CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312） とショットキバリアダイオード（SBS001）を 1 パッケージ に内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・［MOS］ ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 ・［SBD］ ・逆回復時間が短い。 ・低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 記号 ドレイン電流 （DC） ドレイン電流 （パルス） VDSS VGSS ID IDP 許容損失 チャネル温度 PD Tch 保存周囲温度 [SBD 部] Tstg 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 IO サージ順電流 IFSM 接合部温度 保存周囲温度 Tj Tstg 条件 定格値 PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 50Hz 正弦波 1 サイクル unit − 30 ± 20 V V −2 −8 A A 0.9 150 W ℃ − 55 ∼＋ 125 ℃ 11 15 V V 500 5 mA A − 55 ∼＋ 125 − 55 ∼＋ 125 ℃ ℃ 単体品名表示：QL 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 12805PE TS IM ◎川浦 TA-100105 No.8206-1/5 CPH5810 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 定格値 条件 min typ max unit [MOSFET 部] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 30V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) VGSS= ± 16V, VDS=0 VDS= − 10V, ID= − 1mA 順伝達アドミタンス yfs RDS(on)1 VDS= − 10V, ID= − 1A ID= − 1A, VGS= − 10V 入力容量 RDS(on)2 Ciss 205 200 出力容量 帰還容量 Coss Crss ID= − 500mA, VGS= − 4V VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 47 32 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr 指定回路において 指定回路において 7.2 2.9 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 指定回路において 指定回路において 21 8.7 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 td(off) tf Qg Qgs VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A 5.5 0.98 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A IS= − 2A, VGS=0 0.82 − 0.85 nC V VR VF IR IR=400µA 順電圧 逆電流 IF=500mA VR=6V 0.4 端子間容量 逆回復時間 C trr VR=10V, f=1MHz サイクル IF=IR=100mA, 指定回路において 50 ドレイン・ソース間オン抵抗 [SBD 部] 逆電圧 外形図 − 30 − 1.2 1.4 2.0 110 −1 V µA ± 10 − 2.6 µA V 145 S mΩ 290 − 1.5 11 mΩ pF V 0.45 200 V µA 10 pF ns 電気的接続図 unit : mm 2171 5 4 3 3 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 2.8 0.05 0.6 1.6 0.6 5 0.15 4 0.2 2.9 1 2 0.2 0.4 0.4 0.9 0.95 0.7 1 2 Top view 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 No.8206-2/5 CPH5810 スイッチングタイム測定回路図 （MOSFET 部） trr 指定回路図 （SBD 部） Duty≦10% 0V --10V ID= --1A RL=15Ω D 50Ω 100Ω 10Ω 100mA VIN 10µs VOUT 10mA 100mA VDD= --15V VIN PW=10µs D.C.≦1% --5V G trr CPH5810 P.G 50Ω S ID -- VDS [MOSFET部] --5.0 0V V --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 °C °C --25°C --0.8 --3.5 Ta =75 VGS= --3.0V ドレイン電流, ID -- A 5V --3. --1.2 --1.0 --0.4 25 --0.5 0 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03223 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] 400 Ta=25°C 350 300 250 --1.0A 200 ID= --0.5A 150 100 50 0 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 ゲート・ソース電圧, VGS -- V --18 0 --1.0 --20 IT03225 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ [MOSFET部] --4.0 --1.6 ドレイン電流, ID -- A ID -- VGS VDS= --10V --4.5 --4. --6.0 --10.0 V --2.0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03224 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 400 350 300 V = --4 VGS , A 0.5 250 -I D= 200 = --10V A, V GS 150 .0 I D= --1 100 50 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 周囲温度, Ta -- °C 100 120 140 160 IT03226 No.8206-3/5 CPH5810 yfs -- ID 10 [MOSFET部] VDS= --10V 5 7 75 °C 5 3 3 2 --0.1 7 5 3 2 2 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 SW Time -- ID 2 3 --0.01 --0.2 5 7 --10 IT03227 [MOSFET部] 100 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 --1.2 ダイオード順電圧, VSD -- V IT03228 Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] Ciss, 3 VDD= --15V VGS= --10V f=1MHz Ciss 2 7 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns --1.0 7 5 --25°C °C 25 = -Ta 1.0 °C 25°C 25 2 ドレイン電流, ID -- A 5 3 td(off) 2 10 tf td(on) 7 5 tr 3 100 7 5 Coss Crss 3 2 2 1.0 --0.1 10 2 3 5 7 2 --1.0 3 ドレイン電流, ID -- A 5 0 [MOSFET部] --8 --10 7 5 --7 3 2 ドレイン電流, ID -- A --6 --5 --4 --1 3 2 0 1 2 3 4 5 6 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT03231 [MOSFET部] PD -- Ta 1.0 0.9 セ 0.8 ラ ミ ッ ク 基 0.6 板 (6 00 m --20 --25 IDP= --8A --30 <10µs 10 0µ s 1m 10 s m s ID= --2A D C 10 op 0m er 3 2 --2 0 --15 --1.0 7 5 --0.1 7 5 --3 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03230 [MOSFET部] ASO 2 VDS= --10V ID= --2A --9 --5 IT03229 VGS -- Qg --10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V VGS=0 Ta=7 5°C 3 0.1 --0.01 許容損失, PD -- W [MOSFET部] 3 2 順電流, IF -- A 順伝達アドミタンス, yfs -- S 7 IF -- VSD --10 7 5 at s io n Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 1unit --0.01 --0.01 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 3 5 IT09132 m2 × 0. 8m 0.4 m )装 着 時 0.2 1u ni t 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT09133 No.8206-4/5 CPH5810 IF -- VF 7 [SBD部] 5 2 1.0 7 5 0.1 3 2 逆電流, IR -- mA 2 --25° C 25° C =12 3 75 ° C 5°C 5 Ta 順電流, IF -- A 3 7 0.01 7 5 [SBD部] Ta=125°C 100°C 75°C 0.1 7 5 3 2 50°C 0.01 7 5 3 2 3 2 25°C 0.001 7 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 順電圧, VF -- V 0 2 4 [SBD部] 2 100 7 5 3 2 8 10 12 IT09167 IFSM -- t 7 サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A 3 6 逆電圧, VR -- V IT09166 C -- VR 5 端子間容量, C -- pF IR -- VR 3 2 [SBD部] 電流波形 50Hz正弦波 6 IS 20ms t 5 4 3 2 1 0 10 3 5 7 1.0 2 3 逆電圧, VR -- V 5 7 10 2 IT09168 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 時間, t -- s 2 3 ID00387 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8206-5/5