PSoC® Analog Coprocessor:CY8C4Axx Family Datasheet Programmable System-on-Chip (PSoC®) Datasheet (Chinese).pdf

PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
®
PRELIM
可编程片上系统 (PSoC )
概述
赛普拉斯的 PSoC® 模拟协处理器是可编程模拟协处理器的可扩展和可重配置的平台架构;它能够简化带有多个传感器的嵌入式系统
的设计。 PSoC 模拟协处理器设备集成了 PSoC 的灵活模拟前端、可编程模拟滤波器、高分辨率的模数转换器以及基于 32 位 ARM®
Cortex®-M0+ 的高效信号处理引擎,从而允许主机处理器能够通过串行通信接口轻松读取已聚集、预处理和格式化的复杂传感器数
据。
特性
可编程模拟模块
32 位信号处理引擎
■
可将开关电容通用模拟模块 (UAB)配置为二阶模拟滤波器、
14 位的增量 Delta-Sigma 模数转换器或 12 位的电压转换器
■
两个专用的模数转换器(ADC)包括一个 12 位 SAR ADC 和一
个 10 位单斜 ADC
■
四个元素按放大器、两个低功耗比较器和一个非常灵活的 38 通
道模拟复用器,用于创建自定义的模拟前端 (AFE)
■
每个引脚均支持两个电流 DAC(IDAC),用于通用目的或电容
式感应应用
CapSense® 电容式感应
■
赛普拉斯的第四代 CapSense Sigma-Delta (CSD)感应技术
提供了一流的信噪比 (SNR)和防水性能
■
赛普拉斯提供的软件组件使电容式感应设计变为更加简单
■
硬件自动调校 (SmartSense™)
■
高达 48 MHz 的 ARM Cortex-M0+ CPU
■
高达 32 KB 并带有读取加速器的闪存
■
多达 4 KB 的 SRAM 空间
■
基于描述符的 8 通道 DMA 控制器
低功耗操作
■
电压范围:1.71 ~ 5.5 V
■
深度睡眠模式可支持模拟系统正常操作,并为数字系统提供
2.5 µA 的电流
■
时钟晶体振荡器 (WCO)
可编程 GPIO 引脚
■
可将多达 38 个 GPIO 配置为模拟、数字、CapSense 或 LCD 功
能,也可以将其配置为可编程驱动模式、驱动强度和斜率等功
能
■
8 个智能 I/O,用于在输入和输出信号上实现引脚电平的
Boolean 运算
■
封装类型:48 引脚 QFN、48 引脚 TQFP、28 引脚 SSOP 和 45 球
WLCSP
Segment LCD 驱动
■
所有引脚 (Common 或 Segment 引脚)都支持 LCD 驱动
■
能够在深度睡眠模式下运行,每个引脚拥有 4 位存储器
可编程的数字外设
■
三个独立的串行通信模块 (SCB),在运行时间可将它配置为
I2C、 SPI 或 UART
■
八个 16 位定时器 / 计数器 / 脉宽调制器(TCPWM)模块,支持
中心对齐、边沿和伪随机等模式
PSoC Creator 设计环境
■
集成设计环境 (IDE)提供了原理图捕获设计输入和编译 (包
括模拟和数字信号的自动路由),并且通过 ARM-SWD 调试器
能够同时开发固件
■
已经对基于 GUI 的可配置 PSoC 组件进行了全面的嵌入式初始
化校准和纠正等操作
■
应用编程接口 (API)可用于所有固定功能和可编程的外设
工业标准工具的兼容性
■
赛普拉斯半导体公司
文档编号:002-11090 版本 **
•
198 Champion Court
输入原理图后,可以使用基于ARM的工业标准开发工具进行开
发软件
•
San Jose, CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订日期 February 25, 2016
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
目录
功能定义 ............................................................................. 4
CPU 和存储器子系统 ................................................... 4
系统资源 ...................................................................... 4
模拟模块 ...................................................................... 6
固定功能数字模块 ........................................................ 7
GPIO ........................................................................... 7
特殊功能外设 ............................................................... 7
引脚分布 ............................................................................. 8
引脚的其他功能 ......................................................... 10
电源 .................................................................................. 12
模式 1:1.8 V 到 5.5 V 外部电源 ............................... 12
开发支持 ........................................................................... 13
文档 ........................................................................... 13
在线支持 .................................................................... 13
工具 ........................................................................... 13
电气规范 ........................................................................... 14
最大绝对额定值 ........................................................ 14
器件级规范 ................................................................ 14
模拟外设 .................................................................... 18
文档编号:002-11090 版本 **
数字外设 .................................................................... 28
存储器 ........................................................................ 30
系统资源 .................................................................... 30
订购信息 ........................................................................... 33
封装 .................................................................................. 35
封装图 ........................................................................ 36
缩略语 ............................................................................... 38
文档惯例 ........................................................................... 40
测量单位 .................................................................... 40
修订记录 ........................................................................... 41
销售、解决方案和法律信息 .............................................. 42
全球销售和设计支持 .................................................. 42
产品 ........................................................................... 42
PSoC® 解决方案 ...................................................... 42
赛普拉斯开发者社区 .................................................. 42
技术支持 .................................................................... 42
页 2/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
图 1. 框图
CPU Subsystem
32-bit
AHB- Lite
SWD/TC
SPCIF
Cortex
M0+
48 MHz
FLASH
32 KB
SRAM
4 KB
ROM
8 KB
DataWire/
DMA
FAST MUL
NVIC, IRQMX
Read Accelerator
SRAM Controller
ROM Controller
Initiator/ MMIO
System Resources
Lite
System Interconnect
(Multi Layer AHB)
Peripherals
Test
DFT Logic
DFT Analog
SAR
ADC
(12-bit)
UAB
x1
x1
SMX
CTB
x2
2 x OpAmp
WCO
IOSS GPIO (6x ports)
Reset
Reset Control
XRES
Programmable
Analog
2x LP Comparator
Clock
Clock Control
WDT
IMO
ILO
3x SCB-I2C/SPI/UART
Peripheral Interconnect (MMIO)
PCLK
CapSense
Power
Sleep Control
WIC
POR
REF
PWRSYS
8x TCPWM
PSoC Analog Coprocessor
Architecture
High Speed I/ O Matrix, 1 x PRGIO
Power Modes
Active/ Sleep
Deep Sleep
38 x GPIO, LCD
I/O Subsystem
PSoC 模拟协处理器设备能够为硬件和固件的编程、测试、调试
和跟踪提供广泛的支持。
ARM 串行线调试(SWD)接口支持器件的所有编程和调试功能。
借助完善的片上调试 (DoC)功能,可以使用标准的量产器件在
最终系统中进行全面的器件调试。它不需要特殊的接口、调试转
接板、模拟器或仿真器。只需要标准的编程连接,即可全面支持
调试。
PSoC Creator 集成开发环境 (IDE)软件能够为 PSoC 模拟协
处理器设备提供全面集成的编程和调试支持。 SWD 接口与工业
标准的第三方工具全面兼容。 PSoC 模拟协处理器系列提供了一
个不适用于多芯片应用解决方案和微控制器的安全级别。它拥有
下面优点:
■
允许禁用调试功能
■
稳定的闪存保护功能
■
允许在片上可编程模块上执行客户专用功能
文档编号:002-11090 版本 **
调试电路默认处于使能状态,并且可以通过固件禁用它。如果未
使能,唯一的使能方法是擦除整个器件,清除闪存保护,然后用
使能调试的新固件对器件进行重新编程。只有在擦除固件后才能
改写调试固件的使能,从而提高安全性。
此外,如某些应用担心网络钓鱼会通过对器件恶意重新编程来进
行欺诈性攻击或试图启动和中断闪存编程序列来击败安全设定的
应用,所有器件接口都可以被永久禁用。当器件的最大安全级别
被使能时,将禁用所有编程、调试和测试接口。因此,已使能器
件安全性的 PSoC 模拟协处理器将不能退回进行失效分析。这是
PSoC 模拟协处理器客户要考虑的地方。
页 3/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
功能定义
SRAM
CPU 和存储器子系统
4 KB 的 SRAM 能够在工作频率为 48 MHz 的情况下进行零等待
状态的访问。
CPU
SROM
PSoC 模拟协处理器中的 Cortex-M0 CPU 是 32 位 MCU 子系统
的部分,通过扩展的时钟门控来优化该子系统,从而降低功耗。
此外,几乎所有指令的长度都为 16 位,并且 CPU 执行 Thumb-2
指令子集。它包括一个带有 8 个中断输入的嵌套向量中断控制器
(NVIC)模块和一个唤醒中断控制器 (WIC)。通过 WIC 可以
将处理器从深度睡眠模式唤醒,这样,允许芯片处于深度睡眠模
式时关闭供给主处理器的电源。
提供了包含引导和配置子程序的 8 KB SROM。
CPU 还包含一个串行线调试 (SWD)接口 — JTAG 的 2 线格
式。 PSoC 模拟协处理器的调试配置拥有四个断点 (地址)比较
器和两个观察点 (数据)比较器。
DMA / 数据线
DMA 能够通过用户可编程的描述符链在存储器映射内任意位置
上独立执行数据传输。数据线可将单个数据元素从存储器中某个
位置发送到另一个位置。共有八个 DMA 通道以及一系列可选的
触发源。
闪存
PSoC 模拟协处理器包含一个闪存模块,该模块的闪存加速器与
CPU 紧密耦合,以缩短闪存模块的平均访问时间。低功耗闪存模
块可在工作频率为 48 MHz 的情况下实现两个等待状态 (WS)
的访问。通过闪存加速器,闪存的单周期访问时间平均为 SRAM
访问时间的 85%。
文档编号:002-11090 版本 **
系统资源
电源系统
有关电源系统的详细信息,请参考第 12 页上的电源一节。它可
确保电压电平满足每个相应模式的要求,为此需要进行以下操
作:延迟进入模式 (例如,上电复位 (POR))直到电压电平满
足要求以便能够正常工作,或者生成复位事件 (例如,欠压检
测)。 PSoC 模拟协处理器可通过一个外部电源供电,其电压范
围为 1.8 V ±5%(外部稳压)或 1.8 V 至 5.5 V(内部稳压)。它
拥有三种不同的电源模式,这些模式间的转换由电源系统管理。
PSoC 模拟协处理器提供了活动模式以及低功耗的睡眠模式和深
度睡眠模式。
所有子系统在活动模式下都能运行。 CPU 子系统 (CPU、闪存
和 SRAM)在睡眠模式下被时钟门控关闭,但所有外设和中断在
发生唤醒事件时会立即被激活。在深度睡眠模式下,高速时钟和
相关电路都被关闭,从该模式唤醒会需要 35 µs。运算放大器在
深度睡眠模式下仍可运行。
页 4/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
时钟系统
ILO 时钟源
PSoC 模拟协处理器的时钟系统为需要时钟的所有子系统提供时
钟,并且通过该时钟系统可以在各种时钟源之间进行切换而不会
造成短时脉冲。此外,该时钟系统可确保不会出现亚稳态情况。
ILO 是一个极低功耗的 40 kHz 振荡器,主要用于为在深度睡眠模
式下工作的看门狗和外设提供时钟。利用 IMO 校准 ILO 驱动计数
器可以提高精度。赛普拉斯提供了一个用于校准目的的软件组
件。
