块（包括可编程数字和模拟外 设）的供电情况。因此，当某些外设未被使用时，可以采用低功 耗后台处理模式。这样一来， CPU 在 6 MHz 下运行时，器件总 电流仅为 1.2 mA，或者在 3 MHz 下则仅为 0.8 mA。 关于 PSoC 功耗模式的详细信息，请参见本数据手册中第 31 页 上的供电系统一节一节。 PSoC 采用 JTAG （4 线）接口或 SWD （2 线）接口进行编程、 调试和测试。单线查看器 (SWV) 也可用于进行 “printf” 式调 试。通过结合使用 SWD 和 SWV，您只需三个引脚，即可实现全 功能调试接口。借助这些标准接口，您能够利用赛普拉斯公司或 第三方供货商提供的众多硬件解决方案对 PSoC 进行调试或编 程。PSoC 支持片上断点以及 4 KB 的指令和数据竞争存储器，以 便进行调试。有关编程、测试和调试接口的详细信息，请参见本 数据手册中的第 63 页上的编程、调试接口与资源一节。 2. 引脚布局 每个 VDDIO 引脚会供电给一组特殊的 I/O 引脚。（通过 VDDD 给 USBIO 供电。）通过使用 VDDIO 引脚，单个 PSoC 即可支持多 个接口电压电平，而无需片外电平转换器。图 2-3 到图 2-6 中引 脚分配框图内的黑线显示了每个 VDDIO 所供电的引脚。 每个 VDDIO 总共可为相应 I/O 引脚提供高达 100 mA 的拉电流， 如 图 2-1 所示。 图 2-1. VDDIO 电流限制 IDDIO X = 100 mA VDDIO X I/O Pins PSoC 反过来，对于 100 引脚和 68 引脚器件，也可以将 100 mA 的总 电流灌入到与任意 VDDIO 相应的引脚组，如图 2-2 所示。 图 2-2. I/O 引脚电流限制 Ipins = 100 mA VDDIO X I/O Pins PSoC VSSD 对于 48 引脚器件，可以将 100 mA 的总电流灌入到与 VDDIO0 和 VDDIO2 相应的所有 I/O 引脚组。可以将 100 mA 的总电流灌 入到与 VDDIO1 和 VDDIO3 相应的所有 I/O 引脚组。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 6/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 2-3. 48-SSOP 器件的引脚分布图 (SIO) P12[2] (SIO) P12[3] (GPIO) P0[0] (GPIO) P0[1] (GPIO) P0[2] (EXTREF0, GPIO) P0[3] VDDIO0 (GPIO) P0[4] (GPIO) P0[5] (IDAC0, GPIO) P0[6] (GPIO) P0[7] VCCD VSSD VDDD (GPIO) P2[3] (GPIO) P2[4] VDDIO2 (GPIO) P2[5] (GPIO) P2[6] (GPIO) P2[7] VSSB IND VBOOST VBAT 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 VDDA VSSA VCCA P15[3] (GPIO, KHZ XTAL: XI) P15[2] (GPIO, KHZ XTAL: XO) P12[1] (SIO, I2C1: SDA) P12[0] (SIO, I2C1: SCL) VDDIO3 P15[1] (GPIO, MHZ XTAL: XI) P15[0] (GPIO, MHZ XTAL: XO) VCCD VSSD VDDD [5] P15[7] (USBIO, D-, SWDCK) [5] P15[6] (USBIO, D+, SWDIO) P1[7] (GPIO) P1[6] (GPIO) VDDIO1 P1[5] (GPIO, NTRST) P1[4] (GPIO, TDI) P1[3] (GPIO, TDO, SWV) P1[2] (GPIO, CONFIGURABLE XRES) P1[1] (GPIO, TCK, SWDCK) P1[0] (GPIO, TMS, SWDIO) 48 47 Lines show 46 VDDIO to I/O 45 supply association 44 43 42 41 40 39 38 37 SSOP 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 7 8 9 10 [5] VDDIO0 P0[4] (GPIO) 38 37 P0[6] (GPIO, IDAC0) P0[5] (GPIO) VCCD P0[7] (GPIO) 41 40 39 43 42 P0[3] (EXTREF0, GPIO) P0[2] (GPIO) 34 33 32 31 P0[1] (GPIO) P0[0] (GPIO) P12[2] (SIO) VDDA VSSA VCCA P15[3] (GPIO, KHZ XTAL: XI) P15[2] (GPIO, KHZ XTAL: XO) P12[1] (SIO, I2C1: SDA) (SIO, I2C1: SCL) P12[0] (GPIO, MHZ XTAL: XI) P15[1] VDDIO3 (GPIO, MHZ XTAL: XO) P15[0] 17 18 19 20 21 22 23 24 26 25 P12[3] (SIO) [5] 15 16 (GPIO) P1[7] (USBIO, D+, SWDIO) P15[6] (USBIO, D-, SWDCK) P15[7] 11 12 36 35 30 29 28 27 ( TOP VIEW) 13 14 (GPIO, TDI) P1[4] (GPIO, NTRST) P1[5] QFN VDDIO1 (GPIO, Configurable XRES) P1[2] (GPIO, TDO, SWV) P1[3] 5 6 (GPIO) P1[6] VBAT (GPIO, TMS, SWDIO) P1[0] (GPIO, TCK, SWDCK) P1[1] Lines show VDDIO to I/O supply association VSSD VCCD 3 4 IND VBOOST 2 VDDD VSSB P2[3] (GPIO) P2[4] (GPIO) 46 45 44 1 VDDD VSSD P2[5] (GPIO) VDDIO2 (GPIO) P2[6] (GPIO) P2[7] 47 48 图 2-4. 48-QFN 器件的引脚分布图 [6] 注释： 5. 对于不带 USB 的器件，引脚的状态为 “DNU” （即请勿使用）。该引脚必须悬空。 6. QFN 封装上的中心焊盘应连接到数字地 （VSSD），以获得最佳机械、热学和电气性能。如果未接地，则应处于电气悬空状态，而不能连接到任何其他信号。更多有 关信息，请参见 AN72845 — QFN 封装的设计指南。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 7/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 P0[5] (GPIO) P0[4] (GPIO) VDDIO0 53 52 P0[7] (GPIO) P0[6] (GPIO, IDAC0) 55 54 58 57 56 P15[5] (GPOI) P15[4] (GPIO) VDDD VSSD VCCD P2[2] (GPIO) P2[1] (GPIO) P2[0] (GPIO) 63 62 61 60 59 64 VDDIO2 P2[4] (GPIO) P2[3] (GPIO) 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 Lines show VDDIO to I/O supply association QFN 34 P12[1] (SIO, I2C1: SDA) P12[0] (SIO, 12C1: SCL) P3[7] (GPIO) P3[6] (GPIO) VDDIO3 (GPIO) P3[5] 28 29 30 (MHZ XTAL: XI, GPIO) P15[1] (GPIO) P3[0] (GPIO) P3[1] (EXTREF1, GPIO) P3[2] (GPIO) P3[3] (GPIO) P3[4] 24 25 26 27 VDDD VSSD VCCD (MHZ XTAL: XO, GPIO) P15[0] 31 32 33 23 P0[3] (GPIO, EXTREF0) P0[2] (GPIO) P0[1] (GPIO) P0[0] (GPIO) P12[3] (SIO) P12[2] (SIO) VSSD VDDA VSSA VCCA P15[3] (GPIO, KHZ XTAL: XI) P15[2] (GPIO, KHZ XTAL: XO) [8] 20 21 22 [8] (GPIO) P1[6] 18 19 (TOP VIEW) (GPIO) P1[7] (SIO) P12[6] (SIO) P12[7] (USBIO, D+, SWDIO) P15[6] (USBIO, D-, SWDCK) P15[7] (GPIO) P2[6] (GPIO) P2[7] (I2C0: SCL, SIO) P12[4] (I2C0: SDA, SIO) P12[5] VSSB IND VBOOST VBAT VSSD XRES (TMS, SWDIO, GPIO) P1[0] (TCK, SWDCK, GPIO) P1[1] (Configurable XRES, GPIO) P1[2] (TDO, SWV, GPIO) P1[3] (TDI, GPIO) P1[4] (NTRST, GPIO) P1[5] VDDIO1 66 65 68 67 P2[5] (GPIO) 图 2-5. 68-QFN 器件的引脚分布图 [7] 注释： 7. QFN 封装上的中心焊盘应连接到数字地 （VSSD），以获得最佳机械、热学和电气性能。如果未接地，则应处于电气悬空状态，而不能连接到任何其他信号。更多有 关信息，请参见 AN72845 — QFN 封装的设计指南。 8. 对于不带 USB 的器件，引脚的状态为 “DNU” （即请勿使用）。该引脚必须悬空。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 8/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 P0[6] (GPIO, IDAC0) P0[5] (GPIO) P0[4] (GPIO) 47 48 49 50 (GPIO) P3[5] VDDIO3 46 43 44 45 (GPIO) P3[0] (GPIO) P3[1] (EXTREF1, GPIO) P3[2] (GPIO) P3[3] (GPIO) P3[4] 42 (MHZ XTAL: XO, GPIO) P15[0] (MHZ XTAL: XI, GPIO) P15[1] NC NC 39 40 41 36 37 38 (USBIO, D-, SWDCK) P15[7] VDDD VSSD VCCD 54 53 52 51 VDDIO0 P0[3] (GPIO,EXTREF0) P0[2] (GPIO) P0[1] (GPIO) P0[0] (GPIO) P4[1] (GPIO) P4[0] (GPIO) P12[3] (SIO) P12[2] (SIO) VSSD VDDA VSSA VCCA NC NC NC NC NC NC P15[3] (GPIO, KHZ XTAL: XI) P15[2] (GPIO, KHZ XTAL: XO) P12[1] (SIO, I2C1: SDA) P12[0] (SIO, I2C1: SCL) P3[7] (GPIO) P3[6] (GPIO) [9] 32 33 34 35 (GPIO) P5[5] (GPIO) P5[6] (GPIO) P5[7] (USBIO, D+, SWDIO) P15[6] [9] 31 77 76 79 78 80 P4[5] (GPIO) P4[4] (GPIO) P4[3] (GPIO) P4[2] (GPIO) P0[7] (GPIO) 82 81 VCCD P4[7] (GPIO) P4[6] (GPIO) 85 84 83 VDDD VSSD 87 86 90 89 88 P15[4] (GPIO) P6[3] (GPIO) P6[2] (GPIO) P6[1] (GPIO) P6[0] (GPIO) P2[1] (GPIO) P2[0] (GPIO) P15[5] (GPIO) 95 94 93 92 91 96 P2[4] (GPIO) P2[3] (GPIO) P2[2] (GPIO) 98 97 TQFP 28 29 30 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 Lines show VDDIO to I/O supply association 26 27 VDDIO1 (GPIO) P5[2] (GPIO) P5[3] (TMS, SWDIO, GPIO) P1[0] (TCK, SWDCK, GPIO) P1[1] (Configurable XRES, GPIO) P1[2] (TDO, SWV, GPIO) P1[3] (TDI, GPIO) P1[4] (NTRST, GPIO) P1[5] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 (GPIO) P1[6] (GPIO) P1[7] (SIO) P12[6] (SIO) P12[7] (GPIO) P5[4] (GPIO) P2[5] (GPIO) P2[6] (GPIO) P2[7] (I2C0: SCL, SIO) P12[4] (I2C0: SDA, SIO) P12[5] (GPIO) P6[4] (GPIO) P6[5] (GPIO) P6[6] (GPIO) P6[7] VSSB IND VBOOST VBAT VSSD XRES (GPIO) P5[0] (GPIO) P5[1] 100 99 VDDIO2 图 2-6. 100-TQFP 器件的引脚布局 表 2-1 显示的是 72-CSP 封装的引脚分布。由于共有 4 个 VDDIO 引脚，因此，与 100 引脚和 68 引脚器件相同，将 100 mA 的总电流 灌入到与 VDDIO 相应的 I/O 引脚组。 表 2-1. CSP 引脚分布 球形焊盘 G6 名称 P2[5] 球形焊盘 F1 名称 VDDD 球形焊盘 A5 名称 VDDA E5 P2[6] E1 VSSD A6 VSSD F5 P2[7] E2 VCCD B6 P12[2] J7 P12[4] C1 P15[0] C6 P12[3] H6 P12[5] C2 P15[1] A7 P0[0] J6 VSSB D2 P3[0] B7 P0[1] J5 Ind D3 P3[1] B5 P0[2] 注释： 9. 对于不带 USB 的器件，引脚的状态为 “DNU” （即请勿使用）。该引脚必须悬空。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 9/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 2-1. CSP 引脚分布 （续） 球形焊盘 H5 名称 VBOOST 球形焊盘 D4 名称 P3[2] 球形焊盘 C5 名称 P0[3] J4 VBAT D5 P3[3] A8 VIO0 H4 VSSD B4 P3[4] D6 P0[4] J3 XRES_N B3 P3[5] D7 P0[5] H3 P1[0] A1 VIO3 C7 P0[6] G3 P1[1] B2 P3[6] C8 P0[7] H2 P1[2] A2 P3[7] E8 VCCD J2 P1[3] C3 P12[0] F8 VSSD G4 P1[4] C4 P12[1] G8 VDDD G5 P1[5] E3 P15[2] E7 P15[4] J1 VIO1 E4 P15[3] F7 P15[5] F4 P1[6] B1[10] NC G7 P2[0] P1[7] [10] NC H7 P2[1] D1 [10] NC H8 P2[2] D8 [10] F3 H1 P12[6] B8 G1 P12[7] NC F6 P2[3] G2 P15[6] A3 VCCA E6 P2[4] F2 P15[7] A4 VSSA J8 VIO2 图 2-7 和图 2-8 所示的是 100-TQFP 器件的原理图和 PCB 布局示例，该示例可以在两层电路板上获得最佳模拟性能。 两个标记 VDDD 的引脚必须连接在一起。 两个标记VCCD的引脚必须连接在一起，并且必须连接电容，如图2-7和 第31页上的供电系统所示。两个VCCD引脚之间的线路越短 越好。 两个标有 VSSD 的引脚必须连接在一起。 有关混合信号电路板布局问题的详细信息，请参考应用手册 AN57821 — PSoC® 3 与 PSoC 5LP 混合信号电路板布局的注意事项。 注释： 10. 这些引脚是 “ 请勿使用 ” （DNU）；它们必须悬空。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 10/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 2-7. 100-TQFP 器件通电时的原理图示例 VDDD C1 1uF VDDD VSSD VSSD VSSD VDDD 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 VDDA C8 0.1uF VSSD VSSD VDDA VSSA VCCA C17 1uF VSSA VDDA C9 1uF C10 0.1uF VSSA VDDD C11 0.1uF VCCD VDDD VSSD C12 0.1uF VSSD VDDD VDDIO0 OA0-, REF0, P0[3] OA0+, P0[2] OA0OUT, P0[1] OA2OUT, P0[0] P4[1] P4[0] SIO, P12[3] SIO, P12[2] VSSD VDDA VSSA VCCA NC NC NC NC NC NC KHZXIN, P15[3] KHZXOUT, P15[2] SIO, P12[1] SIO, P12[0] OA3OUT, P3[7] OA1OUT, P3[6] VDDIO1 P1[6] P1[7] P12[6], SIO P12[7], SIO P5[4] P5[5] P5[6] P5[7] P15[6], USB D+ P15[7], USB DVDDD VSSD VCCD NC NC P15[0], MHZXOUT P15[1], MHZXIN P3[0], IDAC1 P3[1], IDAC3 P3[2], OA3-, REF1 P3[3], OA3+ P3[4], OA1P3[5], OA1+ VDDIO3 P2[5] P2[6] P2[7] P12[4], SIO P12[5], SIO P6[4] P6[5] P6[6] P6[7] VSSB IND VBOOST VBAT VSSD XRES P5[0] P5[1] P5[2] P5[3] P1[0], SWIO, TMS P1[1], SWDIO, TCK P1[2] P1[3], SWV, TDO P1[4], TDI P1[5], NTRST 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 VSSD VCCD VDDIO2 P2[4] P2[3] P2[2] P2[1] P2[0] P15[5] P15[4] P6[3] P6[2] P6[1] P6[0] VDDD VSSD VCCD P4[7] P4[6] P4[5] P4[4] P4[3] P4[2] IDAC2, P0[7] IDAC0, P0[6] OA2-, P0[5] OA2+, P0[4] VSSD VSSD C2 0.1uF 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76 C6 0.1uF VDDD VDDD 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 VDDD C15 1uF C16 0.1uF VSSD VSSD 注意：两个 VCCD 引脚必须连接在一起，并且它们之间的线路越短越好。建议在器件下方连接线路，如第 12 页上的图 2-8 所示。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 11/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 2-8. 100-TQFP 器件获得最佳模拟性能的 PCB 布局示例 VSSA VDDD VSSD VDDA VSSA Plane VSSD Plane 3. 引脚说明 nTRST IDAC0 可选的 JTAG 测试复位编程与调试端口连接引脚，以复位 JTAG 连接。 大电流 DAC （IDAC）的低电阻输出引脚。 SIO Extref0、 Extref1 模拟系统的外部参考输入引脚。 GPIO 通用 I/O 引脚提供用于连接 CPU、数字外设、模拟外设、中断 LCD 段驱动和 CapSense 的接口。 专用 I/O 提供用于连接 CPU、数字外设和中断的接口，并能够提 供可编程的高阈值电压、模拟电压比较器和非常高的灌电流，当 器件未加电时处于高阻抗状态。 SWDCK 串行线调试时钟编程与调试端口连接引脚。 I2C0: SCL， I2C1：SCL SWDIO I2C SCL 线路提供在地址匹配时从睡眠模式唤醒的功能。如果不 需要从睡眠模式唤醒，则任意 I/O 引脚都可用于 I2C SCL。 串行线调试输入和输出编程与调试端口连接引脚。 I2C0: SDA， I2C1: SDA 单线查看器调试输出引脚。 I2 TCK C SDA 线路提供在地址匹配时从睡眠模式唤醒的功能。如果不 需要从睡眠模式唤醒，则任意 I/O 引脚都可用于 I2C SDA。 Ind 升压器的电感连接引脚。 kHz XTAL：Xo， kHz XTAL：Xi 32.768 kHz 晶振引脚。 SWV JTAG 测试时钟编程与调试端口连接引脚。 TDI JTAG 测试数据输入编程与调试端口连接引脚。 TDO JTAG 测试数据输出编程与调试端口连接引脚。 MHz XTAL：Xo， MHz XTAL：Xi TMS 4 至 25 MHz 晶振引脚。 JTAG 测试模式选择编程与调试端口连接引脚。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 12/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 USBIO、 D+ VDDIO0、 VDDIO1、 VDDIO2、 VDDIO3 提供与 USB 2.0 总线的直接 D+ 连接。可用作数字 I/O 引脚。在 不带 USB 的器件上，引脚处于 “ 请勿使用 ” （DNU）状态。 I/O 引脚的供电引脚。有关特定 I/O 引脚至 VDDIO 的映射，请参 见引脚分布。每个 VDDIO 都必须连接到有效的工作电压 （1.71 V 至 5.5 V），并且必须小于或等于 VDDA。 USBIO、 D提供与 USB 2.0 总线的直接 D– 连接。可用作数字 I/O 引脚。在 不带 USB 的器件上，引脚处于无连接 （NC）状态。 VBOOST 升压器的供电传感连接引脚。 VBAT 升压器的电池供电引脚。 VCCA : 模拟系统内核调节器的输出引脚或模拟系统内核的输入引脚。需 要为 VSSA 连接 1 µF 电容。电压调节器输出不适用于驱动外部 电路。请注意，如果您使用具有外部内核调节器的器件 （外部调 节模式），供给该引脚的电压不能超过允许范围（1.71 V 至 1.89 V） 。使用内部内核调节器 （内部调节模式，即默认模式）时， 不要供电给该引脚。有关详细信息，请参见 第 31 页上的供电系 统。 VCCD : XRES （与可配置的 XRES） 外部复位引脚。内部上拉，低电平有效。可将引脚 P1[2] 配置为 一个 XRES 引脚；请参见第 25 页上的非易失性锁存器（NVL）。 4. CPU 4.1 8051 CPU CY8C32 器件采用单周期 8051 CPU，与原来的 MCS-51 指令集 完全兼容。 CY8C32 系列采用流水线 RISC 架构，在执行大多数 指令时都能在 1-2 个周期内完成，能够提供高达 24 MIPS 的峰值 性能，并且每个指令平均需要两个周期。单周期 8051 CPU 的运 行速度比标准 8051 处理器快十倍。 8051 CPU 子系统包括下列特性： 单周期 8051 CPU 高达 64 KB 的闪存存储器，高达 2 KB 的 EEPROM，以及高达 8 KB 的 SRAM 数字系统内核电压调节器的输出引脚或数字系统内核的输入引 脚。 两个 VCCD 引脚必须连接在一起，引脚之间的线路越短越 好，并将 1 µF 电容连接到 VSSD。电压调节器输出不适用于驱动 外部电路。请注意，如果您使用具有外部内核调节器的器件 （外 部调节模式），供给该引脚的电压不能超过允许范围 （1.71 V 至 1.89 V）。使用内部内核调节器 （内部调节模式，即默认模式） 时，不要供电给该引脚。有关详细信息，请参见 第 31 页上的供 电系统。 CPU 与闪存之间的 512 字节指令缓存 VDDA 4.2 寻址模式 所有模拟外设和模拟系统内核电压调节器的供电引脚。VDDA 必 须是器件上的最高电压。所有其他供电引脚必须小于或等于 VDDA。 8051 支持下列寻址模式： VDDD 所有数字外设和数字系统内核电压调节器的供电引脚。VDDIO必 须小于或等于 VDDA。 VSSA 所有模拟外设的接地引脚。 VSSB 升压器的接地引脚。 可编程的嵌套向量中断控制器 直接存储器访问 （DMA）控制器 外设集线器 （PHUB） 外部存储器接口 （EMIF） 直接寻址：通过 8 位直接地址字段指定操作数。使用该模式只能 访问内部 RAM 和 SFR。 间接寻址：通过指令指定包含操作数地址的寄存器。寄存器 R0 或 R1 用于指定 8 位地址，数据指针 （DPTR）寄存器用于指 定 16 位地址。 寄存器寻址：通过特定指令访问指定寄存器组中的其中一个寄 存器 （R0 至 R7）。这些指令无需地址字段，因此更为有效。 寄存器专用指令：有些指令是特定寄存器的专用指令。例如， 有些指令始终用于累加器。在这种情况下，无需指定操作数。 VSSD 立即常量：有些指令直接使用常量值，而不是地址。 所有数字逻辑和 I/O 引脚的接地引脚。 索引寻址：此类寻址只能用于读取程序存储器。该模式采用数 据指针作为基址，并采用累加器的值作为偏移量，来读取程序 存储器。 地址位：在该模式下，操作数是 256 位中的其中一位。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 13/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 4.3 指令集 4.3.1 指令集摘要 8051 指令集已经过高度优化，能够进行 8 位处理和 Boolean 运 算。支持的指令类型包括： 4.3.1.1 算术指令 算术指令 逻辑指令 算术指令支持以下寻址模式：直接寻址、间接寻址、寄存器寻址、 立即常量寻址和寄存器专用指令寻址。算术模式用于执行加、 减、乘、除、递增和递减运算。表 4-1 列出了不同的算术指令。 数据传输指令 Boolean 指令 程序分支指令 表 4-1. 算术指令 字节 周期 ADD A,Rn 助记符 将寄存器的值加到累加器 说明 1 1 ADD A,Direct 将直接访问字节的值加到累加器 2 2 ADD A,@Ri 将间接访问 RAM 的值加到累加器 1 2 ADD A,#data 将立即数加到累加器 2 2 ADDC A,Rn 将寄存器值带进位加到累加器 1 1 ADDC A,Direct 将直接访问字节的值带进位加到累加器 2 2 ADDC A,@Ri 将间接访问 RAM 的数据带进位加到累加器 1 2 ADDC A,#data 将立即数带进位加到累加器 2 2 SUBB A,Rn 从累加器带借位减去寄存器值 1 1 SUBB A,Direct 从累加器带借位减去直接访问字节 2 2 SUBB A,@Ri 从累加器带借位减去 RAM 内的间接值 1 2 SUBB A,#data 从累加器带借位减去立即数 2 2 INC A 累加器值加 1 1 1 INC Rn 寄存器值加 1 1 2 INC Direct 直接访问字节加 1 2 3 INC @Ri RAM 内的间接值加 1 1 3 DEC A 累加器的值减 1 1 1 DEC Rn 寄存器值减 1 1 2 DEC Direct 直接访问字节的值减 1 2 3 DEC @Ri RAM 内的间接值减 1 1 3 INC DPTR 数据指针加 1 1 1 MUL 累加器的值乘以 B 1 2 DIV 累加器的值除以 B 1 6 对累加器的值进行十进制调整 1 3 DAA 文档编号：001-92498 版本 *A 页 14/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 4.3.1.2 逻辑指令 逻辑指令用于对字节执行 AND、OR、XOR 等 Boolean 运算，对累加器的数据执行循环移位，以及交换累加器中的半字节。针对字节 的 Boolean 运算是按位执行的。第 15 页上的表 4-2 列出了逻辑指令及其说明。 表 4-2. 逻辑指令 助记符 说明 字节 周期 ANL A,Rn 累加器与寄存器相 “ 与 （AND）” 1 1 ANL A,Direct 累加器与直接访问字节相 “ 与 （AND）” 2 2 ANL A,@Ri 累加器与 RAM 内的间接值相 “ 与 （AND）” 1 2 ANL A,#data 累加器与立即数相 “ 与 （AND）” 2 2 ANL Direct, A 直接访问字节与累加器相 “ 与 （AND）” 2 3 ANL Direct, #data 直接访问字节与立即数相 “ 与 （AND）” 3 3 ORL A,Rn 累加器与寄存器相 “ 或 （OR）” 1 1 ORL A,Direct 累加器与直接访问字节相 “ 或 （OR）” 2 2 ORL A,@Ri 累加器与 RAM 内的间接值相 “ 或 （OR）” 1 2 ORL A,#data 累加器与立即数相 “ 或 （OR）” 2 2 ORL Direct, A 直接访问字节与累加器相 “ 或 （OR）” 2 3 ORL Direct, #data 直接访问字节与立即数相 “ 或 （OR）” 3 3 XRL A,Rn 累加器与寄存器相 “ 异或 （XOR）” 1 1 XRL A,Direct 累加器与直接访问字节相 “ 异或 （XOR）” 2 2 XRL A,@Ri 累加器与 RAM 内的间接值相 “ 异或 （XOR）” 1 2 XRL A,#data 累加器与立即数相 “ 异或 （XOR）” 2 2 XRL Direct, A 直接访问字节与累加器相 “ 异或 （XOR）” 2 3 XRL Direct, #data 直接访问字节与立即数相 “ 异或 （XOR）” 3 3 CLR A 清除累加器 1 1 CPL A 实现累加器的补码 1 1 RL A 累加器循环左移 1 1 RLC A 累加器带进位循环左移 1 1 RR A 累加器循环右移 1 1 RRC A 累加器带进位循环右移 1 1 SWAP A 交换累加器中的半字节 1 1 文档编号：001-92498 版本 *A 页 15/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 4.3.1.3 数据传输指令 4.3.1.4 Boolean 指令 数据传输指令有三种类型：内核 RAM、外部数据 RAM 以及查询 表。内核 RAM 传输包括任意两个内核 RAM 地址或 SFR 之间的 传输。这些指令可以采用直接寻址、间接寻址、寄存器寻址和立 即寻址模式。外部数据 RAM 传输仅包括累加器和外部数据 RAM 地址之间的传输。它只能采用间接寻址模式。除了使用索引寻址 模式读取程序存储器之外，查询表不涉及任何其他内容。表 4-3 列出了各种可用数据传输指令。 8051 内核具有一个单独的位寻址存储器地址，其中包括 128 位 的位寻址 RAM 以及一组位寻址 SFR。指令集包括所有的位运 算，如传输、置位、清零、求反、或 （OR）、与 （AND）指 令，以及条件跳转指令。第 17 页上的表 4-4 列出了可用的 Boolean 指令。 表 4-3. 数据传输指令 字节 周期 MOV A,Rn 助记符 将寄存器的值传输到累加器中 说明 1 1 MOV A,Direct 将直接访问字节传输到累加器中 2 2 MOV A,@Ri 将间接访问 RAM 数据传输到累加器 1 2 MOV A,#data 将立即数传输到累加器中 2 2 MOV Rn,A 将累加器的值传输到寄存器中 1 1 MOV Rn,Direct 将直接访问字节传输到寄存器中 2 3 MOV Rn, #data 将立即数传输到寄存器中 2 2 MOV Direct, A 将累加器的值传输到直接访问字节 2 2 MOV Direct, Rn 将寄存器的值传输到直接访问字节中 2 2 MOV Direct, Direct 将直接访问字节的值传输到直接访问字节中 3 3 MOV Direct, @Ri 将间接访问 RAM 的数据传输到直接访问字节 2 3 MOV Direct, #data 将立即数传输到直接访问字节中 3 3 MOV @Ri, A 将累加器的数据传输到间接访问 RAM 中 1 2 MOV @Ri, Direct 将直接访问字节传输到间接访问 RAM 中 2 3 MOV @Ri, #data 将立即数传输到间接访问 RAM 中 2 2 MOV DPTR, #data16 将 16 位常量加载到数据指针 3 3 MOVC A, @A+DPTR 将相对于 DPTR 的代码字节传输到累加器中 1 5 MOVC A, @A + PC 将相对于 PC 的代码字节传输到累加器中 1 4 MOVX A,@Ri 将外部 RAM （8 位）的值传输到累加器中 1 4 MOVX A, @DPTR 将外部 RAM （16 位）的值传输到累加器中 1 3 MOVX @Ri, A 将累加器的值传输到外部 RAM （8 位） 1 5 MOVX @DPTR, A 将累加器的值传输到外部 RAM （16 位） 1 4 PUSH Direct 将直接访问字节推入堆栈 2 3 POP Direct 弹出堆栈中的直接访问字节 2 2 XCH A, Rn 交换寄存器与累加器的值 1 2 XCH A, Direct 交换直接访问字节与累加器的值 2 3 XCH A, @Ri 交换间接访问 RAM 与累加器的值 1 3 交换低位间接数字 RAM 与累加器的值 1 3 XCHD A, @Ri 文档编号：001-92498 版本 *A 页 16/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 4-4. 布尔指令 助记符 说明 字节 周期 CLR C 进位清零 1 1 CLR bit 直接位清零 2 3 SETB C 设置进位 1 1 SETB bit 设置直接位 2 3 CPL C 实现进位的补码 1 1 CPL bit 实现直接位的补码 2 3 ANL C, bit 进位与直接位相 “ 与 （AND）” 2 2 ANL C, /bit 进位与直接位的补码相 “ 与 （AND）” 2 2 ORL C, bit 进位与直接位相 “ 或 （OR）” 2 2 ORL C, /bit 进位与直接位的补码相 “ 或 （OR）” 2 2 MOV C, bit 将直接位移动到进位 2 2 MOV bit, C 将进位移动到直接位 2 3 JC rel 如果置位了进位，则跳转 2 3 JNC rel 如果未置位进位，则跳转 2 3 bit, rel 如果置位了直接位，则跳转 3 5 JNB bit, rel 如果未置位直接位，则跳转 3 5 JBC bit, rel 如果置位了直接位，则跳转，并使该位清零 3 5 JB 文档编号：001-92498 版本 *A 页 17/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 4.3.1.5 程序分支指令 8051 支持一组条件和无条件跳转指令，用于帮助修改程序执行流程。表 4-5 列出了这些跳转指令。 表 4-5. 跳转指令 助记符 ACALL addr11 LCALL addr16 RET RETI AJMP addr11 LJMP addr16 SJMP rel JMP @A + DPTR JZ rel JNZ rel CJNE A,Direct, rel CJNE A, #data, rel CJNE Rn, #data, rel CJNE @Ri, #data, rel DJNZ Rn,rel DJNZ Direct, rel NOP 说明 绝对调用子程序 长调用子程序 从子程序返回 从中断返回 绝对跳转 长跳转 短跳转 （相对地址） 相对于 DPTR 间接跳转 如果累加器值为零，则跳转 如果累加器值不为零，则跳转 比较直接访问字节与累加器，如果不相等则跳转 比较立即数与累加器，不相等则跳转 比较立即数与寄存器，不相等则跳转 比较立即数与 RAM 内的间接值，不相等则跳转 寄存器值减 1，结果不为零则跳转 直接访问字节减 1，结果不为零则跳转 无操作 字节 2 3 1 1 2 3 2 1 2 2 3 3 3 3 2 3 1 周期 4 4 4 4 3 4 3 5 4 4 5 4 4 5 4 5 1 4.4 DMA 与 PHUB 在不同spoke上进行同步DMA 源和目的突发（Burst）数据操作 PHUB 和 DMA 控制器负责 CPU 和外设之间的数据传输，以及外 设之间的数据传输，此外还在引导期间控制器件配置。PHUB 包 括： 支持 8、 16、 24 和 32 位寻址和数据 一个中央集线器，其中包括 DMA 控制器、仲裁器和路由器 从集线器向外辐射到大多数外设的多个并行访问路径 有两个 PHUB 主设备：即 CPU 和 DMA 控制器。这两个主设备 都可以启动总线上的数据操作。DMA 通道可以处理外设通信，而 无需 CPU 干预。如果有多个请求，中央集线器中的仲裁器将决 定哪个 DMA 通道具有最高优先级。 4.4.1 PHUB 特性 CPU 与 DMA 控制器都是 PHUB 的总线主设备 八个多层 AHB 总线并行访问路径，用于外设访问 对位于不同并行访问路径上的外设进行同步 CPU 和 DMA 访问 文档编号：001-92498 版本 *A 表 4-6. PHUB 多层并行访问路径 （Spoke）和外设 PHUB 多层并 外设 行访问路径 0 SRAM 1 IO、 PICU、 EMIF 2 PHUB 局部配置、电源管理器、时钟、 IC、 SWV、 EEPROM、闪存编程接口 3 模拟接口与 Trim， 抽取滤波器 4 USB、 USB、 I2C、定时器、计数器和 PWM 5 保留 6 UDB 组 1 7 UDB 组 2 页 18/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 4.4.2 DMA 特性 表 4-7. 优先级 24 个 DMA 通道 每个通道有一个或多个数据操作描述符 （TD），以便配置通道 行为。总共可以定义多达 128 个 TD 可动态更新 TD 每个通道具有八个优先级别 任何数字路由信号、CPU 或其他 DMA 通道均可触发数据操作 每个通道在每次传输时最多可以生成两个中断 可以停止或取消数据操作 支持任意大小 （即 1 至 64k 字节）的数据操作 可以嵌套和 / 或链接 TD，以进行复杂的数据操作 4.4.3 优先级别 当 CPU 访问和 DMA 控制器访问需要相同的总线资源时， CPU 的优先级始终高于 DMA 控制器的。