SANYO 2SK1741

注文コード No. N 4 2 0 2
2SK1741
No.
N4202
81099
2SK1741
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗 , 超高速スイッチング用 , コンバータ用。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
ID
IDP
許容損失
PD
unit
100
± 20
V
V
10
40
A
A
1.65
40
W
W
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
min
max
unit
100
V
µA
± 100
2.5
nA
V
0.16
S
Ω
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25°C
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
typ
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=100V, VGS=0
100
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 20V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)
VDS=10V, ID=6A
ID=6A, VGS=10V
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
750
230
帰還容量
Crss
VDS=20V, f=1MHz
70
1.5
5.0
8.0
0.12
pF
pF
pF
次ページへ続く。
外形図 2089A
(unit : mm)
4.5
1.3
20.9
1.6
8.8
11.5
0.9
10.2
11.0
9.4
1.2
0.8
0.4
2.7
1 2 3
2.55
2.55
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO:TO-220MF
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
81099 SI IM / 9012 MH 寿◎佐藤 AX-7180 No.4202-1/3
2SK1741
前ページより続く。
min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
td(off)
tf
ターンオフ遅延時間
下降時間
typ
unit
12
38
ns
ns
100
40
ns
ns
ID=6A, VGS=10V,
VDD=50V, RGS=50Ω
max
ダイオード順電圧
VSD
IF=10A, VGS=0
(注)ゲート・ソース間には保護ダイオードは入っていないので、充分注意すること。
1.8
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD=50V
PW=1µs
D.C.≦0.5%
ID=6A
RL=8.3Ω
VOUT
VGS=10V
RGS=50Ω
2SK1741
ID -- VDS
4.5V
8
4.0V
12
10
8
6
4
25°C
ドレイン電流, ID -- A
10.0V
12
VDS=10V
14
5.0V
16
ドレイン電流, ID -- A
ID -- VGS
16
6.0V
8.0V
20
Tc=7
5°C
P.C.
4
3.5V
VGS=3.0V
0
2
4
6
8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
順伝達アドミタンス, yfs -- S
VDS=10V
3
2
10
°C
--25
7
=
Tc
5
C
75°
25°
C
3
2
1.0
7
5
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
ドレイン電流, ID -- A
C
--25°
0
2
2
3
5
ITR01986
6
4
10
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
ITR01984
yfs -- ID
5
0
10
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
2
ITR01985
RDS(on) -- VGS
400
Tc=25°C
350
300
ID=6A
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
12
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
14
ITR01987
No.4202-2/3
RDS(on) -- Tc
280
240
200
=10V
, VGS
160
6A
I D=
120
80
40
0
--60 --40
0
--20
20
60
40
80
100
120
ケース温度, Tc -- °C
100
7
5
3
10
20
24
28
at
io
n
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Tc=25°C
1パルス
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
ITR01991
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ITR01990
PD -- Ta
2.0
er
1.0
32
op
s
16
s
12
C
2
3
2
8
D
3
3
2
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
1m
s
7
5
7
5
4
<5µs
1
10 0µs
0µ
s
ID
10
5
ITR01989
ASO
0m
Crss
2
10
m
2
7
IDP
10
Coss
5
3
2
1.0
10
ドレイン電流, ID -- A
Ciss
0
7
7
2
100
5
5
2
3
td(on)
7
3
7
5
tr
2
3
1000
tf
ドレイン電流, ID -- A
f=1MHz
7
PD -- Tc
50
1.65
1.6
40
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
td(off)
5
3
160
VDD=50V
VGS=10V
PW=1µs
D.C.≦0.5%
2
ITR01988
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
140
Ciss, Coss, Crss -- VDS
7
SW Time -- ID
3
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
2SK1741
放
熱
板
な
し
1.2
0.8
30
20
10
0.4
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
ITR01992
0
20
40
60
80
100
120
ケース温度, Tc -- °C
140
160
ITR01993
PS No.4202-3/3