PSoC 模拟协处理器的时钟系统包括内部主振荡器 (IMO)、内
部低频振荡器(ILO)、一个 32 kHz 时钟晶体振荡器(WCO),
并能够接入一个外部时钟。该系统提供了各个时钟分频器,用于
为外设灵活生成高精度的时钟。另外,还提供了分数分频器,从
而为 UART 生成更高数据速率的时钟。
Divide By
2,4,8
PSoC 模拟协处理器时钟子系统还能够提供一个用于精确时序应
用的低频率振荡器 (32 kHz 时钟晶振)。
看门狗定时器
图 2. PSoC 模拟协处理器 MCU 的时钟架构
IMO
时钟晶体振荡器 (WCO)
HFCLK
External Clock
来自 ILO 的时钟模块为看门狗定时器提供时钟;这样允许看门狗
在深度睡眠模式下仍能工作。另外,如果超时还未服务该看门
狗,则将生成看门狗复位。看门狗复位被记录在固件可读的复位
原因寄存器内。
复位
ILO
HFCLK
LFCLK
SYSCLK
Prescaler
Integer
Dividers
Fractional
Dividers
可以通过各种源(包括软件复位)复位 PSoC 模拟协处理器。复
位事件是异步的,用于确保将器件及时恢复到一个已知的状态。
复位原因被记录在寄存器内,该寄存器的内容在复位过程中保持
不变,允许用户通过软件确定复位原因。将 XRES 引脚触发为低
电平有效,保留该引脚以供外部复位使用。 XRES 引脚有一个内
部上拉电阻 (永远使能)。
10X 16-bit
参考电压
4X 16.5-bit, 1X 24.5-bit
PSoC 模拟协处理器参考系统生成所需要的所有内部参考电压。
1.2 V 参考电压被提供给比较器。 IDAC 基于 ±5% 参考电压。
通过分频 HFCLK 信号,可以为模拟和数字外设生成同步时钟。
PSoC 模拟协处理器共有 15 个时钟分频器。 16 位的分频器能够
灵活生成精细的频率值 (对于较大的分频率,会使用 24 位的分
频器)。 PSoC Creator 完全支持该功能。
IMO 时钟源
在 PSoC 模拟协处理器中,IMO 是主要的内部时钟源。在出厂测
试过程中,该时钟源会被校准以达到指定的精度。IMO 的默认频
率为 24 MHz,并且能以步径为 4 MHz 从 24 MHz 递增到 48 MHz。
IMO 的校准容差为 ±2%。
文档编号:002-11090 版本 **
页 5/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
模拟模块
12 位 SAR ADC
12 位、 1 Msps 的 SAR ADC 可在最大为 18 MHz 的时钟速率下
运行,在该频率下进行 12 位数据转换至少需要 18 个时钟周期。
采样和保持(S/H)时间是可编程,能够降低对驱动 SAR 输入的
放大器 (它决定了 SAR 的建立时间)的增益带宽的要求。可以
通过一个固定的引脚位置为内部参考电压放大器提供一个外部旁
路电容。
SAR ADC 通过一个 8 线输入的序列发生器与一些固定引脚相连。
序列发生器对选中的通道进行自动扫描 (序列发生器扫描),而
不需要任何软件开销 (即无论是在单通道的还是分布在多通道
上,总采样带宽一直等于 1 Msps)。序列发生器的切换通过一个
状态机或固件驱动实现。序列发生器可通过缓冲每个通道来减轻
CPU 中断处理的要求。为了适应各种源阻抗和频率的信号,每个
通道可以编程不同的采样时间。另外, SAR ADC 支持硬件的转
换结果溢出检测机制。转换结果的上下范围可以指定并保存在寄
存器里,当 ADC 转换结果上 / 下溢出时,可以触发中断。这样节
省了序列发生器扫描操作和 CPU 软件检测转换结果溢出与否的
时间。
因为 SAR 需要使用高速时钟(高达 18 MHz),所以不可在深度
睡眠模式下运行。 SAR 的工作电压范围为 1.71 V 到 5.5 V。
图 3. SAR ADC
AHB System Bus and Programmable Logic
Interconnect
SAR Sequencer
vminus vplus
Data and
Status Flags
POS
SARADC
NEG
External
Reference
and
Bypass
(optional )
Reference
Selection
P7
SARMUX Port
(8 inputs)
SARMUX
P0
Sequencing
and Control
VDDA/2
VDDA
VREF
Inputs from other Ports
四个运算放大器 (连续时间模块 CTB)
低功耗比较器 (LPC)
PSoC 模拟协处理器有四个可配置为比较器的运算放大器,这样
能够在片上执行最常见的模拟功能,而无需外部组件; PGA、电
压缓冲区、滤波器、互阻放大器和其他功能 (有时候需要使用外
部无源器件),从而节省电源、成本和空间。片上运算放大器有
足够的带宽来驱动 ADC 的采样和保持电路,而不必使用外部缓
冲。
PSoC 模拟协处理器有一对能在深度睡眠模式下工作的低功耗比
较器。这样,当模拟系统模块被禁用时,仍可以在低功耗模式下
监控外部电压电平。比较器输出通常需要进行同步化,以避免亚
稳态,除非它在一个异步功耗模式下操作 (在此模式下,比较器
电压变动事件可以激活系统唤醒电路)。可将 LPC 输出路由到各
个引脚上。
通用模拟模块 (UAB) — 离散时间模块
电流 DAC
UAB 模块由连接到两个运算放大器结构的开关电容反馈和输入
网构成;每个结构中两个半部分可以独立使用,因此可以在单端
模式下独立使用这两个半部分构成双二阶滤波器结构。通用模拟
功能可通过开关电容网和运算放大器实现。可由 UAB 实现的功
能示例 包 括:DAC、多 极 SC 滤 波 器 (可 级 联 的模块) 、
delta-sigma 调制器、混频器、集成器、PGA 以及其他有用功能。
PSoC 模拟协处理器拥有两个 IDAC,可以驱动芯片上的任意引
脚。可以对这些 IDAC 的电流范围进行编程。
文档编号:002-11090 版本 **
模拟复用总线
PSoC 模拟协处理器具有两个围绕芯片边缘的同心独立总线。它
们 (称为 AMUX 总线)与固件可编程的模拟开关相连,通过这
些开关,芯片的内部资源(IDAC、比较器)可连接至 I/O 端口上
的任意引脚。
页 6/42
PRELIM
固定功能数字模块
定时器 / 计数器 / PWM (TCPWM)模块
TCPWM 模块包含一个用户可编程周期长度的 16 位计数器。另
外,还有一个捕获寄存器,用于记录发生事件(可能是 I/O 事件)
时的计数值;一个周期寄存器,用于停止或自动重新加载计数器
(如果它的计数值等于周期寄存器的值)和多个比较寄存器,用
于生成可作为 PWM 占空比输出的比较值信号。该模块还提供了
正向输出和反向输出间的可编程偏移;这样,这些输出可以作为
可编程死区的互补 PWM 输出使用。它还有一个停止 (Kill)输
入,用于强制输出预定的状态;例如,在用于马达驱动系统中,
当出现过流状态时,需要立即关闭驱动 FET 的 PWM 而不能等待
软件干预。 PSoC 模拟协处理器中共有八个 TCPWM 模块。
串行通信模块 (SCB)
PSoC 模拟协处理器有三个串行通信模块,可将其配置为 SPI、
I2C 或 UART 功能。
I2C 模式:硬件 I2C 模块实现了一个完整的多主设备和从设备接
口 (它具有多主设备的校准功能)。该模块的工作速率可达 400
kbps (快速模式),另外它还提供各种灵活的缓冲选项,能够降
低 CPU 的中断开销和延迟。该模块还具有一个 EZI2C,通过它
可以在 PSoC 模拟协处理器的存储器中创建缓冲存储器的地址范
围,并且对存储器中的阵列进行读写操作时可以大量降低 I2C 通
信。此外,该模块提供一个深度为 8 字节的 FIFO,用于接收和
传送数据;通过延长 CPU 读取数据的时间,该特性大量减少了
时钟延展的发生(由于 CPU 没有及时读取数据而导致的现象)。
I2C 外设与 I2C 标准模式和快速模式器件相兼容,在 NXP I2C 总
线规范和用户手册 (UM10204)中定义。在开漏模式下,可以
使用 GPIO 实现 I2C 总线 I/O。
针对下列方面来说, PSoC 模拟协处理器不完全符合 I2C 规范:
■
GPIO 单元没有过压容差功能,因此不能热插拔或者由其它的
I2C 系统单独供电。
UART 模式:这是一个运行速度高达 1 Mbps 的全功能 UART。
它 支 持 汽 车 单 线 接 口 (LIN) 、红 外 接 口 (IrDA)和 智 能 卡
(ISO7816)协议,这些全部都是基本 UART 协议的衍生协议。
此外,它还支持 9 位多处理器模式,此模式允许寻址连接到通用
RX 和 TX 线的外设。支持通用 UART 功能,如奇偶校验错误、中
断检测以及帧错误。一个 8 字节深度的 FIFO 容许更长的 CPU 服
务延迟。
SPI 模式 :SPI 模式完全支持 Motorola SPI、TI SSP(添加了一
个用于同步 SPI 编解码的启动脉冲)和 National Microwire(SPI
的半双工形式)。该 SPI 模块可以使用 FIFO。
文档编号:002-11090 版本 **
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
GPIO
PSoC 模拟协处理器具有多大 38 个 GPIO。GPIO 模块实现下列
功能:
■ 八种驱动模式:
❐ 模拟输入模式 (输入和输出缓冲区禁用)
❐ 只输入
❐ 弱上拉和强下拉
❐ 强上拉和弱下拉
❐ 开漏和强下拉
❐ 开漏和强上拉
❐ 强上拉和强下拉
❐ 弱上拉和弱下拉
■ 输入阈值选择 (CMOS 或 LVTTL)
■ 除了强驱动模式外,需要单独控制输入和输出缓冲区的使能/禁
用
■ 可选的斜率,用于控制 dV/dt 相关噪声,有助于降低 EMI
各个引脚被分为逻辑实体并称为端口,每个端口的宽度为 8 位
(端口 2 和 3 会少一些)。在上电和复位期间,各模块被强制为
禁用状态,以防止给任何输入供电和 / 或造成引脚启用时的过电
流现象。一个高速 I/O 矩阵的复用网络用于复用连接多个信号至
一个 I/O 引脚。
数据输出寄存器和引脚状态寄存器分别用于存储输出到引脚上的
数据和引脚状态。
如果 I/O 引脚被使能,它将生成一个中断,并且每个 I/O 端口都
有一个中断请求 (IRQ)和相关的中断服务子程序 (ISR)向量
(对于 PSoC 模拟协处理器,向量数量为 4)。智能 I/O 模块由各
开关和 LUT 构成,该模块允许路由到 GPIO 端口引脚上的信号实
现布尔 (Boolean)功能。智能 I/O 可在连接到芯片的输入引脚
上或输出信号上进行逻辑操作。
特殊功能外设
CapSense
PSoC 模拟协处理器中的 CSD 模块为用户提供 CapSense 功能
;一个模拟复用总线通过模拟开关能连接到任何引脚。因此,在
软件控制情况下,系统中的任何可用引脚或引脚组都可以提供
CapSense 功能。另外,为了方便用户使用,还为 CapSense 模
块提供了 PSoC Creator 组件。
通过将屏蔽电压驱动到另一个模拟总线可以提供防水功能。通过
在同相位中驱动屏蔽电极和感应电极,可以提供防水功能,从而
可以避免屏蔽电容衰减感应输入。另外可以实现接近感应。
CapSense 模块有两个 IDAC。可以将它作为通用 IDAC,如果不
用 CapSense (两个 IDAC 都可用)或 CapSense 没有防水功能
(一个 IDAC 可用)。 CapSense 模块还提供 10 位斜率 ADC 功
能,该功能可与 CapSense 功能配合使用。
CapSense 模块是一个高级、低噪声的可编程模块,它提供了可
编程的参考电压和电流源范围,有助于提升系统的灵敏和灵活
性。它也可以使用外部参考电压。它支持全波 CSD 模式,交换
检测 VDDA 和接地电压,以消除电源相关的噪声。
页 7/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
引脚分布
下表 提供了 PSoC 模拟协处理器在 48 引脚 QFN、 48 引脚 TQFP 和 32 引脚 CSP 封装中的引脚分布。所有端口引脚都支持 GPIO。
48 引脚 QFN
48 引脚 TQFP
28 引脚 SSOP
引脚
28
名称
P0.0
引脚
28
名称
P0.0
引脚
21
名称
P0.0
29
P0.1
29
P0.1
22
30
P0.2
30
P0.2
23
31
P0.3
31
32
P0.4
32
33
P0.5
34
P0.6
35
P0.7
35
P0.7
36
XRES
36
XRES
37
P4.0
37
38
P4.1
38
39
P5.0
39
P5.0
40
P5.1
40
P5.1
41
P5.2
41
P5.2
26
42
P5.3
42
P5.3
27
43
VDDA
43
VDDA
44
VSSA
44
VSSA
45
VCCD
45
VCCD
45 球 CSP
引脚
D3
名称
P0.0
P0.1
E2
P0.1
P0.2
D2
P0.2
P0.3
D1
P0.3
P0.4
E1
P0.4
33
P0.5
C3
P0.5
34
P0.6
C2
P0.6
B2
P0.7
B3
XRES
P4.0
A1
P4.0
P4.1
B1
P4.1
24
25
XRES
P5.0
B4
P5.0
C1
P5.1
P5.2
A2
P5.2
P5.3
A3
P5.3
28
VDDA
I2
VDDA
29
VSSA
I3
VSSA
1
VCCD
A4
VCCD
B5
VDDD
A5
VSSD
46
VSSD
46
VSSD
2
VSSD
47
VDDD
47
VDDD
3
VDDD
48
P1.0
48
P1.0
4
P1.0
C5
P1.0
1
P1.1
1
P1.1
5
P1.1
C4
P1.1
2
P1.2
2
P1.2
6
P1.2
D5
P1.2
3
P1.3
3
P1.3
7
P1.3
D4
P1.3
4
P1.4
4
P1.4
E3
P1.4
5
P1.5
5
P1.5
E4
P1.5
6
P1.6
6
P1.6
7
P1.7
7
P1.7
F3
P1.7
8
VDDA
8
VDDA
8
VDDA
E5
VDDA
9
VSSA
9
VSSA
9
VSSA
F5
VSSA
10
P2.0
10
P2.0
10
P2.0
G3
P2.0
11
P2.1
11
P2.1
11
P2.1
F4
P2.1
12
P2.2
12
P2.2
12
P2.2
G4
P2.2
13
P2.3
13
P2.3
13
P2.3
G5
P2.3
14
P2.4
14
P2.4
H5
P2.4
15
P2.5
15
P2.5
I4
P2.5
16
P2.6
16
P2.6
H4
P2.6
17
P2.7/VREF
17
P2.7/VREF
14
P2.7/VREF
I5
P2.7/VREF
18
VSSA
18
VSSA
30
VSSA
I3
VSSA
文档编号:002-11090 版本 **
页 8/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
48 引脚 QFN
48 引脚 TQFP
引脚
19
名称
VDDA
引脚
19
名称
VDDA
20
P3.0
20
P3.0
21
P3.1
21
22
P3.2
23
P3.3
24
25
28 引脚 SSOP
引脚
15
名称
VDDA
P3.1
16
P3.1
22
P3.2
17
23
P3.3
18
P3.4
24
P3.5
25
26
P3.6
26
P3.6
19
27
P3.7
27
P3.7
20
45 球 CSP
引脚
I2
名称
VDDA
H2
P3.0
F2
P3.1
P3.2
I1
P3.2
P3.3
H3
P3.3
P3.4
F1
P3.4
P3.5
G2
P3.5
P3.6
G1
P3.6
P3.7
H1
P3.7
各种电源引脚的功能如下说明:
VDDD:数字部分的电源。
VDDA:模拟部分的电源。
VSS:接地引脚。
VCCD:稳压数字电源 (1.8 V ± 5%)。
48 引脚的封装类型都有 38 个 I/O 引脚 45-CSP 和 28-SSOP 封装则分别有 37 和 20 个 I/O 引脚。
文档编号:002-11090 版本 **
页 9/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
引脚的其他功能
每个端口引脚均可用于实现某个功能,例如:作为模拟 I/O、数字外设功能、 CapSense 引脚或 LCD 引脚。引脚分配如下表所示。
活动模式
端口 / 引脚
模拟引脚
SmartIO
P0.0
lpcomp.in_p[0]
SmartIO[0].io[0]
tcpwm.line[4]:1
P0.1
lpcomp.in_n[0]