不过，由于所采用的系统架 构，CPU 不会阻止 DMA 的操作。具有较高优先级（优先级编号 较小）的 DMA 通道可以中断当前的 DMA 传输。在这种情况下， 系统会允许当前传输完成其当前数据操作。当多个 DMA 访问请 求同时发生时，为了确保延迟限制，公平算法会在优先级级别 2 至 7 之间进行调度，以确保最低总线带宽的交错百分比。优先级 级别 0 和 1 不会参与公平算法，并且可以使用 100% 的总线带 宽。如果具有相同优先级别的两个 DMA 请求同时发生，则会使 用简单的轮循算法来平等地使用所分配的带宽。可以针对每个 DMA 通道禁用轮循分配，以便使相应通道始终位于队列的开头。 在满足了 CPU 和 DMA 优先级别 0 和 1 的要求之后，系统会保证 优先级别 2 至 7 可以分配到表 4-7 中所示的最低总线带宽。 优先级 0 总线带宽百分比 100.0 1 100.0 2 50.0 3 25.0 4 12.5 5 6.2 6 3.1 7 1.5 如果禁用公平算法，则仅根据优先级别为 DMA 访问分配资源； 而不会提供任何总线带宽保障。 4.4.4 支持的数据操作模式 由于可以灵活地配置每个 DMA 通道并能够链接多个通道，因此 既可以创建简单的用例，也可以创建复杂的用例。一般用例包括 （但不限于）： 4.4.4.1 简单 DMA 在简单 DMA 中，使用单个 TD 在来源和接收器 （外设或存储器 位置）之间传输数据。DMA 读 / 写周期的基本时序图如图 4-1 所 示。有关其他传输模式的更多说明，请参考技术参考手册。 图 4-1. DMA 时序图 ADDRESS Phase DATA Phase ADDRESS Phase CLK ADDR 16/32 DATA Phase CLK A ADDR 16/32 B A B WRITE WRITE DATA (A) DATA DATA DATA (A) READY READY Basic DMA Write Transfer without wait states Basic DMA Read Transfer without wait states 4.4.4.2 自动重复 DMA 当从系统存储器重复读取静态样本，并将其写入到外设中时，通 常会使用自动重复DMA。重复操作是通过与其自身相链接的单个 TD 来实现的。 4.4.4.3 交替 DMA 据。在最简单的情况下，这可以通过以下方法来实现：将两个 TD 链接在一起，以便每个 TD 在完成后调用另一个 TD。 4.4.4.4 循环 DMA 循环 DMA 与交替 DMA 类似，只不过它包含两个以上的缓冲区。 这种用例包含多个TD；最后一个TD完成后会链回到第一个TD。 通过采用双缓冲技术，交替 DMA 允许一个客户在向一个缓冲区 存入数据的同时，另一个客户使用另一个缓冲区中先前收到的数 文档编号：001-92498 版本 *A 页 19/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 4.4.4.5 分散 / 聚集 DMA 4.5 中断控制器 在分散 / 聚集 DMA 中，需要有多个非连续的来源或目的地，以便 有效地执行整个 DMA 数据操作。例如，可能需要将某个数据包 发送到器件之外，而该数据包的各个元素 （包括包头、包体和包 尾）位于存储器中不同的非连续位置。分散 / 聚集 DMA 允许使用 链中的多个 TD 将各个段连接在一起。链会聚集多个位置中的数 据。类似概念也适用于在器件上接收数据。在收到的数据中，某 些部分可能需要分散到存储器中的不同位置，以便软件进行处 理。链中的每个 TD 用于指定链中每个离散元素的位置。 借助中断控制器，硬件资源可以独立于主代码正在执行的当前任 务，使程序执行流程跳转到新的地址处。该中断控制器具备原来 的 8051 中断控制器所不具备的增强功能： 4.4.4.6 数据包排队 DMA 灵活中断，以执行向量匹配 数据包排队 DMA 与分散 / 聚集 DMA 类似，但明确引用数据包协 议。借助这些协议，发送或接收数据包可以采用单独的配置、数 据和状态阶段。 能够独立使能或禁用每个中断向量 例如，要发送数据包，可以将存储器映射配置寄存器的内容写入 到外设中，并指定后续数据阶段的总长度。CPU 可以在系统存储 器中的任意位置设置此配置信息，并将其与简单 TD 一起复制到 外设。配置阶段结束后，即可开始一个或一系列数据阶段 TD（可 能会使用分散 / 聚集）。数据阶段 TD 结束后，可以调用状态阶段 TD，以便从外设读取某些存储器映射状态信息，并将其复制到 CPU 指定的系统存储器中的某个位置，以便稍后进行检查。可以 将多组配置、数据和状态阶段 “ 子链 ” 连成一条更长的链，以 便按此方式传送多个数据包。反向接收数据包采用了类似概念。 八级嵌套中断 4.4.4.7 嵌套 DMA 一个 TD 可以修改另一个 TD，因为与任何其他外设一样，TD 配 置空间也已进行存储器映射。例如，第一个 TD 加载第二个 TD 的配置，然后调用第二个 TD。第二个 TD 按应用要求传输数据。 完成后，第二个 TD 调用第一个 TD，第一个 TD 再次更新第二个 TD 的配置。该过程可以根据需要重复任意多次。 32 个中断向量 直接跳转到代码空间中具有动态向量地址的 ISR 任意位置 每个向量有多个源可供选择 可以为每个中断动态指定八个优先级中的其中一个优先级 多个 I/O 中断向量 软件可以发送中断 软件可以清除待处理中断 当有待处理中断时，当前指令完成后，程序计数器的内容会被推 入到堆栈中。然后，代码执行流程会跳转到向量提供的程序地址 处。在 ISR 完成后，会执行 RETI 指令，以便返回到先前被中断 指令之后的下一条指令处。为此， RETI 指令会从堆栈中弹出程 序计数器的内容。 如果为两个或多个中断指定了相同的优先级别，则首先执行向量 编号较低的中断。每个中断向量有三个中断源可供选择，即：固 定函数、 DMA 以及 UDB。固定函数中断是直接连接到最常见的 中断源，这种连接的资源成本最低。如果使用 DMA 中断源，则 直接连接到每个 DMA 通道所提供的两个 DMA 中断源。第三个向 量中断源来自 UDB 数字路由阵列。在这种情况下， UDB 阵列可 用的任意数字信号都可用作中断源。通过使用 UDB 中断源连接， 固定函数中断和所有中断源可以连接至任意中断向量。 第 20 页上的图 4-2 代表中断触发时的典型事件流。第 22 页上的 图 4-3 显示了中断结构和优先级轮询。 图 4-2. 中断处理时序图 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 S CLK Arrival of new Interrupt PUT S Pend bit is set on next clock active edge POST and PEND bits cleared after IRQ is sleared ND S Interrupt is posted to ascertain the priority ST S Interrupt request sent to core for processing RQ UM 10) DR NA NA 0x0010 IRQ cleared after receiving IRA S S The active interrupt number is posted to core The active interrupt ISR address is posted to core 0 S S NA S RA S RC Interrupt generation and posting to CPU 文档编号：001-92498 版本 *A CPU Response Int. State Clear S Completing current instruction and branching to vector address Complete ISR and return 页 20/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 注意： 1：触发的中断与时钟异步 2：PEND 位将在下一活跃时钟沿进行设置，以指示中断到达 3：POST 位将在 PEND 位之后进行设置 4：中断请求和中断编号将在评估优先级之后发往 CPU 内核 （需要 3 个时钟循环次数） 5：ISR 地址被发送到 CPU 内核用于分支 6：CPU 应答中断请求 7：ISR 被 CPU 读取用于分支 8、 9：从内核收到 IRA 之后， PEND 和 POST 位将分别清除 10：完成当前指令并开始从 ISR 位置执行指令之后清除 IRA 位 （需要 7 个时钟循环次数） 11：设置 IRC 表明 ISR 完成，活跃中断状态被恢复成先前的状态 中断的总延迟 （ISR 执行） = POST + PEND + IRQ + IRA + 完成当前指令及分支 = 1+1+1+2+7 周期 = 12 个周期 文档编号：001-92498 版本 *A 页 21/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 4-3. 中断结构 Interrupt Polling logic Interrupts form Fixed function blocks, DMA and UDBs Highest Priority Interrupt Enable/ Disable, PEND and POST logic Interrupts 0 to 31 from UDBs 0 Interrupts 0 to 31 from Fixed Function Blocks 1 IRQ 8 Level Priority decoder for all interrupts Polling sequence Interrupt routing logic to select 32 sources Interrupt 2 to 30 Interrupts 0 to 31 from DMA Individual Enable Disable bits 0 to 31 ACTIVE_INT_NUM [15:0] INT_VECT_ADDR IRA IRC 31 Global Enable disable bit 文档编号：001-92498 版本 *A Lowest Priority 页 22/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 4-8. 中断向量表 固定功能 # 0 DMA UDB LVD phub_termout0[0] udb_intr[0] 1 缓存 /ECC phub_termout0[1] udb_intr[1] 2 保留 phub_termout0[2] udb_intr[2] udb_intr[3] 4 睡眠 （电源管理） PICU[0] phub_termout0[3] phub_termout0[4] udb_intr[4] 5 PICU[1] phub_termout0[5] udb_intr[5] 6 PICU[2] phub_termout0[6] udb_intr[6] 7 PICU[3] phub_termout0[7] udb_intr[7] 8 PICU[4] phub_termout0[8] udb_intr[8] 9 PICU[5] phub_termout0[9] udb_intr[9] 10 PICU[6] phub_termout0[10] udb_intr[10] 11 PICU[12] phub_termout0[11] udb_intr[11] 12 PICU[15] phub_termout0[12] udb_intr[12] 3 13 比较器共用 phub_termout0[13] udb_intr[13] 14 phub_termout0[14] udb_intr[14] 15 保留 I2C phub_termout0[15] udb_intr[15] 16 保留 phub_termout1[0] udb_intr[16] 17 定时器 / 计数器 0 phub_termout1[1] udb_intr[17] 18 定时器 / 计数器 1 phub_termout1[2] udb_intr[18] 19 定时器 / 计数器 2 phub_termout1[3] udb_intr[19] 20 定时器 / 计数器 3 phub_termout1[4] udb_intr[20] 21 USB SOF 中断 phub_termout1[5] udb_intr[21] 22 USB 仲裁器中断 phub_termout1[6] udb_intr[22] 23 USB 总线中断 phub_termout1[7] udb_intr[23] 24 USB 端点 [0] phub_termout1[8] udb_intr[24] udb_intr[25] 25 USB 端点数据 phub_termout1[9] 26 phub_termout1[10] udb_intr[26] 27 保留 LCD 28 保留 phub_termout1[12] udb_intr[28] 29 抽取滤波器中断 phub_termout1[13] udb_intr[29] 30 PHUB 错误中断 phub_termout1[14] udb_intr[30] 31 EEPROM 故障中断 phub_termout1[15] udb_intr[31] phub_termout1[11] udb_intr[27] 文档编号：001-92498 版本 *A 页 23/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 5. 存储器 性一节）。有关如何充分利用 PSoC 安全性功能的详细信息，请 参见 PSoC 3 TRM。 5.1 静态 RAM 表 5-1. 闪存保护 CY8C32 静态 RAM （SRAM）用于临时存储数据。 CY8C38 提 供了高达 8 KB 的 SRAM，该 SRAM 能够通过 8051 或 DMA 控 制器进行访问。请参见 第 26 页上的存储器映射情况。 8051 和 DMA 控制器可以同时访问 SRAM （前提是访问不同的 4 KB 模 块）。 保护设置 此外，还有高达 8 KB 的闪存空间用于存储纠错码 （ECC）。如 果未使用 ECC，则此空间可以存储器件配置数据和批量用户数 据。用户代码可能无法用完 ECC 闪存存储空间。 ECC 能够以固 件存储器的每 8 个字节为一个单位，来纠正一位错误并检测两位 错误；如果检测到错误，则会生成中断。 CPU 通过缓存控制器读取位于闪存中的指令。这样能够提高指令 的执行速度，并且因降低了闪存访问的频率而可以减少系统功 耗。缓存包括 8 行，每行包含 64 个字节，总共有 512 个字节。 它可以完全与其他组件结合，并自动控制闪存功耗，以及可以被 启用或禁用。如果启用 ECC，缓存控制器也会执行错误检查和校 正，以及生成中断。 闪存编程通过专用接口来执行，在此期间不允许在闪存之内执行 代码。闪存编程接口会执行闪存擦除、编程，并设置代码保护级 别。闪存系统内串行编程 （ISSP）通常用于生产编程，可通过 SWD 和 JTAG 接口来实现。系统内编程通常用于 Bootloaders， 也可以通过 I2C、USB、UART、SPI 等串行接口或任何通信协议 来实现。 5.3 闪存安全性 所有 PSoC 器件均包括灵活的闪存保护模型，以防止访问和查看 片上闪存，从而防止对专有代码进行复制或逆向工程设计。闪存 划分为若干个模块，其中每个模块都包含 256 个字节的程序或数 据以及 32 个字节的 ECC 或配置数据。64 KB 的闪存器件总共提 供多达 256 个模块。 器件允许用户为闪存的每一行指定四个保护级别中的其中一个。 表 5-1 列出了可用的保护模式。要更改闪存保护级别，必须擦除 整个闪存。完全保护和现场升级保护设置旨在禁用外部访问（例 如，通过 PSoC Creator 等调试工具）。如果应用程序需要通过 Bootloader 进行代码更新，请使用现场升级保护设置。仅当应用 程 序 没 有 任 何 安 全 性 方 面 的 要 求 时，才 能 使 用 无 保护 设置。 PSoC 器件还提供了一项名为器件安全性的高级安全性功能，该 功能能够永久禁用所有测试、编程和调试端口，从而保护您的应 用程序不会遭到来自外部的访问 （请参见第 66 页上的器件安全 文档编号：001-92498 版本 *A 不支持 无保护 外部读写操作 + 内部读 写操作 – 工厂升级 外部写操作 + 内部读写 操作 外部读访问 现场升级 内部读写操作 外部读写操作 完全保护 内部读操作 外部读写操作 + 内部写操作 5.2 闪存程序存储器 PSoC 器件中的闪存旨在为用户固件、用户配置数据、批量数据 存储和可选 ECC 数据提供非易失性存储空间。主闪存区包含多 达 64 KB 的用户程序存储空间。 支持 免责声明 请注意以下与赛普拉斯器件上的闪存代码保护功能有关的详细信 息。 赛普拉斯产品符合相应的赛普拉斯数据手册中所包含的规范。赛 普拉斯坚信，不论如何使用，其产品系列的安全性在目前市场上 的同类产品中始终名列前矛。目前可能存在一些赛普拉斯不了解 的，能够破坏代码保护功能的方法。据我们所知，任何此类方法 都是不正当的，甚至可能是违法的。不只是赛普拉斯，任何其他 半导体制造商都无法保证各自代码的安全性。代码保护并非意味 着我们保证产品 “ 坚不可摧 ”。 赛普拉斯非常希望能够与关注其代码完整性的客户通力合作。代 码保护技术正在不断发展。持续改进产品的代码保护功能是赛普 拉斯的不懈追求。 5.4 EEPROM PSoC EEPROM 存储器是一种按字节寻址的非易失性存储器。 CY8C32 提供了高达 2 KB 的 EEPROM 存储器来存储用户数据。 对 EEPROM 的读访问是按字节进行的随机访问。读访问直接进 行；写访问则通过向 EEPROM 编程接口发送写指令来进行。在 EEPROM 写 访问期间，可以继续从闪存执行 CPU 代码。 EEPROM 的擦除和写操作是以行为单位进行的。EEPROM 共有 128行，每行有16个字节。所有EEPROM字节出厂默认值均为0。 由于 EEPROM 被映射到 8051 外部数据空间中，所以 CPU 不能 对 EEPROM 进行操作。没有任何 ECC 硬件与 EEPROM 相关 联。如果需要 ECC，必须在固件中对其进行处理。 写入 EEPROM 或闪存可能需要 20 毫秒的时间。在这个时间内不 能复位器件，否则将导致 EEPROM 或闪存的意外更改。复位源 （请参见节 6.3.1）包括 XRES 引脚、软件复位以及看门狗；需要 确保这些源不被无意激活。另外，低电压检测线路可以配置为生 成中断而不是复位。 页 24/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 5.5 非易失性锁存器 （NVL） PSoC 具有一个 4 字节、用于复位时配置设备的非易失性锁存器 （NVL）阵列。 NVL 寄存器映射如表 5-2 所示。 表 5-2. 器件配置的 NVL 寄存器映射图 寄存器地址 0x00 7 0x01 0x02 6 5 4 3 2 PRT3RDM[1:0] PRT2RDM[1:0] PRT1RDM[1:0] PRT12RDM[1:0] PRT6RDM[1:0] PRT5RDM[1:0] XRESMEN 0x03 1 PRT4RDM[1:0] DBGEN DIG_PHS_DLY[3:0] 0 PRT0RDM[1:0] PRT15RDM[1:0] ECCEN DPS[1:0] 有关各个字段的详细信息及其出厂默认设置如表 5-3 所示。 表 5-3. 字段和出厂默认设置 字段 PRTxRDM[1:0] 说明 设置 用于控制相应 IO 端口的复位驱动模式。请参见第 44 页 00b （默认） — 模拟高阻抗 上的复位配置。端口的所有引脚都设为相同模式。 01b — 数字高阻抗 10b — 电阻上拉 11b — 电阻下拉 XRESMEN 用于控制引脚 P1[2] 被用作 GPIO 还是外部复位。 有关的 XRES 说明，请参见第 12 页上的引脚说明。 0 （68 引脚、 72 引脚以及 100 引脚器件的默认设置） — GPIO 1 （48 引脚器件的默认设置）— 外部复位 DBGEN 调试使能，允许访问调试系统，用于第三方编程器。 0 — 访问禁止 1 （默认值）— 访问使能 DPS[1:0] 用于控制多个用作调试端口 P1 引脚的使用情况。 请参见第 63 页上的编程、调试接口与资源。 00b — 5 线 JTAG 01b （默认）— 4 线 JTAG 10b — SWD 11b — 调试端口被禁用 ECCEN 用于控制 ECC 闪存是用于 ECC 还是用于常规配置和数 0 — ECC 禁用 据存储。请参见第 24 页上的闪存程序存储器。 1 （默认）— ECC 使能 DIG_PHS_DLY[3:0] 选择数字时钟相位延迟。 有关详细信息，请参见技术参考手册 （TRM）。 虽然 PSoC Creator 为修改设备配置 NVL 提供了支持，但 NVL 擦 / 写循环的次数仍然有限 — 请参见第 102 页上的非易失性锁存器 （NVL）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 25/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 5.6 外部存储器接口 CY8C32 提供了一个外部存储器接口（EMIF），以便连接外部存 储器。采用这种连接方式时，可以对外部存储器进行读写访问。 EMIF 将与 UDB、 I/O 端口以及其他硬件协同工作，以便生成外 部存储器地址和控制信号。在频率为 33 MHz 时，每个存储器访 问周期将需要四个总线时钟周期。 图 5-1 是 EMIF 框图。EMIF 支持同步和异步存储器。CY8C32 一 次仅支持一种类型的外部存储器。 可以通过 8051 外部数据空间来访问外部存储器；可以使用多达 24 个地址位。请参见第 28 页上的外部数据空间一节。该存储器 的宽度可以是 8 位或 16 位。 图 5-1. EMIF 框图 ൠ൰ؑਧ I/O ㄟਓ External_ MEM_ ADDR[23:0] I/O ㄟਓ External_ MEM_ DATA[15:0] ᮠᦞǃ ൠ൰ ԕ৺᧗ࡦ ؑਧ ᮠᦞؑਧ I/O IF ᧗ࡦؑਧ PHUB I/O ㄟਓ ᧗ࡦ ᮠᦞǃ ൠ൰ ԕ৺᧗ࡦ ؑਧ DSIࣘᘱ䗃ࠪ ᧗ࡦ UDB DSIࡠㄟਓ ᮠᦞǃ ൠ൰ , ԕ৺᧗ࡦ ؑਧ EM᧗ࡦ ؑਧ ަԆ ᧗ࡦ ؑਧ EMIF 5.7 存储器映射情况 5.7.2 内部数据空间 CY8C32 8051 存储器映射与 MCS-51 存储器映射非常类似。 CY8C32 8051 内部数据空间为 384 个字节，压缩在 256 个字节 的空间内。该空间包括 256 个字节的 RAM （除了 第 24 页上的 静态 RAM 中所述的 SRAM 之外）和用于特殊功能寄存器 （Special Function Register，SFR）的 128 个字节空间。请参见 图 5-2。 32 个低位字节用于 4 组寄存器 R0 至 R7。接下来的 16 个字节为按位寻址字节。 5.7.1 代码空间 CY8C32 8051 代码空间为 64 KB。该空间中仅包含主闪存。请参 见第 24 页上的闪存程序存储器一节。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 26/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 除了 48 个低位字节采用寄存器或位寻址模式之外，可以采用直 接或间接寻址模式访问 128 个低位字节。采用直接寻址模式时， 128 个高位字节会映射至 SFR。采用间接寻址模式时，128 个高 位字节会映射至 RAM。堆栈操作采用间接寻址模式； 8051 堆栈 空间为 256 个字节。请参阅 第 13 页上的寻址模式一节。 图 5-2. 8051 内部数据空间 0x00 4㓴ˈ⇿㓴वਜ਼R0-R7 0x1F 0x20 սራ൰४ 0x2F 0x30 䖳վṨRAMѪึḸオ䰤֯⭘ ˄ 0x7F 0x80 к䶒ṨRAMѪึḸオ䰤 ֯⭘ SFR ⢩↺࣏㜭ᇴᆈಘ 0xFF 5.7.3 SFR 特殊功能寄存器 （SFR）空间可让用户访问频繁访问的寄存器。表 5-4 显示了 SFR 存储器空间的存储器映射。 表 5-4. SFR 映射 地址 0×F8 0×F0 0×E8 0×E0 0×D8 0×D0 0×C8 0×C0 0×B8 0×B0 0×A8 0×A0 0×98 0×90 0×88 0×80 0/8 SFRPRT15DR B SFRPRT12DR ACC SFRPRT6DR PSW SFRPRT5DR SFRPRT4DR – SFRPRT3DR IE P2AX SFRPRT2DR SFRPRT1DR – SFRPRT0DR 1/9 SFRPRT15PS – SFRPRT12PS – SFRPRT6PS – SFRPRT5PS SFRPRT4PS – SFRPRT3PS – – SFRPRT2PS SFRPRT1PS SFRPRT0PS SP 2/A SFRPRT15SEL SFRPRT12SEL MXAX – SFRPRT6SEL – SFRPRT5SEL SFRPRT4SEL – SFRPRT3SEL – SFRPRT1SEL SFRPRT2SEL – SFRPRT0SEL DPL0 3/B – – – – – – – – – – – – – DPX0 – DPH0 4/C – – – – – – – – – – – – – – DPL1 5/D – – – – – – – – – – – – – DPX1 – DPH1 6/E – – – – – – – – – – – – – – – DPS 7/F – – – _ – – – – – – – – – – – – CY8C32 系列提供了工业标准 8051 器件上使用的一组标准寄存 器。此外，CY8C32 器件还添加了 SFR，以便直接访问器件上的 I/O 端口。以下章节对 CY8C32 系列中添加的 SFR 进行了介绍。 扩展数据指针 SFR （即 DPX0、 DPX1、 MXAX 和 P2AX）用于 在访问外部数据空间期间，保留存储器地址的高位部分。这些 SFR 仅适用于 MOVX 指令。 5.7.3.1 外部数据空间访问 SFR 在使用 DPTR0/DPTR1 寄存器执行 MOVX 指令期间，地址最高 有效字节的内容始终等于 DPX0/DPX1 的内容。 8051 内核采用了双 DPTR 寄存器，能够更快地进行数据传输操 作。数据指针选择 SFR （即 DPS）用于选择下列指令所使用的 数据指针寄存器 （DPTR0 或 DPTR1）： MOVX @DPTR、 A MOVX A、 @DPTR MOVC A、 @A+DPTR JMP @A+DPTR INC DPTR MOV DPTR、 #data16 文档编号：001-92498 版本 *A 在使用 R0 或 R1 寄存器执行 MOVX 指令期间，地址最高有效字 节的内容始终等于 MXAX 的内容，下一个最高有效字节的内容始 终等于 P2AX 的内容。 5.7.3.2 I/O 端口 SFR I/O 端口提供数字输入感应、输出驱动、引脚中断、模拟输入和 输出的连接、 LCD、通过 DSI 访问外设等功能。有关 I/O 端口的 完整信息，请参见 第 38 页上的 I/O 系统与路由。 I/O 端口通过 PHUB 同 CPU 相连，并且还可以通过 SFR 访问。 使用 SFR 能够更快地访问部分 I/O 端口寄存器，而使用 PHUB 则 能够引导配置并访问所有 I/O 端口寄存器。 页 27/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 支持 SFR 的每个 I/O 端口都提供三个 SFR： 表 5-5. XDATA 数据地址映射 （续） SFRPRTxDR 用于设置端口的输出数据状态 （其中 x 为端口 地址范围 0×08 0000 – 0×08 1FFF 号，包括端口 0-6、 12 和 15）。 SFRPRTxSEL 用于选择是由 PHUB PRTxDR 寄存器还是 SFRPRTxDR 控制端口内每个引脚的输出缓冲区。如果某个 SFRPRTxSEL[y] 位为高，则对应的 SFRPRTxDR[y] 位会设置 该引脚的输出状态。如果某个 SFRPRTxSEL[y] 位为低，则对 应的 PRTxDR[y] 位会设置该引脚的输出状态（其中，y 介于 0 到 7 之间）。 SFRPRTxPS 是包含端口引脚状态值的只读寄存器。 5.7.4 外部数据空间 8051 外部数据空间为 24 位，大小为 16 MB。该空间的绝大部分 都不是 “ 外部 ” 空间，而是供片上组件使用。请参见表 5-5。 外部 （即片外）存储器可以使用 EMIF 进行访问。请参见 第 26 页上的外部存储器接口。 表 5-5. XDATA 数据地址映射 用途 ECC 闪存字节 0×80 0000 – 0×FF FFFF 外部存储器接口 6. 系统集成 6.1 时钟系统 时钟系统负责整个 PSoC 系统内的时钟生成、分频和分配工作。 对于大多数系统，均不需要额外的外部晶振。结合使用 IMO 和 PLL，可以生成高达 50 MHz 的时钟，且在有效工作电压和温度 下该时钟的精度为 ±2%。通过使用额外的内部和外部时钟源，可 以根据设计需要优化准确度、功耗和成本。所有系统时钟源都可 以用于在 16 位时钟分频器和 UDB 中为用户所需的任何部件（例 如 UART 波特率生成器）生成其他时钟频率。 地址范围 0×00 0000 – 0×00 1FFF SRAM 0×00 4000 – 0×00 42FF 时钟、 PLL 和振荡器 0×00 4300 – 0×00 43FF 电源管理 时钟生成和分配是根据整个系统的要求，通过 PSoC Creator IDE 图形界面自动配置。这是基于完整的系统要求而定的，能够极大 地加快设计进程。利用 PSoC Creator，您只需进行极少的输入， 即可构建时钟系统。您可以指定所需的时钟频率和精度，软件将 定位或构建符合所需规范的时钟。这得益于 PSoC 固有的可编程 性。 0×00 4400 – 0×00 44FF 中断控制器 时钟系统的关键特性包括： 0×00 4500 – 0×00 45FF 端口中断控制 七个通用时钟源 0×00 4700 – 0×00 47FF 闪存编程接口 3 至 24 MHz IMO，频率为 3 MHz 时 ±2% 外部晶振频率为 4 至 25 MHz （MHzECO） 时钟倍频器能够为 USB 模块提供双倍时钟频率输出，请参见 第 31 页上的 USB 时钟域 来自外部 I/O 引脚或其他逻辑的 DSI 信号 源自 IMO、MHzECO 或 DSI 的 24 至 50 MHz 小数分频锁相环 用于看门狗定时器（WDT）和睡眠定时器的 1 kHz、33 kHz、 100 kHz ILO 用于实时时钟的 32.768 kHz 外部晶体或晶振 （kHzECO） IMO 具有 USB 模式，在该模式下，无需对 USB 使用任何外部晶 振，即可自动锁定到 USB 总线时钟（仅限于配备 USB 的器件） 用途 0×00 4800 – 0×00 48FF 缓存控制器 0×00 4900 – 0×00 49FF I2C 控制器 0×00 4E00 – 0×00 4EFF 抽取滤波器 0×00 4F00 – 0×00 4FFF 固定定时器 / 计数器 /PWM 0×00 5000 – 0×00 51FF I/O 端口控制 0×00 5400 – 0×00 54FF 外部存储器接口 （EMIF）控制寄 存器 0×00 5800 – 0×00 5FFF 模拟子系统接口 0×00 6000 – 0×00 60FF USB 控制器 0×00 6400 – 0×00 6FFF UDB 工作寄存器 0×00 7000 – 0×00 7FFF PHUB 配置 EEPROM 0×00 8000 – 0×00 8FFF 0×01 0000 – 0×01 FFFF 数字互连配置 0×05 0220 – 0×05 02F0 调试控制器 文档编号：001-92498 版本 *A 所有时钟分频器中的时钟源都是独立的 用于数字系统的八个 16 位时钟分频器 用于模拟系统的四个 16 位时钟分频器 用于总线时钟的专用 16 位分频器 用于总线时钟的专用 4 位分频器 在 PSoC Creator 中自动进行时钟配置 页 28/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 6-1. 振荡器汇总 时钟源 IMO MHzECO 最低频率 3 MHz 4 MHz 最低频率容限 在有效工作电压和温度下精度为 ±2% 取决于晶振 最高频率 24 MHz 25 MHz ±4% 最高频率容限 DSI PLL 倍频器 ILO 0 MHz 24 MHz 48 MHz 1 kHz 取决于输入 取决于输入 取决于输入 –50%、 +100% 50 MHz 50 MHz 48 MHz 100 kHz 取决于输入 取决于输入 取决于输入 –55%、 +100% kHzECO 32 kHz 取决于晶振 32 kHz 取决于晶振 取决于晶振 启动时间 13 µs 最大值 典型值 5 ms，最大值 取决于晶振 取决于输入 最大值 250 µs 最大值 1 µs 最低功耗模式下最大 值 15 ms 典型值 500 ms， 最大值取决于晶振 图 6-1. 时钟子系统 3-24 MHz IMO 4-25 MHz ECO External IO or DSI 0-50 MHz 32 kHz ECO 1,33,100 kHz ILO CPU Clock Divider 4 bit 48 MHz Doubler for USB 24-50 MHz PLL Master Mux Bus Clock Bus Clock Divider 16 bit 7 Digital Clock Divider 16 bit Digital Clock Divider 16 bit Analog Clock Divider 16 bit s k e w Digital Clock Divider 16 bit Digital Clock Divider 16 bit Analog Clock Divider 16 bit s k e w 7 Digital Clock Divider 16 bit Digital Clock Divider 16 bit Analog Clock Divider 16 bit s k e w Digital Clock Divider 16 bit Digital Clock Divider 16 bit Analog Clock Divider 16 bit s k e w 文档编号：001-92498 版本 *A CPU Clock 页 29/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 6.1.1 内部振荡器 图 6-1 显示了具有两个内部振荡器。可以直接对这两个内部振荡 器进行路由或分频。直接对其进行路由则达不到 50% 的占空比。 分频时钟占空比则为 50%。 6.1.1.1 内部主振荡器 由于 IMO 的精度可以达到 ±2%，因此，在大多数设计中，只需 要这一个时钟源即可。IMO 工作时不需要任何外部组件，并能够 输出稳定的时钟。各频率范围的出厂预设值存储在器件中。使用 出厂预设值时，容差介于 ±2% （在 3 MHz 下）到 ±4% （在 24 MHz 下）之间。 IMO 与 PLL 结合使用时，其他时钟生成可达到 器件最高频率 （请参见 锁相环）。 IMO 能够提供 3、 6、 12 和 24 MHz 的时钟输出。 6.1.1.2 时钟倍频器 时钟倍频器能够输出频率是输入时钟频率两倍的时钟。倍频器能 够处理 24 MHz 的输入频率，且使用 USB 时可达 48 MHz。它可 以配置为使用来自 IMO、MHzECO 或 DSI（外部引脚）的时钟。 6.1.1.3 锁相环 借助 PLL，可将低频率、高精度时钟倍增至频率更高的时钟。这 是高时钟频率和准确度以及高功耗和较长启动时间之间的博弈。 PLL 模块提供了基于各种输入源生成时钟频率的机制。PLL 输出 的时钟频率介于 24 到 50 MHz 之间。其输入和反馈分频器提供 了 4032 个离散率，能够生成几乎任何所需的时钟频率。 PLL 输 出的准确度取决于 PLL 输入源的准确度。最常见的 PLL 用法是 在 3 MHz 下倍增 IMO 时钟，因为在该频率下生成的其他时钟精 度最高，并能够达到器件的最大频率。 100 kHz 时钟（CLK100K）可作为低功耗主器件时钟。它也可以 生成使用快速时轮的时间间隔。 快速时轮是一个 5 位计数器，它的源为 100 kHz 时钟。它的设置 是可编程的，当计数结束时将自动复位。每当计数结束时可以生 成一个可选中断。从而能够以高于使用中央时轮时所能达到的频 率灵活地定期生成 CPU 中断。 33 kHz 时钟 （CLK33K）是对 CLK100K 进行三分频后获得的。 该输出可用作低准确度版 32.768 kHz ECO 时钟 （无需使用晶 振）。 6.1.2 外部振荡器 图 6-1 显示了具有两个外部振荡器。可以直接对这两个内部振荡 器进行路由或分频。直接对其进行路由则达不到 50% 的占空比。 分频时钟占空比则为 50%。 6.1.2.1 MHz 外部晶振 通过采用外部晶体， MHzECO 能够提供高频率、高准确度时钟 （请参见图 6-2）。它支持大量的晶体类型，频率范围介于 4 到 25 MHz 之间。与 PLL 结合使用时，它可以生成达到器件最高频率 的其他时钟 （请参见第 30 页上的锁相环一节）。连接到外部晶 振和电容的 GPIO 引脚是固定的。MHzECO 的准确度取决于所选 择的晶振。 图 6-2. MHz ECO 逻辑框图 PLL 能够在 250 µs 内实现相位锁定（通过位设置进行验证）。它 可以配置为使用来自 IMO、 MHzECO 或 DSI （外部引脚）的时 钟。在锁定完成并发出锁定位信号之前，可以一直使用 PLL 时钟 源。锁定信号可通过 DSI 连接，以便生成中断。在进入低功耗模 式之前请禁用 PLL。 6.1.1.4 内部低速振荡器 ILO 能够提供可实现低功耗的时钟频率，包括为看门狗定时器和 睡眠定时器提供时钟频率。 ILO 能够生成多达三个不同的时钟， 即：1 kHz、 33 kHz 和 100 kHz。 1 kHz 时钟 （CLK1K）通常用于后台 “ 心跳式 ” 定时器。该时 钟旨在进行低功耗监控操作，例如，采用中央时轮 （CTW）的 看门狗定时器和长睡眠间隔。 中央时轮是一个以 1 kHz 频率自由运行的 13 位计数器，其时钟 由 ILO 提供。除非处于休眠模式或在片上调试模式期间 CPU 处 于停止状态，否则中央时轮始终处于使能状态。它可用于生成定 期中断以便提供时序，也可用于从低功耗模式唤醒系统。通过固 件可以复位中央时轮。需要精确时序的系统应采用实时时钟 RTC 功能，而非中央时轮。 文档编号：001-92498 版本 *A XCLK_MHZ 4 - 25 MHz Crystal Osc Xi (Pin P15[1]) External Components Xo (Pin P15[0]) 4 – 25 MHz crystal Capacitors 6.1.2.2 32.768 kHz ECO 通过使用外部 32.768 kHz 时钟晶振， 32.768 kHz 外部晶振 （32kHz ECO）能够以非常低的功耗提供精确时序 （请参见图 6-3）。 32kHz ECO 还直接连接到睡眠定时器，并为实时时钟提 供时钟源。 RTC 通过使用 1 秒中断在固件中实现 RTC 功能。 该振荡器能够采用两种不同的功耗模式。以便用户在功耗和抗周 围电路噪声之间进行权衡。连接到外部晶振和电容的 GPIO 引脚 是固定的。 