注文コード No. N 7 3 0 9 2SJ643 N7309 83002 新 2SJ643 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 (DC) VGSS ID IDP PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% PD ドレイン電流 (パルス) 許容損失 Tc=25℃ − 20 unit V ± 10 −6 V A − 24 1 A W W ℃ ℃ チャネル温度 Tch 10 150 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 150 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS= − 20V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 8V, VDS=0 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs min − 20 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 3A typ − 0.3 2.1 max unit V − 10 ± 10 µA µA − 1.0 V S 3 次ページへ続く。 単体品名表示 : J643 外形図 2092B (unit : mm) 2.3 0.85 0.7 0.5 0.5 0.6 0.5 1 2.3 2 3 2.3 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source 4 : Drain 2.3 2.5 2 0.8 1 0.6 7.5 0.8 1.6 0.85 1.2 1.2 5.5 7.0 5.5 6.5 5.0 4 0.5 1.5 2.3 1.5 6.5 5.0 4 7.0 外形図 2083B (unit : mm) 3 1.2 0∼0.2 2.3 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source 4 : Drain SANYO : TP-FA SANYO : TP 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 83002 TS IM ◎佐藤 TA-100036 No.7309--1/4 2SJ643 前ページより続く。 min ドレイン・ソース間オン抵抗 typ max unit RDS(on)1 RDS(on)2 ID= − 3A, VGS= − 4V ID= − 1.5A, VGS= − 2.5V 120 150 160 210 mΩ mΩ ID= − 0.1A, VGS= − 1.8V VDS= − 10V, f=1MHz 200 410 300 入力容量 RDS(on)3 Ciss mΩ pF 出力容量 帰還容量 Coss Crss VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 60 40 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 指定回路において 〃 10 20 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(on) tr td(off) tf 〃 〃 30 10 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 6A 4.4 0.6 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD 1.2 − 1.0 nC V IS= − 6A, VGS=0 − 1.2 スイッチングタイム測定回路図 VDD= --10V VIN 0V --4V ID= --3A RL=3.33Ω VIN D VOUT PW=10µs D.C.≦1% G 2SJ643 P.G 50Ω S ID -- VDS --6 ID -- VGS --8 --4 V .5 -2 --1.8V --1.5V --2 --6 --4 --2 5°C °C --25 °C -3 V ドレイン電流, ID -- A --10 V --4V VGS= --1.0V 25 0 0 Tc =7 ドレイン電流, ID -- A VDS= --10V 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT05012 0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --3.0 IT05013 No.7309--2/4 RDS(on) -- VGS 400 ID= --3A Tc=25°C 350 --1.5A 300 --0.1A 250 200 150 100 50 0 0 --2 --4 --6 --8 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 300 V = --1.8 A, V GS .1 0 -I D= = --2.5V .5A, V GS 1 -= ID 250 200 150 4V = -A, V GS I D= --3 100 50 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 5 160 IT05015 IF -- VSD --10 7 5 VGS=0 3 1.0 7 5 --1.0 7 5 3 2 3 --0.1 7 5 2 3 --25 Tc =7 5° 25 C °C 25 = -°C °C 75 25 2 Tc °C °C 2 3 順電流, IF -- A 順伝達アドミタンス, yfs -- S 350 ケース温度, Tc -- °C VDS= --10V 7 RDS(on) -- Tc 400 IT05014 yfs -- ID 10 --10 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 2SJ643 2 0.1 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 ドレイン電流, ID -- A 2 Ciss, Coss, Crss -- pF 100 7 td (o ff) 3 tf tr td(on) 10 --1.2 IT05017 f=1MHz 5 2 --1.0 --1.1 7 2 5 --0.8 --0.9 Ciss, Coss, Crss -- VDS 1000 VDD= --10V VGS= --4V 3 --0.6 --0.7 ダイオード順電圧, VSD -- V Ciss 3 2 100 7 Coss 5 Crss 7 3 5 3 2 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 ドレイン電流, ID -- A 2 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT05018 VGS -- Qg --10 3 --18 --20 IT05019 ASO 5 VDS= --10V ID= --3A IDP= --24A <10µs 2 10 --8 ドレイン電流, ID -- A ゲート・ソース電圧, VGS -- V --0.4 --0.5 IT05016 SW Time -- ID 5 スイッチングタイム, SW Time -- ns --0.01 --0.2 --0.3 --6 --4 --2 --10 7 5 ID= --6A 3 DC 2 1m 10 s m s op er --1.0 ati on Operation in this area is limited by RDS(on). 7 5 10 0m s 3 2 0 0 1 2 3 4 5 6 7 総ゲート電荷量, Qg -- nC 8 9 10 IT05020 0µ s Tc=25°C 1パルス --0.01 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 3 IT05021 No.7309--3/4 2SJ643 PD -- Ta 1.2 10 許容損失, PD -- W 1.0 許容損失, PD -- W PD -- Tc 12 0.8 0.6 0.4 0.2 8 6 4 2 0 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT05022 0 20 40 60 80 100 120 ケース温度, Tc -- °C 140 160 IT05023 PS No.7309--4/4