SmartIO[0].io[1]
tcpwm.line_compl[4]:1
ACT #0
ACT #1
深度睡眠模式
ACT #2
ACT #3
DS #0
DS #1
pass.dsi_sar_data[0]:0
tcpwm.tr_in[0]
cpuss.swd_data:0
scb[0].spi_select1:0
pass.dsi_sar_data[1]:0
tcpwm.tr_in[1]
cpuss.swd_clk:0
scb[0].spi_select2:0
scb[0].spi_select3:0
P0.2
SmartIO[0].io[2]
tcpwm.line[5]:1
srss.ext_clk
pass.tr_gen_trig_in[0]
pass.dsi_ctb_cmp0[0]
P0.3
SmartIO[0].io[3]
tcpwm.line_compl[5]:1
pass.dsi_sar_data[2]:1
pass.tr_gen_trig_in[1]
pass.dsi_ctb_cmp1[0]
P0.4
SmartIO[0].io[4]
tcpwm.line[6]:1
scb[1].uart_rx:0
pass.dsi_sar_data[3]:1
pass.tr_uab_trig0_out:0
scb[1].i2c_scl:0
scb[1].spi_mosi:0
P0.5
SmartIO[0].io[5]
tcpwm.line_compl[6]:1
scb[1].uart_tx:0
pass.dsi_sar_data[4]:1
pass.tr_uab_trig1_out:0
scb[1].i2c_sda:0
scb[1].spi_miso:0
P0.6
SmartIO[0].io[6]
scb[1].uart_cts:0
pass.dsi_sar_data[5]:1
pass.dsi_uab_cmp0
lpcomp.comp[0]:0
scb[1].spi_clk:0
P0.7
SmartIO[0].io[7]
scb[1].uart_rts:0
pass.dsi_sar_data[6]:1
pass.dsi_uab_cmp1
lpcomp.comp[1]:0
scb[1].spi_select0:0
P4.0
wco.wco_in
tcpwm.line[0]:2
scb[2].uart_rx:1
pass.dsi_sar_data[7]:1
tcpwm.tr_in[5]
scb[2].i2c_scl:1
scb[2].spi_mosi:1
P4.1
wco.wco_out
tcpwm.line_compl[0]:2
scb[2].uart_tx:1
pass.dsi_sar_data[8]:1
tcpwm.tr_in[6]
scb[2].i2c_sda:1
scb[2].spi_miso:1
P5.0
csd.cshieldpads
tcpwm.line[7]:1
scb[0].uart_rx:1
pass.dsi_sar_data_valid
scb[0].i2c_scl:1
scb[0].spi_mosi:1
P5.1
csd.vref_ext
tcpwm.line_compl[7]:1
scb[0].uart_tx:1
pass.dsi_sar_sample_done
scb[0].i2c_sda:1
scb[0].spi_miso:1
P5.2
csd.dsi_cmod
tcpwm.line[6]:2
scb[0].uart_cts:1
pass.tr_sar_out
pass.dsi_ctb_cmp0[1]
scb[0].spi_clk:1
P5.3
csd.dsi_csh_tank
tcpwm.line_compl[6]:2
scb[0].uart_rts:1
pass.dsi_sar_data[9]:0
pass.dsi_ctb_cmp1[1]
scb[0].spi_select0:1
P1.0
ctb_pads[8]
lpcomp.in_p[1]
tcpwm.line[0]:1
scb[1].uart_rx:1
pass.dsi_sar_data[10]:0
pass.tr_decm_intr0
scb[1].i2c_scl:1
scb[1].spi_mosi:1
P1.1
ctb_pads[9]
lpcomp.in_n[1]
tcpwm.line_compl[0]:1
scb[1].uart_tx:1
pass.dsi_sar_data[11]:0
pass.tr_decm_intr1
scb[1].i2c_sda:1
scb[1].spi_miso:1
P1.2
ctb_pads[10]
ctb_oa0_out_10x[1]
tcpwm.line[1]:1
scb[1].uart_cts:1
pass.dsi_sar_data[2]:0
scb[1].spi_clk:1
P1.3
ctb_pads[11]
ctb_oa1_out_10x[1]
tcpwm.line_compl[1]:1
scb[1].uart_rts:1
pass.dsi_sar_data[3]:0
scb[1].spi_select0:1
P1.4
ctb_pads[12]
tcpwm.line[2]:1
scb[1].spi_select1:0
P1.5
ctb_pads[13]
tcpwm.line_compl[2]:1
scb[1].spi_select2:0
P1.6
ctb_pads[14]
tcpwm.line[3]:1
scb[1].spi_select3:0
P1.7
ctb_pads[15]
tcpwm.line_compl[3]:1
P2.0
ctb_pads[0]
tcpwm.line[4]:0
scb[2].uart_rx:0
pass.dsi_sar_data[4]:0
scb[2].i2c_scl:0
scb[2].spi_mosi:0
P2.1
ctb_pads[1]
tcpwm.line_compl[4]:0
scb[2].uart_tx:0
pass.dsi_sar_data[5]:0
scb[2].i2c_sda:0
scb[2].spi_miso:0
文档编号:002-11090 版本 **
页 10/42
PRELIM
端口 / 引脚
模拟引脚
P2.2
SmartIO
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
活动模式
深度睡眠模式
ACT #0
ACT #1
ACT #2
ctb_pads[2]
ctb_oa0_out_10x[0]
tcpwm.line[5]:0
scb[2].uart_cts:0
pass.dsi_sar_data[6]:0
scb[2].spi_clk:0
P2.3
ctb_pads[3]
ctb_oa1_out_10x[0]
tcpwm.line_compl[5]:0
scb[2].uart_rts:0
pass.dsi_sar_data[7]:0
scb[2].spi_select0:0
P2.4
ctb_pads[4]
pass.lnfe_base_hv
tcpwm.line[0]:0
scb[2].spi_select1:0
P2.5
ctb_pads[5]
pass.lnfe_emitter_hv
tcpwm.line_compl[0]:0
scb[2].spi_select2:0
ctb_pads[6]
tcpwm.line[1]:0
scb[2].spi_select3:0
ctb_pads[7]
tcpwm.line_compl[1]:0
P2.6
ACT #3
DS #0
DS #1
P2.7
sar_ext_vref0
sar_ext_vref1
P3.0
sarmux_pads[0]
tcpwm.line[2]:0
scb[0].uart_rx:0
P3.1
sarmux_pads[1]
tcpwm.line_compl[2]:0
scb[0].uart_tx:0
P3.2
sarmux_pads[2]
tcpwm.line[3]:0
scb[0].uart_cts:0
cpuss.swd_data:1
scb[0].spi_clk:0
P3.3
sarmux_pads[3]
tcpwm.line_compl[3]:0
scb[0].uart_rts:0
cpuss.swd_clk:1
scb[0].spi_select0:0
pass.dsi_sar_data[8]:0
scb[0].i2c_scl:0
scb[0].spi_mosi:0
scb[0].i2c_sda:0
scb[0].spi_miso:0
P3.4
sarmux_pads[4]
tcpwm.line[6]:0
pass.dsi_sar_data[10]:1
tcpwm.tr_in[2]
P3.5
sarmux_pads[5]
tcpwm.line_compl[6]:0
pass.dsi_sar_data[11]:1
tcpwm.tr_in[3]
csd.comp
scb[0].spi_select2:1
P3.6
sarmux_pads[6]
tcpwm.line[7]:0
scb[2].uart_rx:2
tcpwm.tr_in[4]
scb[2].i2c_scl:2
scb[2].spi_mosi:2
P3.7
sarmux_pads[7]
tcpwm.line_compl[7]:0
scb[2].uart_tx:2
scb[2].i2c_sda:2
scb[2].spi_miso:2
文档编号:002-11090 版本 **
scb[0].spi_select1:1
页 11/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
电源
模式 1:1.8 V 到 5.5 V 外部电源
下面的电源系统框图显示了 PSoC 模拟协处理器中电源引脚的设
置情况。该系统具有一个处于活动模式的电压调节器,供给数字
电路使用。由于没有模拟电压调节器,因此模拟电路直接使用
VDDA 输入来运行。
图 4. 电源连接
VDDA
在该模式下, PSoC 模拟协处理器由外部电源供电,它的范围为
1.8 到 5.5 V。该范围也适用于电池供电的操作。例如,芯片可由
一个开始为 3.5 V,然后下降到 1.8 V 的电池系统供电。在此模式
下, PSoC 模拟协处理器的内部电压调节器为内部逻辑供电,并
且它的输出与 VCCD 引脚连接。VCCD 引脚输出必须通过外部电容
(0.1 µF ; X5R 陶瓷或性能更好的电容)旁路接地,并且不可连
接到其它部分。
VDDA
Digital
Domain
Analog
Domain
模式 2:1.8 V ± 5% 外部电源
在该模式下, PSoC 模拟协处理器由一个外部电源供电,它的电
压范围为 1.71 V 至 1.89 V ;请注意,此范围必须包括了纹波。
在该模式下, VDDD 和 VCCD 引脚短接相连并被旁路。内部电压
调节器可通过固件被禁用。
VSSA
VDDD
VDDD
VCCD
1.8 Volt
Reg
VDDD、VDDA 和地之间必须有旁路电容对于在该频率范围内工作
的系统,通常选用一个 1 µF 的电容,与一个较小的电容 (如
0.1 µF)并行放置。请注意,这只是简单的经验法则。对于重要
的应用,PCB 布局、走线间的电感和旁路寄生电容需要通过仿真
设计以获得最佳的旁路。
VSSD
旁路方案示例如下图所示。
共有两种操作模式。在模式 1 中,电压范围从 1.8 V 到 5.5 V(未
经外部稳压;使用内部电压调节器)。在模式 2 中,电压范围为
1.8 V ±5%(使用外部稳压;电压范围为 1.71 到 1.89 V,不使用
内部电压调节器)。
图 5. 外部电源 (电压范围从 1.8 V 到 5.5 V,使能内部电压调节器 )
Power supply bypass connections example
1.8 V to 5.5 V
1.8 V to 5.5 V
VDDD
µF
VDDA
µF
0.1 µF
0.1 µF
VCCD
0.1 µF
PSoC CY8C4Axx
VSS
文档编号:002-11090 版本 **
页 12/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
开发支持
PSoC 模拟协处理器系列具有一系列丰富的文档、开发工具和在
线资源,能够在开发过程中为您提供帮助。更多有关信息,请访
问 www.cypress.com/go/psoc4 网站。
文档
通过 PSoC 模拟协处理器系列的一系列文档,您可以快速找到问
题的答案。本节列出了一些关键文档。
软件用户指南:介绍了有关使用 PSoC Creator 的流程。该指南
详细介绍了 PSoC Creator 的构建流程、如何使用 PSoC Creator
的资源控件等信息。
在线支持
除了印刷文档之外,您还可以随时通过赛普拉斯 PSoC 论坛,与
世界各地的 PSoC 用户和专家互相联系。
工具
具备工业标准的内核、编程和调试接口, PSoC 模拟协处理器系
列是开发工具体系的一个组成部分。有关易于使用的创新型
PSoC Creator IDE、所支持的第三方编译器、编程器、调试器和
开 发 套 件 的 最 新 信 息,请 访 问 我 们 的 网 站:
www.cypress.com/go/psoccreator 。
组件数据手册:PSoC 非常灵活,IC 在投入生产很长时间后依然
可以创建新的外设 (组件)。组件数据手册提供了选择和使用特
定组件所需的全部信息,其中包括功能说明、 API 文档、示例代
码以及交流 / 直流规范。
应用笔记:PSoC 应用笔记深入讨论了 PSoC 的特定应用,例如
直流无刷电机控制和片上滤波。除了应用笔记文档之外,应用笔
记通常还包括示例项目。
技术参考手册:技术参考手册 (TRM)包含使用 PSoC 器件所
需的全部技术细节,其中包括有关所有 PSoC 寄存器的完整说
明。技术参考手册 (TRM)在 www.cypress.com/psoc4 网站上
的文档部分提供。
文档编号:002-11090 版本 **
页 13/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
电气规范
最大绝对额定值
表 1. 最大绝对额定值 [1]
规范 ID
参数
说明
最小值
典型值
最大值
SID1
VDD_ABS
相对于 VSS 的数字或模拟供电电压
–0.5
–
6
SID2
VCCD_ABS
相对于 VSS 的直接数字内核输入电压
–0.5
–
1.95
SID3
VGPIO_ABS
GPIO 电压
–0.5
–
VDD+0.5
SID4
IGPIO_ABS
每个 GPIO 上的最大电流
–25
–
25
单位
详情 / 条件
VDDD、 VDDA、
绝对最大值
V
–
–
–
mA
SID5
IGPIO_injection
GPIO 注入电流,VIH > VDDD 时,该值最
大; VIL < VSS 时,该值最小
–0.5
–
0.5
BID44
ESD_HBM
人体静电放电模型
2200
–
–
BID45
ESD_CDM
静电放电的带电器件模型
500
–
–
BID46
LU
栓锁的引脚电流
–140
–
140
每个引脚的注入
电流
–
V
–
mA
–
器件级规范
除非另有说明,否则规范的适用条件是 –40 °C  TA  85 °C 和 TJ  100 °C,除非另有说明,否则这些规范的适用范围为 1.71 V ~
5.5 V。
表 2. 直流规范
典型值的测量条件为:VDD = 3.3 V,温度 = 25 °C。
规范 ID
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID53
VDD
电源输入电压
1.8
–
5.5
SID255
VDD
电源输入电压 (VCCD = VDD)
1.71
–
1.89
SID54
VDDIO
VDDIO 供电范围
1.71
–
VDD
–
SID55
CEFC
外部电压调节器电压旁路
–
0.1
–
绝缘介质为 X5R 的陶瓷
或性能更好的电容
SID56
CEXC
内部电压旁路电容
–
1
–
使能了电压调节器
V
µF
内部未稳压电源
绝缘介质为 X5R 的陶瓷
或性能更好的电容
在活动模式下, VDD = 1.8 V ~ 5.5 V。典型值是在 25 °C 和 VDD = 3.3 V 的条件下测量得到。
SID9
IDD5
从闪存内执行;
CPU 的运行速率为 6 MHz
–
2
–
SID12
IDD8
从闪存执行;
CPU 的运行速度为 24 MHz
–
5.6
–
SID16
IDD11
从闪存内执行;
CPU 的运行速度为 48 MHz
–
10.4
–
–
1.1
–
–
3.1
–
–
mA
–
–
在睡眠模式下, VDDD = 1.8 V ~ 5.5 V (使能电压调节器)
SID22
IDD17