页 30/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 6-3. 32 kHz ECO 逻辑框图 32 kHz Crystal Osc Xi (Pin P15[3]) External Components XCLK32K Xo (Pin P15[2]) 32 kHz crystal Capacitors 建议外部 32.768 kHz 时钟晶振的负载电容（CL）为 6 pF 或 12.5 pF。查看晶振制造商的数据手册。两个外部电容器 CL1 和 CL2 通常具有相同值，其总计电容 CL1CL2/ （CL1 + CL2）应等于晶 振 CL 的值，其中包含引脚和走线电容。更多有关信息，请参见 应用笔记 AN54439：PSoC 3 和 PSoC 5 外部振荡器。另请参见 第 77 页上的 GPIO 一节中的引脚电容规范。 总线时钟 16 位分频器采用系统时钟来生成总线时钟，以用于数 据传输。总线时钟是 CPU 时钟分频器的源时钟。 八个完全可编程的 16 位时钟分频器能够按照设计需求，为数字 系统生成通用的数字系统时钟。数字系统时钟可以针对任何用 途生成由七个时钟源中的任何一个时钟源派生而来的定制时 钟，例如用于波特率生成器、精确的 PWM 周期、定时器时钟 等。如 果 需 要 八 个 以 上 的 数 字 时 钟 分 频 器，通用 数 字 模 块 （Universal Digital Block， UDB）和固定功能定时器 / 计数器 /PWM 也可以生成时钟。 有四个 16 位时钟分频器负责为需要时钟的模拟系统组件 （如 ADC）生成时钟。模拟时钟分频器包括时滞 （Skew）控制功 能，用于确保关键模拟事件不会与数字切换事件同时发生。其 目的是为了减少模拟系统噪声。 每个时钟分频器均包含一个 8 输入复用器、一个 16 位时钟分频 器（二分频或更高分频，能够生成占空比约为 50% 的时钟）、主 器件时钟重新同步逻辑，以及抗尖峰脉冲逻辑。每个数字时钟树 的输出均可路由至数字系统互连，然后再作为输入返回到时钟系 统，从而实现高达 32 位的时钟链。 6.1.4 USB 时钟域 6.1.2.3 数字系统互连 USB 时钟域的独特性在于，它在工作时与主时钟网络存在很大程 度的异步。USB 逻辑包含连接到芯片的同步总线接口，但会采用 异步时钟来运行，以便处理 USB 数据。 USB 逻辑需要 48 MHz 的频率。该频率可以使用不同的时钟源生成，其中包括由内部振 荡器、 DSI 信号或晶振生成的 48 MHz （或 24 MHz 的双倍值） 的 DSI 时钟。 对于来自与 I/O 相连的外部时钟振荡器的时钟， DSI 能够为其提 供路由。这些振荡器也可以在数字系统和通用数字模块内生成。 6.2 供电系统 虽然主要 DSI 时钟输入提供对所有时钟资源的访问，但有多达八 个其他 DSI 时钟（在内部或外部生成）可直接路由到八个数字时 钟分频器。不过，这需要有多个高准确度时钟源才能实现。 6.1.3 时钟分配 所有七个时钟源都是中央时钟分配系统的输入。分配系统旨在创 建多个高准确度时钟。这些时钟是针对设计需求定制的，能够避 免在连接到外设的低分辨率预分频器上经常遇到的一些问题。时 钟分配系统能够生成多种类型的时钟树。 供电系统包含单独的模拟、数字和 I/O 供电引脚，这些引脚分别 标有 VDDA、 VDDD 和 VDDIOX。此外，还包含两个电压为 1.8 V 的内部电压调节器，以便为内部内核逻辑提供数字 （VCCD） 和模拟 （VCCA）电源。电压调节器的输出引脚 （VCCD 和 VCCA）和 VDDIO 引脚必须连接电容，如图 6-4 所示。两个 VCCD 引脚必须连接在一起，引脚之间的线路越短越好，并连接到一个 1 µF ±10% X5R 电容上。供电系统还包含睡眠调压器、I2C 调压 器和休眠调压器。 主器件时钟用于选择和提供系统中的最快时钟，以满足一般的 时钟要求，并使 PSoC 器件实现时钟同步。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 31/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 6-4. PSoC 供电系统 VDDD 1 µF VDDIO2 VDDD I/ O Supply VSSD VCCD VDDIO 2 VDDIO0 0.1µF 0.1µF I/O Supply VDDIO0 0.1µF I2C Regulator Sleep Regulator Digital Domain VDDA VDDA Digital Regulators VSSB VCCA Analog Regulator 0.1µF 1 µF VSSA VDDD VSSD I/O Supply VCCD VDDIO1 Hibernate Regulator I/O Supply 0.1µF VDDIO3 Analog Domain 0.1µF 0.1µF VDDIO1 VDDD VDDIO3 注意： 两个 VCCD 引脚必须连接在一起，并且它们之间的线路越短越好。建议在器件下方连接线路，如第 12 页上的图 2-8 所示。 查看数据手册要求的旁路电容值是一个好的习惯，特别是工作电压和直流偏置规范。对于一些电容器，如果直流偏置电压 （图 6-4 中的 VDDX 或 VCCX）占额定工作电压的比例比较大，那么实际电容则明显降低。 您可以在内部调节模式下供电给器件，其中，VDDx 引脚的电压为 5.5 V，并且内部调节器提供了内核电压。在该模式下，不要供电 给 VCCx 引脚，并且不要将 VDDx 引脚连接至 VCCx 引脚。 您也可以为VCCD和VCCA直接提供电压，从而能够在外部调节模式下供电给器件。在该配置中，VDDD引脚短接VCCD引脚，VDDA 引脚短接 VCCA 引脚。该配置中的允许供电电压范围为 1.71 V 至 1.89 V。在该配置中上电后，默认使能内部调节器，因此需要禁 用该调节器以便减少功耗。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 32/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 6.2.1 功耗模式 PSoC 3 器件具有四种不同的功耗模式，如表 6-2 和表 6-3 所示。 借助这些功耗模式，设计能够轻松提供所需的功能和处理能力， 同时最大限度地减小低功耗便携器件的功耗并提高其电池寿命。 旨在降低功耗的 PSoC 3 功耗模式包括： 活动模式 备用活动模式 睡眠模式 活动模式是主要处理模式。其功能是可配置的。通过使用单独的 功耗配置样本寄存器，可以使能或禁用每个功耗可控子系统。在 备用活动模式模式下，会使能较少的子系统，从而能够降低功 耗。在睡眠模式下，无论采用什么样的样本设置，大多数资源都 将处于禁用状态。睡眠模式已经过优化，能够提供定时睡眠间隔 和实时时钟 （RTC）功能。功耗最低的是休眠模式，该模式会保 留寄存器和 SRAM 状态，但会关闭时钟，并且只能通过 I/O 引脚 唤醒。图 6-5 显示了在各种功耗模式之间允许进行的切换。在所 有 VDDIO 电源都处于有效电压电平时，才可进入睡眠和休眠模 式。 休眠模式 表 6-2. 功耗模式 功耗模式 活动模式 说明 进入条件 唤醒源 活动时钟 电压调节器 主要的工作模式，所有外设均可 唤醒、复位、通过寄 任意中断 用 （可编程） 存器手动进入 任意 （可编程） 所有电压调节器均可用。如 果采用了外部电压调节，则 可以禁用数字和模拟电压调 节器。 备用活动模式 与活动模式相似，配置为此模式 通过寄存器手动进入 任意中断 通常是为了让更少的外设处于活 动状态，以便降低功耗。可以如 下配置：关闭 CPU，并使用 UDB 进行处理 任意 （可编程） 所有电压调节器均可用。如 果采用外部电压调节器，则 可以禁用内部数字系统和模 拟系统电压调节器。 睡眠模式 会自动禁用所有子系统 ILO/kHzECO 数字和模拟统电压调节器均 处于 BUZZ （活动）状态。 如果采用外部电压调节器， 则可以禁用数字和模拟电压 调节器。 休眠模式 通过寄存器手动进入 PICU 自动禁用所有子系统。 最低功耗模式，所有外设和内部 电压调节器均处于禁用状态，仅 使能休眠电压调节器。 保持配置和存储器的数据 通过寄存器手动进入 电压比较器、 PICU、 I2C、 RTC、 CTW、 LVD 只有休眠电压调节器处于活 动状态。 表 6-3. 功耗模式下唤醒时间和功耗 睡眠模式 电流 唤醒时间 （典型值） [11] 1.2 mA 代码执行 数字资源 模拟资源 可用时钟源 唤醒源 复位源 是 全部 全部 全部 – 全部 活动模式 – 备用活动 模式 – – 由用户定义 全部 全部 全部 – 全部 <15 µs 1 µA 否 I2C 电压比较器 ILO/kHzECO 电压比较器、 PICU、 I2C、 RTC、 CTW、 LVD XRES、 LVD、 WDR <100 µs 200 nA 否 无 无 无 PICU XRES 睡眠模式 休眠模式 注释： 11. 总线时钟关闭。在 6 MHz 频率下从缓存中执行。请参见第 69 页上的表 11-2。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 33/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 6.2.1.5 唤醒事件 图 6-5. 功耗模式切换 唤醒事件是可以配置的，并且可以来自中断或器件复位。唤醒事 件会将系统恢复到活动模式。固件使能的中断源包括内部生成的 中断、功耗监控器、中央时轮和 I/O 中断。内部中断源可以来自 各种外设，如模拟电压比较器和 UDB。中央时轮会提供定期中 断，以便唤醒系统、轮询外设或执行实时功能。复位事件源包括 外部复位 I/O 引脚 （XRES）、 WDT 和精密复位 （PRES）。 Active Manual Sleep Hibernate Alternate Active 6.2.1.1 活动模式 活动模式是器件的主要工作模式。当处于活动模式时，活动配置 样本位将控制使能或禁用哪些可用资源。当有资源处于禁用状态 时，系统会关断数字时钟，禁用模拟偏置电流，并相应地减少漏 电流。通过在活动配置样本中设置和清除相应的位，用户固件可 以动态控制子系统的功耗。CPU 可以自我禁用，在这种情况下， 发生下一个唤醒事件时会自动重新使能 CPU。 在发生唤醒事件时，全局模式始终会返回到活动模式，并且会自 动使能 CPU，而不管它采用什么样的样本设置。活动模式是引导 时的默认全局功耗模式。 6.2.1.2 备用活动模式 备用活动模式与活动模式非常类似。在备用活动模式下，会使能 较少的子系统，以便降低功耗。一种可能的配置是：关闭 CPU 和 闪存，并使外设全速运行。 6.2.1.3 睡眠模式 如果可以接受 15 µs 的恢复时间，则可以采用睡眠模式来降低功 耗。唤醒时间用于确保电压调节器的输出足够稳定，以便直接进 入活动模式。 6.2.1.4 休眠模式 在休眠模式下，几乎所有内部功能都将处于禁用状态。内部电压 会降至使关键系统保持活动状态所需的最低水平。在休眠模式 下，会保留配置状态和 SRAM 存储器的内容。配置为数字输出的 GPIO 将保留其先前的值，并且外部 GPIO 引脚中断设置也将保 留。器件处于休眠模式时，只能通过外部 I/O 中断唤醒。从休眠 模式恢复的时间小于 100 µs。 为了实现极低的电流，休眠调节器的性能有所限制。输入引脚上 的所有信号频率被限制 — 在休眠模式下不会以高于 10 kHz 的速 度来切换 GPIO。在低功耗模式下，如果需要使用高速度进行切 换，需要选择睡眠模式。 文档编号：001-92498 版本 *A 6.2.2 升压转换器 采用 1.71 V 以下供电电压（例如，太阳能供电或单个电池供电） 的应用可以使用片上升压转换器，用以生成一个供电电压最小值 为 1.8 V。升压转换器还可以用于所需工作电压高于供电电压的 任何系统，比如在 3.3 V 系统中驱动 5.0 V LCD 显示屏。通过额 外的电感、肖特基二极管以及电容，它可以生成一个可选输出电 压，以便提供足够的电流来运行 PSoC 及其他板上组件。 升压转换器可以接受介于0.5 V到3.6 V之间的输入电压（VBAT）， 可使用低至 0.5 V 的 VBAT 进行启动，并能够提供介于 1.8 到 5.0 V （VOUT）之间、可由用户配置的输出电压，步长为 100 mV。 通常 VBAT 小于 VOUT ；如果 VBAT 大于或等于 VOUT，那么 VOUT 会略小于 VBAT（由于升压转换器的电阻损耗）。该模块可以提供 最大为 50 mA （IBOOST）的电流，具体大小取决于 PSoC 器件 和外部组件的配置情况。设计的灌电流总值 （包括 PSoC 器件、 PSoC I/O 引脚负载以及外部组件负载的）必须小于 IBOOST 所指 定的最大电流值。 有 四 个 与 升 压 转 换 器 相 关 的 引 脚，分 别 为：VBAT、 VSSB、 VBOOST 以及 IND。提升后的输出电压通过 VBOOST 引脚输出， 并且如果用于为 PSoC 器件供电，则输出电压必须直接连接到芯 片的供电输入 （VDDA、 VDDD 和 VDDIO）。 除了非升压设计中所需要的组件外，升压转换器还需要四个组 件，即第 35 页上的图 6-6 中所显示的。在 VBAT 引脚附近需要 安装一个 22 µF 大小的电容器 （CBAT），对电池电压起缓冲和 滤波稳定作用。电池输出与 VBAT 引脚之间不要添加其它器件， 例如反向极性保护二极管，因为二极管正向压降会使 VBAT 变小。 在 VBAT 和 IND 引脚之间需要连接一个 4.7 µH 或 22 µH 大小的 电感。您可以根据输入电压、输出电压、温度以及电流来改变电 感大小，从而提高升压转换器的效率。结合本部分介绍的设计指 南和电气规范，可以确定电感器的大小。电感器必须连接在离 VBAT 和 IND 引脚 1 cm 的范围内，并使最小饱和电流为 750 mA。 在离 IND 和 VBOOST 引脚 1 cm 的范围内连接一个肖特基二极 管。该二极管的正向电流额定值最少为 1.0 A，并且反向电压最 少为 20 V。将一个 22 µF 大小的电容 （CBOOST）连接在靠近 VBOOST的地方，以便稳定电压调节器输出。需要确定VBOOST 引脚上连接的总电容，并确保该值不能超过最大的 CBOOST 规 格。所有电容的最小额定值为 10 V，这样能够尽量减少由电压降 低所造成的电容损耗。 页 34/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 6-6. 为 PSoC 器件供电的升压转换器应用 PSoC VDDA External Load VDDD VDDD 0.1 µF 1.0 µF 0.1 µF 1.0 µF 0.1 µF 1.0 µF VBOOST Schottky, 1A IND 4.7 µH 10 µH 22 µH VDDIO0 0.1 µF Boost VDDIO2 Logic VDDIO1 VBAT 22 µF 0.1 µF 0.1 µF VDDIO3 VSSB 0.1 µF 0.5–3.6 V VSSA 22 µF VSSD All components and values are required 升压调节器也可以用于为其它的外部器件供电，下图是一个将 1.8 V 的电源升压到 4.0 V 即为该应用的一个示例，从而驱动一个 白光 LED。如果升压转换器没有为 PSoC 器件提供 VDDA、VDDD 和 VDDIO 的电源，那么为 PSoC 器件供电时它必须遵守相同的设 计规则，但对于输出端的电容有不同的要求。在 Vout 供电电压上 必须并联 22 µF、1.0 µF 和 0.1 µF 的电容，并且要将这些电容安 装在离 VBOOST 引脚 1 cm 的范围内，以保证调节器的稳定性。 图 6-7. 不给 PSoC 器件供电的升压转换器的应用 V OUT External Load 22 µF 1.0 µF PSoC VDDA VDDD 0.1 µF VDDD VBOOST Schottky, 1A 4.7 µH 10 µH 22 µH IND VDDIO0 Boost Logic VBAT 22 µF VDDA, VDDD, and VDDIO connections per section 6.2 Power System. VDDIO2 VDDIO1 VDDIO3 VSSB 0.5–3.6 V VSSA VSSD All components and values are required 使用升压转换器中的振荡器将切换频率设为 400 kHz。升压转换 器可以在两种不同模式下工作：即活动模式和待机模式。活动模 式是正常工作模式，在该模式下，升压调节器会主动生成稳压输 出电压。在待机模式下，大多数升压功能都被禁用，以便降低升 压电路的功耗。待机模式下，升压器仅提供最低的输出功耗，通 文档编号：001-92498 版本 *A 常 < 5 µA，用于在睡眠模式下为 PSoC 器件供电。升压转换器在 活动模式下消耗的电流通常为 250 µA，在待机模式下则为 25 µA。升压工作模式必须与芯片功耗模式结合使用，以便最大限度 地降低芯片总功耗。表 6-4 列出了在不同芯片功耗模式下可用的 升压功耗模式。 页 35/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 6-4. 芯片功耗模式与升压功耗模式兼容表 芯片功耗模式 升压功耗模式 芯片活动或备用活动模式 升压转换器必须在活动模式下运行。 芯片睡眠模式 升压转换器既可以在活动模式下运 行，也可以在待机模式下运行。在升 压待机模式中，芯片必须定期唤醒， 以刷新升压活动模式。 芯片休眠模式 升压转换器能在活动模式下运行。不 过，因为在升压活动模式下电流消耗 非常高，所以不建议在芯片休眠模式 下使用升压转换器。 6.2.2.1 升压固件要求 为了确保启动时升压浪涌电流符合规格要求，要在 PSoC Creator IDE 中取消选择启动期间使能快速 IMO 选项。在 PSoC Creator 的设计范围资源 （cydwr） System 选项卡内可以找到启动期间 使能快速 IMO 选项。如果未选中该选项会配置器件启动时的运行 速度为 12 MHz 而不是默认的 48 MHz。时钟速度越慢，芯片启 动时升压电路的电流消耗越少。 6.2.2.2 升压设计流程 升压转换器的外部器件选型需要遵守特定的规范。CBAT 电容器、 电感器、肖特基二极管以及 CBOOST 电容的选择都需要遵守规范 （第 75 页上的表 11-7）中指定的值。 LBOOST 是唯一的变量组 件，选择合适的升压电感不仅可以改善升压转换器的运行状态， 还可以提高转换效率。 5. 根据 VBAT 与 VOUT 图表（第 75 页上的图 11-10）上的 LBOOST 值，查找所允许的电感值。 6. 根据所允许的电感值、电感器尺寸、电感器成本、升压效率以 及 VRIPPLE，选择系统最佳电感值。效率与 VBAT、VRIPPLE 与 VBAT 图表 （第 76 页上的图 11-11 到第 76 页上的图 11-14） 中提供了升压效率和 VRIPPLE 的典型值。通常，如果应用要求 效率高且 VRIPPLE 低，那么要采用所允许的最大电感值。如果 应用要求电感器的成本低或电感器尺寸小，那么应使用更小 的 允 许 电 感 值。如 果 应 用 不 适 合 所 允 许 的 电 感 器 效 率、 VRIPPLE、成本或尺寸，那么应该使用一个外部升压调节器。 6.3 复位 CY8C32 有多个内部和外部复位源可用。其中包括： 电源监控 — 在加电、活动模式，以及睡眠模式（间歇性唤醒） 期间，在多种不同模式下监控模拟和数字供电电压 VDDA、 VDDD、 VCCA 和 VCCD。如有任何电压超出预定范围，则会 生成复位。可以对监控器进行编程，以便在到达复位阈值之 前，在特定条件下生成处理器中断。 外部 — 通过拉低复位引脚 （XRES） ，可以从外部源复位器 件。XRES 引脚包含一个上拉到 VDDIO1 的内部电阻。VDDD、 VDDA 和 VDDIO1 必须都通电，器件才能退出复位状态。 看门狗定时器 — 看门狗定时器负责监控处理器执行指令的情 况。如果看门狗定时器在特定时间段内未通过固件复位，则会 生成一个复位。 软件 — 器件可以在程序控制下复位。 图 6-8. 复位 Power Voltage Level M onitors 此外， VOUT、 VBAT、 IOUT 和 TA 之间还存在特定的限制关系。 要按照以下步骤进行操作以确保升压转换器工作参数和 LBOOST 值。 1. 选择应用所需要的 VBAT、VOUT、TA 以及 IOUT 工作条件范围。 2. 根据 VBAT 和 VOUT 图表上 （第 75 页上的图 11-8）的 TA 范 围，确定 VBAT 和 VOUT 的范围是否位于升压工作范围内。如 果不在工作范围内，需要修改工作条件或使用一个外部升压 调节器。 3. 根据 VBAT 与 VOUT 图表中 （第 75 页上的图 11-8）的 TA 范 围，确定所需环境温度 （TA）范围是否位于环境温度工作范 围内。如果不在温度范围内，需要修改工作条件，然后返回到 第二步或使用一个外部升压调节器。 4. 根据 BAT 与 VOUT 图表（第 75 页上的图 11-9）上的 IOUT，确 定所需输出电流（IOUT）范围是否位于输出电流工作范围内。 如果不在输出电流范围内，需要修改工作条件，然后返回到第 二步或使用一个外部升压调节器。 文档编号：001-92498 版本 *A Reset Pin External Reset Processor Interrupt Reset Controller System Reset W atchdog Tim er Software Reset Register 页 36/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 器件复位一词指处理器以及模拟和数字外设与寄存器都复位。 复位状态寄存器显示了某些复位或供电电压的监控中断。程序可 能会检查该寄存器，以检测并报告异常情况。加电复位后，会清 空该寄存器。有关详细信息，请参见 《技术参考手册》。 6.3.1 复位源 6.3.1.1 供电电压电平监控器 IPOR — 初次加电复位 在初次上电复位时， IPOR 会监控电源电压 VDDD、 VDDA、 VCCD 以及 VCCA。触发电平并不精确。该电平被设为约 1 V， 低于指定的最低工作电压，但足以使内部电路复位并保持复位 状态。监控器能够生成宽度至少为 150 ns 的复位脉冲。如果有 一个或多个电压缓慢上升，生成的脉冲可能会更宽。 如果 IPOR 触发任一 VDDX 后，电压又降落并低于触发点，那 么必须以非单调格式至少在 10 µs 时间内保持这个电压水平。 IPOR 触发点的迟滞通常为 100 mV。 启动后， IPOR 电路被禁用，并且电压监控工作将移交给精密 低电压复位 （PRES）电路。 PRES — 精密低电压复位 该电路负责在加电后监控模拟系统和数字系统内部电压调节器 的输出。电压调节器的输出是相对于精确参考电压的电压。对 PRES 激发的响应与对 IPOR 复位的响应相同。 禁用 PRES 时，至少 10 µs 后才可重新启用它。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 37/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 在正常工作模式下，程序无法禁用数字 PRES 电路。可以禁用 模拟系统电压调节器，但这会同时禁用 PRES 的模拟部分。在 睡眠和休眠模式下， PRES 电路自动被禁用，但是也有例外， 即：在睡眠模式下，会定期激活电压调节器 （使其处于活动状 态），以便提供监控服务，并缩短唤醒时间。与此同时，PRES 电路也将处于活动状态，以便定期进行电压监控。 ALVI、 DLVI、 AHVI — 模拟 / 数字低电压中断，模拟高电压中 断 中断电路可用于检测 VDDA 和 VDDD 超出电压范围的情况。对 于 AHVI，VDDA 是相对于某个固定触发电平的电压。对于 ALVI 和 DLVI， VDDA 和 VDDD 是相对于可编程触发电平的电压， 如表 6-5 中所列。另外还可以配置 ALVI 和 DLVI，以生成器件 复位，而不是生成中断。 表 6-5. 模拟 / 数字低电压中断，模拟高电压中断 中断 DLVI 供电源 正常电压范围 VDDD 1.71 V – 5.5 V ALVI VDDA 1.71 V – 5.5 V AHVI VDDA 1.71 V – 5.5 V 可用的触发电压设置 1.70 V – 5.45 V，步长 为 250 mV 1.70 V – 5.45 V，步长 为 250 mV 5.75 V 在 IPOR 之前，监控器将一直处于禁用状态。在睡眠模式下， 会定期激活这些电路 （使其处于活动状态）。在活动状态期间 如有中断发生，系统会首先进入唤醒过程。然后，系统会识别 中断，并可能会处理中断。 Buzz（活动）频率是可调整的，并且需要设置该频率低于任一 电压超出允许范围的最短时间。有关如何调整活动频率的信 息，请参见 《技术参考手册》。 6.3.1.2 其他复位源 XRES — 外部复位 PSoC 3 具有一个被配置为外部复位的 GPIO 引脚或一个专用 XRES 引脚。无论是专用 XRES 引脚还是 GPIO 引脚，配置后， 都会使器件处于复位状态，同时保持低电平有效。对 XRES 的 响应与对 IPOR 复位的响应相同。 禁用 XRES 时，至少 10 µs 后才可重新启用它。 外部复位是低电平有效复位。它包含一个内部上拉电阻。在睡 眠模式和休眠模式下， XRES 将处于活动状态。 SRES — 软件复位 通过在软件复位寄存器中设置一个位，可以在程序控制下发出 复位指令。这可以通过程序直接进行，也可以通过 DMA 访问 间接进行。对 SRES 的响应与对 IPOR 复位的响应相同。 文档编号：001-92498 版本 *A 此外还有另外一个寄存器位，用于禁用该功能。 WRES — 看门狗定时器复位 看门狗复位会检测何时软件程序不再正常执行。为了向看门狗 定时器表明程序当前工作正常，它必须定期复位该定时器。如 果在经过用户指定的时间后未复位该定时器，则会生成复位。 注意：IPOR 会禁用看门狗功能。程序必须通过设置寄存器位， 在代码中的某个适当点使能看门狗功能。设置寄存器位后，将 无法再将其清除，除非发生 IPOR 加电复位事件。 6.4 I/O 系统与路由 PSoC I/O 具有高度的灵活性。每个 GPIO 都具有模拟和数字 I/O 功能。所有 I/O 都具有多种可在 POR 时设置的驱动模式。PSoC 还通过 VDDIO 引脚提供多达四个 I/O 电压域。 每个器件上都有两种 I/O 引脚；带 USB 的器件则有三种 I/O 引 脚。通用 I/O（GPIO）和特殊 I/O（SIO）提供类似的数字功能， 主要区别在于模拟能力和驱动强度。带 USB 的器件还提供两个 USBIO 引脚，可支持特定的 USB 功能，以及有限的 GPIO 功能。 所有 I/O 引脚均可作为 CPU 与数字外设的数字输入和输出使用。 此外，所有 I/O 引脚均可生成中断。PSoC I/O 具有灵活的高级功 能，再加上任意信号均可路由至任意引脚，从而大大简化了电路 设计和电路板布局。所有 GPIO 引脚均可用于模拟输入、 CapSense 以及 LCD 段驱动，而 SIO 引脚用于超出 VDDA 的电 压和可编程输出电压。 GPIO 和 SIO 均支持的特性： 用户可编程端口复位状态 为多达四组 I/O 提供单独的 I/O 供电和电压 数字外设使用 DSI 连接引脚 用于 CPU 和 DMA 的输入和 / 或输出 八种驱动模式 每个引脚都可以是一个被配置为上升沿和 / 或下降沿的中断 源。如有必要，可通过 DSI 支持电平敏感型中断 每个端口都有专用的端口中断向量 受数字输出驱动模式控制的转换速率 基于端口或引脚访问端口控制和配置寄存器 单独的端口读 （PS）和写 （DR）数据寄存器，能够避免发 生 “ 读操作修改写操作 ” 错误 基于各个引脚的特殊功能 仅在 GPIO 引脚上提供的其他功能： 带 LCD 的器件上的 LCD 段驱动 CapSense 模拟输入和输出功能 持续的 100 µA 钳位电流能力 标准驱动强度降至 1.7 V 页 38/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 仅在 SIO 引脚上提供的其他功能： USBIO 特性： 比 GPIO 更高的驱动强度 热插拔功能 （在任意工作 VDD 下容限均为 5 V） 可编程高电平输入阈值，输出驱动电平低至 1.2 V 无模拟输入、 CapSense 或 LCD 功能 过压容限高达 5.5 V SIO 可作为通用模拟电压比较器使用 符合 USB 2.0 标准的全速 I/O 最大的驱动强度设置可用于一般用途 用于 CPU 和 DMA 的输入和 / 或输出 数字外设的输入和 / 或输出 数字输出 （CMOS）驱动模式 每个引脚都可以是一个被配置为上升沿和 / 或下降沿的中断 源 图 6-9. GPIO 框图 〠㿴Ṭ ‘x’ = ㄟਓ㕆ਧ ‘y’ = ᕅ㝊㕆ਧ PRT[x]CTL PRT[x]DBL_SYNC_IN PRT[x]PS ᮠᆇ㌫㔏䗃ޕ PICU[x]INTTYPE[y] 䗃ޕ㕃ߢ४⾱⭘ PICU[x]INTSTAT ѝᯝ 䙫䗁 ᕅ㝊ѝᯝؑਧ PICU[x]INTSTAT PRT[x]SLW PRT[x]SYNC_OUT Vddio Vddio PRT[x]DR 0 In ᮠᆇ㌫㔏䗃ࠪ 1 Vddio PRT[x]BYP 傡ࣘ 䙫䗁 PRT[x]DM2 PRT[x]DM1 PRT[x]DM0 ৼੁ᧗ࡦ PRT[x]BIE Slew Cntl PIN OE 1 0 1 Capsenseተ䜘᧗ࡦ 0 1 CAPS[x]CFG1 ᔰޣ PRT[x]AG ⁑ᤏተ䜘 PRT[x]AMUX ⁑ᤏ༽⭘ಘ LCD ᱮ⽪ ᮠᦞ PRT[x]LCD_COM_SEG 䙫䗁઼༽⭘ಘ PRT[x]LCD_EN LCDٿᙫ㓯 文档编号：001-92498 版本 *A 5 页 39/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 6-10. SIO 输入 / 输出框图 PRT[x]SIO_HYST_EN PRT[x]SIO_DIFF ৲㘳⭥ᒣ PRT[x]DBL_SYNC_IN 〠㿴Ṭ ‘x’ = ㄟਓ㕆ਧ ‘y’ = ᕅ㝊㕆ਧ 㕃ߢ४ 䰸٬ PRT[x]PS ᮠᆇ㌫㔏䗃ޕ PICU[x]INTTYPE[y] 䗃ޕ㕃ߢ४⾱⭘ PICU[x]INTSTAT ѝᯝ 䙫䗁 ᕅ㝊ѝᯝؑਧ PICU[x]INTSTAT ৲㘳⭥ᒣ PRT[x]SIO_CFG PRT[x]SLW PRT[x]SYNC_OUT PRT[x]DR Driver Vhigh 0 In ᮠᆇ㌫㔏䗃ࠪ 1 PRT[x]BYP 傡ࣘ 䙫䗁 PRT[x]DM2 PRT[x]DM1 PRT[x]DM0 ৼੁ᧗ࡦ PRT[x]BIE Slew Cntl ᕅ㝊 OE 图 6-11. GPIO 框图 Digital Input Path Naming Convention ‘y’ = Pin Number USB Receiver Circuitry PRT[15]DBL_SYNC_IN PRT[15]PS[6,7] USBIO_CR1[0,1] Digital System Input PICU[15]INTTYPE[y] PICU[15]INTSTAT Interrupt Logic Pin Interrupt Signal PICU[15]INTSTAT Digital Output Path PRT[15]SYNC_OUT USBIO_CR1[5] USB or I/O USBIO_CR1[2] Vddd USB SIE Control for USB Mode PRT[15]DR1[7,6] Digital System Output PRT[15]BYP 1 In Drive Logic D+ Open Drain PRT[15]DM0[7] D- Open Drain PRT[15]DM1[7] 文档编号：001-92498 版本 *A 0 PRT[15]DM0[6] PRT[15]DM1[6] D+ pin only D+ 1.5 k Vddd 5k Vddd Vddd 1.5 k PIN D+ 5 k D- 5 k 页 40/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 6.4.1 驱动模式 每个 GPIO 和 SIO 引脚都可单独配置成表 6-6 中所列的八种驱动模式中的其中一种。三个配置位可用于每个引脚 （DM[2:0]），并在 PRTxDM[2:0] 寄存器中设置。图 6-12 显示了基于每种驱动模式 （共八种）的引脚简图。表 6-6 显示了端口数据寄存器值或数字阵列 信号 （如果选择了旁路模式）对应的 I/O 引脚的驱动状态。请注意，实际的 I/O 引脚电压是由所选驱动模式和引脚负载共同决定的。 例如，如果某个 GPIO 引脚被配置为电阻上拉模式，并在引脚悬空时被驱动为高电平，则在引脚处测得的电压会处于高电平的逻辑状 态。如果同一个 GPIO 引脚在外部接地，则引脚处未经测量的电压会处于低电平的逻辑状态。 图 6-12. 驱动模式 Vddio DR PS Pin DR PS Pin Rpullup Pin DR PS Vddio DR PS Pin Rpullup 0. ⁑ᤏ儈䱫ᣇ 1. ᮠᆇ儈䱫ᣇ 2. ⭥䱫к Vddio DR PS Pin DR PS Pin 3. ⭥䱫л Vddio DR PS Pin Vddio Rpullup Pin DR PS Rpulldown 4. ᔰ┿վ傡ࣘ 5. ᔰ┿儈傡ࣘ 6. ᕪ傡ࣘ 7. ⭥䱫кол 表 6-6. 驱动模式 框图 0 模拟高阻抗 驱动模式 1 数字高阻抗 0 0 1 高阻态 高阻态 2 电阻上拉 [12] 0 1 0 电阻上拉 （5K） 强驱动低 3 电阻下拉 [12] 0 1 1 强驱动高 电阻下拉 （5K） 4 开漏低驱动 1 0 0 高阻态 强驱动低 5 开漏高驱动 1 0 1 强驱动高 高阻态 6 强驱动 1 1 0 强驱动高 强驱动低 7 电阻上拉 / 下拉 [12] 1 1 1 PRTxDM2 PRTxDM1 PRTxDM0 PRTxDR = 1 PRTxDR = 0 0 0 0 高阻态 高阻态 电阻上拉 （5K） 电阻下拉 （5K） 注释： 12. 在稳压输出模式的 SIO 中不能使用电阻上拉和下拉。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 41/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 当针对 I/O 模式使能了 USBIO 引脚 （P15[7] 和 P15[6]）时，会限制驱动模式控制。使用 PRT15.DM0[7, 6] 寄存器设置驱动模式。也 可针对 USBIO 引脚选择电阻上拉选项，可使用 PRT15.DM1[7, 6] 寄存器使能该选项。在 USB 模式下使能了驱动模式控制后，不会对 USB 引脚的配置产生影响。与 GPIO 和 SIO 配置不同，端口宽配置寄存器不配置 USB 驱动模式位。表 6-7 显示 USBIO 引脚的驱动 模式配置。 表 6-7. USBIO 驱动模式 （P15[7] 和 P15[6]） PRT15.DM1[7,6] 上拉电阻被使能 PRT15.DM0[7,6] 驱动模式被使能 0 说明 PRT15.DR[7,6] = 1 PRT15.DR[7,6] = 0 0 高阻态 强驱动低 漏极开路，强驱动低 0 1 强驱动高 强驱动低 强驱动输出 1 0 电阻上拉 （5 K） 强驱动低 电阻上拉，强驱动低 1 1 强驱动高 强驱动低 强驱动输出 高阻抗模拟驱动 在默认的复位状态下，输出驱动器和数字输入缓冲区均被关 闭。这可以防止因电压浮动导致任何电流流入到 I/O 的数字输 入缓冲区中。对于悬空引脚或支持模拟电压的引脚，建议使用 该状态。模拟高阻抗引脚不提供数字输入功能。 要在睡眠模式下最大限度地降低芯片电流，所有 I/O 都必须被 配置为模拟高阻抗模式，或通过 PSoC 器件或外部电路将其引 脚驱至供电轨。 高阻抗数字驱动 会针对数字信号输入使能输入缓冲区。这是建议用于数字输入 的标准高阻抗 （HiZ）状态。 电阻上拉或电阻下拉 电阻上拉或下拉都是在一种数据状态下提供串联电阻，在另一 种数据状态下提供强驱动。在这两种模式下，引脚可用于数字 输入和输出。这两种模式的一个常见应用是连接机械开关。在 稳压输出模式的 SIO 中不能使用电阻上拉和下拉。 开漏驱高 （Open Drain， Drives High）和开漏驱低 （Open Drain， Drives Low） 开漏模式是在一种数据状态下提供高阻抗，在另一种数据状态 下提供强驱动。在这两种模式下，引脚可用于数字输入和输 出。这两种模式的一个常见应用是驱动 I2C 总线信号线。 强驱动 无论是在高状态还是低状态，均提供强 CMOS 输出驱动。这是 引脚的标准输出模式。一般情况下，采用强驱动模式的引脚不 能用作输入。这种模 式通常 用于 驱动数 字输 出信号或外部 FET。 文档编号：001-92498 版本 *A 电阻上拉和下拉 与电阻上拉模式和电阻下拉模式类似，只不过引脚始终与电阻 串联。在高数据状态下是上拉，而在低数据状态下是下拉。当 其他可能会导致短路的信号可以驱动总线时，通常会采用该模 式。在稳压输出模式的 SIO 中不能使用电阻上拉和下拉。 6.4.2 引脚寄存器 用于配置引脚并与引脚交互的寄存器有两种形式，并可以互换使 用。 所有 I/O 寄存器均可采用标准端口形式，即寄存器的每个位对应 于一个端口引脚。这种寄存器形式能够快速有效地同时重新配置 多个端口引脚。 I/O 寄存器也可以采用引脚形式，即针对每个引脚，将八个最常 用的端口寄存器位合并到单个寄存器中，以便通过单次寄存器写 操作来快速更改各个引脚的配置。 6.4.3 双向模式 借助高速双向功能，引脚可以根据辅助控制总线信号的状态，为 输入信号提供高阻抗数字驱动模式，并为同一引脚上的输出信号 提 供 用 户 选 择 的 另 一 种 驱 动 模 式，例 如 强 驱 动 （使 用 PRT×DM[2:0] 寄存器进行设置）。对于需要对输出缓冲区进行动 态硬件控制的处理器总线和通信接口，例如 SPI Slave MISO 引 脚，双向功能非常有用。 辅助控制总线能够将多达 16 个由 UDB 或数字外设生成的输出使 能信号连接至一个或多个引脚。 6.4.4 转换速率受限模式 GPIO 和 SIO 引脚针对强驱动和开漏驱动模式提供了快速输出转 换速率和慢速输出转换速率选项 （不适用于电阻驱动模式）。由 于慢速转换速率选项会降低 EMI，因此建议对速度不是很关键 （通常小于 1 MHz）的信号使用该选项。快速转换速率适用于频 率介于 1 MHz 到 33 MHz 之间的信号。转换速率可以针对每个引 脚单独配置，并通过 PRT×SLW 寄存器进行设置。 页 42/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 6.4.5 引脚中断 6.4.11 可调输出电平 所有 GPIO 和 SIO 引脚都能生成系统中断。每个端口接口上的所 有八个引脚均连接到其各自的端口中断控制单元 （PICU）及关 联的中断向量。端口的每个引脚都可单独配置，以检测上升沿和 / 或下降沿中断，或不生成中断。 本部分内容仅适用于 SIO 引脚。 SIO 端口引脚支持为电压低于 SIO 对应 VDDIO 的外部信号接口提供稳压的高电平输出。根据 内部生成的参考电压，各个 SIO 引脚可单独配置为标准 VDDIO 电平或稳压输出。通常会使用电压 DAC （VDAC）来生成参考 电压 （请参见图 6-13）。第 62 页上的 DAC 一节详细介绍了 VDAC 的用法以及如何将参考电压路由至 SIO 引脚。电阻上拉和 下拉驱动模式不适用于稳压输出模式下的 SIO。 