AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ (Rev. A) PDF

高電圧の電流シャント・モニタ
AD8212
機能ブロック図
特長
ゲインの調整
広い同相電圧範囲：
7∼65V（typ）
7∼500V超（外付けパス・トランジスタを使用する場合）
電流出力
5V直列レギュレータ内蔵
8ピンMSOPパッケージ
動作温度範囲: −40∼＋125℃
V+
V SENSE
1
8
AD8212
アプリケーション
電流シャント計測
モータ制御
DC/DCコンバータ
電源
バッテリ監視
リモート・センシング
OUTPUT
CURRENT
COMPENSATION
5
2
3
6
IOUT
COM
BIAS
ALPHA
05942-001
BIAS
CIRCUIT
図1
概要
AD8212は、広い同相電圧範囲を持つ電流シャント・モニタで
す。最大65Vの高い同相電圧条件下で（外付けPNPを使用する
場合は＞500V）小さい差動入力電圧を正確に増幅します。
AD8212のもう１つの特長は、ブレークダウン電圧が高い外付
けPNPトランジスタを使用して高電圧動作が可能になることで
す。この構成では、AD8212の同相電圧範囲が外付けPNPトラ
AD8212は、モータやソレノイドなどの負荷を制御するアプリ
ンジスタのブレークダウンに等しいため、数百ボルトの動作を
簡単に実現できます（図23を参照）。
ケーションでシャント抵抗の電流を監視するのに最適です。デ
バイスの電流出力は、入力差動電圧に比例します。外付け抵抗
を選択して、所望のゲインを設定できます。AD8212の同相電
圧範囲は7∼65V（typ）です。
REV. A
アナログ・デバイセズ株式会社
AD8212 は、高電圧動作モード用の出力ベース電流補償回路
（特許取得済み）を持っています。そのため、外付けトランジ
スタで電流損失が生じることがなく、同相電圧や温度に関係な
く優れた出力精度を維持します。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の
利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いま
せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので
もありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有
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AD8212
目次
特長 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
機能ブロック図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
改訂履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
ピン配置とピン機能の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
代表的な性能特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
動作原理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
通常動作（電源範囲（V＋）：7∼65V） . . . . . . . . . . . . . . . . 9
外付けPNPトランジスタを使用した高電圧動作 . . . . . . . . . 10
出力電流補償回路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
アプリケーション情報 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
一般的なハイサイドの電流検出. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
モータ制御. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
500V電流モニタ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
双方向電流の検出. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
オーダー・ガイド. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
改訂履歴
―Rev. 0 to Rev. A
11/07―
Increased Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . Universal
―Revision 0: Initial Version
5/07―
―2―
REV. A
AD8212
仕様
特に指定のない限り、VS＝15V、TOPR＝−40∼＋125℃、TA＝25℃。
表1
Parameter
Conditions/Comments
Min
SUPPLY VOLTAGE (V+)
No external pass transistor
With external PNP transistor1
SUPPLY CURRENT2
(ISUPPLY = IOUT + IBIAS)
V+ = 7 V to 65 V
High voltage operation, using external PNP
VOLTAGE OFFSET
Offset Voltage (RTI)
Over Temperature (RTI)
Offset Drift
Typ
Max
Unit
7
7
65
>500
V
V
220
200
720
1500
µA
µA
±2
±3
±10
mV
mV
µV/℃
TA
TOPR
TOPR
INPUT