SID25
IDD20
I2C 唤醒、 WDT 和比较器都被启用
2
I C 唤醒、 WDT 和比较器都被启用
mA
6 MHz
12 MHz
注释:
1. 器件在高于表 1 中所列出的最大绝对值条件下工作可能会造成永久性损害。长期在最大绝对值的条件下使用可能会影响器件的可靠性。最大存放温度是 150°C,
符合 JEDEC JESD22-A103 — 高温度存放使用寿命标准。如果采用的值低于最大绝对值但高于正常值,则器件可能不正常工作。
文档编号:002-11090 版本 **
页 14/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 2. 直流规范 (续)
典型值的测量条件为:VDD = 3.3 V,温度 = 25 °C。
规范 ID
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
–
1.1
–
mA
6 MHz
–
3.1
–
mA
12 MHz
–
2.5
–
µA
–
–
2.5
–
µA
–
在睡眠模式下, VDDD = 1.71 V ~ 1.89 V (旁路电压调节器)
SID28
IDD23
SID28A
IDD23A
I2C 唤醒、 WDT 和比较器都被启用
2
I C 唤醒、 WDT 和比较器都被启用
在深度睡眠模式下, VDD = 1.8 V ~ 3.6 V (使能电压调节器)
SID31
IDD26
I2C 唤醒和 WDT 被启用
在深度睡眠模式下, VDD = 3.6 V ~ 5.5 V (使能电压调节器)
SID34
IDD29
I2C 唤醒和 WDT 被启用
在深度睡眠模式下, VDD = VCCD = 1.71 V ~ 1.89 V (旁路电压调节器)
SID37
IDD32
I2C 唤醒和 WDT 被启用
–
2.5
–
µA
–
IDD_XR
触发 XRES 时的供电电流
–
2
5
mA
–
XRES 电流
SID307
表 3. 交流规范
规范 ID
参数
说明
最大值
单位
DC
–
48
MHz
从睡眠模式唤醒的时间
–
0
–
从深度睡眠模式唤醒的时间
–
35
–
SID48
FCPU
CPU 频率
SID49[2]
TSLEEP
SID50[2]
TDEEPSLEEP
最小值 典型值
详情 / 条件
1.71 VDD 5.5
µs
注释:
2. 由出厂标准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 15/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
GPIO
表 4. GPIO 直流规范
规范 ID
SID57
参数
说明
VIH[3]
输入高电平阈值
输入低电平阈值
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
0.7  VDDD
–
–
CMOS 输入
CMOS 输入
–
–
0.3 VDDD
LVTTL 输入, VDDD < 2.7 V
0.7  VDDD
–
–
–
LVTTL 输入, VDDD < 2.7 V
–
–
0.3 VDDD
–
LVTTL 输入, VDDD  2.7 V
2.0
–
–
–
VIL
LVTTL 输入, VDDD  2.7 V
–
–
0.8
–
SID59
VOH
输出高电平电压
VDDD – 0.6
–
–
SID60
VOH
输出高电平电压
VDDD – 0.5
–
–
VDDD = 1.8 V 时,
IOH = 1 mA
SID61
VOL
输出低电平电压
–
–
0.6
VDDD = 1.8 V 时,
IOL = 4 mA
SID62
VOL
输出低电平电压
–
–
0.6
VDDD = 3 V 时,
IOL = 10 mA
SID62A
VOL
输出低电平电压
–
–
0.4
VDDD = 3 V 时,
IOL = 3 mA
SID63
RPULLUP
上拉电阻
3.5
5.6
8.5
SID64
RPULLDOWN
下拉电阻
3.5
5.6
8.5
SID65
IIL
输入漏电流 (绝对值)
–
–
2
nA
SID66
CIN
输入电容
–
3
7
pF
[4]
VHYSTTL
输入迟滞 LVTTL
15
40
–
[4]
输入迟滞 CMOS
0.05  VDDD
–
–
200
–
–
SID58
VIL
SID241
VIH[3]
SID242
VIL
SID243
VIH[3]
SID244
SID67
V
k
VDDD = 3 V 时,
IOH = 4 mA
–
–
25 °C, VDDD = 3.0 V
–
VDDD  2.7 V
SID68
VHYSCMOS
SID68A[4]
VHYSCMOS5V5 输入迟滞 CMOS 电平
SID69[4]
IDIODE
通过保护二极管到达 VDD/VSS 的
导通电流
–
–
100
µA
–
SID69A[4]
ITOT_GPIO
芯片的最大总拉电流或灌电流
–
–
85
mA
–
mV
VDD < 4.5 V
VDD < 4.5 V
表 5. GPIO 交流规范
(由出厂校准保证)
规范 ID
参数
说明
最小值
典型值
最大值
快速强驱动模式下的上升时间
2
–
12
–
12
单位
详情 / 条件
VDDD = 3.3 V,
Cload = 25 pF
SID70
TRISEF
SID71
TFALLF
快速强驱动模式下的下降时间
2
SID72
TRISES
慢速强驱动模式下的上升时间
10
–
60
ns
VDDD = 3.3 V,
Cload = 25 pF
SID73
TFALLS
慢速强驱动模式下的下降时间
10
–
60
ns
VDDD = 3.3 V,
Cload = 25 pF
ns
VDDD = 3.3 V,
Cload = 25 pF
注释:
3. VIH 不能超过 VDDD + 0.2 V。
4. 由出厂标准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 16/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 5. GPIO 交流规范
(由出厂校准保证)(续)
规范 ID
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID74
FGPIOUT1
GPIO 的输出频率 (FOUT);
3.3 V  VDDD 5.5 V
快速强驱动模式
–
–
16
90/10%,
Cload = 25 pF,
60/40 占空比
SID75
FGPIOUT2
GPIO FOUT ;
1.71 V VDDD 3.3 V
快速强驱动模式
–
–
16
90/10%,
Cload = 25 pF,
60/40 占空比
SID76
FGPIOUT3
GPIO FOUT ;
3.3 V VDDD 5.5 V
慢速强驱动模式
–
–
7
SID245
FGPIOUT4
GPIO FOUT ;
1.71 V VDDD 3.3 V
慢速强驱动模式
–
–
3.5
90/10%,
Cload = 25 pF,
60/40 占空比
SID246
FGPIOIN
GPIO 输入工作频率;
1.71 V VDDD 5.5 V
–
–
16
90/10% VIO
MHz
90/10%,
Cload = 25 pF,
60/40 占空比
XRES
表 6. XRES 直流规范
最小值
典型值
最大值
SID77
规范 ID
VIH
参数
输入高电平阈值
说明
0.7  VDDD
–
–
SID78
VIL
输入低电平阈值
–
–
0.3  VDDD
单位
V
详情 / 条件
CMOS 输入
SID79
RPULLUP
上拉电阻
3.5
5.6
10
k
–
SID80
CIN
输入电容
–
3
7
pF
–
SID81[5]
VHYSXRES
输入电压迟滞
–
05 * VDD
–
mV
VDD > 4.5 V 时,
典型迟滞为 200 mV
表 7. XRES 交流规范
规范 ID
参数
SID83[5]
TRESETWIDTH
BID194[5]
TRESETWAKE
说明
最小值
典型值
复位脉冲宽度
1
–
从复位释放到唤醒的时间
–
–
最大值
单位
详情 / 条件
–
µs
–
2.2
ms
–
注释:
5. 由出厂校准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 17/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
模拟外设
表 8. CTB 运算放大器规范
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
详情 / 条件
–
–
IDD
运算放大器模块的电流,
外部负载
–
–
–
SID269
IDD_HI
功耗 = 高
–
1100
1850
SID270
IDD_MED
功耗 = 中
–
550
950
–
SID271
IDD_LOW
功耗 = 低
–
150
350
–
GBW
负载 = 20 pF,电流 = 0.1 mA
VDDA = 2.7 V
–
–
–
SID272
GBW_HI
功耗 = 高
6
–
–
SID273
GBW_MED
功耗 = 中
3
–
–
SID274
GBW_LO
功耗 = 低
–
1
–
IOUT_MAX
VDDA = 2.7 V,
距电源轨 = 500 mV
–
–
–
SID275
IOUT_MAX_HI
功耗 = 高
10
–
–
SID276
IOUT_MAX_MID
功耗 = 中
10
–
–
SID277
IOUT_MAX_LO
功耗 = 低
–
5
–
IOUT
VDDA = 1.71 V,
电源电压 = 500 mV
–
–
–
SID278
IOUT_MAX_HI
功耗 = 高
4
–
–
SID279
IOUT_MAX_MID
功耗 = 中
4
–
–
SID280
IOUT_MAX_LO
功耗 = 低
–
2
–
IDD_Int
运算放大器模块的电流,
内部负载
–
–
–
SID269_I
IDD_HI_Int
功耗 = 高
–
1500
1700
SID270_I
IDD_MED_Int
功耗 = 中
–
700
900
SID271_I
IDD_LOW_Int
功耗 = 低
–
–
–
–
GBW
VDDA = 2.7 V
–
–
–
–
GBW_HI_Int
功耗 = 高
8
–
–
–
–
µA
–
–
–
–
–
SID272_I
文档编号:002-11090 版本 **
–
–
输入和输出电压范围为
0.2 V ~ VDDA - 0.2 V
MHz
输入和输出电压范围为
0.2 V ~ VDDA - 0.2 V
输入和输出电压范围为
0.2 V ~ VDDA - 0.2 V
–
–
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
mA
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
–
–
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
mA
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
–
–
–
µA
MHz
–
输出电压范围为
0.25 V ~ VDDA-0.25 V
页 18/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 8. CTB 运算放大器规范 (续)
规范 ID
参数
–
–
说明
适用于内部和外部负载模式
的通用运算放大器规范
最小值 典型值
最大值
单位
详情 / 条件
–
–
–
–
–
电荷泵被启用,
VDDA = 2.7 V
-0.05
–
VDDA-0.2
VCM
电荷泵被启用,
VDDA = 2.7 V
-0.05
–
VDDA-0.2
VOUT
VDDA = 2.7 V
–
–
–
SID283
VOUT_1
功耗 = 高 , Iload = 10 mA
0.5
–
VDDA-0.5
SID284
VOUT_2
功耗 = 高 , Iload = 1 mA
0.2
–
VDDA-0.2
SID285
VOUT_3
功耗 = 中, Iload = 1 mA
0.2
–
VDDA-0.2
SID286
VOUT_4
功耗 = 低, Iload = 0.1 mA
0.2
–
VDDA-0.2
–
SID288
VOS_TR
校准后的偏移电压
–1.0
±0.5
1.0
高功耗模式,输入电压范围
为 0 V ~ VDDA-0.2 V
SID288A
VOS_TR
校准后的偏移电压
–
±1
–
SID288B
VOS_TR
校准后的偏移电压
–
±2
–
SID290
VOS_DR_TR
校准后的偏移电压漂移
-10
±3
10
SID290A
VOS_DR_TR
校准后的偏移电压漂移
–
±10
–
SID290B
VOS_DR_TR
校准后的偏移电压漂移
–
±10
–
SID291
CMRR
直流电流
70
80
–
PSRR
工作频率为 1 kHz,
纹波电压为 10 mV
SID281
SID282
–
VIN
–
V
–
–
–
–
70
85
–
–
V
mV
–
中等功耗模式,输入电压范
围为 0 V ~ VDDA-0.2 V
低功耗模式,输入电压范围
为 0 V ~ VDDA-0.2 V
µV/C
高功耗模式
中等功耗模式
µV/C
低功耗模式
dB
SID292
–
VDDD = 3.6 V,高功耗模式,
输入电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
噪声
–
–
–
–
SID294
VN2
输入端推算,频率 = 1 kHz,
功耗 = 高
–
72
–
输入和输出电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID295
VN3
输入端推算,
频率 = 10 kHz,功耗 = 高
–
28
–
输入和输出电压范围为
nV/rtHz 0.2 V ~ V
DDA-0.2 V
SID296
VN4
输入端推算,
频率 = 100 kHz,功耗 = 高
–
15
–
输入和输出电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID297
CLOAD
稳定状态下的最大负载。
但性能指标在 50 pF 时定义。
–
–
125
pF
–
SID298
Slew_rate
Cload = 50 pF,功 耗 = 高,
VDDA = 2.7 V
6
–
–
V/µs
–
SID299
T_OP_WAKE
运算放大器从禁用到使能的
时间,无外部 RC 电路支配
–
–
25
µs
–
文档编号:002-11090 版本 **
–
输入电压范围为 0 V ~
VDDA-0.2 V,输出电压范围
为 0.2 V ~ VDDA-0.2 V
–
页 19/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 8. CTB 运算放大器规范 (续)
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
详情 / 条件
OL_GAIN
开环增益
–
90
–
dB
COMP_MODE
比较器模式; 50 mV 驱动,
Trise = Tfall (近似值)
–
–
–
–
SID300
TPD1
响应时间;功耗 = 高
–
150
–
SID301
TPD2
响应时间;功耗 = 中
–
500
–
SID302
TPD3
响应时间;功耗 = 低
–
2500
–
SID303
VHYST_OP
迟滞
–
10
–
mV
–
SID304
WUP_CTB
CTB 从使能到可用的唤醒
时间
–
–
25
µs
–
深度睡眠模式
模式 2 具有最低电流范围。模
式 1 具 有 更 高 的 增益带宽
(GBW)。
–
–
–
–
–
SID_DS_1
IDD_HI_M1
模式 1,高电流
–
1400
–
SID_DS_2
IDD_MED_M1
模式 1,中等电流
–
700
–
SID_DS_3
IDD_LOW_M1
模式 1,低电流
–
200
–
25°C
SID_DS_4
IDD_HI_M2
模式 2,高电流
–
120
–
25°C
SID_DS_5
IDD_MED_M2
模式 2,中等电流
–
60
–
SID_DS_6
IDD_LOW_M2
模式 2,低电流
–
15
–
25°C
SID_DS_7
GBW_HI_M1
模式 1,高电流
–
4
–
25°C
SID_DS_8
GBW_MED_M1
模式 1,中等电流
–
2
–
25°C
SID_DS_9
GBW_LOW_M!
