AN43593 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP） 选项 作者：Harsha Medu 相关项目：无 相关器件系列：CY14xxxxx 软件版本：无 相关应用笔记：无 AN43593 讨论了赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项的选择标准。本文档还提供了几个合适的电容示例的列表作为 指导。 简介 自动存储操作 nvSRAM 架构使用了存储器单元中的某个一一对应的关联 非易失性位和一个快速 SRAM 位。在正常的操作过程中， IC 的作用是一个标准的快速异步 SRAM，并且很容易能够 与微处理器或微控制器相连接。当 IC 电源被破坏或断开时， 将检测此事件，并在 8 ms 的时间内使用小型电容（VCAP） 中存有的能量将所有的 SRAM 位保存到非易失性部分中。 该操作被称为‘AutoStore’（自动存储），并在下一节进 行详细地说明。恢复电源时，会自动从非易失性部分中将数 据回读到 SRAM 内，该操作被称为‘Power-Up RECALL’ （上电回读）或‘Hardware RECALL’（硬件回读）。 图 1 显示的是用于自动存储操作的存储电容 （VCAP）的连 接情况。 图 1. 自动存储模式 本应用笔记讨论了选择合适的存储电容作为 VCAP 使用的各 种选项。虽然我们在本应用笔记中已经列出了一些型号的电 容器件作为示例，但应注意该列表只是一个示例列表，并不 包括所有供应商的全部器件。因此，当选择一个合适的电容 时，推荐参考各个供应商目录。 注意：̅̅̅̅̅ WE引脚和上拉电阻只适用于并行 nvSRAM。 在正常工作时，器件从 VCC 吸收电流，用以向 VCAP 引脚连 接的电容充电。芯片使用该存储的电荷执行单个存储操作。 如果 VCC 引脚的电压下降到低于最小阈值（VSWITCH），器 件将自动断开 VCAP 引脚与 VCC 间的连接，并将它连接到内 部电路板。通过 VCAP 电容提供的电源触发存储操作。下面 各节介绍的是 VCAP 电容所需的特性。 www.cypress.com 文档编号：001-92046 版本*A 1 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 电压额定值 存储电容 类型 有各种不同类型的电容，如：氧化铌、钽、电解质、薄膜、 多层陶瓷电容以及聚合物的铝电解质电容。请根据电容在各 个温度范围中工作的可靠性和稳定性，选择下面四种类型中 的一种。 氧化铌电容 钽电容 通过一个内部充电的电路板，VCAP 为 VCC 充电。因此，应 设定 VCAP 的值高于器件中 VCC 的最大值。在一些较新的 nvSRAM 器件（如 16 Mbit 大小的 nvSRAM）的设计中都 有一个内部电荷泵电路，它可以将 VCAP 引脚的电压提升到 5 V，从而能够使用较低的 VCAP 为自动存储操作提供必要的 电荷。在一般情况下，6.3 V 的额定电容可以满足 nvSRAM 器件上所有 VCC 范围内的 VCAP 额定电压。电容的额定电压 越高，其可靠性也越好，比如：额定电压为 6.3 V 的电容适 用于 VCC 为 2.5 V 和 3 V 的器件，10 V 额定电压的电容适 用于 VCC 为 5 V 的器件。 聚合物的铝电解质电容 等效串行电阻（ESR） 多层陶瓷电容（MLCC） 电容具有以下主要特性。确定适合 nvSRAM 的 VCAP 时应考 虑下面各条件。 当电容运行于特定条件（如高频率、高电流或高温度）时， 其等效串联电阻（ESR）起着关键作用。与耦合和去耦电 容不同，存储电容不能在高频率或高温度的条件下运行。因 此，在器件操作过程中，它的 ESR 的影响不是很重要。即 使 ESR 值不限制电容的选择，但仍推荐使用大小为 1 Ω 的 ESR。断电时，存储电容 VCAP 将为自动存储电流 （数 据手册中的 ICC4）供电，并且由于它的串行电阻较低，因此 可以支持更多的运作容限。请参考串行电阻对 VCAP 引脚的 影响。 （VCAP - %容差） VCAP 的最小值 电流充电 （VCAP + %容差） VCAP 的最大值 通过一个充电电路可以使用 VCC 为 VCAP 充电。充电电流峰 值一般约为 70 mA。最大的充电电流小于最大的浪涌电流， 制造商已经测试了这些电容。在不同处理过程、电压和温度 等条件下，nvSRAM 中的最大充电电流不能超过 350 mA。 注意：上述建议不限于任何一种能作为 VCAP 的电容。符合 VCAP 规范（如：数值、直流额定电压）的所有电容类型均 可用。选择 VCAP 时，必须考虑到应用的工作条件。 