SCH2812 注文コード No. N 8 1 0 5 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード SCH2812 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1412） とショットキバリアダイオード（SS05015SH） を 1 パッケージに 内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ ［MOS］ ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 ・ ［SBD］ ・逆回復時間が短い。 ・低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 [MOSFET 部] 記号 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 VDSS VGSS ドレイン電流 （DC） ドレイン電流 （パルス） ID IDP 許容損失 チャネル温度 PD Tch 保存周囲温度 ［SBD 部］ Tstg 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均出力電流 IO サージ順電流 IFSM 接合部温度 保存周囲温度 Tj Tstg 条件 定格値 PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 50Hz 正弦波 1 サイクル unit 30 ± 20 V V 1.4 5.6 A A 0.6 150 W ℃ − 55 ∼＋ 125 ℃ 15 15 V V 0.5 3 A A − 55 ∼＋ 125 − 55 ∼＋ 125 ℃ ℃ 単体品名表示：QM 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 N3004PE TS IM ◎川浦 TB-00000512 No.8105-1/5 SCH2812 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 定格値 条件 min typ max unit [MOSFET 部] ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ID=1mA, VGS=0 VDS=30V, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA 順伝達アドミタンス yfs RDS(on)1 VDS=10V, ID=700mA ID=700mA, VGS=10V 入力容量 RDS(on)2 Ciss 400 65 出力容量 帰還容量 Coss Crss ID=400mA, VGS=4V VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 14 8 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr 指定回路において 指定回路において 5.0 4.0 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 指定回路において 指定回路において 11 3.0 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 td(off) tf Qg Qgs VDS=10V, VGS=10V, ID=1.4A VDS=10V, VGS=10V, ID=1.4A 2.5 0.6 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD VDS=10V, VGS=10V, ID=1.4A IS=1.4A, VGS=0 0.3 0.87 nC V VR VF IR IR=0.5mA 順電圧 逆電流 IF=0.5A VR=6V 0.4 端子間容量 逆回復時間 C trr VR=10V, f=1MHz IF=IR=100mA, 指定回路において 13 ドレイン・ソース間オン抵抗 [SBD 部] 逆電圧 外形図 30 1.2 0.66 1.1 230 1 V µA ± 10 2.6 µA V 300 S mΩ 560 1.2 15 mΩ pF V 0.46 90 V µA 10 pF ns 電気的接続図 unit : mm 2230A 6 5 4 1.6 0.2 1.5 1 2 3 0.5 2 3 Top view 0.56 1 0.25 0.05 1.6 0.05 0.2 6 5 4 1 : Gate 2 : Source 3 : Anode 4 : Cathode 5 : Drain 6 : Drain 1 : Gate 2 : Source 3 : Anode 4 : Cathode 5 : Drain 6 : Drain SANYO : SCH6 No.8105-2/5 SCH2812 スイッチングタイム測定回路図 (MOSFET 部） trr 指定回路図 (SBD 部） VDD=15V Duty≦10% 100mA ID=700mA RL=21.4Ω D 10µs VOUT 50Ω 100Ω 10Ω 100mA VIN 10mA VIN 10V 0V PW=10µs D.C.≦1% G --5V trr SCH2812 50Ω S 1.4 [MOSFET部] --25° C 25° 75°C C VDS=10V 1.2 4V ドレイン電流, ID -- A 1.5 1.0 VGS=3V 1.0 0.8 0.6 0.4 Ta =7 0.5 Ta= V 10 8V ドレイン電流, ID -- A ID -- VGS [MOSFET部] 6V 5V ID -- VDS 2.0 5°C --25 °C P.G 0 0 0.4 0.2 0.6 0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03294 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] 800 Ta=25°C 700 600 500 ID=0.4A 0.7A 400 300 200 100 0 2 3 4 5 6 7 8 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 0 1.0 9 10 IT03296 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 25 °C 0.2 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03295 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 800 700 600 500 4V S= A, VG 0.4 I D= 400 =10V , V GS 300 .7A I D=0 200 100 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 周囲温度, Ta -- °C 100 120 140 160 IT03297 No.8105-3/5 SCH2812 yfs -- ID [MOSFET部] 7 C 5° =7 Ta 5 5°C --2 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 Ta=75 °C 25°C --25°C °C 25 1.0 3 2 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 0 0.2 [MOSFET部] VDD=15V VGS=10V 3 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 ダイオード順電圧, VSD -- V IT03299 Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] IT03298 SW Time -- ID 5 100 f=1MHz Ciss 7 5 2 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns VGS=0 2 ドレイン電流, ID -- A td(off) 10 7 td(on) 5 tr 3 tf 2 3 2 Coss 10 Crss 7 5 1.0 3 5 7 2 0.1 3 5 7 2 1.0 ドレイン電流, ID -- A 3 0 5 [MOSFET部] 10 7 5 VDS=10V ID=1.4A 10 15 20 25 IDP=5.6A ＜10µs 10 0µ s 1m s 3 1.0 1.5 2.0 2.5 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT03302 [MOSFET部] PD -- Ta 0.8 0.6 ) °C 25 0.5 Operation in this area is limited by RDS(on). 0.1 7 5 a= 0 T n( 2 2 0 io 3 3 10 m s 10 0m s at er 2 op 4 ID=1.4A 1.0 7 5 C 6 2 D ドレイン電流, ID -- A 8 30 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03301 [MOSFET部] ASO IT03300 VGS -- Qg 10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V [MOSFET部] 3 2 0.1 0.01 許容損失, PD -- W IF -- VSD 5 VDS=10V 順電流, IF -- A 順伝達アドミタンス, yfs -- S 3 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 0.01 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 3 5 IT08160 セ ラ ミ ッ ク 基 板 (9 0.4 00 m m2 × 0.8 m m )装 0.2 着 時 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT08147 No.8105-4/5 SCH2812 IF -- VF 1.0 [SBD部] 7 5 逆電流, IR -- µA 0.1 7 5 Ta= 125 °C 100 °C 75° C 50° C 25°C 順電流, IF -- A 3 2 3 2 Ta=125°C 100°C 1000 7 5 3 2 75°C 50°C 100 7 5 3 2 25°C 1.0 0.1 0.2 0.3 0.4 順電圧, VF -- V (1) (1)方形波 θ=60° (2)方形波 θ=120° (3)方形波 θ=180° (4)正弦波 θ=180° 0.8 0.7 10 15 逆電圧, VR -- V IT06804 PF(AV) -- IO 0.9 5 0 0.5 [SBD部] IT06805 C -- VR 7 [SBD部] (2) (4) (3) f=1MHz 5 端子間容量, C -- pF 0 平均順電力損失, PF(AV) -- W [SBD部] 10 7 5 3 2 0.01 0.6 0.5 方形波 0.4 θ 0.3 360° 正弦波 0.2 3 2 10 7 0.1 180° 360° 1.2 0 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 平均順電流, IO -- A 1.4 IT06806 IFSM -- t 3.5 サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A IR -- VR 10000 7 5 3 2 5 1.0 2 3 5 7 2 10 逆電圧, VR -- V 3 IT06807 [SBD部] 電流波形 50Hz正弦波 3.0 IS 20ms t 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 時間, t -- s 5 7 1.0 2 3 ID00338 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8105-5/5