模式 1,低电流
–
0.5
–
25°C
SID_DS_10 GBW_HI_M2
模式 2,高电流
–
0.5
–
SID_DS_11 GBW_MED_M2
模式 2,中等电流
–
0.2
–
Cload = 20 pF,
无直流负载,电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID_DS_12 GBW_Low_M2
模式 2,低电流
–
0.1
–
20 pF 负载,无直流负载,
电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID299A
–
–
文档编号:002-11090 版本 **
–
输入电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
ns
输入电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
输入电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
25°C
µA
µA
MHz
25°C
25°C
20 pF 负载,
无直流负载,电压范围为
0.2 V ~ VDDA-0.2 V
页 20/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 8. CTB 运算放大器规范 (续)
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID_DS_13 VOS_HI_M1
模式 1,高电流
–
5
–
在 25°C 下校准,电压范围
为 0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID_DS_14 VOS_MED_M1
模式 1,中等电流
–
5
–
在 25°C 下校准,电压范围
为 0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID_DS_15 VOS_LOW_M2
模式 1,低电流
–
5
–
在 25°C 下校准,电压范围
为 0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID_DS_16 VOS_HI_M2
模式 2,高电流
–
5
–
在 25°C 下校准,电压范围
为 0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID_DS_17 VOS_MED_M2
模式 2,中等电流
–
5
–
在 25°C 下校准,电压范围
为 0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID_DS_18 VOS_LOW_M2
模式 2,低电流
–
5
–
在 25°C 下校准,电压范围
为 0.2 V ~ VDDA-0.2 V
SID_DS_19 IOUT_HI_M!
模式 1,高电流
–
10
–
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
SID_DS_20 IOUT_MED_M1
模式 1,中等电流
–
10
–
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
SID_DS_21 IOUT_LOW_M1
模式 1,低电流
–
4
–
输出电压范围为
0.5 V ~ VDDA-0.5 V
SID_DS_22 IOUT_HI_M2
模式 2,高电流
–
1
–
–
SID_DS_23 IOU_MED_M2
模式 2,中等电流
–
1
–
–
SID_DS_24 IOU_LOW_M2
模式 2,低电流
–
0.5
–
–
mV
mA
表 9. PGA 规范
规范 ID
参数
–
PGA 增益值
SID_PGA_1
SID_PGA_2
SID_PGA_3
SID_PGA_4
PGA_ERR_1
PGA_ERR_2
PGA_ERR_3
PGA_ERR_4
最小值
典型值
最大值
单位
增益值可能为 2、 4、 16 或 32
说明
2
–
32
–
低范围的增益误差;增益 = 2
–
1
–
%
中等范围的增益误差;增益 = 2
–
–
1.5
%
高范围的增益误差;增益 = 2
–
–
1.5
%
低范围的增益误差;增益 = 4
–
1
–
%
中等范围的增益误差;增益 = 4
–
–
1.5
%
高范围的增益误差;增益 = 4
–
–
1.5
%
低范围的增益误差;增益 = 16
–
3
–
%
中等范围的增益误差;增益 = 16
–
3
–
%
高范围的增益误差;增益 = 16
–
3
–
%
低范围的增益误差;增益 = 32
–
5
–
%
中等范围的增益误差;增益 = 32
–
5
–
%
高范围的增益误差;增益 = 32
–
5
–
%
注释:
6. 由出厂标准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 21/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 10. 通用模拟模块 (UAB)规范
规范 ID
参数
说明
–
–
ADC、 DAC 和滤波器的主要功能
模块规范
–
–
由二阶 Delta-Sigma 调制器
(单端)实现
12 位
Delta-Sigma
ADC
最大值
单位
详情 / 条件
–
–
–
针对 VDDA ≥ 2.7 V 的规范
–
–
–
–
不包括Auto-zero模式下的
参考漂移
ADC 误差
最小值 典型值
SID_PADC_1
GE_DS2
增益误差
–
0.1
–
%
SID_PADC_2
GED_DS2
增益误差漂移
–
–
100
ppm / °C
–
SID_PADC_3
VOS_DS2
偏移电压
–
–
2
mV
–
SID_PADC_4
VSO_DS2
偏移漂移
–
–
100
ppm / °C
–
SID_PADC_5
INL_DS2
积分非线性 (INL)
–3
1
3
LSB
–
SID_PADC_6
DNL_DS2
微分非线性 (DNL)
–1
–
1
LSB
–
SID_PADC_7
SINAD_DS2
信噪比和失真比 ENOB =
(SINAD-1.76)/6.02
68
77
–
dB
–
SID_PADC_8
PSRR_DS2
电源抑制比
68
74
–
dB
–
SID_PADC_10 FS_DS2
采样率 (ksps)
–
7.8
–
ksps
–
SID_PADC_11 FC_DS2
3 dB 带宽是采样率的一部分
0.26
0.26
0.26
SID_PADC_12 VIN_DS2
输入电压范围
–
75
–
SID_PADC_13 IDD_DS2
模块电流
–
900
–
µA
中等功耗模式
SID_PADC_14 WUP_DS2
从使能到可用的唤醒时间
–
–
25
µS
针对时钟频率 ≥ 1 MHz
–
%VREF 根据赛普拉斯组件的用途
14 位增量型
Delta-Sigma ADC。
VREF = VDDA/2
SID_IADC_1
INL_IADC
积分非线性 (INL)
–4
–
4
LSB
SID_IADC_2
DNL_IADC
微分非线性 (DNL)
–1
–
1
LSB
SID_IADC_3
SINAD_IADC
信噪比和失真比 ENOB =
(SINAD-1.76)/6.02
–
77
–
–
SID_IADC_4
FS_IADC
采样率 (每秒采样数)
–
–
100
sps
差分输出
–
–
–
–
积分非线性 (INL)
–
±3
–
12 位 DAC
SID_DAC_1
INL_MDAC1
–
±4 (针对单端模式)
LSB
SID_DAC_2
DNL_MDAC1
SID_DAC_3
VOUT_MDAC1 输出电压范围
SID_DAC_4
VOS_MDAC1
文档编号:002-11090 版本 **
微分非线性 (DNL)
零量程误差 (全 0 输入的输出)
–
±2
–
0.01
–
VDDA-0.01
V
–
–
1
LSB
11 位 DAC 的单调性
有效输出范围为电源电压
到 100 LSB 从 100 mV 到
电源电压的全稳定带宽
零量程是对于模拟接地
得到的
页 22/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 10. 通用模拟模块 (UAB)规范 (续)
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
详情 / 条件
–
–
0.4
%
–
IDD_MMDAC1 模块电流
–
1.2
–
mA
–
SID_DAC_7
PSRR_MDAC1 电源抑制比
70
–
dB
–
SID_DAC_8
WUP_MDAC1 从使能到可用的唤醒时间
–
–
25
µs
SID_DAC_9
TS_MDAC1
DAC 的建立时间
–
–
2
µs
–
SID_DAC_10
BW-MDAC1
3 dB 带宽频率
–
–
500
kHz
–
SID_DAC_5
GE_MDAC1
SID_DAC_6
满量程误差减去偏移
针对时钟频率 ≥ 1 MHz
通过赛普拉斯组件进行
配置
二极双二阶开关电容滤波器。低通 / 带通 / 高通 / 陷波滤波器
SID_SC_1
SNR_SCF1
信噪比
–
70
–
dB
Vin = 2 Vp-p,
低通滤波器, OSR = 100
SID_SC_2
THD_SCF1
总谐波失真
–
70
–
dB
Vin = 2 Vp-p,
低通滤波器, OSR = 100
SID_SC_3
F0_SCF1
中心频率范围
20
kHz
–
SID_SC_4
VOS_SFC1
偏移误差
–
–
mV
–
SID_SC_5
PSRR_SFC1
电源抑制比
70
–
–
dB
–
SID_SC_6
QACC_SFC1
Q 精度
–2
0.2
2
%
–
SID_SC_7
QRNG_SFC1
Q 范围
0.25
–
25
–
SID_SC_9
FC_SCF1
最大采样频率
–
–
2
MHz
–
SID_SC_10
FR_SCF1
采样频率与拐角频率间的比例
8
–
128
–
–
SID_SC_11
IDD_SCf1
模块电流
–
900
–
µA
–
SID_SC_12
WUP_SCF1
从使能到可用的唤醒时间
–
–
25
µs
0.1
15
针对时钟频率 ≥ 1 MHz
表 11. 比较器直流规范
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值
最大值
详情 / 条件
单位
输入偏移电压,出厂校准值
–
–
±10
–
输入偏移电压,自定义校准
–
–
±4
mV –
VHYST
迟滞 (当使能时)
–
10
35
–
SID87
VICM1
正常运行模式下的共模输入电压
0
–
VDDD –0.1
SID247
VICM2
低功耗模式下的共模输入电压
0
–
VDDD
SID247A
VICM3
超低功耗模式下的共模输入电压
0
–
VDDD – 1.15
SID88
CMRR
共模抑制比
50
–
–
SID88A
CMRR
共模抑制比
42
–
–
SID84
VOFFSET1
SID85
VOFFSET2
SID86
文档编号:002-11090 版本 **
模式 1 和 2
V
–
温度 < 0 °C 时,VDDD ≥ 2.2 V ;
温度 > 0 °C 时, VDDD ≥ 1.8 V
dB
VDDD ≥ 2.7 V
VDDD ≤ 2.7 V
页 23/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 11. 比较器直流规范 (续)
规范 ID
参数
SID89
ICMP1
SID248
ICMP2
SID259
SID90
说明
最小值 典型值
最大值
正常运行模式下的模块电流
–
–
400
低功耗模式下的模块电流
–
–
100
ICMP3
超低功耗模式下的模块电流
–
–
28
ZCMP
比较器的直流输入阻抗
35
–
–
详情 / 条件
单位
–
–
µA
温度 < 0 °C 时,VDDD ≥ 2.2 V ;
温度 > 0 °C 时, VDDD ≥ 1.8 V
M –
表 12. 比较器交流规范
规范 ID
参数
说明
SID91
TRESP1
响应时间,正常运行模式, 50 mV 超压
SID258
TRESP2
响应时间,低功耗模式, 50 mV 超压
SID92
TRESP3
响应时间,超低功耗模式, 200 mV 超压
最小值 典型值
–
最大值
38
110
–
70
200
–
2.3
15
单位
详情 / 条件
ns
所有 VDD
–
µs
温度 < 0 °C 时,VDDD ≥ 2.2 V ;
温度 > 0 °C 时, VDDD ≥ 1.8 V
表 13. 温度传感器规范
规范 ID
SID93
参数
TSENSACC
说明
温度传感器准确度
最小值 典型值
–5
±1
最大值
5
单位
详情 / 条件
°C –40 ~ +85 °C
表 14. SAR ADC 规范
规范 ID
参数
SAR ADC 直流规范
SID94
A_RES
说明
分辨率
最小值 典型值
–
–
最大值
单位
12
位
详情 / 条件
SID95
A_CHNLS_S
单端通道数量
–
–
8
8 个全速通道
SID96
A-CHNKS_D
差分通道数量
–
–
4
差分输入需要使用相邻的 I/O
SID97
A-MONO
单调性
–
–
–
SID98
A_GAINERR
增益误差
–
–
±0.1
%
SID99
A_OFFSET
输入偏移电压
–
–
2
mV
SID100
A_ISAR
电流消耗
–
–
1
mA
有
SID101
A_VINS
单端输入电压范围
VSS
–
VDDA
V
SID102
A_VIND
差分输入电压范围
VSS
–
VDDA
V
SID103
A_INRES
输入电阻
–
–
2.2
K
SID104
A_INCAP
输入电容
–
–
10
pF
SID260
VREFSAR
校准后的 SAR 内部参考值偏差
–
–
TBD
V
SAR ADC 交流规范
SID106
A_PSRR
电源抑制比
70
–
–
dB
SID107
A_CMRR
共模抑制比
66
–
–
dB
SID108
A_SAMP
采样率
–
–
1
Msps
SID109
A_SNR
信噪比和失真比 (SINAD)
65
–
–
dB
SID110
A_BW
无混叠输入带宽
–
–
A_samp/2
kHz
SID111
A_INL
积分非线性。 VDD = 1.71~ 5.5 V,
比特率为 1 Msps