Input Impedance
Differential
Common Mode (VCM)
Voltage Range
Differential
VSENSE (Pin 8) Current3
V+ = 7 V to 65 V
2
5
Maximum voltage between V+ and VSENSE
V+ = 7 V to 65 V, TOPR
100
OUTPUT
Transconductance
Current Range (IOUT)
Gain Error for TOPR
Impedance
Voltage Range
7 V ≤ V+ ≤ 65 V, 0 mV to 500 mV differential input
7 V ≤ V+ ≤ 65 V, with respect to 500 µA full scale
REGULATOR
Nominal Value
PSRR
Bias Current (IBIAS)
DYNAMIC RESPONSE
Small Signal –3 dB Bandwidth
Settling Time
500
±1
20
0
7 V ≤ V+ ≤ 65 V
7 V ≤ V+ ≤ 65 V
TOPR, 7 V ≤ V+ ≤ 65 V
TOPR, high voltage operation
4.80
80
V+ –5
5
5.20
185
200
1000
200
Gain = 10
Gain = 20
Gain = 50
Within 0.1% of the true output, gain = 20
1000
500
100
2
1.1
40
TEMPERATURE RANGE
For Specified Performance (TOPR)
3
–40
mV
nA
µA/V
µA
%
MΩ
V
V
dB
µA
µA
kHz
kHz
kHz
µs
25
NOISE
0.1 Hz to 10 Hz, RTI
Spectral Density, 1 kHz, RTI
2
500
200
1000
ALPHA PIN INPUT CURRENT
1
kΩ
MΩ
µA
µV p-p
nV/ Hz
+125
℃
この範囲は、トランジスタのブレークダウン電圧VCEによって決まります。
通常電圧動作時（V＋＝7∼65V）のAD8212の電源電流は、出力電流（IOUT）にバイアス電流（IBIAS）を加えたものです。出力電流は0∼500µAで、入力差動電圧によって変化し
ます。この動作モードのIBIASは代表値が185µA、最大値が200µAです。高電圧動作モードについては、「外付けPNPトランジスタを使用した高電圧動作」を参照してください。
VSENSE（8番ピン）に入力されるアンプの電流は、高電圧動作モード時に増加します。詳細については、「外付けPNPトランジスタを使用した高電圧動作」を参照してください。
REV. A
―3―
AD8212
絶対最大定格
ESDに関する注意
特に指定のない限り、TOPR＝−40∼＋125℃。
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイス
表2
Parameter
Rating
Supply Voltage
65 V
Continuous Input Voltage
68 V
Reverse Supply Voltage
0.3 V
Operating Temperature Range
–40℃ to +125℃
Storage Temperature Range
–40℃ to +150℃
Output Short-Circuit Duration
Indefinite
です。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、
検出されないまま放電することがあります。本
製品は当社独自の特許技術であるESD保護回路
を内蔵してはいますが、デバイスで高エネル
ギーの静電放電が発生した場合、損傷を生じる
可能性があります。性能劣化や機能低下を防止
するため、ESDに対して適切な予防措置をとる
ことが推奨されます。
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記
載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの
信頼性に影響を与えることがあります。
―4―
REV. A
AD8212
ピン配置とピン機能の説明
BIAS
3
TOP VIEW
NC 4 (Not to Scale)
8
V SENSE
7
NC
6
ALPHA
5
IOUT
NC = NO CONNECT
図2.
表3.
1
6
3
図3.
ピン配置
ピン機能の説明
ピン番号
記号
X座標
Y座標
説明
1
V+
–393
+219
電源電圧（反転アンプ入力）
2
COM
–392
+67
レギュレータのローサイド
3
BIAS
–392
–145
バイアス回路のローサイド
4
NC
–
–
接続なし
5
IOUT
+386
–82
出力電流
6
ALPHA
+386
+23
電流補償回路の入力
7
NC
+386
+118
接続なし
8
VSENSE
+386
+210
非反転アンプ入力
REV. A
8
2
―5―
5
05942-025
AD8212
05942-002
V+ 1
COM 2
メタライゼーション図
AD8212
代表的な性能特性
195
1200
1000
T = +125°C
185
INPUT V OS (µV)
180
T = +25°C
T = –40°C
175
800
600
400
170
200
05942-005
165
160
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
–40
65
05942-008
QUIE SCE NT CURRE NT ( µA )
190
–20
0
20
SUPPLY VOLTAGE (V)
図4.
電源（V＋ピン） 対 電源電流（IOUT＝0mA）
図7.