根据为每个引脚配置的模式，每次引脚上发生中断事件时，中断 状态寄存器中对应的状态位都会被设为 “1”，并且系统会向中 断控制器发送中断请求。每个 PICU 在中断控制器和引脚状态寄 存器中都有各自的中断向量，以便轻松确定中断源、引脚电平 等。 在所有睡眠模式下，端口引脚中断均保持活动状态，以便通过由 外部生成的中断唤醒 PSoC 器件。 尽管不直接支持电平敏感型中断，但在需要时，可以通过通用数 字模块 （UDB）为系统提供该功能。 6.4.6 输入缓冲区模式 可以针对默认的 CMOS 输入阈值或可选的 LVTTL 输入阈值在端 口级别配置 GPIO 和 SIO 输入缓冲区。所有输入缓冲区都能够与 施密特触发器一起实现输入迟滞。此外，在任何驱动模式下，均 可禁用各个引脚输入缓冲区。 6.4.7 I/O 供电电源 可以提供多达四个 I/O 引脚供电电源，具体取决于器件和封装。 每个 I/O 供电电源必须小于或等于芯片模拟 （VDDA）引脚的电 压。利用该功能，用户可以为器件上的不同引脚提供不同的 I/O 电压电平。要确定给定端口和引脚的 VDDIO 功能，请参见具体 的器件封装引脚分布图。 SIO 端口引脚支持其他 “ 稳压高输出 ” 功能，如可调输出电平 中所述。 6.4.8 模拟连接 这些连接仅适用于 GPIO 引脚。所有 GPIO 引脚都可以作为模拟 输入或输出使用。引脚上的模拟电压不能超过 GPIO 对应的 VDDIO 供电电压。每个 GPIO 都可连接到其中一条模拟全局总线 或模拟复用器总线，以便将任意引脚连接到任意内部模拟资源， 例如 ADC 或电压比较器。此外，有一个特定引脚能够直接连接 到大电流 DAC。 6.4.12 可调输入电平 本部分内容仅适用于 SIO 引脚。默认情况下，SIO 引脚不仅支持 标准 CMOS 和 LVTTL 输入电平，而且还支持采用可编程电平的 差分模式。 SIO 引脚按对分组。每对引脚共享一个参考电压发生 器模块，该模块用于为电压与 VDDIO 不同的外部信号接口设置 数字输入缓冲区参考电平。参考电压会用来设置高逻辑电平的引 脚电压阈值 （请参见图 6-13）。可用的输入阈值包括： 0.5 VDDIO 0.4 VDDIO 0.5 VREF VREF 通常会使用电压 DAC （VDAC）来生成 VREF 参考电压。第 62 页上的 DAC 一节详细介绍了 VDAC 的用法以及如何将参考电压 路由至 SIO 引脚。 图 6-13. 输入和输出的 SIO 参考 Input Path Digital Input Vinref Reference Generator SIO_Ref 6.4.9 CapSense 本部分内容仅适用于 GPIO 引脚。所有通用 I/O 引脚均可用于创 建 CapSense 按键和滑动条。有关详细信息，请参见第 61 页上 的 CapSense 一节。 PIN Voutref Output Path Driver Vhigh 6.4.10 段式 LCD 驱动 本部分内容仅适用于 GPIO 引脚。所有 GPIO 引脚均可用于生成 段驱动和共模驱动信号，以便直接驱动 LCD 显示屏。有关详细信 息，请参考第 61 页上的 LCD 直接驱动器一节中介绍的内容。 文档编号：001-92498 版本 *A Digital Output Drive Logic 页 43/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 6.4.13 SIO 作为电压比较器 本部分内容仅适用于 SIO 引脚。如可调输入电平一节所述，可以 使用 SIO 的可调输入电平功能来构建电压比较器。电压比较器的 阈值由 SIO 的参考电平发生器提供。参考电平发生器包含一个选 项，用于将通过模拟全局总线连接的模拟信号设为电压比较器阈 值。请注意，一对 SIO 引脚共享同一个阈值。 SIO 引脚必须处于下列模式之一：0 （模拟高阻抗）、 1 （数字 高阻抗）或 4（开漏驱动低电平）。有关详细信息，请参考图 6-12 中介绍的内容。必须针对所有 I/O 引脚监控器件的最大绝对额定 值。 6.4.16 复位配置 第 40 页上的图 6-10 中的数字输入路径说明了该功能。在该图 中，‘ 参考电平 ’ 是通过模拟全局总线路由过来的模拟信号。 还可以为 SIO 的输入缓冲区使能迟滞功能，以便增强电压比较器 的抗噪能力。 当复位有效时，所有 I/O 都会复位并保持在模拟高阻抗状态下。 复位释放之后，可根据各个端口将状态重新编程为下拉或上拉。 为了确保正确的复位操作，端口复位配置数据会存储在专用的非 易失性寄存器中。复位释放后，存储的复位数据会自动传输到端 口复位配置寄存器。 6.4.14 热插拔 6.4.17 低功耗功能 本部分内容仅适用于 SIO 引脚。 SIO 引脚支持 “ 热插拔 ” 功 能，无需加载连接到 SIO 引脚的信号即可插入到应用中，即便在 PSoC 器件未通电时亦是如此。这样一来，未通电的 PSoC 就可 以保持对外部器件的高阻抗负载，同时防止 PSoC 被通过 SIO 引 脚的保护二极管的电流加电。 在所有低功耗模式下， I/O 引脚都会保持其状态，直到器件被唤 醒并被更改或复位为止。要唤醒器件，请使用引脚中断，因为在 所有低功耗模式下，端口中断逻辑会继续发挥作用。 与正在运行的 I2C 总线相连时，给该器件供电或断电会导致 SIO 引脚上的瞬变状态。 I2C 总线的整体设计应该考虑这一点。 器件上的某些引脚除了具有 GPIO 或 SIO 功能以外，还具有其他 特殊功能。 第 6 页上的引脚布局中列出了具体的特殊功能引脚。 这些特殊功能包括： 6.4.15 过压容限 所有 I/O 引脚在任意工作 VDD 下都能够提供过压容差功能。 SIO 引脚没有电流限制，因为对于外部电路它们存在一个高阻抗 的负载，其中 VDDIO < VIN < 5.5 V。 GPIO 引脚电流必须使用限流电阻限制为 100 µA。 GPIO 引脚 会钳制引脚电压约为 “Vddio 加上一个二极管电压 ”，其中 VDDIO < VIN < VDDA。 如果 GPIO 引脚被配置为用于模拟输入 / 输出，则引脚上的模拟 电压不得超过 GPIO 对应的 VDDIO 供电电压。 该功能的一个常见应用是连接到 I2C 等总线，其中不同的器件在 不同的供电电压下运行。连接到 I2C 时，会针对 SIO 引脚将 PSoC 芯片配置为开漏驱动低电平模式。这样就可以通过外部上拉电阻 将 I2C 总线电压拉到 PSoC 引脚供电电压以上。例如， PSoC 芯 片可以在 1.8 V 下运行，外部器件可以在 5 V 下运行。请注意， SIO 引脚的 VIH 和 VIL 电平由关联的 VDDIO 供电引脚决定。 文档编号：001-92498 版本 *A 6.4.18 特殊引脚功能 数字 4 至 25 MHz 晶振 32.768 kHz 晶振 2 I C 地址匹配时从睡眠模式唤醒。如果不需要从睡眠模式唤 醒，则任意引脚都可用于 I2C。 JTAG 接口引脚 SWD 接口引脚 SWV 接口引脚 外部复位 模拟 大电流 IDAC 输出 外部参考输入 6.4.19 JTAG 边界扫描 器件支持所有 I/O 引脚上的标准 JTAG 边界扫描链，以便进行板 级测试。 页 44/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 7. 数字子系统 7.1 外设示例 可编程数字系统能够针对具体的应用创建标准数字外设、高级数 字外设的组合，并创建定制逻辑功能。然后，这些外设和逻辑将 互连，并与器件上的任意引脚相连，从而提供高度的设计灵活性 和 IP 安全性。 CY8C32 系列的通用数字模块（UDB）和模拟模块具有高度的灵 活性，可让用户创建众多组件 （外设）。赛普拉斯开发了一些最 常用的外设，具体请参考 PSoC Creator 组件目录。此外，用户 还可以使用 PSoC Creator 创建自己的定制组件。利用 PSoC Creator，用户还可以创建自己的组件，以便在其组织内重复使 用，例如传感器接口、专有算法，以及显示界面。 下面列出了可编程数字系统的功能，以便用户对这些功能和架构 有一个大概的了解。设计人员不需要通过硬件和寄存器级别同可 编程数字系统直接交互。PSoC Creator 提供了一个与 PLD 类似 的高级电路图输入图形界面，以便自动放置和连接资源。 可编程数字系统的主要组件包括： 7.1.1 数字组件示例 通用数字模块 （UDB） — 这些模块构成了可编程数字系统的 核心功能。 UDB 是未赋定逻辑 （PLD）和结构化逻辑 （数据 路径）的组合，已经过优化，能够针对具体的应用或设计创建 所有常用嵌入式外设和定制功能。 通用数字模块阵列 — UDB 模块排列在一个可编程互连矩阵 内。UDB 阵列结构具有一致性，有助于将数字功能灵活地映射 到阵列上。该阵列支持在 UDB 与数字系统互连之间进行广泛而 灵活的布线互连。 数字系统互连 （DSI） — 来自通用数字模块 （UDB）、固定功 能外设、I/O 引脚、中断和 DMA 的信号以及其他系统内核信号 会连接到数字系统互连，以实现全功能器件连通性。与通用数 字模块阵列（Universal Digital Block Array）结合使用时，DSI 允许将任意数字功能路由至任意引脚或其他组件。 图 7-1. CY8C32 可编程数字架构 UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB Array DSI Routing Interface DSI Routing Interface Digital Core System and Fixed Function Peripherals 文档编号：001-92498 版本 *A I/O Port UDB Array I/ O Port I/O Port I/O Port Digital Core System and Fixed Function Peripherals UDB PSoC Creator 提供了大量的组件，我们无法在数据手册中一一列 出，而且这些组件的数量还在不断增加。例如，可用于 CY8C32 系列但未在本数据手册中提到的 UART 组件。 以下是 PSoC Creator 中可用于 CY8C32 系列的一个数字组件示 例。组件使用的硬件资源 （UDB、路由、 RAM、闪存）的确切 数量会有所不同，具体取决于在 PSoC Creator 中为组件选择的 功能。 通信 2 I C UART SPI 功能 EMIF PWM 定时器 计数器 逻辑 NOT OR XOR AND 7.1.2 模拟组件示例 以下是 PSoC Creator 中可用于 CY8C32 系列的一个模拟组件示 例。组件使用的硬件资源（路由、RAM、闪存）的确切数量会有 所不同，具体取决于在 PSoC Creator 中为组件选择的功能。 ADC Delta-Sigma DAC 电流 电压 PWM 电压比较器 7.1.3 系统功能组件示例 以下是 PSoC Creator 中可用于 CY8C32 系列的一个系统功能组 件示例。组件使用的硬件资源 （UDB、路由、 RAM、闪存）的 确切数量会有所不同，具体取决于在 PSoC Creator 中为组件选 择的功能。 CapSense LCD 驱动 LCD 控制 页 45/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 7.1.4 使用 PSoC Creator 进行设计 7.1.4.1 优于典型 IDE 一个成功的设计工具应该能够快速进行开发，并能够展开简单和 复杂的设计。缩短甚至省掉学习过程。并使新设计直接融入到生 产流程中。 PSoC Creator 就是这样的设计工具。 PSoC Creator 是一个功能齐全的集成开发环境 （IDE），可用于 硬件和软件的设计。该工具已针对 PSoC 器件进行优化，并将功 能强大的新型软件开发平台与先进的图形化设计工具结合在一 起。这种独特的工具组合使得 PSoC Creator 成为目前灵活性最 高的嵌入式设计平台。 图形化设计输入有助于简化特定器件的配置。您可以从内容丰富 的组件目录中选择所需的功能，并将其放入到自己的设计中。所 有组件都实现了参数化，并具有编辑器对话框，您可以根据自己 的需求来定制功能。 PSoC Creator 会自动配置时钟，并将 I/O 连接至选定的引脚，随 后生成 API，以便应用程序能够对硬件进行全面控制。要更改 PSoC 器件配置，只需添加一个新组件，设置其参数并重建项目 即可。 在开发过程的任何阶段，您都可以自由更改硬件配置乃至目标处 理器。要将应用 （硬件和软件）重新定位到新器件 （即使是从 8 位系列到 32 位系列），只需选择新器件并重建即可。 您还可以更改 C 编译器并评估备选方案。组件具有高度的便携 性，并针对所有系列的所有器件以及支持的所有工具链进行了验 证。要切换编译器，只需编辑项目选项，并使用生成的 API 或引 导代码正确地重建应用即可。 7.1.4.2 组件目录 组件目录是一个由可重复使用的设计元素组成的资料库，能够帮 助您选择器件功能并定制 PSoC 器件。组件目录中包含大量实用 的内容：从简单的基元 （例如逻辑门和器件寄存器），到数字定 时器、计数器和 PWM，再到模拟组件 （例如 ADC 和 DAC）以 及通信协议 （例如 I2C 和 USB），应有尽有。有关可用外设的更 文档编号：001-92498 版本 *A 多详细信息，请参考 第 45 页上的外设示例中介绍的内容。所有 内容已被完全特性表征化，并在数据手册中进行了详细地记录， 同时附带了代码示例、交流 / 直流规范以及已编好的用户代码 API。 7.1.4.3 设计重复使用 符号编辑器可让您开发能够重复使用的组件，从而大大缩短日后 进行设计所需的时间。您只需绘制符号，并将其与经过验证的设 计相关联即可。PSoC Creator 允许将新符号与赛普拉斯提供的内 容一起放在组件目录中的任意位置。然后，您就可以在任意数量 的项目中不限次数地重复使用您的内容，而无需重复查看其详细 的实现信息。 7.1.4.4 软件开发 该工具拥有时尚且高度可定制的用户界面。它不仅包括项目管理 功能以及适用于 C 语言和汇编语言源代码的集成编辑器，而且还 包括设计输入工具。 项目构建控制功能采用了由 ARM® Limited、 Keil™ 和 CodeSourcery （GNU）等顶级商业供应商所提供的编译器技 术。该工具随附有适用于 ARM 的免费版 Keil C51 和 GNU C 编 译器（GCC），这些编译器对代码规模或最终产品分发没有任何 限制。该工具支持专业的 Keil C51 产品和 ARM RealView™ 编译 器，能够轻松升级到更多优化编译器。 7.1.4.5 非侵入式调试 由于所有器件均提供 JTAG （4 线）和 SWD （2 线）调试连接， 因此 PSoC Creator 调试器只需很少的干预，即可全面控制目标 器件。断点和代码执行指令都可通过工具栏按键直接调用，一系 列实用的窗口 （寄存器、局部、监控、调用堆栈、存储器和外 设）有助于实现无与伦比的系统可视性。 PSoC Creator 包含完成设计，以及日后维护和扩展设计所需的所 有工具。设计流程的所有步骤都经过了仔细整合和优化，不仅简 单易用，而且能最大限度地提高效率。 页 46/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 状态和控制模块 — 该模块的主要作用是为 CPU 固件提供与 7.2 通用数字模块 通用数字模块（UDB）标志着向下一代 PSoC 嵌入式数字外设功 能迈出了具有革命意义的一步。第一代 PSoC 数字模块的架构提 供了粗糙的可编程性，其中仅包含一些具有少量选项的固定功 能。新型 UDB 架构在配置精细程度和高效实现两者之间取得了 最佳平衡。这种方法的核心是提供根据应用需求定制器件数字操 作的能力。 图 7-3. PLD 12C4 结构 PT4 PT5 PT6 PT7 ⣦ᘱ઼᧗ࡦ PLD 模块的主要用途是实现逻辑表达式、状态机、序列发生器、 查询表和解码器。在最简单的使用模型中，可将 PLD 模块视为单 独的资源，通用 RTL 会综合并映射到此资源。更为常见且有效的 使用模型是通过组合使用 PLD 和数据路径模块创建数字功能。其 中，PLD 仅实现功能的随机逻辑和状态部分，而数据路径（ALU） 则实现更多结构化元素。 PT3 ᰦ䫏઼༽ս ᧗ࡦ PLD 12C4 (8 PTs) PLD 12C4 (8 PTs) 7.2.1 PLD 模块 PT2 PLD 控制功能。 PT1 图 7-2. UDB 框图 时钟和复位模块 — 该模块能够提供 UDB 时钟以及复位选择和 PT0 为了实现这一点，UDB 包含了未赋定逻辑（PLD）、结构化逻辑 （数据路径）与灵活布线方案的组合，以便在这些元素、I/O 连接 以及其他外设之间提供互连能力。UDB 具有丰富的功能，从在一 个 UDB 甚至是 UDB 的一部分 （未使用的资源可供其他功能使 用）中实现的简单自包含功能，到需要多个 UDB 的更为复杂的 功能，应有尽有。基本功能的示例为定时器、计数器、CRC 发生 器、 PWM、死区发生器和通信功能，如 UART、 SPI 和 I2C。另 外，PLD 模块和连接在可用的资源上提供功能齐全的通用可编程 逻辑。 UDB 操作进行交互和同步的方式。 IN0 TC TC TC TC TC TC TC TC IN1 TC TC TC TC TC TC TC TC IN2 TC TC TC TC TC TC TC TC IN3 TC TC TC TC TC TC TC TC IN4 TC TC TC TC TC TC TC TC IN5 TC TC TC TC TC TC TC TC IN6 TC TC TC TC TC TC TC TC IN7 TC TC TC TC TC TC TC TC IN8 TC TC TC TC TC TC TC TC IN9 TC TC TC TC TC TC TC TC IN10 TC TC TC TC TC TC TC TC IN11 TC TC TC TC TC TC TC TC AND Array ᮠᦞ䐟ᖴ Carry In 䐟⭡䙊䚃 UDB 的主要组件模块包括： PLD模块 — 每个UDB有两个小型PLD。这些模块从连接阵列获 取输入，并构成寄存或组合 “ 乘积和 ” 逻辑。PLD 用于实现 状态机、状态位和组合逻辑方程。PLD 配置是从图元自动生成 的。 数据路径模块 — 这一 8 位宽的数据路径包含结构化逻辑，能够 实现可动态配置的 ALU、各种比较配置，以及条件生成。该模 块还包含输入 / 输出 FIFO，这些 FIFO 是 CPU/DMA 系统与 UDB 之间的主要并行数据接口。 文档编号：001-92498 版本 *A T T T T T T T T MC0 OUT0 T T T T T T T T MC1 OUT1 T T T T T T T T MC2 OUT2 T T T T T T T T MC3 OUT3 OR Array Carry Out 图 7-3 显示的是一个 12C4 PLD 模块。此 PLD 的 12 个输入能够 带动八个乘积项。每个乘积项 （AND 函数）的宽度可以是 1 到 12 个输入，并且在给定的乘积项中，可以选择每个输入的真值 （T）或补码 （C）。对乘积项求和（OR 函数）即可创建 PLD 输 出。总和的宽度可以是 1 到 8 个乘积项。12C4 中的 ‘C’ 表示 OR 门的宽度 （在本例中为 8）在所有输出中都不变 （而在 22V10 器件中是可变的）。这种类似于 PLA 的结构能够实现最大的灵活 性，并确保所有输入和输出都是可交换的，以便通过软件工具轻 松地进行分配。每个 UDB 中有两个 12C4 PLD。 页 47/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 7.2.2 数据路径模块 数据路径包含一个 8 位的单周期 ALU，并具有关联的比较和条件生成逻辑。此数据路径模块经过了优化，能够实现嵌入式功能，如定 时器、计数器、积分器、 PWM、 PRS、 CRC、移位器、死区生成器等。 图 7-4. 数据路径最高级别 PHUB System Bus R/W Access to All Registers F0 D1 Data Registers A0 A1 D0 D1 D0 To/From Previous Datapath A1 Conditions: 2 Compares, 2 Zero Detect, 2 Ones Detect Overflow Detect 6 FIFOs Datapath Control Input from Programmable Routing Input Muxes Dynamic Configuration RAM 8 Word X 16 Bit F1 Chaining Output Muxes 6 Output to Programmable Routing To/From Next Datapath Accumulators A0 PI Parallel Input/Output (To/From Programmable Routing) PO ALU Shift Mask 7.2.2.1 工作寄存器 数据路径包含六个主要工作寄存器，在正常操作的期间可通过 CPU 固件或 DMA 访问这些寄存器。 表 7-1. 工作数据路径寄存器 名称 功能 说明 A0 和 A1 累加器 这些寄存器是 ALU 的源和库 （sink），也是比较器的源。 D0 和 D1 数据寄存器 这些寄存器是 ALU 的源，也是 比较器的源。 F0 和 F1 FIFO 这些寄存器是系统总线的主要接 口。它们可以是数据寄存器和累 加器的数据源，或者从累加器或 ALU 捕获数据。每个 FIFO 的深 度为四个字节。 文档编号：001-92498 版本 *A 7.2.2.2 动态配置 RAM 动态配置指的是在序列发生器的控制下，按周期更改数据路径功 能和内部配置的能力。这是使用 8 字 x 16 位配置 RAM 实现的， 该 RAM 存储有八个具有唯一性的 16 位宽配置。该 RAM 的地址 输入用于控制序列，可以来自与 UDB 布线矩阵相连的任何模块 （最典型的是 PLD 逻辑、 I/O 引脚），或来自此数据路径模块或 其他数据路径模块的输出。 ALU ALU 能够执行八种通用功能。其中包括： 递增 递减 加 减 逻辑 AND 逻辑 OR 逻辑 XOR 传输，用于通过 ALU 将某值传输到移位寄存器、掩码寄存器或 其他 UDB 寄存器 页 48/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 除了 ALU 运算之外，还能够提供以下功能： 7.2.2.7 链路 向左移位 向右移位 数据路径可被配置为将条件和信号（例如进位和移位数据）同相 邻数据路径进行链接，以便创建准确度更高的算术、移位和 CRC/PRS 功能。 半字节交换 7.2.2.8 时间复用 按位 OR 屏蔽 在过采样或不需要高时钟频率的应用中，可以与两组寄存器和条 件生成器有效地分享数据路径中的单个 ALU 模块。来自 ALU 的 进位和移出数据会被寄存起来，并可在后续周期中选作输入。这 样一来，便可以在一个 （8 位）数据路径中支持 16 位功能。 7.2.2.3 条件 每个数据路径包含两个比较操作，并具有位掩码选项。比较操作 数包括由两个累加器和两个数据寄存器组成的各种配置。其他条 件包括零检测、全一检测和溢出。这些条件是主要的数据路径输 出，其中有些可输出到 UDB 走线矩阵中。条件计算可以使用连 接到相邻 UDB 的内置链路，以在较宽的数据宽度上进行运算，而 无需使用走线资源。 7.2.2.4 变量 MSB 算术和移位功能的最高有效位可通过编程方式指定。变量 MSB 支持可变宽度 CRC 和 PRS 功能，而且通过与 ALU 输出掩码相 结合，可实现任意宽度的定时器、计数器和移位模块。 7.2.2.5 内置 CRC/PRS 数据路径包含对以下内容的内置支持：任意宽度和任意多项式的 单周期循环冗余校验 （CRC）计算和伪随机序列 （PRS）生成。 长度超过 8 位的 CRC/PRS 功能可通过结合使用 PLD 逻辑来实 现，而内置链路可用于将该功能扩展至相邻 UDB。 7.2.2.6 输入 / 输出 FIFO 每个数据路径包含两个 4 字节深的 FIFO，这些 FIFO 可单独配置 为输入缓冲区（系统总线写入到 FIFO，数据路径内部读取FIFO） 或输出 缓 冲 区 （数 据路 径 内 部 写 入 到 FIFO，系 统 总线读取 FIFO）。FIFO 能够生成状态，这些状态可被选为数据路径输出， 从而可连接至走线，以便与序列发生器、中断或 DMA 进行交互。 图 7-5. FIFO 配置示例 ㌫㔏ᙫ㓯 ㌫㔏ᙫ㓯 F0 F0 F1 D0/D1 A0/A1/ALU A0/A1/ALU A0/A1/ALU D0 A0 D1 A1 F1 F0 F1 7.2.2.9 数据路径 I/O 有六个输入和六个输出用于将数据路径连接到走线矩阵。来自走 线的输入能够为在每个周期中执行的数据路径操作提供配置，此 外还能够提供串行数据输入。输入可以来自其他 UDB 模块、其 他器件外设、器件 I/O 引脚等。走线的输出可从生成的条件和串 行数据输出中选择。输出可以连接到其他 UDB 模块、器件外设、 中断和 DMA 控制器、 I/O 引脚等。 7.2.3 状态和控制模块 该模块的主要用途是协调CPU固件与内部UDB操作之间的交互。 图 7-6. 状态和控制寄存器 ㌫㔏ᙫ㓯 8ս⣦ᘱᇴᆈಘ ˄ਚ䈫˅ 8ս᧗ࡦᇴᆈಘ ˄߉/䈫˅ 䐟⭡䙊䚃 控制寄存器的位（可由系统总线对其进行写操作）用于驱动到走 线矩阵中，从而使固件能够控制 UDB 处理的状态。状态寄存器 是只读寄存器，允许将内部 UDB 状态从内部走线直接读出到系 统总线中。因此，固件能够监控 UDB 处理的状态。这些寄存器 的每个位都具有至走线矩阵的可编程连接，并且根据应用要求建 立这些走线连接。 7.2.3.1 用法示例 ㌫㔏ᙫ㓯 ㌫㔏ᙫ㓯 作为控制输入的示例，可以将控制寄存器中的某个位分配为功能 使能位。有多种方法可以使能功能。其中一种方法中，控制位输 出会连接到一个或多个UDB中的时钟控制模块，并作为所选UDB 模块的时钟使能位使用。一个状态示例是，PLD 或数据路径模块 生成了某个条件后的情况，例如由状态寄存器捕获并锁存，随后 由 CPU 固件读取 （并清除）的 “ 比较结果为真 ” 条件。 TX/RX 文档编号：001-92498 版本 *A 页 49/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 7.2.3.2 时钟生成 UDB 的每个子组件模块 （包含两个 PLD、数据路径、以及状态 和控制模块）都拥有一个时钟选择和控制模块。这不仅能够提升 为 UDB 组件模块分配时钟资源的精细程度，并且允许其他功能 使用未使用的 UDB 资源来最大限度地提高系统效率。 例如阵列左上角的 8 位定时器。该功能仅需要使用 UDB 中的一 个数据路径，因此 PLD 资源可分配给其他功能。对于正交解码器 等功能，一个 UDB 所提供的 PLD 逻辑可能无法满足其需求，在 这种情况下，可以利用 8 位定时器 UDB 中未使用的 PLD 模块。 UDB 阵列中的可编程资源通常是同质资源，因此功能可映射到阵 列中的任意边界。 7.3 UDB 阵列说明 图 7-8. 一组 UDB 中的功能映射示例 图 7-7. 数字系统接口结构 8-Bit Timer Quadrature Decoder UDB UDB HV A UDB UDB 16-Bit PYRS UDB UDB HV A 8-Bit SPI HV B UDB HV B UDB 8-Bit Timer Logic UDB I2C Slave 12-Bit SPI UDB HV A 16-Bit PWM HV B UDB UDB System Connections HV B Sequencer 图 7-7 显示了一个由 16 个 UDB 组成的阵列示例。除了阵列内核 之外，在阵列的顶端和底端还有 DSI 走线接口。其他未明确显示 出来的接口包括用于总线和时钟分配的系统接口。UDB 阵列包含 多个横向和纵向布线通道，每个通道由 96 条线路组成。这些通 往 UDB 的线路连接在横向 / 纵向交叉点和 DSI 接口处具有高度 的可交换性，能够在 PSoC Creator 中提供高效的自动布线。此 外，走线还允许按线路分段沿着纵向和横向连接，从而进一步提 升走线的灵活性和能力。 UDB UDB UDB HV A HV B UDB HV A HV B HV A Logic HV A HV B HV A HV B UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UDB UART UDB UDB 12-Bit PWM 7.4 DSI 走线接口说明 HV B UDB HV A UDB HV A HV B UDB HV B HV A 图 7-9 说明了数字系统互连的概念，数字系统互连能够将 UDB 阵 列走线矩阵与其他器件外设相连。任何需要可编程走线的数字系 统内核或固定功能外设都会连接到该接口。 UDB HV A HV B System Connections 7.3.1 UDB 阵列可编程资源 图 7-8 显示了一个如何将功能映射到一组 UDB（16 个 UDB）的 示例。 UDB 的主要可编程资源包括两个 PLD、一个数据路径和 一个状态 / 控制寄存器。这些资源都是独立分配的，因为它们拥 有可独立选择的时钟，所以未使用的模块可分配给其他不相关的 功能。 文档编号：001-92498 版本 *A DSI 走线接口是横向和纵向走线通道在 UDB 阵列内核顶端和底 端的延伸。它能够在器件外设 （包括 UDB、 I/O、模拟外设、中 断、 DMA 和固定功能外设）之间提供通用的可编程走线。 属于此类别的信号包括： 来自系统中所有数字外设的中断请求。 来自系统中所有数字外设的 DMA 请求。 需要灵活布线到 I/O 的数字外设数据信号。 需要连接至 UDB 的数字外设数据信号。 至中断和 DMA 控制器的连接。 至 I/O 引脚的连接。 至模拟系统数字信号的连接。 页 50/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 7-9. 数字系统互连 Tim ers C ounters Interrupt C ontroller I2C DMA C ontroller IO Port Pins G lobal C locks 当 I/O 引脚连接至走线时，会提供两个主要连接，即输入和输出 连接。如与驱动强度控制相结合，这样可以实现双向 I/O 引脚。 数据输出信号具有单同步 （流水线式）选项，数据输入信号具有 双同步选项。同步时钟是主设备时钟 （请参见图 6-1）。通常如 果 CPU 同该信号或由 CPU 派生的所有信号进行了交互，那么所 有来自引脚的输入都是同步的。很少使用异步输入。例如，通过 组合的 PLD 逻辑将信号从输入引脚传输到输出引脚。 图 7-11. I/O 引脚同步走线 D igital System R outing I/F DO UDB ARRAY DI D igital System R outing I/F 图 7-12. I/O 引脚输出连接 8 IO Data Output Connections from the UDB Array Digital System Interface G lobal C locks I/O Port Pins EM IF D el-Sig D AC C om parators 在 CY8C32 可编程架构中，中断和 DMA 的布线非常灵活。除了 可以生成中断请求的众多固定功能外设之外，UDB 阵列路由中的 任何数据信号也都能用来生成请求。单个外设可以生成多个独立 的中断请求，从而可简化系统和固件设计。图7-10显示了IDMUX （中断 DMA 复用器）的结构。 DO PIN 0 DO PIN1 DO PIN2 DO PIN3 DO PIN4 DO PIN5 DO PIN6 DO PIN7 图 7-10. IDMUX 中的中断和 DMA 处理 Port i Interrupt and DMA Processing in IDMUX Fixed Function IRQs 0 1 IRQs UDB Array 2 Edge Detect Interrupt Controller 3 此外，还有 4 个 DSI 走线连接至给定的 I/O 端口，以便实现引脚 的动态输出使能控制。这种连接提供了一系列选项，其中包括由 一个信号控制且完全组合的 8 位，以及多达四个单独控制的引 脚。输出使能信号对创建三态双向引脚和总线非常有用。 图 7-13. I/O 引脚输出使能连接 4 IO Control Signal Connections from UDB Array Digital System Interface DRQs DMA termout (IRQs) 0 Fixed Function DRQs 1 Edge Detect DMA Controller 2 7.4.1 I/O 端口走线 共有 20 个连接至典型 8 位 I/O 端口的 DSI 走线，其中 16 个用于 数据布线， 4 个用于驱动强度控制。 OE PIN 0 OE PIN1 OE PIN2 OE PIN3 OE PIN4 OE PIN5 OE PIN6 OE PIN7 Port i 文档编号：001-92498 版本 *A 页 51/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 7.5 USB 7.6 定时器、计数器和 PWM PSoC 包含专用的全速 （12 Mbps） USB 2.0 收发器，支持所有 四种 USB 传输类型：即控制传输、中断传输、批量传输和同步 传输。 PSoC Creator 提供全面的配置支持。 USB 通过两个专用 的 USBIO 引脚与主机连接。有关详细信息，请参考第 38 页上的 I/O 系统与路由一节中介绍的内容。 定时器 / 计数器 /PWM 外设是一种 16 位的专用外设，能够提供 三种最常用的嵌入式外设功能。几乎所有嵌入式系统都会使用定 时器、计数器和 PWM 的某种组合。该 PSoC 器件系列中包含四 个定时器、计数器和 PWM 实例，此外，还可以根据需要在通用 数字模块 （UDB）中实例化更多、更高级的定时器、计数器和 PWM。 PSoC Creator 允许设计人员选择他们所需要的定时器、 计数器和PWM功能。该工具集能够利用大多数可用的最优资源。 USB 包含以下特性： 八个单向数据端点 一个双向控制端点 0 （EP0） 由八个数据端点共享的 512 字节缓冲区 EP0 专用的 8 字节缓冲区 三种存储器模式 不带 DMA 访问的手动存储器管理功能 带手动 DMA 访问的手动存储器管理功能 带自动 DMA 访问的自动存储器管理功能 用于收发器的内部 3.3 V 电压调节器 自动锁定为 USB 总线时钟的内部 48 MHz 主振荡器模式，不需 要为 USB 提供外部晶振 （而仅需要配备了 USB 的芯片） 借助通过 DSI 走线连接的输入和输出信号，定时器 / 计数器 PWM 外设可从多个时钟源中进行选择。借助 DSI 走线，可以通过 DSI 访问至任何器件引脚及任何内部数字信号的输入和输出连接。四 个实例中的每一个都具有比较输出、终端计数输出（可选互补比 较输出）和可编程中断请求线。定时器 / 计数器 /PWM 可配置为 自由运行、单触发或受 “ 使能 ” 输入控制。该外设具有定时器 复位和捕获输入，以及控制比较器输出的 ‘kill’ 输入。该外设 全面支持 16 位捕获。 定时器 / 计数器 / PWM 功能包括： 16 位定时器 / 计数器 / PWM （仅限递减计数） 可选时钟源 PWM 比较器（可针对 LT、LTE、EQ、GTE、GT 进行配置） 在总线上及每次发生端点事件时生成中断，带器件唤醒 在启动、复位和到达终端计数时重新加载周期 USB 复位、暂停和恢复操作 在到达终端计数、比较结果为真或捕获时生成中断 总线供电和自供电模式 动态计数器读操作 图 7-14. USB 定时器捕获模式 System Bus Arbiter SIE (Serial Interface Engine) “ 确认 Enable 信号时进行计数 ” 模式 512 X 8 SRAM 自由运行模式 External 22 D+ Resistors USB I/O Interrupts 48 MHz IMO 单触发模式 （在设定的时间长度结束后停止） 带死区的互补 PWM 输出 D– PWM 输出非同步停止输入 图 7-15. 定时器 / 计数器 /PWM Clock Reset Enable Capture Kill 文档编号：001-92498 版本 *A Timer / Counter / PWM 16-bit IRQ TC / Compare! Compare 页 52/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 7.7 I2C I2C 特性包括： PSoC 包括一个固定功能 I2C 外设。在 PSoC Creator 中，可以 根据需要使用通用数字模块 （UDB）来实例化更多 I2C 接口。 从设备和主设备、发射器以及接收器操作 I2C 外设提供了一个同步的两线接口，旨在将 PSoC 器件与两线 I2C 串行通信总线相连。它与 NXP I2C 总线规范和用户手册 （UM10204）定义的 I2C 标准模式、快速模式和超快速模式的设 备兼容 [13]。可以使用处于开漏模式的 GPIO 或 SIO 来实现 I2C 总线 I/O。 为了消除过多的 CPU 干预和开销，针对状态检测和帧划分位生 成提供了 I2C 相关支持。 I2C 可以充当一个从设备、主设备或多 主设备 （从设备和主设备）模式 [14]。在从设备模式下，该单元 始终侦听开始发送或接收数据的 “ 开始 （Start）” 条件。主设 备模式能够提供生成 “ 开始 ” （Start）和 “ 停止 ” （Stop） 条件并启动数据操作的功能。多主设备模式能够提供时钟同步和 仲裁功能，允许同一个总线上存在多个主设备。如果主设备模式 处于启用状态而从设备模式未处于启用状态，则该模块不会在发 生外部生成的 “ 开始 ” 条件时生成中断。 I2C 通过 DSI 走线进 行连接，并允许直接连接到任何 GPIO 或 SIO 引脚。 I2C 能够提供对 7 位地址的硬件地址检测，而无需 CPU 干预。此 外，器件还可以在 7 位硬件地址匹配时从低功耗模式唤醒。如果 需要唤醒功能，I2C 引脚只能连接到两组特殊的 SIO 引脚中的一 组。请参考 第 12 页上的引脚说明中的 SCL 和 SDA 引脚说明。 字节处理，只需很少的 CPU 开销 中断或轮循 CPU 接口 支持高达 1 Mbps 的总线速度 7 位或 10 位寻址 （10 位寻址需要固件支持） SMBus 操作 （通过固件支持 — UDB 中的硬件支持 SMBus） 7 位硬件地址比较 在地址匹配时从低功耗模式唤醒 短时脉冲过滤 （仅针对活动模式和备用活动模式） 数据传输所遵循的格式如图 7-16 所示。在 START 条件发生后， 将发送一个从设备地址。该地址的长度为 7 位，后面跟随的第 8 位为数据方向位 （R/W）— ‘0’ 表示传输 （写），而 ‘1’ 则 表示数据请求（读）。数据传输总是以一个由主设备生成的STOP 条件作为终止标志。 图 7-16. I2C 完整的传输时序 SDA 1-7 SCL START Condition ADDRESS 8 9 R/W ACK 1-7 8 DATA 7.7.1 外部电气连接 9 ACK 1-7 8 DATA 9 ACK STOP Condition 图 7-17. 器件与 I2C 总线连接情况 所示，I2C 如图 7-17 总线上要有外部上拉电阻（RP）。这些电阻 主要由供电电压、总线速度和总线电容确定。有关计算设计中上 拉电阻最佳值的详细信息，建议参考 www.nxp.com 网站所提供 的 UM10204 I2C 总线规范和用户手册版本 6 或更高版本。 注释： 13. I2C 外设在以下范围内不符合 NXP I2C 规范：模拟短时脉冲滤波器、 I/O VOL/IOL、 I/O 迟滞。 