–1.7
–
2
LSB
文档编号:002-11090 版本 **
使用外部参考电压
在 1 V 的参考电压测量得到
在电压为 1 V 时测量得到
FIN = 10 kHz
VREF = 1 V~ VDD
页 24/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 14. SAR ADC 规范 (续)
规范 ID
SID111A
参数
A_INL
SID113
A_THD
说明
最小值 典型值
–
积分非线性。VDDD = 1.71 V ~ 3.6 V, –1.5
比特率为 1 Msps
–
积分非线性。VDD = 1.71 V ~ 5.5 V, –1.5
比特率为 500 Ksps
微分非线性。VDD = 1.71 V ~ 5.5 V, –1
–
比特率为 1 Msps
微分非线性。VDD = 1.71 V ~ 3.6 V, –1
–
比特率为 1 Msps
微分非线性。VDD = 1.71 V ~ 5.5 V, –1
–
比特率为 500 Ksps
–
–
总谐波失真
SID111B
A_INL
SID112
A_DNL
SID261
Fsarintref
没有外部参考旁路的 SAR 工作速度
SID112A A_DNL
SID112B A_DNL
–
–
最大值
1.7
单位
详情 / 条件
LSB VREF = 1.71 V ~ VDD
1.7
LSB
VREF = 1 V~ VDD
2.2
LSB
VREF = 1 V ~ VDD
2
LSB
VREF = 1.71 V ~ VDD
2.2
LSB
VREF = 1 V ~ VDD
–65
dB
100
Fin = 10 kHz
ksps 12 位分辨率
表 15. CapSense 和 IDAC 的规范
规范 ID
SYS.PER#3
参数
VDD_RIPPLE
说明
电源的最大允许纹波,
直流至 10 MHz
SYS.PER#16 VDD_RIPPLE_1.8 电源的最大允许纹波,
直流至 10MHz
最小值 典型值
–
–
–
–
1.2
SID.CSD.BLK ICSD
最大模块电流
SID.CSD#15
CSD 和比较器的参考电源
0.6
SID.CSD#15A VREF_EXT
CSD 和比较器的外部参考电源
0.6
SID.CSD#16
IDAC1IDD
IDAC1 (7 位)模块电流
SID.CSD#17
IDAC2IDD
IDAC2 (7 位)模块电流
SID308
VCSD
SID308A
SID309
VREF
–
–
最大值
±50
单位
详情 / 条件
mV VDD > 2 V (包括纹波),
TA = 25 °C,灵敏度 = 0.1 pF
±25
mV VDD > 1.75 V (包括纹波),
TA = 25 °C,寄生电容 (CP)
< 20 pF,灵敏度 ≥ 0.4 pF
1700
µA 每个 IDAC 的模块电流
(包括比较器和参考电源)
V VDDA - 0.6 或 4.4
VDDA - 0.6
(选择较低的值)
VDDA - 0.6 V VDDA - 0.6 或 4.4
(选择较低的值)
1500
µA
–
–
1500
µA
工作电压范围
1.71
–
5.5
V
1.8 V ±5% 或 1.8 V 到 5.5 V
VCOMPIDAC
IDAC 的合规电压范围
0.6
–
VDDA - 0.6
V
VDDA - 0.6 或 4.4
(选择较低的值)
IDAC1DNL
DNL
–1
–
1
LSB
SID310
IDAC1INL
INL
–3
–
3
LSB
SID311
IDAC2DNL
DNL
–1
–
1.0
LSB
SID312
IDAC2INL
INL
–3
–
3
LSB
SID313
SNR
手指信号与噪声的比率。
通过出厂校准保证
5.0
–
–
SID314
IDAC7_SRC1
在低范围时7位IDAC的最大源
电流
4.2
5.2
比率 电容值范围 = 5 ~ 200 pF,
灵敏度 = 0.1 pF。所有使用
场合。 VDDA > 2 V。
µA LSB = 37.5 nA (典型值)
SID314A
IDAC7_SRC2
在中等范围时 7 位 IDAC 的
最大源电流
34
41
µA
LSB = 300 nA (典型值)
SID314B
IDAC7_SRC3
在高范围时7位IDAC的最大源
电流
275
330
µA
LSB = 2.4 µA (典型值)
文档编号:002-11090 版本 **
页 25/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 15. CapSense 和 IDAC 的规范 (续)
规范 ID
SID314C
参数
IDAC7_SRC4
SID314D
IDAC7_SRC5
在中等范围时 7 位 IDAC 的最
大源电流, 2X 模式
69
82
SID314E
IDAC7_SRC6
在高范围时7位IDAC的最大源
电流, 2X 模式
540
660
SID315
IDAC7_SINK_1
在低范围时7位IDAC的最大灌
电流
4.2
5.7
SID315A
IDAC7_SINK_2
在中等范围时 7 位 IDAC 的最
大灌电流
34
44
µA
LSB = 300 nA (典型值)
SID315B
IDAC7_SINK_3
在高范围时7位IDAC的最大灌
电流
270
335
µA
LSB = 2.4 µA (典型值)
SID315C
IDAC7_SINK_4
在低范围时7位IDAC的最大灌
电流, 2X 模式
8
11.5
µA
LSB = 37.5 nA (典型值),
2X 输出阶段
SID315D
IDAC7_SINK_5
在中等范围时 7 位 IDAC 的最
大灌电流, 2X 模式
68
86
µA
LSB = 300 nA (典型值),
2X 输出阶段
SID315E
IDAC7_SINK_6
在高范围时7位IDAC的最大灌
电流, 2X 模式
540
700
µA
LSB = 2.4 µA (典型值),
2X 输出阶段
SID315F
IDAC8_SRC_1
在低范围时8位IDAC的最大源
电流
8.4
10.4
µA
LSB = 37.5 nA (典型值)
SID315G
IDAC8_SRC_2
在中等范围时 8 位 IDAC 的最
大源电流
68
82
µA
LSB = 300 nA (典型值)
SID315H
IDAC8_SRC_3
在高范围时8位IDAC的最大源
电流
550
660
µA
LSB = 2.4 µA (典型值)
SID315J
IDAC8_SINK_1
在低范围时8位IDAC的最大灌
电流
8.4
11.4
µA
LSB = 37.5 nA (典型值)
SID315K
IDAC8_SINK_2
在中等范围时 8 位 IDAC 的最
大灌电流
68
88
µA
LSB = 300 nA (典型值)
SID315L
IDAC8_SINK_3
在高范围时8位IDAC的最大灌
电流
540
670
µA
LSB = 2.4 µA (典型值)
SID320
IDACOFFSET1
全零的输入;
中等和高范围
–
–
SID320A
IDACOFFSET2
全零的输入;低范围
–
SID321
IDACGAIN
–
SID322
SID322A
SID322B
SID323
SID324
SID325
说明
在低范围时7位IDAC的最大源
电流, 2X 模式
满量程错误减去偏移
IDACMISMATCH1 IDAC1 和 IDAC2 在低功耗模式
下的差异
IDACMISMATCH2 IDAC1 和 IDAC2 在中等功耗模
式下的差异
IDACMISMATCH3 IDAC1 和 IDAC2 在高功耗模式
下的差异
IDACSET8
8 位 IDAC 达到 0.5 LSB 所需的
建立时间
IDACSET7
7 位 IDAC 达到 0.5 LSB 所需的
建立时间
CMOD
外部调制器电容
文档编号:002-11090 版本 **
最小值 典型值
8
最大值
10.5
单位
详情 / 条件
µA LSB = 37.5 nA (典型值),
2X 输出阶段
µA LSB = 300 nA (典型值),
2X 输出阶段
µA LSB = 2.4 µA (典型值),
2X 输出阶段
µA LSB = 37.5 nA (典型值)
1
LSB 由源电流或灌电流设置的极性
–
2
–
±20
LSB 由源电流或灌电流设置的极性
%
–
–
9.2
LSB LSB = 37.5 nA (典型值)
–
–
6
LSB LSB = 300 nA (典型值)
–
–
5.8
LSB LSB = 2.4 µA (典型值)
–
–
10
µs
满量程跃变。无外部负载。
–
–
10
µs
满量程跃变。无外部负载。
–
2.2
–
nF
5 V 的额定电压,X7R 或 NP0
电容。
页 26/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 16. 10 位 CapSense ADC 规范
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值
最大值
单位
位
详情 / 条件
–
–
10
A_CHNLS_S 单端通道数量
–
–
16
SIDA97
A-MONO
–
–
–
有
有
SIDA98
A_GAINERR 增益误差
–
–
待定
%
使用外部参考电压。
SIDA99
A_OFFSET
输入偏移电压
–
–
待定
mV
SIDA100
A_ISAR
电流消耗
–
–
待定
mA
VSSA
–
VDDA
V
输入电阻
–
2.2
–
K
–
20
待定
–
–
–
–
dB
1
–
µs
转换速率为 Fhclk/(2^(N+2)) 时
8 位分辨率的转换时间时钟频率为 48 MHz。
–
–
21.3
µs
不包括采集时间。
等于 44.8 ksps
(包括采集时间)。
SIDA108A A_CONV10
转换速率为 Fhclk/(2^(N+2)) 时 10 位分辨率
的转换时间时钟频率为 48 MHz。
–
–
85.3
µs
不包括采集时间。
等于 11.6 ksps
(包括采集时间)。
SIDA109
A_SND
信噪比和失真比 (SINAD)
–
–
dB
SIDA110
A_BW
无混叠输入带宽
待定
–
–
22.4
kHz
8 位分辨率
SIDA111
A_INL
积分非线性。 VDD = 1.71 ~ 5.5 V,
比特率为 1 ksps
–
–
2
LSB
VREF = 2.4 V 或
更高的值
SIDA112
A_DNL
微分非线性。 VDD = 1.71 ~ 5.5 V,
比特率为 1 ksps
–
–
1
LSB
SIDA94
A_RES
SID95
SIDA101
SIDA103
A_VINS
A_INRES
分辨率
单调性
单端输入电压范围
SIDA104
A_INCAP
输入电容
SIDA106
SIDA107
A_PSRR
A_TACQ
电源抑制比
SIDA108
A_CONV8
样本采集时间
文档编号:002-11090 版本 **
8 个全速通道。
差分输入使用相邻 I/O
用 1 V 的参考电压
测量得到。
pF
页 27/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
数字外设
定时器 / 计数器 / 脉宽调制器 (TCPWM)
表 17. TCPWM 规范
规范 ID
SID.TCPWM.1
参数
ITCPWM1
说明
频率为 3 MHz 时的模块电流消耗
SID.TCPWM.2
ITCPWM2
频率为 12 MHz 时的模块电流消耗
–
–
155
SID.TCPWM.2A ITCPWM3
频率为 48 MHz 时的模块电流消耗
–
–
650
–
–
Fc
最小值 典型值 最大值
–
–
45
详情 / 条件
单位
所有模式 (TCPWM)
μA
所有模式 (TCPWM)
所有模式 (TCPWM)
Fc max = CLK_SYS
最大值 = 48 MHz
SID.TCPWM.3
TCPWMFREQ
工作频率
SID.TCPWM.4
TPWMENEXT
输入触发脉冲宽度
2/Fc
–
–
针对所有触发事件 [7]
SID.TCPWM.5
TPWMEXT
输出触发脉冲宽度
2/Fc
–
–
上溢、下溢和 CC
(计数值等于比较值)输出
的最小宽度
SID.TCPWM.5A TCRES
计数器的分辨率
1/Fc
–
–
SID.TCPWM.5B PWMRES
PWM 分辨率
1/Fc
–
–
PWM 输出的最小脉宽
SID.TCPWM.5C QRES
正交输入分辨率
1/Fc
–
–
正交相位输入间的
最小脉冲宽度
MHz
ns
连续计数间的最短时间
I2C
表 18. 固定 I2C 直流规范 [8]
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值 最大值
SID149
II2C1
频率为 100 KHz 时的模块电流消耗
–
–
50
SID150
II2C2
频率为 400 KHz 时的模块电流消耗
–
–
135
SID151
II2C3
在 1 Mbps 时的模块电流消耗
–
–
310
II2C4
I2C
–
–
1.4
SID152
在深度睡眠模式下被使能
单位
详情 / 条件
–
µA
–
–
表 19. 固定的 I2C 交流规范 [8]
规范 ID
SID153
参数
FI2C1
说明
最小值 典型值 最大值 单位
–
比特率
–
1
Msps
详情 / 条件
–
单位
详情 / 条件
µA
–
表 20. SPI 直流规范 [9]
规范 ID
参数
说明
最小值 典型值 最大值
SID163
ISPI1
在 1 Mbps 时的模块电流消耗
–
–
360
SID164
ISPI2
在 4 Mbps 时的模块电流消耗
–
–
560
SID165
ISPI3
在 8 Mbps 时的模块电流消耗
–
–
600
–
–
注释:
7. 根据所选的工作模式,触发事件可以为:Stop、 Start、 Reload、 Count、 Capture 或 Kill。
8. 由出厂标准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 28/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 21. SPI 交流规范 [9]
规范 ID
SID166
参数
FSPI
说明
最小值
典型值
最大值
SPI 工作频率 (主设备; 6X 过采样)
–
–
8
单位
详情 / 条件
MHz SID166
固定 SPI 主设备模式的交流规范
SID167
TDMO