5.2
O F F S E T V O L T A G E RT I ( m V )
80
100
120
入力オフセット電圧の温度特性
5.1
T = –40°C
T = +25°C
5.0
4.9
05942-006
4.8
10
15
20
25
0.7
0.6
+25°C
0.5
0.4
–40°C
0.3
0.2
T = +125°C
5
+125°C
0.8
30
35
40
45
50
55
60
05942-009
RE GUL A T OR V O L TA GE (V )
60
1.0
0.9
0.1
0
65
7
12
17
22
SUPPLY VOLTAGE (V)
電源（V＋ピン） 対 レギュレータ電圧
図8.
10
45
9
OUT PUT CURRE NT DRIFT ( n A /°C)
50
40
35
G = +50
30
G = +20
25
20
15
G = +10
10
32
37
42
47
52
57
62
電源（V＋ピン） 対 入力オフセット電圧
8
7
6
5
4
3
2
1
5
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
図6.
10M
0
05942-021
0
1k
27
VOLTAGE SUPPLY (V)
05942-010
図5.
G A IN ( dB)
40
TEMPERATURE (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGE (mV)
図9.
ゲインの周波数特性
―6―
差動入力電圧 対 出力電流ドリフト
REV. A
AD8212
100
VIN
20mV/DIV
O UT PUT E RRO R ( %)
10
V+ = 15V
ROUT = 50kΩ
1
VOUT
500mV/DIV
G = +10
G = +20
0V
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
500
DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGE (mV)
図10.
5μs/DIV
05942-023
0.01
05942-014
G = +50
図13.
差動入力電圧 対 入力オフセットに起因
する全出力誤差
V IN
20mV/DIV
ステップ応答（ゲイン＝50）
V IN
100mV/DIV
V+ = 15V
ROUT = 5kΩ
V+ = 15V
ROUT = 5kΩ
V OUT
50mV/DIV
V OUT
200mV/DIV
5µs/DIV
図11.
5µs/DIV
ステップ応答（ゲイン＝5）
図14.
V IN
20mV/DIV
ステップ応答（ゲイン＝5）
V IN
100mV/DIV
V+ = 15V
ROUT = 20kΩ
V+ = 15V
ROUT = 20kΩ
V OUT
1V/DIV
V OUT
200mV/DIV
図12.
05942-013
5µs/DIV
5µs/DIV
ステップ応答（ゲイン＝20）
図15.
―7―
ステップ応答（ゲイン＝20）
05942-016
0V
0V
REV. A
05942-015
05942-012
0V
AD8212
5.2
V+ = 15V
ROUT = 50kΩ
V OUT
2V/DIV
05942-017
0V
5µs/DIV
5.1
T = –40°C
T = +25°C
5.0
T = +125°C
4.9
4.8
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100 1200
BIAS CURRENT (µA)
図16.
ステップ応答（ゲイン＝50）
図19.
05942-024
RE G UL A T O R V O L TA G E ( V )
V IN
100mV/DIV
バイアス電流 対 レギュレータ電圧高電圧
モード（IOUT＝0mA）
5.2
RE GUL A T O R V O L TA GE (V )
V IN
100mV/DIV
V+ = 15V
ROUT = 20kΩ
V OUT
2V/DIV
5.1
V+ = 300V
V+ = 100V
5.0
V+ = 200V
4.9
2µs/DIV
4.8
–40
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
TEMPERATURE (°C)
図17.
図20.
立下がりステップ応答
05942-007
05942-018
0V
レギュレータ電圧の温度特性（高電圧動作）
550
500
V IN
100mV/DIV
V + O PE RA T ING RA NG E ( V )
450
V+ = 15V
ROUT = 20kΩ
V OUT
2V/DIV
300
250
200
150
V+ MAXIMUM RANGE
V+ MINIMUM RANGE
50
0
10
20
30
50
70 100 150 200 250 300 350 400 450 500
RBIAS (kΩ)
図18.
図21.