主要特性 为 VCC 充电的存储电容（VCAP）必须提供足够的电源供自 动操作使用。充电过程所用时间也要适当短— 必须在上电 回读操作完成前进行充电。这些要求分别决定了电容的最小 值和最大值。典型值应该是 VCAP 的最小值（含 10%容差）， 这样可保证自动存储操作正常进行。对于指定范围内的所有 值，nvSRAM 的性能是相同的。 下面显示的是一些密度的典型值。 4 Mbit 并行 68 µF ± 10% 8 Mbit 并行 150 µF ±10% 16 Mbit 并行 22 µF ± 10% 64 Kbit 串行 47 µF ± 10% 有关最大值和最小值，请参考器件的数据手册。请参考 VCAP 的最大值。 电容选择指南 表 1 总结了 VCAP 的最小值，可将该值使用于 nvSRAM 系列 的多个不同电容范围。例如，对于数据手册中从 61 μF（最 小值）到 180 μF（最大值）的 VCAP 规范，典型值显示为 68 μF，因为 68 μF ± 10%是应用中可使用的最小电容值。 请注意，只要电容值（净容差）处于规范限制内，所有处于 最小值/最大值范围内的电容值（亦即 68 μF、100 μF 或 150 μF）都会以同样的方式执行的。 如果一个系统使用两个或更多 nvSRAM，那么可以经 VCAP 引脚组合在一起连接一个存储电容。存储电容值必须为组合 nvSRAM 所需的单独存储电容值的和。请参考 VCAP 引脚的 组合。 容差 容差是选择电容时需要考虑的重要因素。容差最大的电容值 应介于 VCAP 的最小值和最大值之间。 www.cypress.com 文档编号：001-92046 版本*A 2 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 表 1. 电容选择指南 [1] 电容类型 参数 氧化铌电容 钽电容 聚合物的 铝电解质电容 多层陶瓷电容[2] nvSRAM 的 3 V 的器件 6.3 V / 10 V[3] 6.3 V / 10 V[3] 6.3 V / 10 V[3] 6.3 V / 10 V[3] VCAP 额定电压 5 V 的器件 10 V / 16 V[3] 10 V / 16 V[3] 10 V / 16 V[3] 10 V / 16 V[3] ±20% ±10% ±20% ±20% ±20% 100 µF 68 µF 100 µF 100 µF 100 µF 220 µF 150 µF 220 µF 220 µF 2 x 100 µF[4] 68 µF 47 µF 68 µF 68 µF 100 µF 33 µF 22 µF 33 µF 33 µF 33 µF 容差 对于数据手册规范， VCAP = 61 µF ~ 180 µF （典型值为 68 µF） 对于数据手册规范， VCAP = 122 µF ~ 360 µF （典型值为 150 µF） 最小的额定电容值 对于数据手册规范， VCAP = 42 µF ~ 180 µF （典型值为 47 µF） 对于数据手册规范， VCAP = 19.8 µF ~ 82 µF （典型值为 22 µF） 注释： 1. 从制造商的网站和其他相关网站上收集的数据。 2. 陶瓷电容具有直流偏置灵敏度 — 即直流偏置电压会降低电容值。因此，考虑到直流偏置电压对电容值的影响，应选择额定电压较高的电容 或容值较高的电容。请参考供应商提供的技术文档，了解直流偏置的特性。 3. 电容的额定电压越高，其可靠性越强。 例如，在任何应用中，与额定电压为 68 µF/6.3 V 的电容相比，额定电压为 68 µF/10 V 的电容提供 的可靠性更强。 4. MLCC 提供了高容值范围的有限选项；因此，为了满足高容值的要求，可并联各电容以获得需要的电容值。 www.cypress.com 文档编号：001-92046 版本*A 3 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 推荐的电容 [5] 下面的表 2、表 3、表 4 和表 5 提供了当选择了 nvSRAM 的存储电容 （VCAP）时，可供参考的一些电容详情。 该列表并不详 细，仅作为指导使用。因此，当选择合适的电容时，推荐参考各个供应商的目录。 表 2. 