I2C 模块带有数字短时脉冲滤波器 （在睡眠模式下无效）。通过将各个 I/O 设置为慢速模式可以满足在快速模式下的最小下降时间规范。更多详细信息，请参考第 77 页上的输入和输出一节节中的 I/O 电气规范。 14. 固定模块 I2C 不支持未定义的总线条件，也不支持设备模式中的重复启动操作。应避免这些条件，或使用基于 UDB 的 I2C 组件替代它。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 53/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 对于大多数设计，使用表 7-2 中提供的默认值，不需要任何计算 仍能提供良好的性能。选择默认值，作为下限和上限之间的电阻 标准值。表 7-2 中所显示的各个值适用于以下设计：1.8 V 到 5.0 V VDD、小于 200 pF 的总线电容 （CB）、高达 25 µA 的总输入 漏电流 （IIL）、高达 0.4 V 输出电压电平 （VOL）以及 VIH 最大 值为 0.7 * VDD。标准模式和快速模式可以使用 GPIO 引脚，也可 使用 SIO PSoC 引脚。强快速模式需要使用 SIO 引脚，这样能够 在电流为 20 mA 时满足 VOL 规范。需要计算自定义的上拉电阻 值；如果您的设计不符合默认的假设，那么需要使用串联电阻 （RS）来限制引入的噪声，或需要最大化电阻值，从而降低功 耗。 公式参数： 表 7-2. 推荐的上拉电阻默认值 IIH = 总线上所有器件的总输入漏电流 标准模式 — 100 kbps 4.7 k， 5% 单位 快速模式 — 400 kbps 1.74 k， 1% 620， 5% RP 快速模式 Plus — 1 Mbps 计算理想的上拉电阻值会需要各限制的值，通过 NXP I2C 规范中 详细介绍的三个公式来设置这些限制。这些公式分别为： 公式 1： R PMIN = V DD max – V OL max I OL min 公式 2： R PMAX = T R max 0.8473 C B max VDD = I2C 总线额定供电电压 VOL = 总线器件最大输出低电压 IOL= I2C 规范中的低电平输出电流 TR = I2C 规范中的总线上升时间 CB = 包含引脚和 PCB 走线的每条总线的电容 VIH = 所有总线器件的最小高电平输入电压 VNH = 在 I2C 规范中高电平输入噪声的最小裕度 受 总 线 器 件 最 大 低 输 出 电 压 （VOL）规 范 的 限 制，供 电 电 压 （VDD）限制了最小上拉电阻值。上拉电阻越小，通过引脚的电 流则越大，因此会超过 VOH 的规范条件的限制。通过使用欧姆定 律导出公式 1，用于确定最小阻抗，该值将在下面的条件下满足 VOL 规范：在标准与快速模式下的 3 mA、快速模式下的 3 mA 以 及在给定的 VDD。 公式 2 可确定由总线电容引起的最大上拉电阻值。总线总电容是 指总线上所有引脚、线以及走线引起的电容。总线电容越大，上 拉电阻则越低，从而能够根据 RC 延迟来满足指定总线速度上升 时间。选择一个比允许的更大的上拉电阻会使时序要求失败，从 而引起通信错误。对于具有五个或更少 I2C 的器件以及长度达 20 厘米的总线走线设计，那么总线电容将小于 100 pF。 限制最大上拉电阻值的第二个作用是按公式 3 计算出总线总漏电 流。漏电流主要来自总线连接的 I/O 引脚。如果漏电流过高，那 么上拉电阻将难以维持可接受的 VIH 电平，从而引起通信错误。 对于总线上具有五个或更少的 I2C 器件的设计，总漏电流小于 10 µA。 公式 3： R PMAX = V DD min – V IH min + V NH min I IH max 文档编号：001-92498 版本 *A 页 54/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 高分辨率 Delta-Sigma ADC。 8. 模拟子系统 可编程模拟系统能够针对应用创建标准和高级模拟信号处理模块 的组合。这些模块随后将互连，并与器件上的任意引脚相连，从 而提供高度的设计灵活性和 IP 安全性。下面列出了模拟子系统的 功能，以便用户对这些功能和架构有一个大概的了解。 模拟全局总线、模拟复用器总线和模拟局部总线提供灵活、可 一个 8 位 DAC，能够提供电压或电流输出。 两个电压比较器，包含至可配置 LUT 输出的可选连接。 CapSense 子系统，用于使能电容式触摸感应。 高精度参考电压，用于为内部模拟模块生成精确的模拟电压。 配置的模拟路由架构。 A N A L O G GPIO Port DelSig ADC 图 8-1. 模拟子系统框图 A N A L O G Precision Reference DAC Comparators R O U T I N G CMP R O U T I N G CMP CapSense Subsystem Analog Interface DSI Array Clock Distribution Config & Status Registers PHUB GPIO Port CPU Decimator PSoC Creator 软件程序提供了一个易于使用的界面，以便配置 GPIO 与各种模拟资源之间的连接以及从一个模拟资源到另一个模拟资 源的连接。PSoC Creator 同样也提供了组件库，借助这些组件库，可以配置各种模拟模块，以执行特定于应用的功能。该工具还能够 生成 API 接口库，以便对允许在模拟外设与 CPU/ 存储器之间进行通信的固件进行写操作。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 55/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 8.1 模拟布线 8 个模拟局部总线（ABUS），用于在不同的模拟模块之间连接 CY8C32 器件系列拥有灵活的模拟布线架构，能够连接 GPIO 和 不同的模拟模块，并可以在不同的模拟模块之间路由信号。这种 灵活的走线架构拥有众多优势，其中之一是允许将输入和输出连 接动态走线到不同的模拟模块。 复用器和开关，用于模拟模块的输入和输出选择 有关如何为实现最佳模拟布线来选择引脚的相关信息，请参考应 用笔记， AN58304 — PSoC® 3 与 PSoC® 5 — 模拟设计的引脚 选择。 8.1.1 特性 灵活、可配置的模拟布线架构 16 个模拟全局总线 （AG）和两个模拟复用器总线 （AMUXBUS），用于连接通用 I/O 和模拟模块 信号 8.1.2 功能说明 模拟全局总线 （AG）和模拟复用器总线 （AMUXBUS）能够在 GPIO 与各种模拟模块之间提供模拟连接。CY8C32 系列中有 16 个 AG。模拟布线架构分为四个象限，如图 8-2 所示。每个象限 拥有四个模拟全局总线 （AGL[0..3]、 AGL[4..7]、 AGR[0..3]、 AGR[4..7]）。每个 GPIO 都通过模拟开关连接到相应的模拟全局 总线。模拟复用器总线是共享的走线资源，通过模拟开关连接到 每个 GPIO。CY8C32 中有两个 AMUXBUS 走线，其中一个在左 半部分 （AMUXBUSL），另一个在右半部分 （AMUXBUSR）， 如图 8-2 所示。 每个 GPIO 都连接到一个模拟全局总线和一个模拟复用器总线 文档编号：001-92498 版本 *A 页 56/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 8-2. CY8C32 模拟互连 * * * * * * * ExVrefL2 GPIO P3[5] GPIO swinp P3[4] GPIO swinn P3[3] GPIO P3[2] GPIO P3[1] GPIO P3[0] GPXT *P15[1] GPXT *P15[0] 3210 76543210 swinn * swfol swinn * * i0 LPF in0 swout abuf_vref_int (1.024V) in1 out0 swin swout out1 abuf_vref_int (1.024V) swin ExVrefR comp1 + cmp1_vref refbufl_ cmp cmp0_vref (1.024V) cmp1_vref GPIO P4[2] GPIO P4[3] GPIO P4[4] GPIO P4[5] GPIO P4[6] GPIO P4[7] comp0 + - COMPARATOR refbufr_ cmp i2 * cmp_muxvn[1:0] vref_cmp1 (0.256V) cmp1_vref bg_vda_res_en Vdda bg_vda_swabusl0 refbufr out ref in refbuf_vref1 (1.024V) refbuf_vref2 (1.2V) refsel[1:0] Vssa vssa * P15[7] VIDAC USB IO * P15[6] GPIO P5[7] GPIO P5[6] GPIO P5[5] GPIO P5[4] SIO P12[7] SIO P12[6] GPIO * P1[7] GPIO * P1[6] dac_vref (0.256V) + DSM0 - vssa DSM vcm refs qtz_ref vref_vss_ext dsm0_qtz_vref2 (1.2V) dsm0_qtz_vref1 (1.024V) Vdda/3 Vdda/4 ExVrefL 01 23456 7 0123 3210 76543210 LPF AGL[3] AGL[2] AMUXBUSL * Vbat Vssd Ind Vssb Vboost * * * Large ( ~200 Ohms) * Switch Resistance Small ( ~870 Ohms ) GPIO P5[0] GPIO P5[1] GPIO P5[2] GPIO P5[3] GPIO P1[0] GPIO P1[1] GPIO P1[2] GPIO P1[3] GPIO P1[4] GPIO P1[5] GPIO P2[5] GPIO P2[6] GPIO P2[7] SIO P12[4] SIO P12[5] GPIO P6[4] GPIO P6[5] GPIO P6[6] GPIO P6[7] * * Connection * * Mux Group Switch Group AGR[3] AGR[2] AGR[1] AGR[0] AMUXBUSR XRES * AGL[1] AGL[0] AGR[0] AMUXBUSR VBE Vss ref Vddio1 TS ADC AMUXBUSR ANALOG ANALOG BUS GLOBALS AGR[3] AGR[2] AGR[1] : AGL[1] AGL[2] AGL[3] AMUXBUSL AGL[0] ANALOG ANALOG GLOBALS BUS * AMUXBUSL ExVrefR * vssd dsm0_vcm_vref1 (0.8V) dsm0_vcm_vref2 (0.7V) * * Vddio2 USB IO v0 DAC0 i0 vcmsel[1:0] Vssd Vddd ABUSR0 ABUSR1 ABUSR2 ABUSR3 * * Vddd GPIO P6[0] GPIO P6[1] GPIO P6[2] GPIO P6[3] GPIO P15[4] GPIO P15[5] GPIO P2[0] GPIO P2[1] GPIO P2[2] GPIO P2[3] * GPIO P2[4] * ABUSL0 ABUSL1 ABUSL2 ABUSL3 * * Vssd Vccd * Vccd AGR[4] AMUXBUSR refsel[1:0] AGR[7] AGR[6] AGR[5] CAPSENSE out ref in refbufl refbuf_vref1 (1.024V) refbuf_vref2 refbuf_vref2 (1.2V) (1.2V) * 01 2 3 456 7 0123 * AGL[6] AGL[7] AGR[4] AGR[5] AGR[6] AGR[7] * * AGL[4] AGL[5] * * * ExVrefL ExVrefL1 * * * AMUXBUSR AMUXBUSL AGL[4] AGL[5] AGL[6] AGL[7] Vddio3 GPIO P3[6] GPIO P3[7] SIO P12[0] SIO P12[1] GPIO P15[2] GPIO P15[3] AMUXBUSL Vssd swinp swinp GPIO P0[4] GPIO P0[5] GPIO P0[6] GPIO P0[7] Vcca Vssa Vdda SIO P12[2] SIO P12[3] GPIO P4[0] GPIO P4[1] GPIO P0[0] GPIO P0[1] GPIO P0[2] GPIO P0[3] Vddio0 swinn Notes: * Denotes pins on all packages LCD signals are not shown. Rev #60 13-Feb-2012 为了保留该图的细节，请使用 PDF 显示程序查看或在尺寸为 11" × 17" 的纸张上打印。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 57/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 模拟局部总线 （ABUS）是位于模拟子系统中的走线资源，用于 在不同的模拟模块之间路由信号。 CY8C36 中有 8 个 ABUS 走 线，其中 4 个在左半部分 （ABUSL [0:3]），另外 4 个在右半部 分 （ABUSR [0:3]），如图 8-2 所示。通过使用 ABUS，在互连 模拟模块时可省去模拟全局总线和模拟复用器总线。 复用器和开关位于各种总线上，用于将信号输入和输出模拟模 块。复用器在任意时间都只能有一个连接，而开关可以同时有多 个连接。在图 8-2 中，复用器用灰色的椭圆形表示，开关用透明 的椭圆形表示。 8.2 Delta-sigma ADC CY8C32 器件包含一个 Delta Sigma ADC。该 ADC 能够提供差 分输入、高分辨率和卓越的线性度，是测量应用的绝佳 ADC 选 择。可以对转换器进行配置，以便在数据速率高达 192 ksps 时输 出 12 位的分辨率。如果时钟频率固定，那么可通过降低分辨率 来实现更快的数据速率，如表 8-1 和图 8-3 所示。 8.2.1 功能说明 模数转 换器能 够连接 和配置 三个基 本组件，即 输入 缓冲区、 delta-sigma 调制器和抽取滤波器。基本框图如图 8-4 所示。来自 输入复用器的信号会直接或通过输入缓冲区传输到 delta-sigma 调制器。 Delta-sigma 调制器用于执行实际的模数转换。调制器 会对输入进行过采样，并生成串行数据流输出。如果不经过一定 的后期处理，这种高速数据流对大多数应用而言都毫无用处，因 此它们会通过模拟接口模块传送到抽取滤波器。抽取滤波器会将 高速串行数据流转换成并行 ADC 结果。调制器 / 抽取滤波器频率 响应为 [(sin x)/x]4。 图 8-4. Delta-sigma 模数转换器框图 Positive Input Mux (Analog Routing) Negative Input Mux 表 8-1. Delta-sigma 模数转换器性能 位数 12 最大采样率 （sps） 192 k SINAD （dB） 66 8 384 k 43 Input Buffer Delta Sigma Modulator Decimator 12 to 20 Bit Result EOC SOC 分辨率和采样率由抽取滤波器控制。数据会传送到抽取滤波器， 而输出由最后四个样本决定。当切换输入复用器时，直到切换后 的第四个样本为止，输出数据都无效。 8.2.2 工作模式 图 8-3. Delta-sigma 模数转换器采样率，范围 = ±1.024 V 用户可以将 ADC 配置为下列四种模式之一：单样本采样模式、多 样本采样模式、连续采样模式或多样本 （加速）采样模式。所有 四种模式都通过写入到控制寄存器中的开始位或发出开始转换 （SOC）信号启动。转换完成后，会设置状态位，输出信号结束 转换（EOC）将置为高电平，并且在该值被 DMA 控制器或 CPU 读取之前将一直保持高电平。 1,000,000 采样率 （单位为 sps） 100,000 10,000 1,000 Continuous Multi-Sample ???????“?”? 100 7 8 9 文档编号：001-92498 版本 *A 10 11 12 13 页 58/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 8.2.2.1 单样本采样模式 8.2.3 开始转换输入 在单样本采样模式下，ADC 在触发时执行一次样本转换。在这种 模式下， ADC 会保持待机状态，以等待发出 SOC 信号。当发出 SoC 信号时， ADC 将执行四次连续转换。前三次转换将启动抽 取滤波器。经过第 4 次转换之后，ADC 结果有效且可用，在此期 间将生成 EoC 信号。为了检测转换是否结束，系统可能会轮循控 制寄存器的状态或配置外部EoC信号，以便生成中断或调用DMA 请求。传输完成后，ADC 会重新进入待机状态，并且直到发生下 一个 SoC 事件之前将一直保持该状态。 SoC 信号用于开始 ADC 转换。数字时钟或 UDB 输出可用于驱动 该输入。它适用于采样周期必须长于 ADC 转换时间或者 ADC 必 须与其他硬件同步的应用场合。该信号是可选的，如果 ADC 采 用连续采样模式，则不需要连接该信号。 8.2.2.2 连续采样模式 8.3 电压比较器 连续采样模式用于对单个输入信号实施多次连续采样。不应在这 种模式下完成多路输入的复用。在第一个转换结果可用之前，有 三个转换时间的延迟。该时间为抽取滤波器启动所需时间。第一 个结果出来后，便可按照所选采样速率进行连续转换。 8.2.2.3 多样本采样模式 除了需要在采样之间复位 ADC 之外，多样本采样模式与连续采 样模式类似。输入在多个信号间切换时，该模式非常有用。在每 个样本之间会对抽取滤波器进行重新启动，因此之前的样本不会 影响当前的转换。每次采样完成之后，会自动开始下一个采样。 可以使用固件轮询、中断或 DMA 的方式传输结果。 有关输出格式的更多信息，请参考 《技术参考手册》中介绍的内 容。 8.2.4 结束转换输出 结束转换 （EoC）信号在每次 ADC 转换结束时都会变为高电 平。该信号可用于触发中断或 DMA 请求。 CY8C32 系列中的每个器件都包含两个电压比较器。电压比较器 具有以下特性： 输入偏移出厂预设值小于 5 mV 轨至轨共模输入范围 （VSSA 到 VDDA） 可使用以下三种模式中的一种在速度和功耗之间进行平衡： 快、慢或超低功耗 电压比较器输出可以连接到查询表，以便执行简单的逻辑功 能，然后还可以连接到数字模块。 可以选择使电压比较器的正向输入通过低通滤波器。提供了两 个滤波器 电压比较器输入可以连接到 GPIO 或 DAC 输出 8.3.1 输入和输出接口 电压比较器的正向和负向输入来自于模拟全局总线、模拟复用器 总线、模拟局部总线以及通过复用器的高准确度电压参考。每个 电压比较器的输出都可以连接到两个输入 LUT 中的任意一个。该 LUT 的输出会连接到 UDB 数字系统接口。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 59/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 8-5. 模拟电压比较器 From Analog Routing ANAIF + comp0 _ + comp1 4 4 LUT0 4 4 4 LUT1 4 LUT2 4 _ From Analog Routing 4 LUT3 UDBs 8.3.2 LUT CY8C32 系列器件包含四个 LUT。LUT 是一个双输入、单输出的 查询表，它由芯片中的任何一个或两个电压比较器驱动。任何 LUT 的输出都会连接到 UDB 阵列的数字系统接口。这些信号可 以从 UDB 阵列的数字系统接口连接到 UDB、 DMA 控制器、 I/O 或中断控制器。 写入寄存器的 LUT 控制字能够设置输出上的逻辑功能。可用的 LUT 功能和相关的控制字如表 8-2 所示。 文档编号：001-92498 版本 *A 表 8-2. LUT 函数与编程字和输入 控制字 0000b 0001b 0010b 0011b 0100b 0101b 0110b 0111b 1000b 1001b 1010b 1011b 1100b 1101b 1110b 1111b 输出 （A 和 B 都是 LUT 的输入） FALSE(‘0’) A AND B A AND (NOT B) A (NOT A) AND B B A XOR B A OR B A NOR B A XNOR B NOT B A OR (NOT B) NOT A (NOT A) OR B A NAND B TRUE(‘1’) 页 60/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 8.4 LCD 直接驱动器 8.4.1 LCD 段引脚驱动器 PSoC 液晶显示屏（LCD）驱动器系统是一种高度可配置的外设， 能够使 PSoC 直接驱动众多 LCD 显示屏。所有电压都在芯片上 生成，从而无需采用外部组件。借助高达1/16的复用率，CY8C32 系列 LCD 驱动器系统可以驱动多达 736 个段。此外，PSoC LCD 驱动器模块在设计时还充分考虑了便携器件的省电要求，能够采 用不同的 LCD 驱动模式和断电模式来达到省电的目的。 每个 GPIO 引脚均包含一个 LCD 驱动器电路。 LCD 驱动器能够 缓存 LCD DAC 的相应输出，以便直接驱动 LCD 的显示屏。寄存 器设置决定引脚是共模引脚还是段引脚。然后，引脚的 LCD 驱动 器会根据显示数据，选择六种偏置电压中的一种电压来驱动 I/O 引脚。 PSoC Creator 提供了一个 LCD 段驱动组件。借助组件向导，能 够轻松且灵活地配置 LCD 资源。您可以指定段引脚和共模引脚以 及其他选项。软件能够根据必要的规范对器件进行配置。这得益 于 PSoC 器件固有的可编程性。 PSoC LCD 段系统的关键特性包括： LCD 屏幕直接驱动 8.4.2 显示数据流 LCD 段驱动器系统会读取显示数据，并为 LCD 显示屏生成适当 的输出电压，以便产生所需的图像。显示数据会储存在系统 SRAM 的存储器缓冲区中。每次需要更改共模和段驱动器电压 时，下一组像素数据都会通过 DMA 从存储器缓冲区移至端口数 据寄存器内。 8.4.3 UDB 和 LCD 段控制 A 型 （标准）和 B 型 （低功耗）波形支持 静态、 1/2、 1/3、 1/4、 1/5 偏置电压电平 配置 UDB 以生成全局 LCD 控制信号和时钟。这组信号会通过一 组专用的 LCD 全局走线通道，布线到每个 LCD 引脚驱动器。除 了生成全局 LCD 控制信号以外， UDB 还会生成 DMA 请求，以 便启动下一帧 LCD 数据的传输。 通过内部电阻梯生成内部偏置电压 8.4.4 LCD DAC 总计多达 62 个共模输出和段输出 LCD DAC 能够为 LCD 系统生成对比度控制和偏置电压，并能够 基于所选的偏置率生成多达五个 LCD 驱动电压和接地电压。偏置 电压可根据需要输出到专用 LCD 偏置总线上的 GPIO 引脚。 能够针对 LCD 屏幕支持宽广的工作电压范围 （2 V 到 5 V） 高达 1/16 的复用率，最多能够实现 16 个背板 / 共模输出 多达 62 个前面板 / 段输出，能够实现直接驱动 总计能够驱动多达 736 个段 （16 个背板 x 46 个前面板） 最多 64 级可由软件控制的对比度 能够通过DMA将显示数据从存储器缓冲区移至LCD驱动器（无 需 CPU 干预） 可调整的 LCD 刷新率，范围介于 10 Hz 到 150 Hz 之间 能够反转 LCD 显示屏，从而显示负像 三种 LCD 驱动器驱动模式，能够优化功耗 图 8-6. LCD 系统 UDB LCD Driver Block DMA CapSense 系统为在触摸感应按键、滑条、接近检测等应用中测 量电容提供了一种通用而高效的方式。CapSense 系统使用一组 系统资源 （包括一些主要针对 CapSense 的硬件功能）。具体的 资源使用情况在 PSoC Creator 中的每个 CapSense 组件内进行 了详细说明。 它采用了一种使用 Delta-Sigma 调制器（CSD）的电容式感应方 法。使用开关电容技术以及 delta-sigma 调制器来提供电容式感 应功能，从而将感应电流转换为数字代码。 8.6 温度传感器 Die 温度用于建立对闪存进行写操作所需的编程参数。Die 温度是 使用专用的传感器，根据正向偏置晶体管测量得出的。温度传感 器有自己的辅助 ADC。 LCD DAC Global Clock 8.5 CapSense PIN Display RAM PHUB 文档编号：001-92498 版本 *A 页 61/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 8.7 DAC 用于电流输出的源和接收器选项 CY8C32 芯片包含一个数模转换器 （DAC）。该 DAC 为 8 位， 可针对电压或电流输出进行配置，并支持 CapSense、电源供电 调节以及波形生成。该 DAC 具有以下特性： 高速和低速 / 功耗模式 可在 255 个步长范围内调节的电压或电流输出 电压输出的转换速率为 1 Msps 可编程步长大小 （范围选择） 本质上是单调的 八位校准，能够更正 ±25% 的增益误差 数据和探针输入可由 CPU 或 DMA 提供，或从 DSI 直接路由 电流输出的转换速率为 8 Msps 大电流模式的专用低电阻输出引脚 图 8-7. DAC 框图 I source Range 1x , 8x , 64x Reference Source Scaler Vout R Iout 3R I sink Range 1x , 8x , 64x 8.7.1 电流 DAC 8.7.2 电压 DAC 电流 DAC（IDAC）可针对以下范围进行配置：0 到 31.875 µA、 0到255 µA，以及0到2.04 mA。IDAC可配置为拉电流或灌电流。 对于电压 DAC （VDAC） ，电流 DAC 输出会通过电阻路由。 VDAC 可以使用两个范围，即 0 到 1.02 V 以及 0 到 4.08 V。在 电压模式下，连接到 DAC 输出的任何负载都应该是纯容性负载 （VDAC 的输出不会被缓冲）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 62/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 9. 编程、调试接口与资源 PSoC 器件能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟踪提供广 泛的支持。共有三种接口：JTAG、SWD 和 SWV。JTAG 和 SWD 支持器件的所有编程和调试功能。 JTAG 还支持用于板级测试的 标准 JTAG 扫描链路，以及将多个 JTAG 器件链接至单个 JTAG 连接。 有关 PSoC 3 编程的更多信息，请参阅 PSoC® 3 器件编程规范。 借助完善的片上调试 （DoC）功能，可以使用标准的生产用器件 在最终系统中进行全面的器件调试。它不需要特殊的接口、调试 转接板、模拟器或仿真器。只需要标准的编程连接，即可全面支 持调试。 PSoC Creator IDE 软件能够为 PSoC 器件提供全面集成的编程 和调试支持。低成本的 MiniProg3 编程器和调试器的目的是与 PSoC Creator IDE 结合使用，为 PSoC 器件提供全面的编程和 调试支持。 PSoC JTAG、 SWD 和 SWV 接口均与行业标准的第 三方工具全面兼容。 所有 DOC 电路在默认情况下均处于禁用状态，并且只能在固件 中被使能。如果未使能，唯一的重新使能方法是擦除整个器件， 清除闪存保护，然后用新固件对器件进行重新编程，以便使能 DOC。禁用 DOC 功能、强大的闪存保护以及在 PSoC 器件中隐 藏定制模拟和数字功能，能实现多芯片应用解决方案不可能达到 的安全级别。此外，对于通过对器件恶意重新编程进行欺诈性攻 击的应用，可以永久禁用所有器件接口 （器件安全性）。在大多 数应用中，不建议永久禁用接口，因为这样一来，您将无法对器 件进行访问。由于在使能器件安全性 （Device Security）之后， 文档编号：001-92498 版本 *A 会禁用所有编程、调试和测试接口，因此已使能器件安全性的 PSoC 将不能退回进行失效分析。 表 9-1. 调试配置 调试与跟踪配置 所有调试和跟踪均被禁用 JTAG SWD SWV SWD + SWV GPIO 占用数 0 4或5 2 1 3 9.1 JTAG 接口 符合 IEEE 1149.1 标准的 JTAG 接口位于四个或五个引脚上 （nTRST 引脚是可选的）。JTAG 接口用于闪存编程、调试、I/O 扫描链路，以及 JTAG 器件链接。 PSoC 3 通过 JTAG 接口进入编程模式时，需要满足一些特定的 时序要求。由于这些时序要求，并不是所有标准 JTAG 编程器或 标准 JTAG 文件格式 （如 SVF 或 STAPL），都可以支持 PSoC 3 编程特性。在 http://www.cypress.com/go/programming 网站上 提供支持 PSoC 3 编程的编程器系列。 JTAG 时钟频率最高可达到 14 MHz，或 CPU 时钟频率的 1/3（8 位和 16 位传输），或 CPU 时钟频率的 1/5 （32 位传输）。默认 情况下，新器件上的 JTAG 引脚处于使能状态，但可以禁用 JTAG 接口，以便将这些引脚作为通用 I/O （GPIO）使用。 页 63/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 9-1. PSoC 3 和编程器之间的 JTAG 接口连接 VDD PSoC 3 主机编程器 VDD VDDD, VDDA, VDDIO0, VDDIO1, VDDIO2, VDDIO3 1, 2, 3, 4 TCK TCK (P1[1] TMS 5 TMS (P1[0]) 5 TDO TDI (P1[4]) TDI TDO (P1[3]) nTRST 6 nTRST (P1[5]) XRES XRES or P1[2] 4, 7 GND 6 VSSD, VSSA GND 1 主机编程器的电压电平需要位于编程PSoC 3时所涉及到的电压范围内。端口1 JTAG引脚和XRES引脚（XRES_N或P1[2]） 均由VDDIO1供电。因此，PSoC 3的VDDIO1要等于主机的电压电平VDD。PSoC 3的其他电压范围（VDDD、VDDA、VDDIO0、 VDDIO2、VDDIO3）无需等于主机编程器的电压。 2 Vdda必须不小于PSoC 3中所有其他电源电压（Vddd、Vddio）。 3 在电源循环模式下进行编程时，则不需要XRES引脚。但是主机编程器必须能够为PSoC 3切换电源（Vddd、Vdda、所有 Vddio的）。通常会需要使用外部接口电路来切换电源，具体情况取决于编程的设置。供电电源可以按照任意序列上电，但稳 定后，VDDA 必须不小于所有其他电源。 4 对于JTAG编程，通过使用PSoC 3的TMS、TCK、TDI、TDO引脚并将其写入到特定的寄存器内，也可以复位器件而不需要 连接到XRES引脚或电源周期模式。但是，NVL中的DPS设置不能等于“Debug Ports Disabled”（调试端口禁用）的设置。 5 除非用户更改了DPS设置，否则在默认情况下，PSoC 3被配置为4线JTAG模式。因此，TMS引脚是单向的。但如果DPS不 被配置为JTAG模式，则JTAG中的TMS引脚是双向的，因为需要使用SWD协议才能得到原始的PSoC 3器件。从SWD模式切 换为JTAG模式后，TMS引脚变为单向的。此时，TMS线上不能使用单向缓冲区。 6 由于默认设置为4线JTAG（nTRST被禁用），所以首次编程PSoC 3期间，不能使用nTRST JTAG引脚（P1[5]）来复位 JTAG TAP控制器。 7 如果主机使用了XRES引脚，则仅能将P1[2]默认配置为48引脚器件（没有专用XRES引脚）的XRES。对于具有专用XRES 引脚的器件，P1[2]默认配置为GPIO。因此，仅针对48引脚的器件将P1[2]作为复位引脚；对于其他器件都用XRES。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 64/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 9.2 串行线调试接口 SWD 接口是 JTAG 接口的首选替代接口。该接口只需要两个引 脚，而 JTAG 接口需要四个或五个引脚。SWD 能够提供 JTAG 接 口的所有编程和调试特性，并且运行速度相同。但 SWD 没有提 供对扫描链或器件链路的访问功能。 SWD 时钟频率最高可以达 到 CPU 时钟频率的 1/3。 SWD 使用两个引脚，可以是两个 JTAG 引脚 （TMS 和 TCK）， 也可以是 USBIO D+ 和 D- 引脚。 USBIO 引脚对于 USB 解决方 案的系统编程非常有用，如果没有 USBIO 引脚，则需要使用单 独的编程连接器。其中一个引脚用于数据时钟，另一个用于数据 输入和输出。在任意时间都只能在一个引脚对上使能 SWD。引 脚对（JTAG 或 USB）必须在复位后的 8 µs（“ 关键窗口 ” 时 间）内收到一个 1s 和 0s 的预定序列时，才会使能 SWD。 SWD 用于调试或编程闪存存储器。 可以通过 JTAG 接口来使能 SWD 接口，也可以禁用 SWD 接口， 以便将其引脚作为 GPIO 使用。与 JTAG 接口不同， SWD 接口 可以在 “ 关键窗口 ” 时间内随时从任意器件上重新获取。随后， 即可用于重新使能 JTAG 接口 （如果需要）。将 SWD 或 JTAG 引脚作为标准 GPIO 使用时，请确保 GPIO 功能和 PCB 电路不 会对 SWD 和 JTAG 的使用造成干扰。 图 9-2. PSoC 3 和编程器之间的 SWD 接口连接 VDD 主机编程器 VDDD, VDDA, VDDIO0, VDDIO1, VDDIO2, VDDIO3 1, 2, 3 VDD SWDCK SWDCK (P1[1] or P15[7]) SWDIO SWDIO (P1[0] or P15[6]) XRES or P1[2] 3, 4 XRES GND PSoC 3 GND VSSD, VSSA 1 主机编程器的电压电平需要位于编程PSoC 3时所涉及到的电压范围内。XRES引脚（XRES_N或P1[2]） 由VDDIO1供电。USB SWD引脚由VDDD供电。因此，使用USB SWD引脚和XRES引脚进行编程时，PSoC 3 的VDDD、VDDIO1要等于主机的电压电平VDD。PSoC 3的其他电压（VDDA、VDDIO0、VDDIO2、VDDIO3）无需等于 主机编程器的电压。端口1 SWD引脚都由VDDIO1供电。因此，使用端口1 SWD进行编程时，PSoC 3的 VDDIO1需要等于主机的VDD电压。PSoC 3的其他电压（ VDDD、VDDA、VDDIO0、VDDIO2、VDDIO3）无需等于主 机编程器的电压。 2 Vdda必需不小于PSoC 3中所有其他电源电压（Vddd、Vddio）。 3 如果在电源循环模式下进行编程，则不需要使用XRES引脚。但主机编程器必需能够为PSoC 3切换电源 （Vddd、Vdda、所有Vddio的）。通常需要使用外部接口电路来切换电源，具体情况取决于编程的设置。 供电电源可以按照任意序列上电，但稳定后，VDDA 必须不小于所有其他电源电压。 4 能将P1[2]默认配置为48引脚器件（没有专用XRES引脚）的XRES。对于具有专用XRES引脚的器件， P1[2]默认配置为GPIO。因此，仅针对48引脚的器件将P1[2]作为复位引脚；对于其他器件都使用专用的 XRES引脚。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 65/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 9.3 调试功能 9.7 器件安全性 使用 JTAG 或 SWD 接口时， CY8C32 支持以下调试功能： PSoC 3 提供了一项名为器件安全性的高级安全性功能，该功能 能够永久禁用所有测试、编程和调试端口，从而保护您的应用程 序不会遭到来自外部的访问。通过将 32 位密钥（0×50536F43） 设置为一次性写锁存器 （Write Once Latch, WOL），可激活器 件安全性。 暂停和单步执行 CPU 查看和更改 CPU 与外设寄存器，以及 RAM 地址 八个程序地址断点 一个存储器访问断点 — 可打断任意存储器地址和数据值的读 写操作 打断断点序列 （非递归） 全速调试 CPU 同 PSoC Creator 和 MiniProg3 编程器和调试器相兼容 标准的 JTAG 编程和调试接口使得 CY8C32 能够与其他流行的 第三方工具 （如 ARM/Keil）兼容 9.4 跟踪特性 使用 JTAG 或 SWD 时， CY8C32 支持以下跟踪功能： 跟踪 8051 程序计数器 （PC）、累加器寄存器 （ACC）以及单 个 SFR/8051 内核 RAM 寄存器 如果跟踪所有寄存器，跟踪可达1000条指令；如果只跟踪PC， 则跟踪可达 2000 条指令 （在含跟踪存储器的器件上） 程序地址触发器，用于启动跟踪功能 跟踪范围设定，即仅当 PC 位于给定范围之内时进行跟踪 两种处理 “ 跟踪缓冲区已满 ” 情况的模式：当跟踪缓冲区已满 时，继续 （覆盖最早的跟踪数据）或中断跟踪 9.5 单线浏览器接口 SWV 接口与 SWD 紧密关联，但也可以独立使用。 SWV 数据是 JTAG 接口 TDO 引脚上的输出。如果使用 SWV，则必须针对 SWD 而非 JTAG 配置器件。 JTAG 接口不支持 SWV。 SWV 非常适合进行应用程序调试，有助于固件输出数据 （类似 于 PC 上的 ‘printf’ 式调试）。此外， SWV 非常适合进行数据 监控，因为它只需要一个引脚，并且可以采用标准的 UART 格式 或 Manchester 编码格式输出数据。例如，它可用于调整 PID 控 制回路，把其中三个误差项输出和作绘图能够大大简化系数调整 工作。 SWV 支持以下功能： 32 个虚拟通道，每个通道的长度为 32 位 简单有效的包装和序列化协议 支持标准的 UART 格式 （N81） 9.6 编程特性 一次性写锁存器是一种非易失性锁存器 （NVL）。该单元本身是 一个带附加逻辑的 NVL。每个 WOL 器件包含四个字节（32 位） 的数据。如果包装器的绝大多数位 （32 位中的 28 位）与预定模 式 （0×50536F43）匹配，则它会输出 “1” ；如果达不到绝大 多数，则会输出 “0”。输出为 1 时，一次性写非易失性锁存器 会锁定未处于调试和测试模式的器件；此外，它还会永久禁用擦 除或更改锁存器内容的功能。由于不需要刻意匹配所有位，因此 单个或少数位不匹配不会把 WOL 输出置为无效。晶圆处理后的 NVL 位状态是完全随机的，不会集中趋向 1 或 0。 只有将正确的 32 位密钥 （0x50536F43）负载到 NVL 的易失性 存储器中，编程到 NVL 的非易失性单元中，并将器件复位后， WOL 才能锁定器件。 WOL 的输出仅在复位时被采样，并用于禁 用访问。此预防措施能够防止任何人读、擦除或更改内部存储器 的数据。 