SANYO FTD2011A

注文コード No. N 7 4 7 6
FTD2011A
No.
N7476
22004
新
FTD2011A
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
ロード S / W 用
・低オン抵抗。
・2.5V 駆動。
・実装高 1.1mm。
・複合タイプであり高密度実装可能。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
VGSS
ID
ドレイン電流(パルス)
許容損失
IDP
PD
全損失
チャネル温度
PT
Tch
保存周囲温度
Tstg
20
unit
V
± 12
4
V
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(1300mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
20
0.8
A
W
セラミック基板(1300mm2 × 0.8mm)装着時
1.3
150
W
℃
− 55 ∼+ 150
℃
min
20
max
unit
V
1
± 10
µA
µA
1.3
V
S
39
56
mΩ
mΩ
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
typ
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
IDSS
IGSS
VDS=20V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=4A
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=4A, VGS=4V
ID=2A, VGS=2.5V
22
30
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
740
150
帰還容量
Crss
VDS=10V, f=1MHz
38
0.5
5
7
pF
pF
pF
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単体品名表示:D2011A
外形図 2155A
(unit : mm)
0.425
5
0.25
(0.95)
4
1.0
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
1
0.1
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
4.5
6.4
0.5
8
0.95
3.0
0.65
0.125
1 : Drain1
2 : Source1
3 : Source1
4 : Gate1
5 : Gate2
6 : Source2
7 : Source2
8 : Drain2
SANYO : TSSOP8
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
22004 TS IM ◎佐藤 TA-100425 No.7476-1/4
FTD2011A
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=4V, ID=4A
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=4A, VGS=0
max
unit
指定回路において
〃
15
120
ns
ns
〃
〃
88
120
ns
ns
10
2
nC
nC
スイッチングタイム測定回路図
3.5
0.82
nC
V
1.2
電気的接続図
VDD=10V
VIN
typ
D2
S2
S2
G2
D1
S1
S1
G1
4V
0V
ID=4A
RL=2.5Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
FTD2011A
P.G
50Ω
ID -- VDS
ID -- VGS
8
1.5
V
VDS=10V
7
4
3
2
1
25°C
Ta=
2
5
1
VGS=1.0V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
0
Ta=25°C
70
4A
60
ID=2A
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.2
10
IT05128
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT05126
RDS(on) -- VGS
80
0
1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
--25°C
3
6
75°
C
ドレイン電流, ID -- A
4
2.5V
2.0V
10.0V 4.0V
5
ドレイン電流, ID -- A
S
1.8
2.0
IT05127
RDS(on) -- Ta
80
70
60
50
=2.5V
, V GS
.0A
I D=2
40
=4.0V
, V GS
A
I D=4.0
30
20
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT05129
No.7476-2/4
FTD2011A
yfs -- ID
2
7
Ta=
5
°C
--25
C
75°
3
2
1.0
7
5
--25
°
25° C
75° C
C
C
25°
3
2
Ta=
10
0.1
7
5
3
2
2
3
5
7
2
1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
0.01
0.2
7
10
IT05130
td(off)
100
7
tf
5
tr
3
2
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
f=1MHz
1000
Ciss
7
5
3
2
Coss
Crss
100
5
2
3
5
7
2
1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7
0
10
IT05132
3
2
ドレイン電流, ID -- A
2.5
2.0
1.5
1.0
10
7
5
0
4
5
6
7
8
総ゲート電荷量, Qg -- nC
9
10
11
IT05134
PD -- Ta
1.5
8
10
12
14
16
18
20
IT05133
ASO
IDP=20A
<10µs
1m
ID=4A
m
DC
1.0
7
5
10
s
0m
s
op
er
3
2
s
10
3
2
at
io
n
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1
7
5
3
2
0.5
3
6
100µs
3.0
2
4
5
VDS=10V
ID=4A
1
2
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
4.0
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(1300mm2×0.8mm)装着時1unit
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
許容損失, PD -- W
1.3
1.0
全
0.8
損
失
1un
0.5
it
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
5
IT05439
セラミック基板(1300mm2×0.8mm)装着時1unit
0
1.2
IT05131
3
10
0.1
0
0.6
7
td(on)
3.5
0.5
2
Ciss, Coss, Crss -- pF
2
0.4
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
VDD=10V
VGS=4V
3
0.3
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
5
スイッチングタイム, SW Time -- ns
VGS=0
3
2
1.0
0.1
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IF -- VSD
10
7
5
VDS=10V
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
3
160
IT05440
No.7476-3/4
FTD2011A
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PS No.7476-4/4