针对典型电压 VCAP = 68 µF 的电容选项 制造商 制造商器件型号 电容类型 电容值 电压 额定值 容差 封装 AVX 公司 TAJB686K006RNJ 钽 68 µF 6.3 V ±10% 3528-21（EIA） 基美（Kemet ）公司 T491C686K006AT 钽 68 µF 6.3 V ±10% 3528-21（EIA） 威世（Vishay）公司 TR3C686K6R3C0200 钽 68 µF 6.3 V ±10% 6032-28（EIA） 基美（Kemet ）公司 T491C686K010AT 钽 68 µF 10 V ±10% 6032-28（EIA） 威世（Vishay）公司 TR3B686K010C0900 钽 68 µF 10 V ±10% 3528-21（EIA） 威世（Vishay）公司 TR3C686K010C0225 钽 68 µF 10 V ±10% 6032-28（EIA） 基美（Kemet ）公司 T491C686K016AT 钽 68 µF 16 V ±10% 6032-28（EIA） AVX 公司 TAJC686K016RNJ 钽 68 µF 16 V ±10% 6032-28（EIA） 基美（Kemet ）公司 T491C686K016AT 钽 68 µF 16 V ±10% 6032-28（EIA） AVX 公司 NOJB107M006RWJ 氧化铌 100 µF 6.3 V ±20% 3528-21（EIA） AVX 公司 NOJC107M006RWJ 氧化铌 100 µF 6.3 V ±20% 6032-28（EIA） AVX 公司 NOJD107M006RWJ 氧化铌 100 µF 6.3 V ±20% 7343-31（EIA） AVX 公司 NOJD107M010RWJ 氧化铌 100 µF 10 V ±20% 7343-31（EIA） 基美（Kemet ）公司 T491B686M006AT 钽 100 µF 6.3 V ±20% 3528-21（EIA） 基美（Kemet ）公司 T491C107M010AT 钽 100 µF 10 V ±20% 6032-28（EIA） AVX 公司 TPSB107M010R0400 钽 100 µF 10 V ±20% 3528-21（EIA） AVX 公司 TPSC107M010R0100 钽 100 µF 10 V ±20% 6032-28（EIA） 基美（Kemet ）公司 A700D107M006ATE018 聚合物的铝电解质 100 µF 6.3 V ±20% 7343-31（EIA） TDK 公司 CKG57NX5R1C107M MLCC 100 µF 16 V ±20% 6.50 mm x 5.50 mm x 5.50 mm AVX 公司 TAJC157K006RNJ 钽 150 µF 6.3 V ±10% 6032-28（EIA） AVX 公司 TAJC157K010RNJ 钽 150 µF 10 V ±10% 6032-28（EIA） 基美（Kemet ）公司 B45197A3157K409 钽 150 µF 16 V ±10% 7343-31（EIA） 注释： 5. 从制造商的网站和其他相关网站上收集的数据。 www.cypress.com 文档编号：001-92046 版本*A 4 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 表 3. 针对典型电压为 VCAP = 150 µF 的电容选项 制造商 制造商器件型号 电容类型 电容值 电压额定值 容差 封装 AVX 公司 TAJC157K006RNJ 钽 150 µF 6.3 V ±10% 6032-28（EIA） AVX 公司 TAJC157K010RNJ 钽 150 µF 10 V ±10% 6032-28（EIA） 基美（Kemet ）公司 B45197A3157K409 钽 150 µF 16 V ±10% 7343-31（EIA） Panasonic - ECG 公司 EEFUE0J181R 聚合物的铝电解质 180 µF 6.3 V ±20% 7343-43（EIA） AVX 公司 NOSD227M006R0100 氧化铌 220 µF 6.3 V ±20% 7343-31（EIA） 基美（Kemet ）公司 B76006V2279M045 钽 220 µF 6.3 V ±20% 7343-20（EIA） 基美（Kemet ）公司 B45196H2227M409 钽 220 µF 10 V ±20% 7343-31（EIA） AVX 公司 TAJE227M016RNJ 钽 220 µF 16 V ±20% 7343-43（EIA） 基美（Kemet ）公司 A700X227M006ATE015 聚合物的铝电解质 220 µF 6.3 V ±20% 7343-43（EIA） 表 4. 