仅当未设置闪存保护时，用户才可以将密钥写入到 WOL 中，从 而禁止外部访问 （请参见第 24 页上的闪存安全性）。不过，在 设置 WOL 中的值以后，用户在器件复位前仍可以对其进行访问。 因此，用户可以将密钥写入到 WOL 中，编程闪存保护数据，然 后复位器件以将其锁定。 如果器件受某种 WOL 设置的保护，赛普拉斯将无法执行失效分 析，从而无法接受来自客户的 RMA。 WOL 可通过 SWD 端口来 读取，从而以电气方式识别受保护的器件。仅当未设置闪存保护 时，用户才可以将密钥写入到 WOL 中，从而禁止外部访问。有 关如何充分利用 PSoC 安全性功能的详细信息，请参见 PSoC 3 技术参考手册。 免责声明 请注意下面同赛普拉斯器件的闪存代码保护功能有关的详细信 息。 赛普拉斯产品符合相应的赛普拉斯数据手册中所包含的规范。赛 普拉斯坚信，不论如何使用，其产品系列的安全性在目前市场上 的同类产品中始终名列前矛。目前可能存在一些赛普拉斯不了解 的，能够破坏代码保护功能的方法。据我们所知，任何此类方法 都是不正当的，甚至可能是违法的。不只是赛普拉斯，任何其他 半导体制造商都无法保证各自代码的安全性。代码保护并非意味 着我们保证产品 “ 坚不可摧 ”。 赛普拉斯非常希望能够与关注其代码完整性的客户通力合作。代 码保护技术正在不断发展。持续改进产品的代码保护功能是赛普 拉斯的不懈追求。 JTAG 和 SWD 接口提供全面的编程支持。可以对整个器件进行 擦除、编程和验证。可以通过提高闪存保护级别来保护固件 IP。 只有在擦除整个器件后，才能重置闪存保护。如果模块的安全设 置允许，可以对个别闪存模块进行擦除、编程和验证。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 66/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 9.8 CSP 封装 Bootloader 10. 开发支持 所有提供 CSP 封装的器件都包含一个在工厂安装的 Bootloader 程序。Bootloader 与 PSoC Creator 3.0 bootloadable 项目文件相 兼容，并具有以下特性： 基于 I2C 10.1 文档 SCLK 和 SDAT 分别位于 P1[6] 和 P1[7] 引脚上 一套文档，为 CY8C32 系列提供支持，以确保您可以快速找到问 题的答案。本节列出了部分关键文档。 需要使用外部上拉电阻 I2C 从设备、地址 4、数据速率 = 100 kbps 软件用户指南：介绍了有关使用 PSoC Creator 的流程。该指南 详细介绍了 PSoC Creator 项目的构建流程、如何将源控件与 PSoC Creator 结合使用等信息。 单个应用 等待 2 秒后才执行引导加载指令 其他 bootloader 选项都是 PSoC Bootloader 组件的默认值 Creator 3.0 所设置的 占用闪存底部大小的 9 K 如需更多有关 bootloader 的信息，请查阅以下的赛普拉斯应用笔 记： AN89611：PSoC® 3 与 PSoC 5LP — 芯片级封装（CSP）入门 AN73854: PSoC 3 和 PSoC 5 LP Bootloader 说明 AN60317：PSoC 3 和 PSoC 5 LP I2C Bootloader 请注意，一 个 PSoC Creator Bootloadable 项 目 必须与一个 Bootloader 项目的 .hex 和 .elf 文件相联系，该 Bootloader 项目 已设定为目标器件。“Bootloader .hex” 和 “.elf” 文件可在 www.cypress.com/go/PSoC3datasheet 网站上找到。 可以使用 JTAG 或 SWD 编程来覆盖工厂安装的 Bootloader。 文档编号：001-92498 版本 *A CY8C32 系列具有一系列丰富的文档、开发工具和在线资源，能 够 在 开 发 过 程 中 为 您 提 供 帮 助。要 了 解 更 多 信 息，请 访 问 psoc.cypress.com/getting-started。 组件数据手册：PSoC 非常灵活，在投入生产很长时间后依然可 以创建新的外设 （组件）。组件数据手册提供了选择和使用特定 组件所需的全部信息，其中包括功能说明、 API 文档、示例代码 以及交流 / 直流规范。 应用笔记：PSoC 应用笔记深入讨论了 PSoC 的特定应用，例如 无刷直流电机控制和片上滤波。除了应用笔记文档之外，应用笔 记通常还包括示例项目。 技术参考手册：技术参考手册 （TRM）包含使用 PSoC 器件所 需的全部技术细节，其中包括所有 PSoC 寄存器的完整说明。 10.2 在线资源 除了印刷文档之外，您还可以随时通过赛普拉斯 PSoC 论坛，与 世界各地的 PSoC 用户和专家进行交流。 10.3 工具 CY8C32 系列具备工业标准的内核、编程和调试接口，是开发工 具体系的一个组成部分。有关易于使用的创新型 PSoC Creator IDE、所支持的第三方编译器、编程器、调试器和开发工具包的 最 新 信 息，请 访 问 我 们 的 网 站 www.cypress.com/go/psoccreator 。 页 67/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11. 电气规范 除非另有说明，否则这些规范的适用条件是 –40 °C TA 85 °C、TJ 100 °C 且电压范围为 1.71 V ~ 5.5 V。PSoC UDB 和模拟模块 具有独特的灵活性，这使得许多功能都可以在 PSoC Creator 组件中实现。有关各个功能的完整直流 / 交流规范，请参考组件数据手 册。有关 PSoC Creator 组件的进一步说明，请参考第 45 页上的外设示例一节中介绍的内容。 11.1 最大绝对额定值 表 11-1. 最大绝对额定值直流规范 [15] 参数 说明 VDDA 相对于 VSSA 的模拟供电电压 最小值 –0.5 VDDD 相对于 VSSD 的数字供电电压 –0.5 – VDDIO 相对于 VSSD 的 I/O 供电电压 –0.5 – 6 V VCCA 直接模拟内核电压输入 –0.5 – 1.95 V VCCD 直接数字内核电压输入 VSSA 模拟地电压 VGPIO[16] GPIO 的直流输入电压 VSIO SIO 的直流输入电压 VIND 升压转换器输入端电压 VBAT 升压转换器供电电压 IVDDIO 每个 VDDIO 供电引脚的电流 IGPIO ISIO 最大值 6 单位 V 6 V –0.5 – 1.95 V – VSSD + 0.5 V 包括源自 VDDA 并内部路由至引脚 的信号 VSSD –0.5 – VDDIO + 0.5 V 输出禁用 VSSD –0.5 – 7 V 输出使能 VSSD –0.5 – 6 V 0.5 – 5.5 V VSSD –0.5 – 5.5 V – – 100 mA GPIO 电流 –30 – 41 mA SIO 电流 –49 – 28 mA –56 – 59 mA – – 2 V USBIO 电流 VEXTREF ADC 外部参考输入 LU 闩锁电流 [17] ESDCDM 典型值 – VSSD –0.5 IUSBIO ESDHBM 条件 静电放电电压，人体模型 静电放电电压，充电器件模型 引脚 P0[3]、 P3[2] –140 – 140 mA VSSA 连接到 VSSD 2200 – – V VSSA 未连接到 VSSD 750 – – V 500 – – V 注释： 15. 器件在高于表 11-1 中所列出的最大绝对值工作可能会造成永久性的损害。长期使用最大绝对值工作可能会影响器件的可靠性。最大存储温度是 150 °C，并符合 JEDEC 标准 JESD22-A103 — 高温度存储寿命。如果采用的值低于最大绝对值但高于正常值，则器件不能正常工作。 16. VDDIO 供电电压必须大于相关 GPIO 引脚上的最大电压。 GPIO 引脚上的最大电压 VDDIO VDDA。 17. 符合或超过 JEDEC 规范 EIA/JESD78 IC 锁存测试。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 68/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.2 器件级规范 除非另有说明，否则这些规范的适用条件是 –40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且电压范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 11.2.1 器件级规范 表 11-2. 直流规范 参数 VDDA 说明 条件 模拟供电电压和模拟内核电压调节器的输入 模拟内核电压调节器被使能 最小值 典型值 [22] 1.8 – 最大值 5.5 单位 V VDDA 模拟供电电压 （旁路模拟电压调节器） 模拟内核电压调节器被禁用 1.71 1.8 1.89 V VDDD 相对于 VSSD 的数字供电电压 数字内核电压调节器被使能 1.8 – VDDA[18] V 数字内核电压调节器被禁用 VDDD 数字供电电压 （旁路数字电压调节器） 1.71 1.8 1.89 V VDDIO[19] 相对于 VSSIO 的 I/O 供电电压 1.71 – VDDA[18] V VCCA 直接模拟内核电压输入 （旁路模拟电压调节 模拟内核电压调节器被禁用 器） 1.71 1.8 1.89 V VCCD 直接数字内核电压输入 （旁路数字电压调节 数字内核电压调节器被禁用 器） 1.71 1.8 1.89 V – 1.2 2.9 mA – 1.2 3.1 IDD [20、 21] 活动模式 仅使能 IMO 和 CPU 时钟。 CPU 从指令缓 冲区执行简单环路。 VDDX = 2.7 V – 5.5 V ； T = –40 °C FCPU = 6 MHz[23] T = 25 °C T = 85 °C – 4.9 7.7 使能了 IMO、总线时钟和 CPU 时钟。 CPU VDDX = 2.7 V – 5.5 V ； T = –40 °C FCPU = 3 MHz[23] 执行闪存中的程序。 T = 25 °C – 1.3 2.9 – 1.6 3.2 T = 85 °C – 4.8 7.5 VDDX = 2.7 V – 5.5 V ； T = –40 °C FCPU = 6 MHz T = 25 °C – 2.1 3.7 – 2.3 3.9 T = 85 °C – 5.6 8.5 VDDX = 2.7 V – 5.5 V ； T = –40 °C FCPU = 12 MHz[23] T = 25 °C – 3.5 5.2 – 3.8 5.5 T = 85 °C – 7.1 9.8 VDDX = 2.7 V – 5.5 V ； T = –40 °C FCPU = 24 MHz[23] T = 25 °C – 6.3 8.1 – 6.6 8.3 T = 85 °C – 10 13 VDDX = 2.7 V – 5.5 V ； T = –40 °C FCPU = 48 MHz[23] T = 25 °C – 11.5 13.5 – 12 14 T = 85 °C – 15.5 18.5 注释： 18. 供电电源可以任意序列上电，但稳定之后， VDDA 必须大于或等于所有其他电源。 19. VDDIO 供电电压必须大于相关 GPIO 引脚上的最大电压。 GPIO 引脚上的最大电压 VDDIO VDDA。 20. 所有电域的总电流：数字 （IDDD）、模拟 （IDDA），以及 I/O （IDDIO0， 1， 2， 3）。不包括升压 （Boost）。所有 I/O 均悬空。 21. 对于仅在已编程逻辑模块中实现的附加外设，其电流消耗可以在它们各自的数据手册 （位于集成设计环境 PSoC Creator 中）中查到。要估计总电流，请从器件数据 手册和组件数据手册中查找相应频率下的 CPU 电流，并加上特定系统的外设电流。 22. VDDX = 3.3 V。 23. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 69/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-2. 直流规范 （续） 参数 说明 睡眠模式 最小值 典型值 [22] 条件 最大值 单位 µA [24] CPU = 关闭 RTC = 开启 （= ECO32K 开启，处于低功耗模式） 睡眠定时器 = 开启 （= ILO 开启，频率为 1 kHz） [25] WDT = 关闭 I2C 唤醒 = 关闭 电压比较器 = 关闭 POR = 开启 Boost = 关闭 SIO 引脚处于 “ 单端输入、非稳压输出 ” 模式 VDD = VDDIO = 4.5 V - 5.5 V T = –40 °C – 1.1 2.3 T = 25 °C – 1.1 2.2 T = 85 °C – 15 30 VDD = VDDIO = 2.7 V – 3.6 V T = –40 °C – 1 2.2 T = 25 °C – 1 2.1 T = 85 °C – 12 28 VDD = VDDIO = 1.71 V – 1.95 V[26] T = 25 °C – 2.2 4.2 电压比较器 = 开启 CPU = 关闭 RTC = 关闭 睡眠定时器 = 关闭 WDT = 关闭 I2C 唤醒 = 关闭 POR = 开启 Boost = 关闭 SIO 引脚处于 “ 单端输入、非稳压输出 ” 模式 VDD = VDDIO = 2.7 V – 3.6 V[27] T = 25 °C – 2.2 2.7 I2C 唤醒 = 开启 CPU = 关闭 RTC = 关闭 睡眠定时器 = 关闭 WDT = 关闭 电压比较器 = 关闭 POR = 开启 Boost = 关闭 SIO 引脚处于 “ 单端输入、非稳压输出 ” 模式 VDD = VDDIO = 2.7 V – 3.6 V[27] T = 25 °C – 2.2 2.8 VDD = VDDIO = 4.5 V - 5.5 V T = –40 °C – 0.2 1.5 T = 25 °C – 0.5 1.5 T = 85 °C – 4.1 5.3 VDD = VDDIO = 2.7 V – 3.6 V T = –40 °C – 0.2 1.5 T = 25 °C – 0.2 1.5 T = 85 °C – 3.2 4.2 T = –40 °C – 0.2 1.5 T = 25 °C – 0.3 1.5 休眠模式 [24] 休眠模式电流 所有电压调节器和振荡器均关闭 SRAM 保持数据 GPIO 中断处于活动状态 Boost = 关闭 SIO 引脚处于 “ 单端输入、非稳压输出 ” 模式 VDD = VDDIO = 1.71 V – 1.95 V[26] T = 85 °C – 3.3 4.3 – 0.3 0.6 µA IDDAR 器件复位时的模拟电流消耗 [28] VDDA 3.6 V VDDA > 3.6 V – 1.4 3.3 mA IDDDR 器件复位时的数字电流消耗 [28] VDDD 3.6 V – 1.1 3.1 mA VDDD > 3.6 V – 0.7 3.1 mA 文档编号：001-92498 版本 *A mA 页 70/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-1. 活动模式电流与 FCPU， VDD = 3.3 V，温度 = 25 °C 图 11-2. 活动模式电流与温度和 FCPU， VDD = 3.3 V 图 11-3. 活动模式电流与 VDD 和温度， FCPU = 24 MHz 注释： 24. 如果对 VCCD 和 VCCA 进行外部稳压调节，则 VCCD 与 VCCA 之间的电压差必须小于 50 mV。 25. 睡眠定时器会生成定期中断，以便唤醒 CPU。该规范仅适用于 CPU 处于关闭状态的时间段。 26. 外部稳压模式。 27. 基于器件特性表征 （未经过生产测试）。 28. 基于器件特性表征 （未经过生产测试）。 USBIO 引脚已接地 （VSSD）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 71/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-3. 交流规范 [29] FCPU 参数 CPU 频率 说明 条件 1.71 V VDDD 5.5 V 最小值 DC 典型值 – 最大值 50.01 单位 MHz FBUSCLK 总线频率 1.71 V VDDD 5.5 V DC – 50.01 MHz Svdd VDD 上电速率 – – 0.066 V/µs TIO_INIT 从 VDDD/VDDA/VCCD/VCCA IPOR 到 I/O 端口被设为复位状态经过的 时间 – – 10 µs TSTARTUP 从 VDDD/VDDA/VCCD/VCCA PRES VCCA/VCCD = 从 VDDA/VDDD 电压 到 CPU 执行复位向量处的代码的 进行稳压调节，未使用 PLL， IMO 时间 升压模式 （典型值为 12 MHz） – – 74 µs TSLEEP 从睡眠模式唤醒 （即 发生非 LVD 中断）到开始执行下一 条 CPU 指令之间的时长 – – 15 µs THIBERNATE 从休眠模式唤醒 （即发生外部中 断）到开始执行下一条 CPU 指令 的时长 – – 100 µs 图 11-4. FCPU 与 VDD Vdd Voltage 5.5 V Valid Operating Region 3.3 V 1.71 V Valid Operating Region with SMP 0.5 V 0V DC 1 MHz 10 MHz 50 MHz CPU Frequency 注释： 29. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 72/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.3 电源调节器 除非另有说明，否则这些规范的适用条件是 –40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且电压范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 11.3.1 数字系统内核电压调节器 表 11-4. 数字系统内核调节器直流规范 参数 VDDD VCCD 说明 输入电压 输出电压 电压调节器输出电容 图 11-5. 电压调节器 VCC 与 VDD 条件 ±10%， X5R 陶瓷或性能更好的电容。两 个 VCCD 引脚必须连接在一起，并且它们 之间的线路越短越好，请参见 第 31 页上 的供电系统 最小值 1.8 – – 典型值 – 1.80 1 最大值 5.5 – – 单位 V V µF 图 11-6. 数字系统电压调节器 PSRR 与频率和 VDD 11.3.2 模拟系统内核电压调节器 表 11-5. 模拟系统内核电压调节直流规范 参数 VDDA VCCA 说明 输入电压 输出电压 调节器输出电容 条件 ±10%， X5R 陶瓷或性能更好的电容 最小值 1.8 – – 典型值 – 1.80 1 最大值 5.5 – – 单位 V V µF 图 11-7. 模拟系统电压调节器 PSRR 与频率和 VDD 文档编号：001-92498 版本 *A 页 73/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.3.3 电感升压调节器。 除非另有说明，否则这些规范的工作条件是：VBAT = 0.5 V–3.6 V， VOUT = 1.8 V–5.0 V， IOUT = 0 mA–50 mA， LBOOST = 4.7 µH–22 µH，CBOOST = 22 µF || 3 × 1.0 µF || 3 × 0.1 µF，CBAT = 22 µF，IF = 1.0 A（除 72-CSP 封装外）。有关 72-CSP 封装中采用升压功能的信息，请联系赛普拉斯支持。除非另有说明，否则所有图表中的值均为典型值。 表 11-6. 电感升压调节器直流规范 参数 VOUT 升压器输出电压 [30] VBAT 升压输入电压 [31] IOUT 说明 输出电流 条件 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 1.8 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 1.9 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 2.0 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 2.4 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 2.7 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 3.0 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 3.3 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 3.6 V 在 BOOST_CR0 寄存器中， vsel = 5.0 V IOUT = 0 mA–5 mA vsel = 1.8 V–2.0 V， TA = 0 °C–70 °C 最小值 1.71 1.81 1.90 2.16 2.43 2.70 2.97 3.24 4.50 0.5 典型值 1.8 1.90 2.00 2.40 2.70 3.00 3.30 3.60 5.00 – 最大值 1.89 2.00 2.10 2.64 2.97 3.30 3.63 3.96 5.50 0.8 单位 V V V V V V V V V V IOUT = 0 mA–15 mA vsel = 1.8 V–5.0 V[32]， TA = –10 °C – 85 °C 1.6 – 3.6 V IOUT = 0 mA–25 mA vsel = 1.8 V–2.7 V， TA = –10 °C – 85 °C 0.8 – 1.6 V IOUT = 0 mA–50 mA vsel = 1.8 V–3.3 V[32]， TA = –40 °C – 85 °C 1.8 – 2.5 V vsel = 1.8 V–3.3 V[32]， TA = –10 °C – 85 °C 1.3 – 2.5 V vsel = 2.5 V–5.0 V[32]， TA = –10 °C – 85 °C 2.5 – 3.6 V TA = 0 °C–70 °C VBAT = 0.5 V–0.8 V 0 – 5 mA TA = –10 °C–85 °C VBAT = 1.6 V–3.6 V 0 – 15 mA VBAT = 0.8 V–1.6 V 0 – 25 mA VBAT = 1.3 V–2.5 V 0 – 50 mA VBAT = 2.5 V–3.6 V 0 – 50 mA VBAT = 1.8 V–2.5 V 0 – 50 mA – – 700 mA – – 250 25 – – µA µA TA = –40 °C–85 °C ILPK 电感峰值电流 IQ 静态电流 RegLOAD 负载调节 – – 10 % RegLINE 线路调节 – – 10 % 升压活动模式 升压睡眠模式， IOUT < 1 µA 注释： 30. 所列出的 vsel 选项被特性化表示。其他 vsel 选项均有效，并由设计保证。 31. 所有 VBAT 条件有效时 （包括 VBAT 下降至 0.5 V），升压转换器会开始工作。 32. 如果 VBAT 大于或等于 VOUT 升压设置，由于升压电路中的电阻损耗， VOUT 将小于 VBAT。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 74/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-7. 升压电路的推荐外部组件 参数 LBOOST 说明 条件 最小值 3.7 典型值 4.7 最大值 5.7 单位 µH 10 µH 额定值 8.0 10.0 12.0 µH 22 µH 额定值 17.0 22.0 27.0 µH 26.0 31.0 µF 额定值为 4.7 µH 升压电感 CBOOST VDDD、 VDDA、 VDDIO 的 总电容 [33] 17.0 CBAT 电池滤波电容 17.0 22.0 27.0 µF IF 肖特基 （Schottky）二极 管的正向电流平均值 1.0 – – A VR 肖特基反向电压 20.0 – – V 图 11-8. 在 VBAT 与 VOUT 范围内的 TA 值 图 11-9. 在 VBAT 与 VOUT 范围内的 IOUT 值 ± µ& ± & P$ ± ± & & 9%$79 9%$79 P$ P$ 1R%RRVW P$ 1R%RRVW ±& 92879 P$ 92879 图 11-10. 在 VBAT 与 VOUT 范围内的 LBOOST 值 + + ,287 P$++ ,287 P$+ 9%$79 + + + + + + + 1R%RRVW + 92879 注释： 33.基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 75/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-11. 效率与 VBAT， LBOOST = 4.7 µH [34] 图 11-12. 效率与 VBAT， LBOOST = 10 µH [34] 100% 95% Vout = 1.8 V 95% 90% Vout = 2.4 V 90% 85% Vout = 3.3 V 85% 80% % Efficiency % Efficiency 100% Vout = 5.0 V 80% 75% Vout = 1.8 V 70% Vout = 2.4 V 65% 65% Vout = 3 3.3 3V 60% 60% Vout = 5.0 V 55% 55% 75% 70% 50% 50% 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 0 4 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 VBAT, V VBAT, V 图 11-13. 效率与 VBAT， LBOOST = 22 µH [34] 图 11-14. VRIPPLE 与 VBAT [34] 100% 300 95% 250 90% 200 VRIPPLE, mV % Efficiency 85% 80% Vout = 1.8 V 75% Vout = 2.4 V 70% 150 Lboost = 4.7 uH 100 Lboost = 10 uH Vout = 3.3 V 65% Lboost = 22 uH 50 60% 55% 0 0 50% 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 VBAT, V VBAT, V 注释： 34. 典型示例。根据外部组件的选择、 PCB 布局以及其它设计参数的不同，实际的值也不一样。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 76/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.4 输入和输出 除非另有说明，否则这些规范的适用条件是 –40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且电压范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 除非另有指定，否则所 有图表中的值均为典型值。 当电源上升时，各个 GPIO 引脚及其 VDDIO 电源之间有低阻抗连接。这样会导致引脚电压跟踪 VDDIO，直至 VDDIO 和 VDDA 都达到 IPOR 电压，最高可达 1.45 V。当达到 IPOR 电压时，低阻抗连接不再存在，且引脚更改为其正常 NVL 设置。 11.4.1 GPIO 表 11-8. GPIO 直流规范 参数 说明 条件 VIH 输入高电平阈值 CMOS 输入， PRT[×]CTL = 0 VIL 最小值 典型值 0.7 × VDDIO – – 0.3 × VDDIO V – – V 2.0 – – V LVTTL 输入， PRT[×]CTL = 1， VDDIO < 2.7 V – – 0.3 × VDDIO V 输入低电平阈值 LVTTL 输入， PRT[×]CTL = 1， VDDIO 2.7 V – – 0.8 V 输出高电平 当 VDDIO = 3.3 V 时，IOH = 4 mA VDDIO – 0.6 当 VDDIO = 1.8 V 时，IOH = 1 mA VDDIO – 0.5 – – V – – V CMOS 输入， PRT[×]CTL = 0 输入高电平阈值 LVTTL 输入， PRT[×]CTL = 1， 0.7 × VDDIO VDDIO < 2.7 V VIH 输入高电平阈值 LVTTL 输入， PRT[×]CTL = 1， VDDIO 2.7 V VIL 输入低电平阈值 VIL VOH Rpullup 输出低电平 当 VDDIO = 3.3 V 时，IOL = 8 mA – – 0.6 V 当 VDDIO = 1.8 V 时，IOL = 4 mA – – 0.6 V 当 VDDIO = 3.3 V 时，IOL = 3 mA – – 0.4 V 3.5 5.6 8.5 k 3.5 5.6 8.5 k 25 °C， VDDIO = 3.0 V – – 2 nA GPIO 与运算放大器输出、 MHz ECO 或 kHzECO 不共享引脚 – 4 7 pF GPIO 与 MHz ECO 或 kHzECO 共享引脚 [36] – 5 7 pF GPIO 与运算放大器输出共享引 脚 – – 18 pF 上拉电阻 Rpulldown 下拉电阻 IIL 输入漏电流 （绝对值） [35] CIN 单位 V – 输入低电平阈值 VIH VOL 最大值 – 输入电容值 [35] VH 输入电压迟滞 （施密特触发器） [35] – 40 – mV Idiode 通过保护二极管到达 VDDIO 和 VSSIO 的 导通电流 – – 100 µA Rglobal 引脚到模拟全局总线的电阻 – 320 – Rmux 引脚到模拟复用器总线的电阻 – 220 – 25 °C， VDDIO = 3.0 V 25 °C， VDDIO = 3.0 V 注释： 35. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 36. 有关 PSoC 振荡器的设计信息，请参考应用笔记 AN54439 — PSoC® 3 和 PSoC 5 外部振荡器。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 77/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-15. GPIO 输出高电平和电流 图 11-16. GPIO 输出低电压和电流 表 11-9. GPIO 交流规范 参数 TriseF TfallF TriseS TfallS Fgpioout Fgpioin 说明 快速强驱动模式下的上升时间 [37] 快速强驱动模式下的下降时间 [37] 慢速强驱动模式下的上升时间 [37] 慢速强驱动模式下的下降时间 [37] GPIO 输出工作频率 2.7 V < VDDIO < 5.5 V，快速强驱动模式 1.71 V < VDDIO < 2.7 V，快速强驱动模式 3.3 V < VDDIO < 5.5 V，慢速强驱动模式 1.71 V < VDDIO < 3.3 V，慢速强驱动模式 GPIO 输入工作频率 1.71 V < VDDIO < 5.5 V 条件 3.3 V VDDIO Cload = 25 pF 3.3 V VDDIO Cload = 25 pF 3.3 V VDDIO Cload = 25 pF 3.3 V VDDIO Cload = 25 pF 最小值 – – – – 典型值 – – – – 最大值 6 6 60 60 单位 ns ns ns ns 90/10% VDDIO，Cload = 25 pF 90/10% VDDIO，Cload = 25 pF 90/10% VDDIO，Cload = 25 pF 90/10% VDDIO，Cload = 25 pF – – – – – – – – 33 20 7 3.5 MHz MHz MHz MHz 90/10% VDDIO – – 50 MHz 注释： 37. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 78/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.4.2 SIO 表 11-10. SIO 直流规范 参数 Vinmax 说明 最大输入电压 Vinref 输入参考电压 （差分输入模式） 条件 有关 VDDIO 和 VDDD 的所有容 许值，请参见节 11.1 最小值 – 典型值 – 最大值 5.5 单位 V 0.5 – 0.52 VDDIO V 输出参考电压 （稳压输出模式） Voutref VDDIO > 3.7 1 – VDDIO – 1 V VDDIO < 3.7 1 – VDDIO – 0.5 V CMOS 输入 0.7 VDDIO – – V SIO_ref + 0.2 – – V 输入高电平阈值 VIH GPIO 模式 差分输入模式 [38] 禁用迟滞 输入低电平阈值 VIL GPIO 模式 CMOS 输入 – – 0.3 VDDIO V 差分输入模式 [38] 禁用迟滞 – – SIO_ref – 0.2 V VDDIO – 0.4 – – V 输出高电平 VOH 稳压模式 [38] IOH = 4 mA， VDDIO = 3.3 V IOH = 1 mA SIO_ref – 0.65 – SIO_ref + 0.2 V 稳压模式 [38] IOH = 0.1 mA SIO_ref – 0.3 – SIO_ref + 0.2 V VDDIO = 3.30 V， IOL = 25 mA – – 0.8 V VDDIO = 3.30 V， IOL = 20 mA – – 0.4 V 非稳压模式 输出低电平 VOL – – 0.4 V 上拉电阻 3.5 5.6 8.5 k 下拉电阻 3.5 5.6 8.5 k 25 °C， Vddsio = 3.0 V， VIH = 3.0 V – – 14 nA 25 °C， Vddsio = 0 V， VIH = 3.0 V – – 10 µA VDDIO = 1.80 V， IOL = 4 mA Rpullup Rpulldown IIL 输入漏电流 （绝对值） [39] VIH < Vddsio VIH > Vddsio CIN VH Idiode 输入电容 [39] – – 7 pF 输入电压迟滞 （施密特触发器） [39] 单端模式 （GPIO 模式） – 40 – mV – 35 – mV – – 100 µA 差分模式 通过保护二极管到达 VSSIO 的导通 电流 注释： 38. 有关 SIO 参考的更多信息，请参见第 40 页上的图 6-10 和第 43 页上的图 6-13 。 39. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 79/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-17. SIO 输出高电平和电流，非稳压模式 图 11-18. SIO 输出低电平和电流，非稳压模式 图 11-19. SIO 输出高电平和电流，稳压模式 表 11-11. SIO 交流规范 参数 TriseF TfallF TriseS TfallS 说明 快速强驱动模式下的上升时间 （90/10%） [40] 快速强驱动模式下的下降时间 （90/10%） [40] 慢速强驱动模式下的上升时间 （90/10%） [40] 慢速强驱动模式下的下降时间 （90/10%） [40] 条件 Cload = 25 pF， VDDIO = 3.3 V 最小值 – 典型值 – 最大值 12 单位 ns Cload = 25 pF， VDDIO = 3.3 V – – 12 ns Cload = 25 pF， VDDIO = 3.0 V – – 75 ns Cload = 25 pF， VDDIO = 3.0 V – – 60 ns 注释： 40. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 80/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-11. SIO 交流规范 （续） 参数 Fsioout Fsioin 说明 条件 SIO 输出工作频率 2.7 V < VDDIO < 5.5 V，非稳压输出 90/10% VDDIO， Cload = 25 pF （GPIO）模式，快速强驱动模式 1.71 V < VDDIO < 2.7 V，非稳压输出 90/10% VDDIO， Cload = 25 pF （GPIO）模式，快速强驱动模式 3.3 V < VDDIO < 5.5 V，非稳压输出 90/10% VDDIO， Cload = 25 pF （GPIO）模式，低速强驱动模式 1.71 V < VDDIO < 3.3 V，非稳压输出 90/10% VDDIO， Cload = 25 pF （GPIO）模式，低速强驱动模式 2.7 V < VDDIO < 5.5 V，稳压输出模式， 输出电能连续转换到大小为 25 pF 快速强驱动模式 的电容器内 1.71 V < VDDIO < 2.7 V，稳压输出模 输出电能连续转换到大小为 25 pF 式，快速强驱动模式 的电容器内 1.71 V < VDDIO < 5.5 V，稳压输出模 输出电能连续转换到大小为 25 pF 的电容器内 式，低速强驱动模式 SIO 输入工作频率 1.71 V < VDDIO < 5.5 V 90/10% VDDIO 图 11-20. SIO 输出上升和下降时间，快速强驱动模式， VDDIO = 3.3 V， 25 pF 负载 文档编号：001-92498 版本 *A 最小值 典型值 最大值 单位 – – 33 MHz – – 16 MHz – – 5 MHz – – 4 MHz – – 20 MHz – – 10 MHz – – 2.5 MHz – – 50 MHz 图 11-21. SIO 输出上升和下降时间，慢速强驱动模式， VDDIO = 3.3 V， 25 pF 负载 页 81/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-12. SIO 比较器规范 [41] 参数 Vos 说明 偏移电压 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDDIO = 2 V – – 68 mV VDDIO = 2.7 V – – 72 VDDIO = 5.5 V TCVos 温度与偏移电压漂移 CMRR 共模抑制比 Tresp – – 82 – – 250 μV/°C VDDIO = 2 V 30 – – dB VDDIO = 2.7 V 35 – – VDDIO = 5.5 V 40 – – – – 30 响应时间 ns 11.4.3 USBIO 在 GPIO 模式下操作时，适用 VDDD 的标准范围，请参考 第 69 页上的器件级规范。 