立上がりステップ応答
―8―
05942-020
2µs/DIV
350
100
05942-019
0V
400
バイアス抵抗値 対 電源範囲（V＋）（高電圧動作）
REV. A
AD8212
動作原理
ILOAD
BATTERY
RSHUNT
1
通常動作（電源範囲（V＋）：7∼65V）
8
AD8212
AD8212は、通常、シャント抵抗を流れる負荷電流によって発
R1
R2
L OAD
生された小さい差動入力電圧を測定するために使用します。
シャント抵抗（RSHUNT）の両端にオペアンプ（A1）を接続し、
反転入力はバッテリ／電源側、非反転入力はシステムの負荷側
に接続します。内部直列レギュレータ（図22ではツェナー・ダ
イオード）を介してアンプA1を駆動します。このレギュレータ
は、AD8212のバッテリ／電源端子と内部回路の最小コモン・
ポイントとなる COM （ 2 番ピン）との間で 5V の定電圧を維持
します。
A1
Q1
外付けシャント抵抗を流れる負荷電流によって、AD8212の入
力端子の電圧が発生します。アンプA1は、トランジスタQ1に
よって抵抗R1を流れる必要な電流を調整し、アンプの反転入力
と非反転入力の電位を等しくします。
OUTPUT
CURRENT
COMPENSATION
BIAS
CIRCUIT
5
トランジスタ Q1 （ I OUT ）のエミッタを流れる電流は入力電圧
（VSENSE）に比例するため、シャント抵抗（RSHUNT）を流れる負
荷電流（ILOAD）にも比例します。外付け抵抗を使って、出力電
流（IOUT）を電圧に変換します。抵抗の値は、アプリケーショ
ンに必要な入出力ゲインの式によって決まります。
VOUT
3
図22.
IOUT＝(gm×VSENSE)
6
IOUT
05942-003
ROUT
AD8212の伝達関数は次のとおりです。
代表的な接続（7∼65Vの電源範囲（V＋ピン））
ここで述べるように AD8212 を使用する場合は、システムの
バッテリ／電源電圧の範囲を 7 ∼ 65V とします。内部レギュ
レータ（図22のツェナー・ダイオード）を駆動するときは、最
小7Vの電源電圧が必要です。この電圧調整によって、電源電圧
（V＋）に関係なく5Vの定電圧が維持されます。この動作モー
ドの最大電圧は、AD8212の製造プロセスによるブレークダウ
ン電圧制限により65Vとなります。
VSENSE＝ILOAD×RSHUNT
VOUT＝IOUT×ROUT
VOUT＝(VSENSE×ROUT)/1000
ここで、
gm＝1000µA/V
通常の電圧動作モードでは、図22に示すようにバイアス回路は
GND に接続します。このモードでは、 I BIAS は 7 ∼ 65V （ V ＋）
の範囲で185µA（typ）となります。
通常、1%抵抗を使用して出力電流を電圧に変換できます。表4
にROUTの推奨値を示します。
表4.
ROUTの推奨値
Gain (V/V)
REV. A
2
―9―
ROUT (kΩ)
1
1
10
10
20
20
50
49.9
100
100
AD8212
外付けPNPトランジスタを使用した高電圧動作
AD8212は、65Vを上回る同相電圧環境下で電流を簡単に測定
できます。そのためには、図23に示すようにAD8212の出力に
外付けのPNPトランジスタを接続します。このトランジスタの
ブレークダウン電圧V CE が、AD8212 動作時の同相電圧範囲に
なります。ブレークダウン電圧が300V を超えるPNP トランジ
スタは安価で入手しやすく、小型パッケージの製品が販売され
ています。
BATTERY
この動作モードでは、AD8212回路の電源電流（IBIAS）は電源
範囲と選択したRBIAS抵抗に基づいて増加します。
たとえば、次の場合：
V＋ ＝500VおよびRBIAS＝500kΩ
IBIAS＝(V＋ −5V)/RBIAS
したがって、
IBIAS＝(500−5)/500kΩ＝990µA
RSHUNT
1
高電圧動作では、IBIASを200µA∼1mA以内に維持することを推
奨します。このようにすることで、バイアス回路をオンにして、
デバイスを予想どおりに動作させることができます。同時に、
バイアス回路／レギュレータを流れる電流が1mAに制限されま
す。高電圧構成でAD8212を使用する場合のIBIASとV＋につい
ては、図19と図21を参照してください。
8
AD8212
R2
L OA D
R1
A1
図23のようにAD8212を動作させるときは、トランジスタQ2に
FETまたはバイポーラPNPトランジスタを使用できます。バイ
ポーラPNPのほうが価格は安くなりますが、PNPのベースで電
流が消費されるぶん出力抵抗（ROUT）に流れる電流（IOUT）が
Q1
減少します。その結果、出力電圧値に誤差が生じます。
AD8212には、外付けPNPトランジスタのベースで消費される
出力電流を補償する特許取得済み回路が備わっています。これ
により、アンプの正しいトランスコンダクタンスが維持され、
FETの代わりに安価なバイポーラPNPを選択しても同等の精度
が得られます。
OUTPUT
CURRENT
COMPENSATION
BIAS
CIRCUIT
5
2
3
6
Q2
出力電流補償回路
RBIAS
ROUT
図23.