针对典型电压为 VCAP = 47 µF 的电容选项 制造商 制造商器件型号 AVX 公司 TAJB476K006RNJ 威世（Vishay） TR3B476K6R3C0550 AVX 公司 TAJB686M006RNJ 威世（Vishay）公司 TR3B686M6R3C0650 AVX 公司 电容类型 电容值 电压额定值 容差 封装 钽 47 µF 6.3 V ±10% 3528-21（EIA） 钽 68 µF 6.3 V ±20% 6032-28（EIA） NOJC686M006RWJ 氧化铌 68 µF 6.3 V ±20% 6032-28（EIA） AVX 公司 NOJC686M010RWJ 氧化铌 68 µF 10 V ±20% 6032-28（EIA） 威世（Vishay）公司 TR3B686M010C1500 钽 68 µF 10 V ±20% 3528-21（EIA） 基美（Kemet ）公司 A700V686M006ATE028 聚合物的铝电解质 68 µF 6.3 V ±20% 7343-20（EIA） AVX 公司 12106D107KAT2A MLCC 100 µF 6.3 V ±10% 3225-12 Murata 公司 GRM31CR60J107ME39 MLCC 100 µF 6.3 V ±20% 3216-16 基美（Kemet ）公司 C1210C107M9PAC MLCC 100 µF 6.3 V ±20% 3225-21 TDK 公司 C3225X5R0J107MT MLCC 100 µF 6.3 V ±20% 3225-25 MLCC 100 µF 6.3 V ±20% MLCC 100 µF 10 V ±20% Taiyo Yuden 公司 Taiyo Yuden 公司 www.cypress.com JMK325ABJ107MM JMK325BJ107MY LMK325ABJ107MM 文档编号：001-92046 版本*A 3225-25 3225-20 3225-25 5 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 表 5. 针对典型电压 VCAP = 22 µF 的电容选项 制造商 制造商器件型号 基美（Kemet ）公司 T494C226K010AT 威世（Vishay）公司 TR3C226K010C0400 AVX 公司 电容类型 电容值 电压额定值 容差 封装 钽 22 µF 10 V ±10% 6032-28（EIA） NOJC336M006RWJ 氧化铌 33 µF 6.3 V ±20% 6032-28（EIA） AVX 公司 NOJC336M010RWJ 氧化铌 33 µF 10 V ±20% 6032-28（EIA） 基美（Kemet ）公司 T494C336M010AT 钽 威世（Vishay）公司 33 µF 10 V ±20% 6032-28（EIA） TR3C336M010C0375 基美（Kemet ）公司 A700V336M006ATE028 聚合物的铝电解质 33 µF 6.3 V ±20% 7343-20（EIA） Murata 公司 GRM31CR60J476ME19L MLCC 47 µF 6.3 V ±20% 3216 度量 Murata 公司 GRM31CR61A476ME15L MLCC 47 µF 10 V ±20% 3216 度量 Murata 公司 GRM32ER61A476ME20L MLCC 47 µF 10 V ±20% 3225 度量 TDK 公司 C3225X5R1A476M MLCC 47 µF 10 V ±20% 3225-25 基美（Kemet）公司 C1206C476M8PAC MLCC 47 µF 10 V ±20% 3225 度量 总结 赛普拉斯 nvSRAM 是一个最可靠的非易失性 SRAM 的解决 方案，它的非易失性操作只需要使用较小的外部电容 （VCAP ）即可进行。本应用笔记提供了电容的电气要求， 并列出了一些电容类型和容值。该电容列表并不详尽，只是 作为选择 VCAP 的指导使用。除了这里列出了各电容外，还 有很大的空间选项。根据所需要的大小、成本、可靠性以及 其他特性（这些特性会影响系统），您可选择合适的 VCAP 电容。nvSRAM 器件的操作不受这些特性的影响。 www.cypress.com 关于作者 姓名： Harsha Medu 职务： 应用工程师 联系方式： [email protected] 文档编号：001-92046 版本*A 6 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 VCAP 引脚的组合 附录 A VCAP 的最大值 VCAP 的最大值很容易得到，但要确定其最小值则比较难。 这是因为指定可以在 tHRECALL 的时间内（在大多数器件中该 时间均为 20 ms）访问 nvSRAM。 