表 11-13. USBIO 直流规范 参数 Rusbi USB D+ 上拉电阻 说明 总线空闲 条件 最小值 0.900 典型值 – 最大值 1.575 单位 k Rusba USB D+ 上拉电阻 接收通信时 1.425 – 3.090 k Vohusb 静态输出高电平 15 k ± 5% 到 VSS，内部上拉电 阻处于使能状态 2.8 – 3.6 V Volusb 静态输出低电平 15 k ± 5% 到 Vss，内部上拉电阻 处于使能状态 – – 0.3 V Vohgpio 输出高电平电压， GPIO 模式 IOH = 4 mA， VDDD 3 V 2.4 – – V Volgpio 输出低电平电压， GPIO 模式 – 0.3 V 差分输入灵敏度 IOL = 4 mA， VDDD 3 V |(D+)–(D–)| – Vdi – – 0.2 V Vcm 差分共模输入范围 – 0.8 – 2.5 V Vse 单端接收器阈值 – 0.8 – 2 V Rps2 PS/2 上拉电阻 处于 PS/2 模式，并 PS/2 上拉电 阻处于使能状态 3 – 7 k Rext 外部 USB 串联电阻 与每个 USB 引脚串联 22 USB 驱动器输出阻抗 – CIN USB 收发器输入电容 包括 Rext – 22.22 （+1%） 44 Zo 21.78 （–1%） 28 – – 20 pF IIL[41] 输入漏电流 （绝对值） 25 °C， VDDD = 3.0 V – – 2 nA 注释： 41. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 82/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-22. USBIO 输出高电压和电流， GPIO 模式 图 11-23. USBIO 输出低电平和电流， GPIO 模式 表 11-14. USBIO 交流规范 参数 Tdrate 说明 全速数据速率平均比特率 Tjr1 Tjr2 Tdj1 Tdj2 Tfdeop Tfeopt Tfeopr Tfst Fgpio_out 下一次跃变的接收器数据抖动容差 成对跃变的接收器数据抖动容差 下一次跃变的驱动器差分抖动 成对跃变的驱动器差分抖动 差分跃变与 SE0 跃变的源抖动 EOP 的源 SE0 间隔时间 EOP 的接收器 SE0 间隔时间 差分跃变期间 SE0 间隔的时间长度 GPIO 模式下的输出工作频率 Tr_gpio 上升时间， GPIO 模式， 10%/90% VDDD Tf_gpio 下降时间， GPIO 模式， 90%/10% VDDD 文档编号：001-92498 版本 *A 条件 3 V VDDD 5.5 V VDDD = 1.71 V VDDD > 3 V， 25 pF load VDDD = 1.71 V， 25 pF load VDDD > 3 V， 25 pF load VDDD = 1.71 V， 25 pF load 最小值 12 – 0.25% 典型值 12 –8 –5 –3.5 –4 –2 160 82 – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – – 最大值 12 + 0.25% 8 5 3.5 4 5 175 – 14 20 6 12 40 12 40 单位 MHz ns ns ns ns ns ns ns ns MHz MHz ns ns ns ns 页 83/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-24. USBIO 输出上升和下降时间， GPIO 模式， VDDD = 3.3 V， 25 pF 负载 表 11-15. USB 驱动器交流规范 参数 说明 Tr Tf TR 转换上升时间 转换下降时间 上升 / 下降时间匹配 Vcrs 输出信号交叉的电压 文档编号：001-92498 版本 *A 条件 VUSB_5， VUSB_3.3，请参见 第 100 页上的 USB 直流规范 最小值 – – 90% 典型值 – – – 最大值 20 20 111% 单位 ns ns 1.3 – 2 V 页 84/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.4.4 XRES 表 11-16. XRES 直流规范 参数 VIH VIL Rpullup CIN VH Idiode 说明 输入高电平阈值 输入低电平阈值 上拉电阻 输入电容值 [42] 输入电压迟滞 （施密特触发器） [42] 通过保护二极管到达 VDDIO 和 VSSIO 的导通电流 条件 最小值 0.7 VDDIO – 3.5 – – – 典型值 最大值 – – – 0.3 VDDIO 5.6 8.5 3 – 100 – – 100 单位 V V k pF mV µA 表 11-17. XRES 交流规范 参数 TRESET 说明 复位脉冲宽度 条件 最小值 1 典型值 – 最大值 – 单位 µs 注释： 42. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 85/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.5 模拟外设 除非另有说明，否则这些规范的适用条件是 –40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且电压范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 11.5.1 Delta-sigma 模数转换器 除非另有指定，否则运行条件均为： 在连续采样模式下运行 fclk = 6.144 MHz 参考 = 1.024 V 的内部参考在 P3.2 或 P0.3 上旁路 除非另有指定，否则所有图表中的值均为典型值 表 11-18. 20 bit Delta-Sigma ADC 直流规范 参数 说明 分辨率 通道数量 （单端） 条件 通道数量 （差分） 差分对由一对 GPIO 组成。 单调性 有 已缓冲，缓冲器增益 = 1， Ge 增益误差 Gd 增益漂移 Vos 输入偏移电压 TCVos 温度系数，输入偏移电压 范围 = ±1.024V， 25 °C 已缓冲，缓冲器增益 = 1， 范围 = ±1.024 V 已缓冲， 12 位模式 缓冲器增益 = 1， 12 位， 范围 = ±1.024 V 输入电压范围，单端 [43] 输入电压范围，差分，未缓冲 [43] INL12 DNL12 INL8 DNL8 Rin_Buff 输入电压范围，差分，已缓冲 [43] 积分非线性 [43] 微分非线性 [43] 积分非线性 [43] 微分非线性 [43] ADC 输入电阻 Rin_ADC12 ADC 输入电阻 Vextref 电流消耗 IDD_12 IBUFF 范围 = ±1.024 V，未缓冲 范围 = ±1.024 V，未缓冲 范围 = ±1.024 V，未缓冲 范围 = ±1.024 V，未缓冲 使用输入缓冲区 旁路输入缓冲器， 12 位， 范围 = ±1.024 V ADC 外部参考输入电压，另请参见 第 88 引脚 P0[3]、 P3[2] 页上的参考电压中的内部参考 IDDA + IDDD 电流消耗， 12 位 [43] 缓冲器电流消耗 [43] 192 ksps，未缓冲 最小值 典型值 最大值 8 – 12 – – GPIO 数量 GPIO 数量 – – /2 – – – 单位 位 – – – – – ±0.2 % – – 50 ppm/°C – – ±0.1 mV – – 1 µV/°C VSSA VSSA VSSA – – – – 10 – – – – – – – – VDDA VDDA VDDA – 1 ±1 ±1 ±1 ±1 – V V V LSB LSB LSB LSB M – 148[44] – k 0.9 – 1.3 V – – – – 1.95 2.5 mA mA 注释： 43. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 44. 通过在 ADC 输入上使用开关电容，可建立有效的输入电阻。如果增益和位数量保持不变，电阻将与时钟频率成反比。该值是通过计算得出的，而非测量得出。有关 更多信息，请参见 《技术参考手册》。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 86/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-19. Delta-Sigma ADC 的交流规范 参数 说明 条件 启动时间 THD 总谐波失真 [45] 12 位分辨率模式 SR12 采样率，连续采样，高功耗 [45] [45] BW12 最大采样率下的输入带宽 SINAD12int 信噪比， 12 位，内部参考电压 [45] 8 位分辨率模式 SR8 采样率，连续采样，高功耗 [45] 最小值 典型值 – – 最大值 4 单位 缓冲器增益 = 1， 12 位， 范围 = ±1.024 V – – 0.0032 采样 % 范围 = ±1.024 V，未缓冲 4 – 192 ksps 范围 = ±1.024 V，未缓冲 – 44 – kHz 范围 = ±1.024 V，未缓冲 66 – – dB 范围 = ±1.024 V，未缓冲 8 – 384 ksps BW8 最大采样率下的输入带宽 [45] 范围 = ±1.024 V，未缓冲 – 88 – kHz SINAD8int 信噪比， 8 位，内部电压参考 [45] 范围 = ±1.024 V，未缓冲 43 – – dB 表 11-20. Delta-sigma 模数转换器采样率，范围 = ±1.024 V 分辨率 （单位为位） 连续采样 多样本采样 8 最小值 8000 最大值 384000 最小值 1911 最大值 91701 9 6400 307200 1543 74024 10 5566 267130 1348 64673 11 4741 227555 1154 55351 12 4000 192000 978 46900 图 11-25. Delta-sigma ADC IDD 与 sps，范围 = ±1.024 V，连续 采样模式，旁路输入缓冲区 注释： 45. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 87/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.5.2 参考电压 表 11-21. 参考电压的规范 另外，请在节 11.5.1 参见 ADC 外部参考规范。 参数 VREF 说明 高精度参考电压 条件 初始调整， 25 °C 最小值 1.014 （–1%） 典型值 1.024 最大值 1.034 （+1%） 单位 V 最小值 – 典型值 1472 最大值 2200 单位 – 706 1100 11.5.3 模拟全局总线 表 11-22. 模拟全局总线规范 参数 Rppag 说明 条件 P2[4]、 AGL0、 DSM INP、 AGL1 以及 P2[5] 的引脚到 VDDA = 3 V 引脚电阻 [46] Rppmuxbus P2[3]、 amuxbusL、 P2[4] 的引脚到引脚电阻 [46] VDDA = 3 V 11.5.4 电压比较器 表 11-23. 比较器直流规范 参数 VOS 说明 条件 最小值 – 典型值 最大值 10 单位 mV 9 mV – 4 mV – 4 mV 快速模式下的输入偏移电压 出厂预设值，VDDA > 2.7 V， VIN 0.5 V 慢速模式下的输入偏移电压 出厂预设值， VIN 0.5 V – 快速模式下的输入偏移电压 [47] 自定义调整 – 慢速模式下的输入偏移电压 [47] – – ±12 – mV – 10 32 mV 超低功耗模式下的输入偏移电压 自定义调整 VDDA ≤ 4.6 V VHYST 迟滞 迟滞使能模式 VICM 共模输入电压 大电流 / 快速模式 VSSA – VDDA V 低电流 / 慢速模式 VSSA – VDDA V 超低功耗模式 VDDA ≤ 4.6 V VSSA – VDDA – 1.15 CMRR 共模抑制比 – 50 – dB ICMP 大电流模式 / 快速模式 [48] – – 400 µA – – 100 µA – 6 – µA 低电流模式 / 慢速模式 [48] 超低功耗模式 [48] VDDA ≤ 4.6 V 表 11-24. 比较器交流规范 参数 Tresp 说明 条件 最小值 典型值 最大值 – 75 110 单位 ns 响应时间，大电流模式 [48] 过阈值为 50 mV，引脚到引脚测量 响应时间，低电流模式 [48] 过阈值为 50 mV，引脚到引脚测量 – 155 200 ns 响应时间，超低功耗模式 [48] 过阈值为 50 mV，引脚到引脚测量， VDDA ≤ 4.6 V – 55 – µs 注释： 46. 如果 VDDA ≤ 2.7 V，且芯片处于睡眠或休眠模式，则模拟全局总线和模拟复用器总线的电阻偏高。建议不要在这些情况下使用模拟全局总线和模拟复用器总线。 47. 可以在 TRM 中找到片上比较器上使用自定义修正值的建议过程。 48. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 88/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.5.5 电流数模转换器 （IDAC） 所有规范都基于低阻抗 IDAC 输出引脚的使用 （参考 第 12 页上的引脚说明以了解详细信息）。有关完整的电气规范和 API，请参考 PSoC Creator 中的 IDAC 组件数据手册。 除非另有指定，否则所有图表中的值均为典型值。 表 11-25. IDAC 直流规范 参数 说明 条件 最小值 – 典型值 – 最大值 8 范围 = 2.04 mA，代码 = 255， VDDA 2.7 V， Rload = 600 – 2.04 – 位 mA 范围 = 2.04 mA，高速模式， 代码 = 255， VDDA 2.7 V， Rload = 300 – 2.04 – mA 范围 = 255 µA，代码 = 255， Rload = 600 – 255 – µA 范围 = 31.875 µA，代码 = 255， Rload = 600 – 31.875 – µA 分辨率 IOUT 代码 = 255 时的输出电流 单位 单调性 – – Ezs 零比例误差 – 0 有 ±1 LSB Eg 增益误差 范围 = 2.04 mA， 25 °C – – ±2.5 % 范围 = 255 µA， 25 °C – – ±2.5 % 范围 = 31.875 µA， 25 °C – – ±3.5 % 范围 = 2.04 mA – – 0.04 % / °C 范围 = 255 µA – – 0.04 % / °C 范围 = 31.875 µA – – 0.05 % / °C 灌电流模式，范围 = 255 µA， 代码：8 – 255， Rload = 2.4 k， Cload = 15 pF – ±0.9 ±1 LSB 拉电流模式，范围 = 255 µA，代 码：8 – 255， Rload = 2.4 k， Cload = 15 pF – ±1.2 ±1.6 LSB 灌电流模式，范围 = 255 µA， Rload = 2.4 k， Cload = 15 pF – ±0.3 ±1 LSB 拉电流模式，范围 = 255 µA， Rload = 2.4 k， Cload = 15 pF – ±0.3 ±1 LSB 最大电流时，Rload 与 VDDA，或 Rload 与 VSSA、 VDIFF 与 VDDA 的 电压空间 1 – – V TC_Eg INL DNL Vcompliance 增益误差的温度系数 积分非线性 微分非线性 压差电压、拉电流或灌电流模式 文档编号：001-92498 版本 *A 页 89/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-25. IDAC 直流规范 （续） 参数 IDD 说明 工作电流，代码 = 0 条件 最小值 – 典型值 44 最大值 100 单位 µA 低速模式，拉电流模式， 范围 = 255 µA， – 33 100 µA 低速模式，拉电流模式， 范围 = 2.04 mA – 33 100 µA 低速模式，灌电流模式， 范围 = 31.875 µA – 36 100 µA 低速模式，灌电流模式， 范围 = 255 µA – 33 100 µA 低速模式，灌电流模式， 范围 = 2.04 mA – 33 100 µA 高速模式，拉电流模式， 范围 = 31.875 µA – 310 500 µA 高速模式，拉电流模式， 范围 = 255 µA – 305 500 µA 高速模式，拉电流模式， 范围 = 2.04 mA – 305 500 µA 高速模式，灌电流模式， 范围 = 31.875 µA – 310 500 µA 高速模式，灌电流模式， 范围 = 255 µA – 300 500 µA 高速模式，灌电流模式， 范围 = 2.04 mA – 300 500 µA 低速模式，拉电流模式， 范围 = 31.875 µA 图 11-26. IDAC INL 与输入代码，范围 = 255 µA，拉电流模式 文档编号：001-92498 版本 *A 图 11-27. IDAC INL 与输入代码，范围 = 255 µA，灌电流模式 页 90/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-28. IDAC DNL 与输入代码，范围 = 255 µA，拉电流模式 图 11-29. IDAC DNL 与输入代码，范围 = 255 µA，灌电流模式 图 11-30. IDAC INL 与温度，范围 = 255 µA，高速模式 图 11-31. IDAC DNL 与温度，范围 = 255 µA，高速模式 图 11-32. IDAC 全量程误差与温度，范围 = 255 µA，拉电流模式 图 11-33. IDAC 全量程误差与温度，范围 = 255 µA，灌电流模式 文档编号：001-92498 版本 *A 页 91/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-34. IDAC 工作电流与温度，范围 = 255 µA，代码 = 0，拉 电流模式 文档编号：001-92498 版本 *A 图 11-35. IDAC 工作电流与温度，范围 = 255 µA，代码 = 0，灌 电流模式 页 92/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-26. IDAC 交流规范 参数 说明 条件 最小值 – 典型值 – 最大值 8 单位 Msps FDAC 更新速率 TSETTLE 设置输出电压偏差小于 0.5 LSB 所 范围 = 31.875 µA 或 255 µA，全量 需的建立时间 程转换，高速模式， 600 15 pF 负载 – – 125 ns 范围 = 255 µA，拉电流模式，高速 模式， VDDA = 5 V，频率为 10 kHz – 340 – pA/sqrtHz 电流噪声 图 11-36. IDAC 阶跃响应，代码 0x40 - 0xC0， 255 µA 模式，拉电流模式，高速模式， VDDA = 5 V 图 11-37. IDAC 干扰响应，代码 0x7F - 0x80， 255 µA 模式，拉电流模式，高速模式， VDDA = 5 V 图 11-38. IDAC PSRR 与频率 图 11-39. IDAC 当前噪声， 255 µA 模式， 拉电流模式，高速模式， VDDA = 5 V 60 PSRR, dB P 50 40 30 20 10 0 0.1 1 10 100 1000 10000 Frequency, kHz 255 ȝA, code 0x7F 文档编号：001-92498 版本 *A 255 ȝA, code 0xFF 页 93/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.5.6 电压数模转换器 （VDAC） 有关完整的电气规范和 API，请参考 PSoC Creator 中的 VDAC 组件数据手册。 除非另有指定，否则所有图表中的值均为典型值。 表 11-27. VDAC 直流规范 参数 说明 条件 分辨率 最小值 – 典型值 8 最大值 – 单位 位 LSB INL1 积分非线性度 1 V 输出范围 – ±2.1 ±2.5 INL4 积分非线性 [49] 4 V 输出范围 – ±2.1 ±2.5 LSB DNL1 微分非线性 1 V 输出范围 – ±0.3 ±1 LSB DNL4 微分非线性 [49] 4 V 输出范围 – ±0.3 ±1 LSB Rout 输出电阻 1 V 输出范围 – 4 – k 4 V 输出范围 – 16 – k VOUT 输出电压范围，代码 = 255 1 V 输出范围 – 1.02 – V 4 V 输出范围， VDDA = 5 V 单调性 VOS 零比例误差 Eg 增益误差 TC_Eg 温度系数，增益误差 IDD 工作电流 图 11-40. VDAC INL 与输入代码， 1 V 模式 – 4.08 – V – – – LSB % – 0 支持 ±0.9 1 V 输出范围 – – ±2.5 4 V 输出范围 – – ±2.5 % 1 V 输出范围 – – 0.03 %FSR / °C 4 V 输出范围 – – 0.03 %FSR / °C 低速模式 – – 100 µA 高速模式 – – 500 µA 图 11-41. VDAC DNL 与输入代码， 1 V 模式 注释： 49. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 94/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-42. VDAC INL 与温度， 1 V 模式 图 11-43. VDAC DNL 与温度， 1 V 模式 图 11-44. VDAC 全量程错误与温度， 1 V 模式 图 11-45. VDAC 全量程误差与温度， 4 V 模式 图 11-46. VDAC 工作电流与温度， 1 V 模式，低速模式 图 11-47. VDAC 工作电流与温度， 1 V 模式，高速模式 文档编号：001-92498 版本 *A 页 95/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 11-28. VDAC 交流规范 参数 FDAC 说明 条件 更新速率 TsettleP TsettleN 输出电压的偏差为 0.1% 所需要的 建立时间，步长为 25% 到 75% 输出电压的偏差为 0.1% 所需要的 建立时间，步长为 75% 到 25% 电压噪声 1 V 输出范围 最小值 – 典型值 – 最大值 1000 单位 ksps 4 V 输出范围 – – 250 ksps 1 V 输出范围， Cload = 15 pF – 0.45 1 µs 4 V 输出范围， Cload = 15 pF – 0.8 3.2 µs 1 V 输出范围， Cload = 15 pF – 0.45 1 µs 4 V 输出范围， Cload = 15 pF – 0.7 3 µs 范围 = 1 V，高速模式， VDDA = 5 V，频率为 10 kHz – 750 – nV/sqrtHz 图 11-48. VDAC 阶跃响应，代码 0x40 - 0xC0， 1 V 模式，高速 模式， VDDA = 5 V 图 11-49. VDAC 干扰响应，代码 0x7F - 0x80， 1 V 模式，高速 模式， VDDA = 5 V 图 11-50. VDAC PSRR 与频率 图 11-51. VDAC 电压噪声， 1 V 模式，高速模式， VDDA = 5 V 50 PSRR, dB P 40 30 20 10 0 0.1 1 10 Frequency, kHz 4 V, code 0x7F 文档编号：001-92498 版本 *A 100 1000 4 V, code 0xFF 页 96/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.5.7 温度传感器 表 11-29. 温度传感器规范 参数 说明 条件 范围：–40 °C 至 +85 °C 温度传感器精度 最小值 – 典型值 ±5 最大值 – 单位 °C 11.5.8 LCD 直接驱动器 表 11-30. LCD 直接驱动直流规范 参数 说明 条件 最小值 – 典型值 38 最大值 – 单位 mA 强驱动模式 – 260 – µA LCD 偏压范围 （VBIAS 指的是 LCD DAC 的主要输出电压 （V0）） VDDA 3 V 和 VDDA VBIAS 2 – 5 V LCD 偏压步长大小 VDDA 3 V 和 VDDA VBIAS – 9.1 × VDDA – mV – 500 5000 pF ICC LCD 系统工作电流 器件睡眠模式在 400 Hz 速率下唤醒 以刷新 LCD，总线时钟 = 3 MHz， VDDIO = VDDA = 3 V， 4 个共模信号， 16 个段信号， 1/4 占 空比， 50 Hz 帧率，未连接玻璃 ICC_SEG 每个段的驱动电流 VBIAS 每个段 / 共模驱动器的 LCD 电容 驱动器可以组合使用 长期 segment 偏移 IOUT 每个 segment 驱动器的输出驱动电 流） VDDIO = 5.5 V，强驱动模式 – – 20 mV 355 – 710 µA 最小值 10 典型值 50 最大值 150 单位 Hz 表 11-31. LCD 直接驱动交流规范 参数 fLCD 说明 LCD 帧率 文档编号：001-92498 版本 *A 条件 页 97/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.6 数字外设 除非另有说明，否则这些规范的适用条件是 –40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且电压范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 11.6.1 定时器 下列规范适用于采用定时器模式的定时器 / 计数器 / PWM 外设。可以在 UDB 中实现定时器。有关更多信息，请参考 PSoC Creator 中 的定时器组件数据手册。 表 11-32. 定时器直流规范 参数 说明 条件 16 位定时器，在所列的输入时钟 频率下 模块的电流消耗 最小值 – 典型值 – 最大值 – 单位 µA 3 MHz – 15 – µA 12 MHz – 60 – µA 50 MHz – 260 – µA 最小值 DC 典型值 – 最大值 50.01 单位 MHz 捕获脉冲宽度 （内部时钟） 21 – – ns 捕获脉冲宽度 （外部时钟） 42 – – ns 定时器分辨率 21 – – ns 使能脉冲宽度 21 – – ns 使能脉冲宽度 （外部时钟） 42 – – ns 复位脉冲宽度 21 – – ns 复位脉冲宽度 （外部时钟） 42 – – ns 表 11-33. 定时器交流规范 参数 说明 条件 工作频率 11.6.2 计数器 下列规范适用于采用计数器模式的定时器 / 计数器 / PWM 外设。计数器可以在 UDB 中实现。有关更多信息，请参考 PSoC Creator 中 的计数器组件数据手册。 表 11-34. 计数器直流规范 参数 说明 模块的电流消耗 条件 16 位计数器，在所列出的输入时 钟频率下 3 MHz 12 MHz 50 MHz 最小值 – 典型值 – 最大值 – 单位 µA – – – 15 60 260 – – – µA µA µA 最小值 DC 21 21 21 42 21 42 21 42 典型值 – – – – – – – – – 最大值 50.01 – – – – – – – – 单位 MHz ns ns ns ns ns ns ns ns 表 11-35. 计数器交流规范 参数 说明 工作频率 捕捉脉冲 分辨率 脉冲宽度 脉冲宽度 （外部时钟） 使能脉冲宽度 使能脉冲宽度 （外部时钟） 复位脉冲宽度 复位脉冲宽度 （外部时钟） 文档编号：001-92498 版本 *A 条件 页 98/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.6.3 脉冲宽度调制 下列规范适用于采用了 PWM 模式的定时器 / 计数器 / PWM 外设。PWM 也可以在 UDB 中实现。更多有关信息，请参考 PSoC Creator 中的 PWM 组件数据手册。 表 11-36. PWM 直流规范 参数 说明 条件 16 位 PWM，在所列的输入时钟频 率下 模块电流消耗 最小值 – 典型值 – 最大值 – 单位 µA 3 MHz – 15 – µA 12 MHz – 60 – µA 50 MHz – 260 – µA 工作频率 最小值 DC 典型值 – 最大值 50.01 单位 MHz 脉冲宽度 21 – – ns 脉冲宽度 （外部时钟） 42 – – ns 停止 （kill）信号脉冲宽度 21 – – ns 停止 （kill）信号脉冲宽度 （外部时钟） 42 – – ns 使能脉冲宽度 21 – – ns 使能脉冲宽度 （外部时钟） 42 – – ns 复位脉冲宽度 21 – – ns 复位脉冲宽度 （外部时钟） 42 – – ns 已使能，针对 100 kbps 进行配置 最小值 – 典型值 – 最大值 250 单位 µA 已使能，针对 400 kbps 进行配置 – – 260 µA 从睡眠模式唤醒 – – 30 µA 典型值 – 最大值 1 单位 Mbps 表 11-37. 脉冲宽度调制 （PWM）交流规范 参数 说明 条件 11.6.4 I2C 表 11-38. 固定的 I2C 直流规范 参数 说明 模块电流消耗 条件 表 11-39. 固定功能 I2C 交流规范 参数 说明 条件 最小值 – 说明 条件 最小值 – 说明 条件 最小值 – 比特率 11.6.5 控制器区域网络 表 11-40. CAN 直流规范 [50] 参数 IDD 模块的电流消耗 典型值 – 最大值 200 单位 µA 表 11-41. CAN 交流规范 [50] 参数 比特率 时钟的最低频率为 8 MHz 典型值 – 最大值 1 单位 Mbit 注释： 50. 有关详细信息，请参见 ISO 11898 规范。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 99/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.6.6 USB 表 11-42. USB 直流规范 参数 VUSB_5 说明 用于 USB 操作的器件供电电压 VUSB_3.3 条件 配置了 USB 并使能了 USB 调节器 配置了 USB，旁路 USB 电压调节器 [51] 最小值 4.35 典型值 – 最大值 5.25 单位 V 3.15 – 3.6 V VUSB_3 配置了 USB，旁路 USB 调节器 2.85 – 3.6 V IUSB_Configured 在器件活动模式下，器件供电电 流，总线时钟和 IMO 频率 = 24 MHz VDDD = 5 V， FCPU = 1.5 MHz – 10 – mA VDDD = 3.3 V， FCPU = 1.5 MHz – 8 – mA VDDD = 5 V，连接到 USB 主机， PICU 配置为在有 USB 恢复信号时唤醒 – 0.5 – mA VDDD = 5 V，断开与 USB 主机的连接 – 0.3 – mA VDDD = 3.3 V，连接到 USB 主机，PICU 配置为在有 USB 恢复信号时唤醒 – 0.5 – mA VDDD = 3.3 V，断开与 USB 主机的连接 – 0.3 – mA IUSB_Suspended 器件睡眠模式下的器件供电电流 11.6.7 通用数字模块 （UDB） PSoC Creator 提供了一个映射至 UDB 阵列，并经过预建和测试标准的数字外设库 （如 UART、 SPI、 LIN、 PRS、 CRC、定时器、 计数器、 PWM、 AND、 OR 等等）。有关完整的交流 / 直流规范、 API 和示例代码，请参考 PSoC Creator 中的组件数据手册。 表 11-43. UDB 交流规范 参数 说明 条件 最小值 典型值 最大值 单位 数据路径性能 FMAX_TIMER 在 UDB 对中 16 位定时器的最高频率 – – 50.01 MHz FMAX_ADDER 在 UDB 对中 16 位加法器的最高频率 – – 50.01 MHz FMAX_CRC 在 UDB 对中 16 位 CRC/PRS 的最高 频率 – – 50.01 MHz 在 UDB 对中双通 PLD 功能的最高频 率 – – 50.01 MHz – 20 25 ns – – 55 ns PLD 性能 FMAX_PLD 时钟输入至数据输出的性能 tCLK_OUT 从时钟输入到数据输出之间的传输延 25 °C，VDDD 2.7 V 迟，请参见第 101 页上的图 11-52。 tCLK_OUT 从时钟输入到数据输出之间的传输延 最差情况下的放置、布线和引脚选择 迟，请参见。第 101 页上的图 11-52。 注释： 51. 不保证上升 / 下降时间 （TR）匹配，请参见 第 84 页上的 USB 驱动器交流规范。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 100/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-52. 时钟输入至数据输出方面的性能 11.7 存储器 除非另有说明，否则规范的适用温度是：–40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且适用范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 11.7.1 闪存 表 11-44. 闪存直流规范 参数 说明 最小值 1.71 典型值 – 最大值 5.5 单位 V 说明 条件 最小值 – 行编写的时间 （擦除 + 编程） – 行擦除的时间 – 行编程的时间 – 批量擦除时间 （16 KB 到 64 KB） – 扇区擦除时间 （8 KB 到 16 KB） – 器件总编程时间 无开销 [52] 20 闪存数据保留时间，即从最后一个擦除 平均环境温度。 循环开始测量的保留时长 TA 55 °C， 100 K 擦除 / 编程周期 10 平均环境温度。 TA 85 °C, 10 K 擦除 / 编程周期 典型值 15 10 5 – – 1.5 – 最大值 20 13 7 35 15 2 – 单位 ms ms ms ms ms – – 擦除和编程电压 条件 VDDD 引脚 表 11-45. 闪存交流规范 参数 TWRITE TERASE TBULK TPROG 秒 年 注释： 52. 有关编程 PSoC 3 闪存的低开销方法的更多信息，请参见 PSoC® 3 器件编程规范内容。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 101/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.7.2 EEPROM 表 11-46. EEPROM 直流规范 参数 说明 条件 最小值 1.71 典型值 – 最大值 5.5 单位 V 最小值 – 20 典型值 2 – 最大值 20 – 单位 ms 20 – – 10 – – 条件 VDDD 引脚 最小值 1.71 典型值 – 最大值 5.5 单位 V 条件 在 25 °C 下编程 最小值 1K 典型值 – 最大值 – 在温度为 0 °C 到 70 °C 条件下编程 100 – – 平均环境温度。 TA 55 °C 平均环境温度。 TA 85 °C 20 10 – – – – 单位 编程 / 擦除周期 编程 / 擦除周期 年 年 擦除和编程电压 表 11-47. EEPROM 交流规范 参数 TWRITE 说明 条件 单行擦除 / 写入循环时间 EEPROM 数据保留时间，即从最后一 平均环境温度， TA 25 °C， 个擦除周期开始测量的保留时间的长度 1 M 擦除 / 编程周期 平均环境温度， TA 55 °C， 100 K 擦除 / 编程周期 平均环境温度。 TA 85 °C， 10 K 擦除 / 编程周期 年 11.7.3 非易失性锁存器 （NVL） 表 11-48. NVL 直流规范 参数 说明 擦除和编程电压 表 11-49. NVL 交流规范 参数 说明 NVL 耐久性 NVL 数据保持时间 11.7.4 SRAM 表 11-50. SRAM 直流规范 参数 VSRAM 说明 条件 最小值 1.2 典型值 – 最大值 – 单位 V 说明 条件 最小值 DC 典型值 – 最大值 50.01 单位 MHz SRAM 保持电压 表 11-51. SRAM 交流规范 参数 FSRAM SRAM 工作频率 文档编号：001-92498 版本 *A 页 102/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.7.5 外部存储器接口 图 11-53. 异步读周期时序 Tcel EM_ CEn Taddrv EM_ Addr Taddrh Address Toel EM_ OEn EM_ WEn Tdoesu Tdoeh EM_ Data Data 表 11-52. 异步读周期规范 参数 说明 时钟周期 [53] T EMIF Tcel EM_CEn 为低的时间 Taddrv 从 EM_CEn 为低到 EM_Addr 有效的时间 Taddrh EM_Wen 为高后的地址保持时间 条件 VDDA 3.3 V 最小值 30.3 典型值 – 最大值 – 单位 ns 2T – 5 – 2T+ 5 ns – – 5 ns T – – ns EM_OEn 为低的时间 2T – 5 – 2T + 5 ns Tdoesu 从数据有效到 EM_OEn 为高的建立时间 T + 15 – – ns Tdoeh EM_OEn 为高后的数据保持时间 3 – – ns Toel 注释： 53. 受通用 I/O 输出频率的限制，请参见第 78 页上的表 11-9。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 103/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-54. 异步写周期时序 Taddrv Taddrh EM_ Addr Address Tcel EM_ CEn Twel EM_ WEn EM_ OEn Tdweh Tdcev EM_ Data Data 表 11-53. 异步写周期规范 参数 说明 时钟周期 [54] 条件 VDDA 3.3 V 最小值 30.3 典型值 – 最大值 – 单位 ns T–5 – T+5 ns T EMIF Tcel EM_CEn 为低的时间 Taddrv 从 EM_CEn 为低到 EM_Addr 有效的时间 – – 5 ns Taddrh EM_WEn 为高后的地址保持时间 T – – ns Twel EM_WEn 为低的时间 T–5 – T+5 ns Tdcev 从 EM_CEn 为低到数据有效的时间 – – 7 ns Tdweh EM_WEn 为高后的数据保持时间 T – – ns 注释： 54. 有关受通用 I/O 输出频率的限制的详细信息，请参见第 78 页上的表 11-9。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 104/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-55. 