SClock 驱动沿后 MOSI 有效的时间
–
–
15
SID168
TDSI
SClock 捕获沿前的 MISO 有效时间
20
–
–
SID169
THMO
先前的 MOSI 数据保持时间
0
–
–
–
ns
全时钟、 MISO 推迟采样
表示从设备捕获边沿
固定 SPI 从设备模式的交流规范
SID170
TDMI
SClock 捕获沿前的 MOSI 有效时间
40
–
–
SID171
TDSO
SClock 驱动沿后 MISO 有效的时间
–
–
42 +
3*Tcpu
–
Tcpu = 1/FCPU
ns
SID171A
TDSO_EXT
Sclock 驱动沿到 MISO 有效的时间
(在外部时钟模式下)
–
–
48
–
SID172
THSO
先前的 MISO 数据保持时间
0
–
–
–
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
表 22. UART 直流规范 [9]
规范 ID
参数
说明
SID160
IUART1
在 100 Kbps 时的模块电流消耗
–
–
55
µA
–
SID161
IUART2
在 1000 Kbps 时的模块电流消耗
–
–
312
µA
–
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
–
–
1
Mbps
–
表 23. UART 交流规范 [9]
规范 ID
SID162
参数
FUART
说明
比特率
表 24. LCD 直接驱动直流规范 [9]
规范 ID
参数
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID154
ILCDLOW
低功耗模式下的工作电流
–
5
–
µA
尺寸为 6 x 4 段式 (segment)
显示屏;频率为 50 Hz
SID155
CLCDCAP
LCD各个Segment/Common的电容
–
500
5000
pF
–
SID156
LCDOFFSET 长期段偏移
–
20
–
mV
–
SID157
ILCDOP1
LCD 系统工作电流, Vbias = 5 V
–
2
–
SID158
ILCDOP2
LCD 系统工作电流, Vbias = 3.3 V
–
2
–
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
10
50
150
Hz
–
mA
尺寸为 32 x 4 段式显示屏,
频率为 50 Hz,温度为 25 °C
32 x 4 段式显示屏,频率为 50 Hz,
温度为 25 °C
表 25. LCD 直接驱动器交流规范 [9]
规范 ID
SID159
参数
FLCD
说明
LCD 帧率
注释:
9. 由出厂校准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 29/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
存储器
表 26. 闪存直流规范
规范 ID
SID173
参数
VPE
说明
擦除和编程电压
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
1.71
–
5.5
V
–
单位
表 27. 闪存交流规范
说明
最小值
典型值
最大值
SID174
规范 ID
TROWWRITE[10]
行(块)编写时间(擦除和编程)
–
–
20
SID175
TROWERASE[10]
行擦除时间
–
–
13
SID176
TROWPROGRAM[10]
TBULKERASE[10]
TDEVPROG[10]
擦除后的行编程时间
–
–
7
批量擦除时间 (16 KB)
–
–
15
器件总编程时间
–
–
7.5
s
–
[11]
SID181
FEND
闪存耐久性
100 K
–
–
周期
–
SID182[11]
FRET
闪存数据保留时间。 TA ≤ 55 °C,
10 万次编程 / 擦除周期
20
–
–
SID182A[11] –
闪存数据保留时间。 TA ≤ 85 °C,
一万个编程 / 擦除周期
10
–
–
SID256
TWS48
频率为 48 MHz 时的等待状态数
2
–
–
CPU 从闪存内执行
SID257
TWS24
频率为 24 MHz 时的等待状态数
1
–
–
CPU 从闪存内执行
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
1
–
67
V/ms
上电时
上升触发电压
0.80
–
1.5
V
–
下降触发电压
0.70
–
1.4
SID178
SID180[11]
参数
详情 / 条件
行 (块)= 64 字节
ms
–
–
–
–
年
–
系统资源
上电复位 (POR)
表 28. 上电复位 (PRES)
规范 ID
参数
SID.CLK#6 SR_POWER_UP 电源转换速率
SID185[11]
VRISEIPOR
SID186[11]
VFALLIPOR
–
表 29. VCCD 的掉电检测 (BOD)
规范 ID
参数
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
SID190[11]
VFALLPPOR
活动模式和睡眠模式下的 BOD
触发电压
说明
1.48
–
1.62
V
–
SID192[11]
VFALLDPSLP
深度睡眠模式下的 BOD 触发电压
1.1
–
1.5
–
注释:
10. 可能需要 20 毫秒来写入闪存。在这段时间内请勿复位器件,否则会中止闪存操作并且不能保证该操作的完成。复位源包括 XRES 引脚、软件复位、 CPU 锁存状态
和特权冲突、不合适的电源电平以及看门狗。需要确保这些复位源不会无意被触发。
11. 由出厂校准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 30/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
SWD 接口
表 30. SWD 接口规范
规范 ID
参数
说明
最小值
典型值
最大值
SID213
F_SWDCLK1
3.3 V  VDD  5.5 V
–
–
14
SID214
F_SWDCLK2
1.71 V  VDD  3.3 V
–
–
7
SID215[12]
T_SWDI_SETUP T = 1/f SWDCLK
0.25*T
–
–
T_SWDI_HOLD
0.25*T
–
–
T_SWDO_VALID T = 1/f SWDCLK
–
–
0.5*T
T_SWDO_HOLD T = 1/f SWDCLK
1
–
–
单位
MHz
[12]
SID216
[12]
SID217
SID217A
[12]
T = 1/f SWDCLK
详情 / 条件
SWDCLK ≤ CPU
时钟频率的 1/3
SWDCLK ≤ CPU
时钟频率的 1/3
–
ns
–
–
–
内部主振荡器
表 31. IMO 直流规范
(由设计保证)
规范 ID
参数
SID218
IIMO1
SID219
IIMO2
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
频率为 48 MHz 时 IMO 的工作电流
–
–
250
µA
–
频率为 24 MHz 时 IMO 的工作电流
–
–
180
µA
–
说明
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
表 32. IMO 交流规范
规范 ID
参数
2 V  VDD  5.5 和
–25 °C  TA  85 °C
SID223
FIMOTOL1
频率范围为 24 ~ 48 MHz
(递增步长为 4 MHz)
–2
–
+2
%
SID226
TSTARTIMO
IMO 启动时间
–
–
7
µs
–
SID228
TJITRMSIMO2
在 24 MHz 时的均方根抖动时间
–
145
–
ps
–
SID330
IMOWCO1
频率范围为 24 ~ 48 MHz
(递增步长为 4 MHz)
–0.25
–
0.25
%
最小值
典型值
最大值
单位
详情 / 条件
–
0.3
1.05
µA
–
最大值
2
单位
ms
详情 / 条件
–
时钟晶振 DPLL 的
频率锁定模式
内部低速振荡器
表 33. ILO 直流规范
(由设计保证)
规范 ID
参数
SID231[12] IILO1
说明
ILO 工作电流
表 34. ILO 交流规范
规范 ID
参数
SID234[12] TSTARTILO1
SID236[12] TILODUTY
SID237
FILOTRIM1
说明
ILO 启动时间
最小值 典型值
–
–
ILO 占空比
40
50
60
%
–
ILO 频率范围
20
40
80
kHz
–
注释:
12. 由出厂标准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 31/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 35. 时钟晶体振荡器 (WCO)规范
规范 ID
SID398
参数
FWCO
说明
最小值 典型值 最大值
–
32.768
–
单位
kHz
晶振频率
SID399
FTOL
频率容限
–
50
250
SID400
ESR
等效串联电阻
–
50
–
k
SID401
PD
驱动电平
–
–
1
µW
SID402
TSTART
启动时间
–
–
500
ms
SID403
CL
晶振负载电容
6
–
12.5
pF
SID404
C0
晶振寄生电容
–
1.35
–
pF
SID405
IWCO1
工作电流 (高功耗模式下)
–
–
8
uA
SID406
IWCO2
工作电流 (低功耗模式下)
–
–
1
uA
ppm
详情 / 条件
晶振的精度为 20 ppm
表 36. 外部时钟规范
规范 ID
参数
[13]
ExtClkFreq
SID305
说明
最小值 典型值
0
–
外部时钟输入频率
SID306[13] ExtClkDuty
占空比;在 VDD/2 电压下测量得到的
45
说明
最小值
3
最大值
16
单位
MHz
详情 / 条件
–
–
55
%
–
典型值
–
最大值
4
单位
详情 / 条件
–
表 37. 模块规范
规范 ID
参数
[13]
SID262
TCLKSWITCH
系统时钟源的切换时间
周期
表 38. PRGIO 接通时间 (旁路模式下会有延迟)
规范 ID
SID252
参数
说明
最小值 典型值 最大值
PRG_BYPASS 旁路模式下由 PRGIO 导致的最长延迟
–
–
1.6
时间
单位
ns
详情 / 条件
注释:
13. 由出厂标准保证。
文档编号:002-11090 版本 **
页 32/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
订购信息
12 位 SAR ADC
低功耗比较器
TCPWM 模块
SCB 模块
智能 I/O
GPIO
28-SSOP
2
4
2
8
19
X
1000 ksps
2
4
2
8
38
CY8C4A24PVI-441 24
16
4
1
2
X
X
X
1000 ksps
2
4
2
8
19
CY8C4A24FNI-443 24
16
4
1
2
X
X
X
1000 ksps
2
4
2
8
38
CY8C4A24LQI-443 24
16
4
1
2
X
X
X
1000 ksps
2
4
2
8
38
X
X
CY8C4A24AZI-443 24
16
4
1
2
CY8C4A25PVI-471 24
32
4
1
4
1000 ksps
2
4
2
8
38
1000 ksps
2
8
3
8
19
CY8C4A25FNI-473 24
32
4
1
4
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A25LQI-473 24
32
4
1
4
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A25AZI-473 24
32
4
1
4
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A25PVI-481 24
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
19
CY8C4A25FNI-483 24
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A25LQI-483 24
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A25AZI-483 24
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
32
4
1
4
X
1000 ksps
2
8
3
8
19
CY8C4A45PVI-471 48
4A45
X
X
X
CY8C4A45FNI-473 48
X
32
4
1
4
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A45LQI-473 48
X
32
4
1
4
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A45AZI-473 48
X
32
4
1
4
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A45PVI-481 48
X
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
19
CY8C4A45FNI-483 48
X
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A45LQI-483 48
X
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
CY8C4A45AZI-483 48
X
32
4
1
4
X
X
X
1000 ksps
2
8
3
8
38
48-LQFP
RTC
1000 ksps
X
48-QFN
运算放大器 (CTB)
X
2
45-WLCSP
UAB
2
1
LCD 直接驱动
SRAM (KB)
1
4
CSD
闪存 (KB)
4
16
DMA
16
CY8C4A24AZI-433 24
