注文コード No. N 7 3 8 3 CPH6411 No. N7383 91003 新 CPH6411 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 VDSS VGSS ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） ID IDP 許容損失 チャネル温度 PD Tch 保存周囲温度 Tstg unit 20 ± 10 V V 6 24 A A 1.6 150 W ℃ − 55 ∼＋ 150 ℃ min 20 max unit V 1 ± 10 µA µA 1.3 V S 26 37 mΩ mΩ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS=20V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 8V, VDS=0 typ ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs VDS=10V, ID=1mA VDS=10V, ID=3A 0.4 7.7 ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 ID=3A, VGS=4.5V ID=1.5A, VGS=2.5V 20 26 入力容量 出力容量 Ciss Coss VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 1200 200 帰還容量 Crss VDS=10V, f=1MHz 140 11 pF pF pF 次ページへ続く。 単体品名表示：KM 0.15 2.9 5 4 0.6 6 0.2 外形図 2151A (unit : mm) 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 2 3 0.95 0.2 1 0.7 0.9 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途（生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 2.8 0.6 1.6 0.05 0.4 1 : Drain 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Drain 6 : Drain SANYO : CPH6 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 91003 TS IM ◎佐藤 TA-100019 No.7383-1/4 CPH6411 前ページより続く。 min ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 td(on) tr td(off) tf 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS=10V, VGS=4.5V, ID=6A ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD IS=6A, VGS=0 typ 指定回路において 〃 〃 〃 max unit 20 90 ns ns 130 100 ns ns 13 2 nC nC 3 0.82 nC V 1.2 スイッチングタイム測定回路図 VDD=10V VIN 4.5V 0V ID=3A RL=3.33Ω VIN D VOUT PW=10µs D.C.≦1% G CPH6411 P.G 50Ω ID -- VDS 2.0 V VDS=10V 5 --25 1 25°C VGS=1.0V 1 2 °C 2 3 75°C 1.5V 3 4 Ta= ドレイン電流, ID -- A 4.5V 4 ID -- VGS 6 4.0V 5 2.5V 3.0V 6 ドレイン電流, ID -- A S 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 0.9 1.0 RDS(on) -- VGS 200 Ta=25°C 150 100 1.5A ID=3.0A 50 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 0 0.25 9 10 IT05511 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT05509 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 1.75 2.00 IT05510 RDS(on) -- Ta 50 40 --2.5V S= VG , A --1.5 I D= --4.5V V GS= , A .0 3 I D= -- 30 20 10 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 周囲温度, Ta -- °C 80 100 120 140 IT05512 No.7383-2/4 CPH6411 yfs -- ID 5 10 C --25° Ta= 10 7 C 75° 5 C 25° 3 2 1.0 3 7 5 2 3 2 2 3 5 7 2 1.0 3 5 ドレイン電流, ID -- A 10 IT05513 3 2 td(off) 100 tf 7 tr 5 3 td(on) 2 10 0.1 3 5 7 1.0 2 3 5 7 2 10 1.2 IT05514 Ciss, Coss, Crss -- VDS f=1MHz 3 2 Ciss 1000 7 5 3 2 Coss Crss 100 7 5 0 3 5 ドレイン電流, ID -- A 3.0 2.5 2.0 1.5 10 7 5 3 2 8 10 12 総ゲート電荷量, Qg -- nC 14 IT05517 PD -- Ta 2.0 1.6 1.5 12 IT05516 ＜10µs 1m ID=6A s 10 m DC op 10 0m s er s ati on 3 2 0.5 6 10 IDP=24A 1.0 7 5 0.1 7 5 4 8 ASO 3 2 1.0 0 6 100µs 3.5 4 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 3 2 2 2 IT05515 VDS= --6V ID= --3.5A 0 1.0 10 2 VGS -- Qg 4.0 0.8 3 2 ドレイン電流, ID -- A 4.5 0.6 ダイオード順電圧, VSD -- V Ciss, Coss, Crss -- pF 5 0.4 10000 7 5 VDD= --10V VGS= --4.5V 7 0.1 0.2 7 SW Time -- ID 1000 スイッチングタイム, SW Time -- ns 7 5 Ta= 7 25° 5°C C --25 °C 2 1.0 0.1 ゲート・ソース電圧, VGS -- V VGS=0 2 3 順電流, IF -- A 順伝達アドミタンス, yfs -- S VDS=10V 許容損失, PD -- W IF -- VSD 3 Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 3 セ ラ ミ ッ ク 基 板 (9 00 m m2 × 1.0 0.8 m m )装 0.5 着 時 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 5 IT05518 160 IT05519 No.7383-3/4 CPH6411 取り扱い上の注意：本製品は、高速スイッチング用 MOSFET ですから、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7383-4/4