同步读周期时序 Tcp/2 EM_ Clock Tceld Tcehd EM_ CEn Taddriv Taddrv EM_ Addr Address Toeld Toehd EM_ OEn Tds Data EM_ Data Tadscld Tadschd EM_ ADSCn 表 11-54. 同步读周期规范 参数 说明 时钟周期 [55] 条件 VDDA 3.3 V 最小值 30.3 典型值 – 最大值 – 单位 ns T/2 – – ns T EMIF Tcp/2 EM_Clock 脉冲为高的时间 Tceld 从 EM_CEn 为低到 EM_Clock 为高的时间 5 – – ns Tcehd 从 EM_Clock 为高到 EM_CEn 为高的时间 T/2 – 5 – – ns Taddrv 从 EM_Addr 有效到 EM_Clock 为高的时间 5 – – ns Taddriv 从 EM_Clock 为高到 EM_Addr 无效的时间 T/2 – 5 – – ns Toeld 从 EM_OEn 为低到 EM_Clock 为高的时间 5 – – ns Toehd 从 EM_Clock 为高到 EM_OEn 为高的时间 T – – ns Tds EM_OEn 为高之前数据有效的时间 T + 15 – – ns Tadscld 从 EM_ADSCn 为低到 EM_clock 为高的时间 5 – – ns Tadschd 从 EM_Clock 为高到 EM_ADSCn 为高的时间 T/2 – 5 – – ns 注释： 55. 有关受通用 I/O 输出频率的限制的详细信息，请参见第 78 页上的表 11-9。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 105/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-56. 同步写周期时序 Tcp/2 EM_ Clock Tceld Tcehd EM_ CEn Taddriv Taddrv EM_ Addr Address Tweld Twehd EM_ WEn Tds Tdh Data EM_ Data Tadscld Tadschd EM_ ADSCn 表 11-55. 同步写周期规范 参数 说明 时钟周期 [56] T EMIF Tcp/2 EM_Clock 脉冲为高的时间 条件 VDDA 3.3 V 最小值 30.3 典型值 – 最大值 – 单位 ns T/2 – – ns – – ns Tceld 从 EM_CEn 为低到 EM_Clock 为高的时间 5 Tcehd 从 EM_Clock 为高到 EM_CEn 为高的时间 T/2 – 5 – – ns Taddrv 从 EM_Addr 有效到 EM_Clock 为高的时间 5 – – ns Taddriv 从 EM_Clock 为高到 EM_Addr 无效的时间 T/2 – 5 – – ns Tweld 从 EM_WEn 为低到 EM_Clock 为高的时间 5 – – ns Twehd 从 EM_Clock 为高到 EM_WEn 为高的时间 T/2 – 5 – – ns – – ns Tds EM_Clock 为高之前数据有效的时间 5 Tdh EM_Clock 为高后数据无效的时间 T – – ns Tadscld 从 EM_ADSCn 为低到 EM_clock 为高的时间 5 – – ns Tadschd 从 EM_Clock 为高到 EM_ADSCn 为高的时间 T/2 – 5 – – ns 注释： 56. 受通用 I/O 输出频率的限制，请参见第 78 页上的表 11-9。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 106/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.8 PSoC 系统资源 除非另有说明，否则规范的适用温度是 –40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且适用范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 11.8.1 欠压时的 POR 要在稳压模式下进行欠压检测， VDDD 和 VDDA 必须 2.0 V。在外部稳压模式下，不能进行欠压检测。 表 11-56. 欠压时的精确低压复位 （PRES）电路直流规范 参数 PRESR 说明 上升触发电压 PRESF 下降触发电压 条件 出厂预设值 最小值 1.64 典型值 – 最大值 1.68 单位 V 1.62 – 1.66 V 最小值 – 典型值 – 最大值 0.5 单位 µs – 5 – V/sec 最小值 典型值 最大值 单位 1.68 1.89 2.14 2.38 2.62 2.87 3.11 3.35 3.59 3.84 4.08 4.32 4.56 4.83 5.05 5.30 5.57 1.73 1.95 2.20 2.45 2.71 2.95 3.21 3.46 3.70 3.95 4.20 4.45 4.70 4.98 5.21 5.47 5.75 1.77 2.01 2.27 2.53 2.79 3.04 3.31 3.56 3.81 4.07 4.33 4.59 4.84 5.13 5.37 5.63 5.92 V V V V V V V V V V V V V V V V V 最小值 – 典型值 – 最大值 1 单位 µs 表 11-57. 欠压时的加电复位 （POR）电路交流规范 参数 PRES_TR 响应时间 说明 VDDD/VDDA 下降率 条件 睡眠模式 11.8.2 电压监控器 表 11-58. 电压监控器直流规范 参数 LVI 说明 条件 触发电压 LVI_A/D_SEL[3:0] = 0000b LVI_A/D_SEL[3:0] = 0001b LVI_A/D_SEL[3:0] = 0010b LVI_A/D_SEL[3:0] = 0011b LVI_A/D_SEL[3:0] = 0100b LVI_A/D_SEL[3:0] = 0101b LVI_A/D_SEL[3:0] = 0110b LVI_A/D_SEL[3:0] = 0111b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1000b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1001b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1010b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1011b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1100b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1101b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1110b LVI_A/D_SEL[3:0] = 1111b HVI 触发电压 表 11-59. 电压监控器交流规范 参数 说明 响应时间 [57] 条件 注释： 57. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 107/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.8.3 中断控制器 表 11-60. 中断控制器交流规范 参数 说明 条件 从中断信号输入到 ISR 代码执行的延迟 包括在最差情况下用 6 个周期完成 最长指令 DIV 最小值 典型值 最大值 单位 – – 25 Tcy CPU 11.8.4 JTAG 接口 图 11-57. JTAG 接口时序 (1/f_TCK) TCK T_TDI_setup T_TDI_hold TDI T_TDO_valid T_TDO_hold TDO T_TMS_setup T_TMS_hold TMS 表 11-61. JTAG 接口交流规范 [58] 参数 f_TCK 说明 TCK 频率 条件 3.3 V VDDD 5 V 1.71 V VDDD < 3.3 V T_TDI_setup 最小值 – 典型值 最大值 – 14[59] 单位 MHz – – 7[59] MHz ns TCK 为高电平之前的 TDI 建立时间 (T/10) – 5 – – T_TMS_setup TCK 为高电平之前的 TMS 建立时间 T/4 – – T_TDI_hold TCK 为高电平后的 TDI、TMS 保持时间 T = 1/f_TCK 最大值 T/4 – – – 2T/5 – – T_TDO_valid 从 TCK 为低电平到 TDO 有效的时间 T = 1/f_TCK 最大值 – T_TDO_hold TCK 为高电平后的 TDO 保持时间 T = 1/f_TCK 最大值 T/4 注释： 58. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 59. 此外， f_TCK 不得超过 CPU 时钟频率的 1/3。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 108/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.8.5 SWD 接口 图 11-58. SWD 接口时序 (1/f_S W D C K ) SW DCK T _S W D I_setup T_ S W D I_ hold S W D IO (P S oC inp ut) T _S W D O _hold T _S W D O _ valid S W D IO (P S oC outp ut) 表 11-62. SWD 接口交流规范 [60 ] 参数 f_SWDCK 说明 SWDCLK 频率 条件 3.3 V VDDD 5 V 1.71 V VDDD < 3.3 V 1.71 V VDDD < 3.3 V， USBIO 引脚上的 SWD T = 1/f_SWDCK 最大值 T_SWDI_setup SWDCK 为高电平之前的 SWDIO 输入 建立时间 T_SWDI_hold SWDCK 为高电平之后的 SWDIO 输入 T = 1/f_SWDCK 最大值 保持时间 T_SWDO_valid 从 SWDCK 为高电平到 SWDIO 输出的 T = 1/f_SWDCK 最大值 时间 最小值 – – – 典型值 – – – 最大值 14[61] 7[61] 5.5[61] T/4 – – T/4 – – – – 2T/5 最小值 – 典型值 – 最大值 33 单位 MHz MHz MHz 11.8.6 SWV 接口 表 11-63. SWV 接口交流规范 [29] 参数 说明 条件 SWV 模式下的 SWV 比特率 单位 Mbit 11.9 时钟 除非另有说明，否则这些规范的适用条件是：–40 °C TA 85 °C， TJ 100 °C 且适用范围为 1.71 V ~ 5.5 V。 11.9.1 内部主振荡器 表 11-64. IMO 直流规范 参数 说明 条件 最小值 典型值 最大值 单位 – – 500 µA 24 MHz — 非 USB 模式 12 MHz – – 300 µA – – 200 µA 6 MHz – – 180 µA 3 MHz – – 150 µA 供电电流 24 MHz — USB 模式 振荡器锁定到 USB 总线 注释： 60. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 61. 此外， f_SWDCK 不得超过 CPU 时钟频率的 1/3。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 109/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 11-59. IMO 电流与频率 表 11-65. IMO 交流规范 参数 说明 条件 最小值 典型值 最大值 单位 –4 – 4 % –0.25 – 0.25 % –3 – 3 % 6 MHz –2 – 2 % 3 MHz –2 – 2 % – – 13 µs – 0.9 – ns – 1.6 – ns – 0.9 – ns – 12 – ns IMO 频率的稳定性 （采用出厂预设值） 24 MHz — 非 USB 模式 FIMO 24 MHz — USB 模式 12 MHz 启动时间 [62] Jp-p 抖动 （峰峰值） [62] F = 24 MHz Jperiod 抖动 （长期） [62] F = 24 MHz F = 3 MHz F = 3 MHz 图 11-60. IMO 频率变化与温度 振荡器锁定到 USB 总线 从使能时钟 （系统正常工作时）起 的时间 图 11-61. IMO 频率变化与 VCC 注释： 62. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 110/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.9.2 内部低速振荡器 表 11-66. ILO 直流规范 参数 说明 FOUT = 1 kHz 最小值 – 典型值 – 最大值 1.7 单位 µA FOUT = 33 kHz – – 2.6 µA FOUT = 100 kHz – – 2.6 µA 掉电模式 – – 15 nA 最小值 – 典型值 – 最大值 2 单位 ms ILO 频率 100 kHz 45 100 200 kHz 1 kHz 0.5 1 2 kHz 典型值 – 最大值 25 单位 MHz 工作电流 [63] ICC 漏电流 [63] 条件 表 11-67. ILO 交流规范 参数 说明 启动时间，针对所有频率 FILO 图 11-62. ILO 频率变化与温度 条件 加速模式 图 11-63. ILO 频率变化与 VDD 11.9.3 MHz 外部晶振 表 11-68. MHzECO 交流规范 参数 F 说明 晶振频率范围 条件 最小值 4 注释： 63. 该值是计算得出的，而非经过测量得出。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 111/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 11.9.4 kHz 外部晶振 表 11-69. kHzECO 直流规范 [64] 参数 说明 ICC 工作电流 DL 驱动电平 条件 最小值 – 典型值 0.25 最大值 1.0 单位 µA – – 1 µW 最小值 – 典型值 32.768 最大值 – 单位 kHz – 1 – s 最小值 0 典型值 – 最大值 33 单位 MHz 在 VDDIO/2 时测量 30 50 70 % VIL 到 VIH 0.5 – – V/ns 低功耗模式； CL= 6 pF 表 11-70. kHzECO 交流规范 参数 说明 F 频率 TON 启动时间 条件 高功耗模式 11.9.5 外部时钟参考 表 11-71. 外部时钟参考交流规范 [64] 参数 说明 条件 外部频率范围 输入占空比范围 输入边沿速率 11.9.6 锁相环 表 11-72. PLL 直流规范 参数 IDD 说明 PLL 工作电流 条件 输入频率 = 3 MHz， 输出频率 = 24 MHz 最小值 – 典型值 200 最大值 – 单位 µA 最小值 1 典型值 – 最大值 48 单位 MHz 表 11-73. PLL 交流规范 参数 Fpllin 说明 PLL 中间频率 [66] Fpllout 条件 PLL 输入频率 [65] 预分频器的输出 PLL 输出频率 [65] 启动时的锁定时间 Jperiod-rms 抖动时间 （rms） [64] 1 – 3 MHz 24 – 50 MHz – – 250 µs – – 250 ps 注释： 64. 基于器件特性 （未经过生产测试）。 65. 该规范通过以下方式予以保证：使用 IMO 作为 PLL 的源，在指定范围内对 PLL 进行测试。 66. 必须设置 PLL 输入分频器 （Q），以便将输入频率向下分频到中间频率范围内。 Q 的值介于 1 到 16 之间。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 112/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 12. 订购信息 除表 12-1 中列出的功能外，每个 CY8C36 器件还包括：高精度片上电压参考、高精度振荡器、闪存、 ECC、 DMA、固定功能 I2C、 4 KB 跟踪 RAM、 JTAG/SWD 编程和调试、外部存储器接口等。除了这些特性以外，灵活的 UDB 和模拟子系统还支持广泛的外设。为 了帮助您选择理想的器件， PSoC Creator 在您选择应用所需的组件后会提供器件建议。所有 CY8C32 派生器件都可由用户选择安全 级别，以实现器件和闪存安全性；有关详细信息，请参见 TRM。 表 12-1. 带单周期 8051 内核的 CY8C32 系列 I/O[68] JTAG ID[69] USBIO SIO GPIO 封装 I/O 总数 CAN 2.0b FS USB 16 位定时器 /PWM UDB[67] CapSense DFB 运算放大器 SC/CT 模拟模块 数字 电压比较器 DAC ADC 段式 LCD 驱动 模拟 EEPROM （KB） SRAM （KB） 闪存 （KB） 芯片型号 CPU 速度 MCU 内核 16 KB 闪存 CY8C3244AXI-153 50 16 2 0.5 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 16 4 – – 70 62 8 0 100-TQFP CY8C3244LTI-130 50 16 2 0.5 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 16 4 – – 46 38 8 0 68-QFN 0×1E082069 CY8C3244LTI-123 50 16 2 0.5 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 16 4 – – 29 25 4 0 48-QFN 0×1E07B069 CY8C3244PVI-133 50 16 2 0.5 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 16 4 – – 29 25 4 0 48-SSOP 0×1E085069 0×1E09E069 0×1E099069 32 KB 闪存 CY8C3245AXI-158 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 – – 70 62 8 0 100-TQFP CY8C3245LTI-163 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 – – 46 38 8 0 68-QFN 0×1E0A3069 CY8C3245LTI-139 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 – – 29 25 4 0 48-QFN 0×1E08B069 CY8C3245PVI-134 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 – – 29 25 4 0 48-SSOP 0×1E086069 CY8C3245AXI-166 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 ✔ – 72 62 8 2 100-TQFP 0×1E0A6069 CY8C3245LTI-144 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 ✔ – 31 25 4 2 48-QFN 0×1E090069 CY8C3245PVI-150 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 ✔ – 31 25 4 2 48-SSOP 0×1E096069 CY8C3245FNI-212 50 32 4 1 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 20 4 – – 46 38 8 0 72-WLCSP 0x1E0D4069 0×1E095069 64 KB 闪存 CY8C3246LTI-149 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 – – 46 38 8 0 68-QFN CY8C3246PVI-147 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 ✔ – 31 25 4 2 48-SSOP 0×1E093069 CY8C3246AXI-131 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 – – 70 62 8 0 100-TQFP 0×1E083069 CY8C3246LTI-162 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 – – 29 25 4 0 48-QFN 0×1E0A2069 CY8C3246PVI-122 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 – – 29 25 4 0 48-SSOP 0×1E07A069 0×1E08A069 CY8C3246AXI-138 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 ✔ – 72 62 8 2 100-TQFP CY8C3246LTI-128 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 ✔ – 48 38 8 2 68-QFN 0×1E080069 CY8C3246LTI-125 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 0 0 – ✔ 24 4 ✔ – 31 25 4 2 48-QFN 0×1E07D069 CY8C3246FNI-213 50 64 8 2 ✔ 1×12 bit Del-Sig 1 2 – – – ✔ 24 4 – – 46 38 8 – 72-WLCSP 0x1E0D5069 注释： 67. UDB 支持广泛的功能，其中包括 SPI、 LIN、 UART、定时器、计数器、 PWM、 PRS 等等。各种功能既可以使用一个 UDB 的一部分，也可以使用多个 UDB。多个功 能可以共享一个 UDB。有关如何使用 UDB 的更多信息，请参见 第 45 页上的外设示例。 68. I/O 值包括所有数字 I/O 的类型，即：GPIO、 SIO 和两个 USB I/O。有关每种 I/O 功能的详细信息，请参见 第 38 页上的 I/O 系统与路由。 69. JTAG ID 有三个主要字段。最高有效半字节 （左边的数字）的是版本，随后的 2 个字节是器件型号，最后 3 个半字节是制造商 ID。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 113/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 12.1 器件型号约定 PSoC 3 器件遵循此处所述的器件型号约定。除非另有声明，否则所有字段都是单字符字母数字（0、1、2、…、9、A、B、…、Z）。 CY8Cabcdefg-xxx a：架构 3：PSoC 3 5：PSoC 5 b：架构中的系列组 2: CY8C32 器件系列 4: CY8C34 器件系列 6: CY8C36 器件系列 8: CY8C38 器件系列 c：速度等级 4：50 MHz 6：67 MHz d：闪存容量 4：16 KB 5：32 KB 6：64 KB ef：封装代码 两个字符的字母数字 AX：TQFP LT：QFN PV：SSOP FN：CSP g：温度范围 C：商业级 I：工业级 A：汽车级 xxx：外设集 三个字符的数字 这三个字符没有任何相关含义。 CY8C 3 2 4 6 P V I - x x x 3: PSoC 3 2: CY8C32 4: 50 MHz 6: 64 KB PV: SSOP I: 这些器件均有盘带封装版本，并在器件编号末尾使用 “T” 标出。 PSoC 3 CY8C32 系列中的所有器件都符合 RoHS-6 规范，是赛普拉斯致力于提供无铅产品的有力证明。铅 （Pb）是焊接中使用的一 种合金元素，由于其潜在的毒性，已导致环境方面的问题。赛普拉斯的大部分基于引脚框架的封装都采用了镍钯金 （NiPdAu）技术。 有关对赛普拉斯无铅立场的高级审核，请访问我们的网站。此外，您还可以在我们的网站上找到具体的封装信息。封装材料声明数据 手册 （PMDD）标出了赛普拉斯封装中包含的所有物质。 PMDD 还确认其中不包含许多被禁止使用的物质。 PMDD 中的信息将有助 于赛普拉斯的客户针对回收和其他报废要求进行规划。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 114/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 13. 封装 表 13-1. 封装特性 参数 说明 条件 最小值 –40 典型值 25.00 最大值 85 单位 °C –40 – 100 °C TA 工作环境温度 TJ 工作结温 TJA 封装 JA （48-SSOP） – 49 – °C/Watt TJA 封装 JA （48-QFN） – 14 – °C/Watt TJA 封装 JA （68-QFN） – 15 – °C/Watt TJA 封装 JA （100-TQFP） – 34 – °C/Watt TJC 封装 JC （48-SSOP） – 24 – °C/Watt TJC 封装 JC （48-QFN） – 15 – °C/Watt TJC 封装 JC （68-QFN） – 13 – °C/Watt TJC 封装 JC （100-TQFP） – 10 – °C/Watt TJA 封装 JA （72-CSP） – 18 – °C/Watt TJC 封装 JC （72-CSP） – 0.13 – °C/Watt 表 13-2. 回流焊峰值温度 封装 48-SSOP 最高峰值温度 260 °C 峰值温度下的最长时间 48-QFN 260 °C 30 秒 68-QFN 260 °C 30 秒 100-TQFP 260 °C 30 秒 72-CSP 260 °C 30 秒 30 秒 表 13-3. 封装潮敏等级 （MSL）， IPC/JEDEC J-STD-2 封装 48-SSOP MSL 3 48-QFN MSL 3 MSL 68-QFN MSL 3 100-TQFP MSL 3 72-CSP MSL 1 文档编号：001-92498 版本 *A 页 115/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 13-1. 48 引脚 （300 mil） SSOP 封装外形 51-85061 *F 图 13-2. 48-QFN 封装外形 001-45616 *E 文档编号：001-92498 版本 *A 页 116/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 13-3. 间距为 0.4 毫米的 68-QFN 8×8 封装外形 （Sawn 版本） 001-09618 *E 图 13-4. 100-TQFP （14 × 14 × 1.4 mm）封装外形 51-85048 *I 文档编号：001-92498 版本 *A 页 117/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 图 13-5. WLCSP 封装 （4.25 × 4.98 × 0.60 mm） TOP VIEW 1 2 3 4 5 6 7 SIDE VIEW 8 A BOTTOM VIEW 8 7 6 5 4 3 2 1 A B B C C D D E E F F G G H H J J NOTES: 1. JEDEC Publication 95; Design Guide 4.18 2. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS 文档编号：001-92498 版本 *A 001-82897 ** 页 118/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 14. 缩略语 表 14-1. 本文档中使用的缩略语 （续） 缩略语 表 14-1. 本文档中使用的缩略语 缩略语 说明 abus 模拟局部总线 ADC 模数转换器 AG 模拟全局 AHB AMBA （先进的微控制器总线结构）高性能总 线，它是一种 ARM 数据传输总线 ALU 算术逻辑单元 AMUXBUS 说明 GPIO 通用输入 / 输出，适用于 PSoC 引脚 HVI 高电压中断，另请参见 LVI、 LVD IC 集成电路 IDAC 电流 DAC，另请参见 DAC、 VDAC IDE 集成开发环境 I2C 或 IIC 内部集成电路，即为一种通信协议 IIR 无限脉冲响应，另请参见 FIR 模拟复用器总线 ILO 内部低速振荡器，另请参见 IMO API 应用编程接口 IMO 内部主振荡器，另请参见 ILO APSR 应用编程状态寄存器 INL 积分非线性，另请参见 DNL ARM® 高级 RISC 机器，它是一种 CPU 架构 I/O ATM 自动 Thump 模式 输入 / 输出，另请参见 GPIO、 DIO、 SIO、 USBIO BW 带宽 IPOR 初始上电复位 CAN 控制器区域网络，它是一种通信协议 IPSR 中断程序状态寄存器 CMRR 共模抑制比 IRQ 中断请求 CPU 中央处理器 ITM 仪器化跟踪宏单元 CRC 循环冗余校验，它是一种错误校验协议 LCD 液晶显示器 DAC 数模转换器，另请参见 IDAC、 VDAC LIN 本地互联网络，它是一种通信协议 DFB 数字滤波器模块 LR 链接寄存器 DIO 数字输入 / 输出， GPIO 只具有数字功能，无模 拟功能。请参见 GPIO。 LUT 查询表 LVD 低电压检测，另请参见 LVI DMA 直接存储器访问，另请参见 TD LVI 低电压中断，另请参见 HVI DNL 微分非线性，另请参见 INL LVTTL 低压晶体管 — 晶体管逻辑 DNU 请勿使用 MAC 乘法累加 DR 端口写入数据寄存器 MCU 微控制器单元 DSI 数字系统互连 MISO 主入从出 DWT 数据观察点和跟踪 NC 无连接 ECC 纠错码 NMI 不可屏蔽中断 ECO 外部晶体振荡器 NRZ 非归零 EEPROM 电可擦除可编程只读存储器 NVIC 嵌套向量中断控制器 EMI 电磁干扰 NVL 非易失性锁存器，另请参考 WOL EMIF 外部存储器接口 opamp 运算放大器 EOC 转换结束 PAL 可编程阵列逻辑，另请参见 PLD EOF 帧结束 PC 程序计数器 EPSR 执行程序状态寄存器 PCB 印刷电路板 ESD 静电放电 PGA 可编程增益放大器 ETM 嵌入式跟踪宏单元 PHUB 外设集线器 FIR 有限脉冲响应，另请参见 IIR PHY 物理层 FPB 闪存修补和断点 PICU 端口中断控制单元 全速 PLA 可编程逻辑阵列 FS 文档编号：001-92498 版本 *A 页 119/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 表 14-1. 本文档中使用的缩略语 （续） 缩略语 PLD PLL 表 14-1. 本文档中使用的缩略语 （续） 说明 缩略语 说明 可编程逻辑器件，另请参见 PAL SPI 串行外设接口，它是一种通信协议 锁相环 SR 转换速率 PMDD 封装材料声明数据手册 SRAM 静态随机存取存储器 POR 加电复位 SRES 软件复位 PRES 精密低电压复位 SWD 串行线调试，它是一种测试协议 PRS 伪随机序列 SWV 单线浏览器 端口读取数据寄存器 TD 传输描述符，另请参见 DMA 可编程片上系统 （Programmable System-on-Chip™） THD 总谐波失真 PSRR TIA 互阻放大器 电源抑制比 PWM TRM 技术参考手册 脉冲宽度调制器 RAM TTL 晶体管 — 晶体管逻辑 随机存取存储器 RISC TX 发送 精简指令集计算 RMS UART 通用异步发射器接收器，它是一种通信协议 均方根 RTC UDB 通用数字模块 实时时钟 RTL USB 通用串行总线 寄存器转换语言 RTR USBIO 远程传输请求 USB 输入 / 输出，用于连接至 USB 端口的 PSoC 引脚 RX 接收 VDAC 电压数模转换器，另请参见 DAC、 IDAC SAR PS ® PSoC 逐次逼近寄存器 WDT 看门狗定时器 SC/CT 开关电容 / 连续时间 WOL 一次性写锁存器，另请参见 NVL SCL I2C 串行时钟 WRES 看门狗定时器复位 XRES 外部复位 I/O 引脚 XTAL 晶振 2C SDA I S/H 采样和保持 SINAD 信噪比和失真比 SIO 特别输入 / 输出，具有高级功能的通用 I/O。请 参见 GPIO。 串行数据 SOC 开始转换 SOF 帧起始 文档编号：001-92498 版本 *A 15. 参考文档 PSoC® 3、 PSoC® 5 架构 TRM PSoC® 3 寄存器 TRM 页 120/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 16. 文档规范 表 16-1. 测量单位 （续） 符号 16.1 测量单位 表 16-1. 测量单位 符号 测量单位 °C 摄氏度 dB 分贝 fF 飞法 Hz 赫兹 KB 1024 个字节 kbps 每秒千比特 Khr 千小时 kHz 千赫兹 k 千欧 ksps 采样千次每秒 LSB 最低有效位 Mbps 兆比特每秒 MHz 兆赫 M 兆欧 Msps 采样兆次每秒 µA 微安 文档编号：001-92498 版本 *A 测量单位 µF 微法 µH 微亨 µs 微秒 µV 微伏 µW 微瓦 mA 毫安 ms 毫秒 mV 毫伏 nA 纳安 ns 纳秒 nV 纳伏 欧姆 pF 皮法 ppm 百万分率 ps 皮秒 s 秒 sps 每秒样本数 sqrtHz 赫兹平方根 V 伏特 页 121/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 17. 修订记录 文档标题：PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册可编程片上系统 （PSoC®） 文档编号：001-92498 ECN 版本 提交日期 变更者 变更说明 ** 4386106 05/22/2014 XZNG 本文档版本号为 Rev.**，译自英文版 001-56955 Rev.*T。 *A 4769275 05/26/2015 XZNG 本文档版本号为 Rev.*A，译自英文版 001-56955 Rev.*V。 文档编号：001-92498 版本 *A 页 122/123 PSoC® 3: CY8C32 系列数据手册 18. 销售、解决方案和法律信息 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司拥有一个由办事处、解决方案中心、工厂代表和经销商组成的全球性网络。要找到离您最近的办事处，请访问赛普拉斯 所在地。 PSoC® 解决方案 产品 汽车级产品 cypress.com/go/automotive cypress.com/go/clocks 时钟与缓冲器 cypress.com/go/interface 接口 照明与电源控制 cypress.com/go/powerpsoc 存储器 PSoC 触摸感应产品 USB 控制器 无线 / 射频 cypress.com/go/memory cypress.com/go/psoc cypress.com/go/touch psoc.cypress.com/solutions PSoC 1 | PSoC 3 | PSoC 4 | PSoC 5LP 赛普拉斯开发者社区 社区 | 论坛 | 博客 | 视频 | 训练 技术支持 cypress.com/go/support cypress.com/go/USB cypress.com/go/wireless © 赛普拉斯半导体公司， 2009-2015。此处所包含的信息可能会随时更改，恕不另行通知。除赛普拉斯产品内嵌的电路外，赛普拉斯半导体公司不对任何其他电路的使用承担任何责任。也不根据专利 或其他权利以明示或暗示的方式授予任何许可。除非与赛普拉斯签订明确的书面协议，否则赛普拉斯不保证产品能够用于或适用于医疗、生命支持、救生、关键控制或安全应用领域。此外，对于可能 发生运转异常和故障并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所 有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 所有源代码 （软件和 / 或固件）均归赛普拉斯半导体公司 （赛普拉斯）所有，并受全球专利法规 （美国和美国以外的专利法规）、美国版权法以及国际条约规定的保护和约束。赛普拉斯据此向获许可 者授予适用于个人的、非独占性、不可转让的许可，用以复制、使用、修改、创建赛普拉斯源代码的派生作品、编译赛普拉斯源代码和派生作品，并且其目的只能是创建自定义软件和 / 或固件，以支 持获许可者仅将其获得的产品依照适用协议规定的方式与赛普拉斯集成电路配合使用。除上述指定的用途外，未经赛普拉斯明确的书面许可，不得对此类源代码进行任何复制、修改、转换、编译或演 示。 免责声明：赛普拉斯不针对此材料提供任何类型的明示或暗示保证，包括 （但不限于）针对特定用途的适销性和适用性的暗示保证。赛普拉斯保留在不做出通知的情况下对此处所述材料进行更改的权 利。赛普拉斯不对此处所述之任何产品或电路的应用或使用承担任何责任。对于可能发生运转异常和故障，并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。 若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 产品使用可能受适用于赛普拉斯软件许可证的限制。 文档编号：001-92498 版本 *A 修订日期：May 26, 2015 CapSense®、 PSoC®3、 PSoC®5 和 PSoC® Creator™ 是赛普拉斯半导体公司的商标， PSoC® 是赛普拉斯半导体公司的注册商标。此处引用的所有其他商标或注册商标 归其各自所有者所有。 从赛普拉斯或其获得分许可的其中一个联营公司处购买 I2C 组件，即可根据 Philips I2C 专利权获得一份许可，以便在 I2C 系统中使用这些组件，但前提是 该系统符合 Philips 定义的 I2C 标准规范。 ARM 是 ARM Limited 的注册商标， Keil 和 RealView 是 ARM Limited 的商标。本文件中所介绍的所有产品和公司名称均为其各自所有者的商标。 页 123/123