SANYO 2SJ632

注文コード No. N 7 4 2 0
2SJ632
No.
N7420
32603
新
2SJ632
特長
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
unit
− 60
± 20
V
V
−2
−8
A
A
1.5
3.5
W
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
min
max
unit
−1
V
µA
± 10
− 2.6
µA
V
360
S
mΩ
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時
Tc=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 60V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
VDS= − 10V, ID= − 1A
ID= − 1A, VGS= − 10V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID= − 1A, VGS= − 4V
VDS= − 20V, f=1MHz
VDS= − 20V, f=1MHz
VDS= − 20V, f=1MHz
typ
− 60
− 1.2
1.6
2.4
275
400
365
560
mΩ
pF
39
30
pF
pF
次ページへ続く。
単体品名表示：GA
外形図 2062A
(unit : mm)
4.5
1.6
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2.5
4.25max
0.4
1.0
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1.5
0.5
3
1.5
2
1
0.4
3.0
(Bottom view)
0.75
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
32603 TS IM ◎佐藤 TA-3954 No.7420-1/4
2SJ632
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS= − 30V, VGS= − 10V, ID= − 2A
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS= − 2A, VGS=0
typ
max
unit
指定回路において
〃
9
24
ns
ns
〃
〃
38
38
ns
ns
9
1.7
nC
nC
1.7
− 0.84
− 1.2
nC
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --30V
VIN
ID= --1A
RL=30Ω
0V
--10V
VOUT
D
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
G
P.G
50Ω
2SJ632
S
ID -- VDS
--6.0
V
VDS= --10V
--3.5
Tc=
--0.5
0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--4.0
RDS(on) -- VGS
800
Tc=25°C
ID= --1A
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--0.5
--18
--20
IT05812
--1.5
--1.0
--2.0
--2.5
--3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT05810
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
--1.0
25 °
C
--0.5
C
--1.0
--1.5
°C
VGS= --3.0V
--2.0
=75
°
--1.5
--2.5
Tc
--2.0
--3.0
--25
--2.5
ドレイン電流, ID -- A
--4.
0V
--8.0
--3.5V
0V
--3.0
--10.
ドレイン電流, ID -- A
V
--3.5
ID -- VGS
--4.0
--5.0V
--25°
C
25° 75°
C
C
--4.0
--3.5
--4.0
IT05811
RDS(on) -- Tc
700
650
600
550
500
--4V
S=
450
1
= -ID
400
VG
A,
0V
--1
S=
A, VG
1
-I D=
350
300
250
200
150
100
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
ケース温度, Tc -- °C
100
120
140
IT05813
No.7420-2/4
2SJ632
yfs -- ID
10
VDS= --10V
5
VGS=0
3
2
°C
25
7
5
--25°
C
1.0
--1.0
7
5
75°
C
25°
C
°C
--25
=
Tc
°C
75
2
Tc=
3
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
IF -- VSD
--10
7
5
3
2
3
--0.1
7
5
2
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
3
2
ドレイン電流, ID -- A
--0.8
--1.0
f=1MHz
5
Ciss
100
7
tf
5
td(off)
3
tr
2
td(on)
10
7
--1.2
IT05815
7
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
--0.6
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD= --30V
VGS= --10V
2
--0.4
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
3
3
2
100
7
5
Coss
Crss
3
5
2
3
10
2
--0.1
2
5
3
7
2
--1.0
ドレイン電流, ID -- A
--4
--1
3
2
0
2
3
4
5
6
7
8
総ゲート電荷量, Qg -- nC
9
10
＜10µs
1m
s
10
10 ms
D 0m
C
op s
er
at
io
n
ID= --2A
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Tc=25°C
1パルス
--0.01
--0.01 2 3
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7--10
2 3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT05818
PD -- Ta
2.0
IDP= --8A
3
2
--2
1
ASO
--1.0
7
5
--0.1
7
5
--3
--30
IT05817
s
--5
--25
0µ
--7
3
2
--6
--20
10
--8
--10
7
5
0
--15
2
VDS= --30V
ID= --2A
--9
--10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT05816
VGS -- Qg
--10
--5
0
5
3
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--0.01
--0.2
5 7 --10
IT05814
5 7--100
IT05819
PD -- Tc
4.0
3.5
3.0
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(2
50
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
時
1.0
0.5
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
1.5
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT05820
0
20
40
60
80
100
ケース温度, Tc -- °C
120
140
160
IT05821
No.7420-3/4
2SJ632
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PS No.7420-4/4