05942-004
VOUT
外付けPNPを使用した高電圧動作
AD8212は5V直列レギュレータを内蔵しています。このレギュ
レータは、全端子の中で最も低い電位のCOM（2番ピン）が常
に電源電圧（V＋）より5V低い電圧となるようにします。たと
えば、バッテリ電圧（V＋）が100Vであれば、COM（2番ピン）
の電圧は次式のようになります。
(V+)−5V＝95V
また、トランジスタQ2のベース・エミッタ・ジャンクションと
内部トランジスタのVbeにより、トランジスタQ1のコレクタ電
圧は、次のようにほぼ96.2Vとなります。
外付けPNP（Q2）のベースは、AD8212のALPHA（6番ピン）
に接続します。この経路を流れる電流は電流補償回路内でミ
ラーリングされ、抵抗 R1 と同じ値の抵抗 R2 に出力されます。
抵抗R2間の電流によって発生された電圧は、アンプA1の非反
転入力を一定量だけ変化させます。これに対して、アンプA1は
トランジスタQ1のベースを駆動して抵抗R1に同じような電圧
変化を与え、IOUTを大きくします。
出力補償回路で発生された電流はトランジスタQ2のベース電流
と等しく、抵抗 R1 と抵抗 R2 の変化で電流が等しくなるため、
出力電流に加わる電流増分はトランジスタQ2のベース電流と等
しくなります。このように、内蔵の出力電流補正回路によって
IOUTを補正することで、トランジスタQ2で消費したベース電流
によって誤差が生じないようにします。
AD8212のこの機能によってIOUTの精度が大幅に向上するため、
安価なバイポーラ PNP （低 β ）を使って高電圧環境下（通常、
数百ボルト）で電流を監視できます。
95V＋2(Vbe(Q2))＝95V＋1.2V＝96.2V
この電圧は外付けトランジスタ Q2 に現れます。トランジスタ
Q1の電圧は次式で表されます。
100V−96.2V＝3.8V
このように、トランジスタQ2が95.6Vの電圧に耐えるのに対し、
内部トランジスタQ1に入力されるのはブレークダウン電圧を大
幅に下回る電圧のみになります。
― 10 ―
REV. A
AD8212
アプリケーション情報
500V電流モニタ
一般的なハイサイドの電流検出
AD8212の出力は、高インピーダンス・ノードの駆動に使用し
ます。したがって、コンバータとの接続では、ROUTの出力電圧
をバッファしてAD8212のゲインが影響を受けないようにする
ことを推奨します。
ILOAD
RSHUNT
AD8212 は、ツェナー・レギュレータとして動作するレギュ
COM
V SENSE
8
NC
7
3
BIAS ALPHA
6
4
NC
5
IOUT
ADC
AD8661
IOUT
ILOAD
ROUT
500V
RSHUNT
NOTES
1. NC = NO CONNECT.
図24.