tHRECALL 是 nvSRAM 在 上电回读后完成启动序列并准备好执行访问做需要的时间。 该上电复位规范保证了对 VCAP 充电，使其达到足够高的电 压以确保即使上电占用的 tHRECALL 时间后立即断电，器件仍 能够完成存储操作。如果使用的电容值超过 VCAP 规范，可 能在 tHRECALL 期间 VCAP 的电压不够大。如果用户所使用的 电容值超过最大值，则需要确保在上电时经过 tHRECALL 时间 后再对 nvSRAM 进行第一次访问，以保证电容的电压足够 大。根据经验，当使用的值超过了最大 VCAP 值的 10%时， 请在开始访问 nvSRAM 前延长 1 x tHRECALL 的时间。 例如，如果 nvSRAM 器件的额定电容值为 VCAP = 180 µF， 但您想使用 220 µF 的电容而不是使用 180 µF 的电容（即 已超过最大值的 22%），此时，应经过 3.2 x tHRECALL （tHRECALL + 2.2 x tHRECALL）的时长才能进行第一次访问 nvSRAM。因为从 VCAP （最小值）到 VCAP （最大值）的范 围大约为 3x，所以所有应用中的电容大小无需超过 VCAP 的 最大值。 如果在一个系统中使用了两个以上的 nvSRAM，nvSRAM 允许其存储电容（VCAP）引脚组合起来。可以将两个或多 个 nvSRAM 的单独 VCAP 引脚连接在一起以便连接一个单独 的存储电容，而不是每个 nvSRAM 的 VCAP 引脚都使用单独 存储电容。该组合原理图可以节省电路板空间并降低材料表 （BOM）成本。当将 nvSRAM VCAP 引脚组合起来时，通过 添加单独 nvSRAM 相应的 VCAP 最小和最大额定值来确定组 合 VCAP 引脚的存储电容的最小值和最大值。 例如，如果一个系统采用了两个 4 Mbit 大小的 nvSRAM （其 VCAP 最小和最大额定值分别为 61 µF 和 180 µF，那么 这两个组合 VCAP 引脚的存储电容的最小值和最大值应当分 别为 2 x 61 µF（122 µF）和 2 x 180 µF（360 µF）。同样， 如果一个系统采用了 N 个 4 Mbit 大小的 nvSRAM，那么 N 个组合 VCAP 引脚的存储电容的最小值和最大值分别为 N x 61 µF 和 N x180 µF。 在这些情况下，不能使用已组合的 nvSRAM VCAP 引脚： 1. 系统使用两个以上的器件，且每个 nvSRAM 都连 接的是不同的 VCC 供电电源。此时，组合的 VCAP 不可用，因为每个 nvSRAM 都会根据其 VVCAP 最 大额定值将储能电容充电到不同的电压，从而导致 电容充电的冲突。 2. 如果两个或多个 nvSRAM 都被连接到同一个 VCC 电源，而它们的 VVCAP（器件在 VCAP 引脚上驱动 的最大电压）规范有不一样，那么组合的 VCAP 引 脚不可用。使用一个片上电压倍频器电路进行设计 新版本的 nvSRAM 器件（如 CY14x116x）可以减 少 VCAP 引脚上存储电容的大小，当 CY14x104x 器件给该电容充电到 VCC 最大值时，VCAP 引脚将 被充电到 5 V。因此，对于 CY14B116L 和 CY14B104LA 器件，即使这两个器件都被连接到 同一个 3 V 的电源，也不要将 VCAP 引脚连接在一 起。 串行电阻对 VCAP 引脚的影响 串行电阻会降低分配给存储电路的电压，在自动存储期间给 该电路提供大小为 VCAP 的电压。比如，在 1 Mbit 的 nvSRAM 内（ICC4 = 5 mA），一个 10 Ω 的串行电阻会将 VCAP 引脚上的电压降低 50 mV。针对下面的原因，降低电 压是很重要的：自动存储操作是在一个阈值（VSWITCH）以 下开始进行的；假设它的起始电压为 2.4 V。存储在电容的 电荷会为存储操作提供它所需的 5 mA（ICC4）的电流。 当执行存储操作时，VCAP 引脚上的电压会被降低。需要 8 ms（tSTORE）的时间进行存储操作。在该期间，VCAP 引脚 上的电压不会下降到低于正常存储操作所需要的最小电压。 如果假设正常存储操作需要的最小电压为 1.9 V，则存储操 作应在 VCAP 引脚上产生 500 mV 的电压降（即 2.4 V 减去 1.9 V）期间完成。 根据经验，仅在组合的 nvSRAM VCC 被连接到同一个电源， 且所有 nvSRAM 都有相同的 VVCAP 额定电压时，才能够将 多个 nvSRAM 组合在一起。 如果在 VCAP 引脚上放置了一个串行电阻，则由于串行电阻 在 VCAP 引脚上引起压降，因此自动存储电路会在较低的电 压下开始执行，并在较短的时间内得到充电。在该示例中， 根据 10 Ω 电阻上的压降来将 500 mV 的工作范围降低 50 mV 到 450 mV。