MPN
4A44
封装
CY8C4A24PVI-431 24
类别
4A24
CPU 的最大速度 (MHz)
特性
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
上表中所用的名称是基于以下的器件编号常规:
字段
CY8C
描述
值
含义
赛普拉斯前缀
4
信号处理引擎
4
4 = ARM Cortex-M0+ CPU
A
产品系列
A
B
CPU 速度
2
A = 模拟协处理器
24 MHz
4
48 MHz
文档编号:002-11090 版本 **
页 33/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
字段
C
DE
描述
闪存存储器容量
封装代码
值
4
含义
16 KB
5
32 KB
6
64 KB
7
128 KB
AX
TQFP (间距为 0.8 mm)
AZ
LQ
TQFP (间距为 0.5 mm)
QFN
PV
SSOP
FN
CSP
F
温度范围
I
工业级
S
芯片系列
N/A
基础系列:PSoC 4B-S0
M
留给日后产品使用
XYZ
属性代码
L
留给日后产品使用
BL
留给日后产品使用
000-999
在个别系列中的功能集代码
下面是一个器件型号示例:
Example
CY8C 4 A B C DE F – S XYZ
Cypress Prefix
Architecture
4: PSoC 4
2: 4200 Family
Family within Architecture
CPU Speed
4: 48 MHz
5: 32 KB
Flash Capacity
AX: TQFP
Package Code
I: Industrial
Temperature Range
Silicon Family
Attributes Code
文档编号:002-11090 版本 **
页 34/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
封装
规范 ID
BID20
封装
说明
48 引脚 TQFP
7 × 7 × 1.4 mm 高度
(引脚间距为 0.5 mm)
BID27
48 引脚 QFN
6 × 6 × 0.6 mm 高度
(引脚间距为 0.4 mm)
001-57280
BID34
45 球 WLCSP
3.7 × 2 × 0.5 mm 高度
(引脚间距为 0.38 mm)
002-10531
28 引脚 SSOP 5.3 × 10.2 × 0.65 mm 高度
51-85079
BID34A
封装 DWG 编号
51-85135
表 39. 封装的热特性
参数
描述
TA
工作环境温度
TJ
工作结温
TJA
封装 θJA
TJC
封装 θJC
TJA
TJC
封装
最小值
–40
典型值 最大值
25
85
单位
°C
–40
–
100
°C
48 引脚 TQFP
–
72.8
–
°C/Watt
48 引脚 TQFP
–
34
–
°C/Watt
封装 θJA
48 引脚 QFN
–
20.1
–
°C/Watt
封装 θJC
48 引脚 QFN
–
4.3
–
°C/Watt
TJA
封装 θJA
45 球 WLCSP
–
49
–
°C/Watt
TJC
封装 θJC
45 球 WLCSP
–
0.3
–
°C/Watt
TJA
封装 θJA
28 引脚 SSOP
–
59.1
–
°C/Watt
TJC
封装 θJC
28 引脚 SSOP
–
24.9
–
°C/Watt
表 40. 回流焊峰值温度
封装
所有封装类型
最高峰值温度
260 °C
峰值温度下的最长时间
30 秒
表 41. 封装潮敏等级 (MSL)(根据 IPC/JEDEC J-STD-020 标准)
封装
MSL
所有封装类型
MSL 3
文档编号:002-11090 版本 **
页 35/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
封装图
图 6. 48 引脚 TQFP 封装外形
51-85135 *C
图 7. 48 引脚 QFN 封装外形
001-57280*E
文档编号:002-11090 版本 **
页 36/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
图 8. 45 球 WLCSP 尺寸
002-10531 **
图 9. 28 引脚 SSOP 封装外形
51-85079 *F
文档编号:002-11090 版本 **
页 37/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
缩略语
表 42. 本文档中使用的缩略语 (续)
表 42. 本文档中使用的缩略语
缩略语
描述
缩略语
描述
FPB
闪存修补和断点
FS
全速
GPIO
通用输入 / 输出,适用于 PSoC 引脚
HVI
高电压中断,另请参见 LVI、 LVD
IC
集成电路
IDAC
电流 DAC,另请参见 DAC、 VDAC
AMUXBUS 模拟复用器总线
IDE
集成开发环境
API
应用编程接口
I2C
APSR
应用程序状态寄存器
IIR
无限脉冲响应,另请参见 FIR
高级 RISC 机器,它是一种 CPU 架构
ILO
内部低速振荡器,另请参见 IMO
ATM
自动 Thump 模式
IMO
内部主振荡器,另请参见 ILO
BW
带宽
INL
积分非线性,另请参见 DNL
CAN
控制器区域网络,它是一种通信协议
I/O
CMRR
共模抑制比
输入 / 输出,另请参见 GPIO、 DIO、 SIO、
USBIO
CPU
中央处理单元
IPOR
初次上电复位
CRC
循环冗余校验,它是一种校验错误的协议
IPSR
中断程序状态寄存器
DAC
数模转换器,另请参见 IDAC、 VDAC
IRQ
中断请求
DFB
数字滤波器模块
ITM
仪表跟踪宏单元
DIO
数字输入 / 输出, GPIO 只有数字功能,无模拟功
能。请参见 GPIO。
LCD
液晶显示器
LIN
本地互联网络,它是一种通信协议。
Dhrystone 每秒百万条指令
LR
链接寄存器
DMA
直接存储器访问,另请参见 TD
LUT
查找表
DNL
微分非线性,另请参见 INL
LVD
低压检测,另请参见 LVI
DNU
请勿使用
LVI
低压中断,另请参见 HVI
端口写入数据寄存器
LVTTL
低压晶体管 - 晶体管逻辑
DSI
数字系统互连
MAC
乘法累加器
DWT
数据观察点和跟踪
MCU
微控制器单元
ECC
纠错码
MISO
主入从出
外部晶体振荡器
NC
无连接
EEPROM
电可擦除可编程只读存储器
NMI
不可屏蔽中断
EMI
电磁干扰
NRZ
非归零
EMIF
外部存储器接口
NVIC
嵌套向量中断控制器
转换结束
NVL
非易失性锁存器,另请参见 WOL
EOF
帧结束
opamp
运算放大器
EPSR
执行程序状态寄存器
PAL
可编程阵列逻辑,另请参见 PLD
ESD
静电放电
PC
程序计数器
嵌入式跟踪宏单元
PCB
印刷电路板
有限脉冲响应,另请参见 IIR
PGA
可编程增益放大器
PHUB
外设集线器
abus
模拟局部总线
ADC
模数转换器
AG
模拟全局总线
AHB
AMBA (先进的微控制器总线结构)高性能总线,
它是一种 ARM 数据传输总线
算术逻辑单元
ALU
ARM®
DMIPS
DR
ECO
EOC
ETM
FIR
文档编号:002-11090 版本 **
或 IIC
互联集成电路,它是一种通信协议
页 38/42
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
PRELIM
表 42. 本文档中使用的缩略语 (续)
缩略语
描述
表 42. 本文档中使用的缩略语 (续)
缩略语
描述
物理层
TTL
晶体管 - 晶体管逻辑
端口中断控制单元
TX
发送
PLA
可编程逻辑阵列
UART
通用异步发送器接收器,它是一种通信协议
PLD
PHY
PICU
可编程逻辑器件,另请参见 PAL
UDB
通用数字模块
PLL
锁相环
USB
通用串行总线
PMDD
封装材料声明数据手册
USBIO
POR
上电复位
USB 输入 / 输出,用于连接至 USB 端口的 PSoC
引脚
PRES
精密上电复位
VDAC
电压数模转换器,另请参见 DAC、 IDAC
PRS
伪随机序列
WDT
看门狗定时器
PS
端口读取数据寄存器
WOL
一次性写锁存器,另请参见 NVL
PSoC®
可编程片上系统
WRES
看门狗定时器复位
PSRR
电源抑制比
XRES
外部复位 I/O 引脚
PWM
脉宽调制器
XTAL
晶体
RAM
随机存取存储器
RISC
精简指令集计算
RMS
均方根
RTC
实时时钟
RTL
寄存器传输语言
RTR
远程发送请求
RX
接收
SAR
逐次逼近寄存器
SC/CT
开关电容 / 连续时间
SCL
I2C 串行时钟
SDA
I2C 串行数据
S/H
采样和保持
SINAD
信噪和失真比
SIO
特殊输入 / 输出,带高级功能的 GPIO。
请参见 GPIO。
SOC
开始转换
SOF
帧的起始
SPI
串行外设接口,它是一种通信协议
SR
斜率
SRAM
静态随机存取存储器
SRES
软件复位
SWD
串行线调试,它是一种测试协议
SWV
单线浏览器
TD
传输描述符,另请参见 DMA
THD
总谐波失真
TIA
互阻放大器
TRM
技术参考手册
文档编号:002-11090 版本 **
页 39/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
文档惯例
测量单位
表 43. 测量单位
符号
测量单位
°C
摄氏度
dB
分贝
fF
飞法
Hz
赫兹
KB
1024 字节
kbps
千比特每秒
Khr
千小时
kHz
千赫兹
k
千欧姆
ksps
千次采样每秒
LSB
最低有效位
Mbps
每秒兆比特
MHz
兆赫兹
M
兆欧
Msps
每秒兆次采样
µA
微安
µF
微法
µH
微亨
µs
微秒
µV
微伏
µW
微瓦
mA
毫安
ms
毫秒
mV
毫伏
nA
纳安
ns
纳秒
nV
纳伏

欧姆
pF
皮法
ppm
百万分率
ps
皮秒
s
秒
sps
每秒采样数
sqrtHz
赫兹平方根
V
伏特
文档编号:002-11090 版本 **
页 40/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
修订记录
说明标题:PSoC® 模拟协处理器:CY8C4Axx 系列数据手册可编程片上系统 (PSoC®)
文档编号:002-11090
ECN
版本
变更者
提交日期
变更说明
**
5133414
RING
02/25/2016 本文档版本号为 Rev**,译自英文版 001-96467 Rev*B。
文档编号:002-11090 版本 **
页 41/42
PRELIM
PSoC® 模拟协处理器:
CY8C4Axx 系列数据手册
销售、解决方案和法律信息
全球销售和设计支持
赛普拉斯公司具有一个由办事处、解决方案中心、厂商代表和经销商组成的全球性网络。要想找到离您最近的办事处,请访问赛普拉
斯所在地。
PSoC® 解决方案
产品
汽车级产品
cypress.com/go/automotive
cypress.com/go/clocks
时钟与缓冲区
接口
照明与电源控制
存储器
PSoC
cypress.com/go/interface
cypress.com/go/powerpsoc
cypress.com/go/memory
cypress.com/go/psoc
cypress.com/go/touch
触摸感应产品
USB 控制器
无线 / 射频
psoc.cypress.com/solutions
PSoC 1 | PSoC 3 | PSoC 4 | PSoC 5LP
赛普拉斯开发者社区
社区 | 论坛 | 博客 | 视频 | 培训
技术支持
cypress.com/go/support
cypress.com/go/USB
cypress.com/go/wireless
© 赛普拉斯半导体公司, 2015-2016。此处所包含的信息可随时更改,恕不另行通知。除赛普拉斯产品内嵌的电路外,赛普拉斯半导体公司不对任何其他电路的使用承担任何责任。也不会根据专利权
或其他权利以明示或暗示方式授予任何许可。除非与赛普拉斯签订明确的书面协议,否则赛普拉斯不保证产品能够用于或适用于医疗、生命支持、救生、关键控制或安全应用领域。此外,对于可能发
生运转异常和故障并对用户造成严重伤害的生命支持系统,赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中,则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有
风险,并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。
所有源代码 (软件和 / 或固件)均归赛普拉斯半导体公司 (赛普拉斯)所有,并受全球专利法规 (美国和美国以外的专利法规)、美国版权法以及国际条约规定的保护和约束。赛普拉斯据此向获许可
者授予适用于个人的、非独占性、不可转让的许可,用以复制、使用、修改、创建赛普拉斯源代码的派生作品、编译赛普拉斯源代码和派生作品,并且其目的只能是创建自定义软件和 / 或固件,以支
持获许可者仅将其获得的产品依照适用协议规定的方式与赛普拉斯集成电路配合使用。除上述指定的用途外,未经赛普拉斯明确的书面许可,不得对此类源代码进行任何复制、修改、转换、编译或演
示。
免责声明:赛普拉斯不针对此材料提供任何类型的明示或暗示保证,包括 (但不限于)针对特定用途的适销性和适用性的暗示保证。赛普拉斯保留在不做出通知的情况下对此处所述材料进行更改的权
利。赛普拉斯不对此处所述之任何产品或电路的应用或使用承担任何责任。对于发生故障 (包括运转异常)或失效可能会对用户造成严重伤害的生命支持系统,赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统
的关键组件。若将赛普拉斯产品使用于生命支持系统中,则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险,并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。
产品使用可能受适用于赛普拉斯软件许可协议的限制。
文档编号:002-11090 版本 **
本文档中所提到的所有产品和公司名称均为其各自所有者的商标。
修订日期 February 25, 2016
页 42/42