AD8212
通常の電圧範囲の動作
ゲイン抵抗を選択するときは、コンバータの入力電圧範囲を超
えないように慎重に計算してください。AD8212の出力電圧は
最大(V＋)−5Vです。ただし、真の最大出力電圧は、差動入力
電圧と最大 500µ A （ 500mV の最大入力差動電圧に基づく）の
ROUTの出力電流によって変動します。
モータ制御
AD8212は、モータ制御アプリケーションのハイサイド電流検
出向けの実用的なソリューションです。図 25 に示すように、
バッテリを基準とするシャント抵抗を使用し、電流が片方向に
流れる場合は、電源ピンを追加せずに電流を監視できます。
BATTERY
AD8212
IMOTOR
1
V+
V SENSE
8
2
COM
3
BIAS ALPHA
NC
7
6
4
NC
5
IOUT
MOTOR
V OUT
NOTES
1. NC = NO CONNECT.
図25.
REV. A
05942-028
ROUT
モータ制御用のハイサイド電流検出
― 11 ―
1
V+
2
COM
V SENSE
3
BIAS ALPHA
4
NC
8
NC 7
VOUT
6
IOUT 5
ROUT
500kΩ
NOTES
1. TRANSISTOR V CE BREAKDOWN
VOLTAGE MUST BE 500V.
2. NC = NO CONNECT.
図26.
05942-027
V+
2
05942-026
1
レータを内蔵しています。この出力電流補償により、どのよう
なPNPトランジスタを使っても優れた出力電流精度を維持でき
ます。使用する部品数が減少すると、それだけ信頼性も高くな
ります。一番重要なことは、出力電流精度が高いことです。こ
れによって、安価なPNPトランジスタを選んでも高い同相電圧
に耐えることができます。
L OA D
AD8212
L OA D
BATTERY
「外付けPNP トランジスタを使用した高電圧動作」で述べたよ
うに、AD8212の同相電圧範囲は外付けPNPトランジスタを使
用することで拡張できます。電流出力を備えたさまざまなアン
プで、この動作モードが可能です。ただし、一般にはFETデバ
イスと共に外付けのツェナー・レギュレータを追加し、同相電
圧に対する耐性を持たせ、出力電流精度を維持します。
外付けPNPを使用した高電圧動作
AD8212
双方向電流の検出
AD8212は片方向電流検出デバイスです。 したがって、充電電
流と負荷電流の両方を監視するパワー・マネジメント・アプリ
ケーションの場合は2つのデバイスを使用して、図27のように
接続できます。この場合、 I LOAD がシャント抵抗を流れると、
VOUT1が増加します。また、ICHARGEが入力シャント抵抗を流れ
ると、VOUT2が増加します。
ILOAD
ICHARGE
V SENSE
8
8
V SENSE
AD8212
V+
1
AD8212
OUTPUT
CURRENT
COMPENSATION
OUTPUT
CURRENT
COMPENSATION
BIAS
CIRCUIT
IOUT
5
BIAS
CIRCUIT
COM
2
L OA D
V+
1
CHA RG E
BATT ERY
RSHUNT
BIAS
3
ALPHA
ALPHA
6
BIAS
6
IOUT
COM
3
2
5
V OUT 1
V OUT 2
ROUT 1
05942-011
ROUT 2
図27.
双方向の電流検出
― 12 ―
REV. A
AD8212
外形寸法
3.20
3.00
2.80
1
5
5.15
4.90
4.65
4
D05942-0-11/07(A)-J
8
3.20
3.00
2.80
PIN 1
0.65 BSC
0.95
0.85
0.75
1.10 MAX
0.15
0.00
0.38
0.22
COPLANARITY
0.10
0.23
0.08
8°
0°
0.80
0.60
0.40
SEATING
PLANE
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
図28.
8ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ［MSOP］
（RM-8）
寸法単位：mm
オーダー・ガイド
Model
1
1
Temperature Range
Package Description
Package Option
Branding
AD8212YRMZ
–40℃ to +125℃
8-Lead MSOP
RM-8
Y04
AD8212YRMZ-RL1
–40℃ to +125℃
8-Lead MSOP, 13" Tape and Reel
RM-8
Y04
AD8212YRMZ-R71
–40℃ to +125℃
8-Lead MSOP, 7" Tape and Reel
RM-8
Y04
Z＝RoHS準拠製品
REV. A
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