1 Ω 的电阻只能使有效的电压范围降低 5 mV。请注意，这些电平会因处理、电压和温度（PVT） 等条件的不同而变化，这些并不是数据手册的规格。所说明 的值只是为了帮助了解器件的操作。 www.cypress.com 文档编号：001-92046 版本*A 7 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 文档修订记录 文档标题：赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 — AN43593 文档编号：001-92046 版本 ECN 变更者 提交日期 变更说明 ** 4345846 WAHY 06/12/2014 本文档版本号为 Rev**，译自英文版 001-43593 Rev*F。 *A 4722800 HENG 04/23/2015 本文档版本号为 Rev*A，译自英文版 001-43593 Rev*G。 www.cypress.com 文档编号：001-92046 版本*A 8 赛普拉斯 nvSRAM 的存储电容（VCAP）选项 全球销售和设计支持 赛普拉斯公司拥有一个由办事处、解决方案中心、厂商代表和经销商组成的全球性网络。如果想要查找离您最近的办事处，请访 问赛普拉斯所在地。 PSoC®解决方案 产品 psoc.cypress.com/solutions PSoC 1 | PSoC 3 | PSoC 4 | PSoC 5LP 汽车级产品 cypress.com/go/automotive 时钟与缓冲区 cypress.com/go/clocks 接口 cypress.com/go/interface 赛普拉斯开发者社区 照明与电源控制 cypress.com/go/powerpsoc 社区 | 论坛 | 博客 | 视频 | 培训 存储器 cypress.com/go/memory PSoC cypress.com/go/psoc 触摸感应 cypress.com/go/touch USB 控制器 cypress.com/go/usb 无线/射频 cypress.com/go/wireless 技术支持 cypress.com/go/support 此处引用的所有其他商标或注册商标归其各自所有者所有。 赛普拉斯半导体公司 198 Champion Court San Jose, CA 95134-1709 电话 传真 网址 ：408-943-2600 ：408-943-4730 ：www.cypress.com ©赛普拉斯半导体公司，2007-2015。此处所包含的信息可能会随时更改，恕不另行通知。除赛普拉斯产品内嵌的电路外，赛普拉斯半导体公司不对任何 其他电路的使用承担任何责任。也不根据专利或其他权利以明示或暗示的方式授予任何许可。除非与赛普拉斯签订明确的书面协议，否则赛普拉斯不保证 产品能够用于或适用于医疗、生命支持、救生、关键控制或安全应用领域。此外，对于可能发生运转异常和故障并对用户造成严重伤害的生命支持系统， 赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承担因此类使用而招致的所有风险，并确保 赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 该源代码（软件和/或固件）均归赛普拉斯半导体公司（赛普拉斯）所有，并受全球专利法规（美国和美国以外的专利法规）、美国版权法以及国际条约 规定的保护和约束。赛普拉斯据此向获许可者授予适用于个人的、非独占性、不可转让的许可，用以复制、使用、修改、创建赛普拉斯源代码的派生作品、 编译赛普拉斯源代码和派生作品，并且其目的只能是创建自定义软件和/或固件，以支持获许可者仅将其获得的产品依照适用协议规定的方式与赛普拉斯 集成电路配合使用。除上述指定的用途外，未经赛普拉斯明确的书面许可，不得对此类源代码进行任何复制、修改、转换、编译或演示。 免责声明：赛普拉斯不针对此材料提供任何类型的明示或暗示保证，包括（但不限于）针对特定用途的适销性和适用性的暗示保证。赛普拉斯保留在不做 出通知的情况下对此处所述材料进行更改的权利。赛普拉斯不对此处所述之任何产品或电路的应用或使用承担任何责任。对于可能发生运转异常和故障， 并对用户造成严重伤害的生命支持系统，赛普拉斯不授权将其产品用作此类系统的关键组件。若将赛普拉斯产品用于生命支持系统中，则表示制造商将承 担因此类使用而招致的所有风险，并确保赛普拉斯免于因此而受到任何指控。 产品使用可能受适用于赛普拉斯软件许可协议的限制。 www.cypress.com 文档编号：001-92046 版本*A 9