注文コード No. N 7 4 0 9 CPH5819 No. N7409 13003 新 CPH5819 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード （SBS006M）を 1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ ［MOS］ 1)低オン抵抗。 2)超高速スイッチング。 3)4V 駆動。 ・ ［SBD］ 1)逆回復時間が短い。 2)低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ［MOSFET 部］ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 VDSS VGSS ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） ID IDP 許容損失 チャネル温度 PD Tch 保存周囲温度 Tstg ［SBD 部］ 繰り返しピーク逆電圧 unit 30 ± 20 V V 1.4 5.6 A A 0.8 150 W ℃ − 55 ∼＋ 125 ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit VRRM 30 unit V 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 IO 30 0.5 V A 3 − 55 ∼＋ 125 A ℃ − 55 ∼＋ 125 ℃ サージ電流 接合部温度 IFSM Tj 保存周囲温度 Tstg 50Hz 正弦波 1 サイクル 単体品名表示：QV 外形図 2171 (unit : mm) 2.9 5 2.8 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.6 3 1.6 4 0.15 3 1 2 0.95 0.4 (Top view) 2 0.4 0.9 0.7 0.2 1 0.05 0.6 5 4 0.2 電気的接続図 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 13003 TS IM ◎佐藤 TA-3806 No.7409-1/5 CPH5819 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ （1）MOSFET 部 min typ max unit 1 V µA ± 10 2.6 µA V 300 S mΩ ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 V(BR)DSS IDSS ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) ID=1mA, VGS=0 VDS=30V, VGS=0 VGS= ± 16V, VDS=0 VDS=10V, ID=1mA 30 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 yfs RDS(on)1 VDS=10V, ID=700mA ID=700mA, VGS=10V 入力容量 RDS(on)2 Ciss ID=400mA, VGS=4V VDS=10V, f=1MHz 出力容量 帰還容量 Coss Crss VDS=10V, f=1MHz VDS=10V, f=1MHz 20 12 pF pF ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 td(on) tr 指定回路において 〃 6 3 ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(off) tf 〃 〃 10 4 ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 Qg Qgs VDS=10V, VGS=10V, ID=1.4A 2.6 0.6 nC nC ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qgd VSD IS=1.4A, VGS=0 0.5 0.9 1.2 nC V typ max unit 逆電圧 順電圧 VR VF1 IR=0.5mA IF=0.3A 0.35 0.40 V V IF=0.5A VR=10V 0.42 逆電流 VF2 IR 0.47 200 V µA 端子間容量 逆回復時間 C trr VR=10V, f=1MHz サイクル IF=IR=100mA 10 pF ns 1.2 0.77 1.1 230 370 75 （2）SBD 部 min スイッチングタイム測定回路図 （MOSFET 部） 30 20 Duty≦10% ID=700mA RL=21.4Ω VOUT 100Ω 10Ω 100mA D PW=10µs D.C.≦1% 50Ω 10mA 100mA 10V 0V VIN mΩ pF trr 指定回路図 （SBD 部） VDD=15V VIN 520 10µs --5V G trr CPH5819（MOSFET部） P.G 50Ω S No.7409-2/5 CPH5819 Ta= --25° C 25° 75°C C 1.2 ドレイン電流, ID -- A 1.5 1.0 VGS=3V 0.5 1.0 0.8 0.6 0.4 0 0.6 0.8 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03294 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] 800 Ta=25°C 700 600 500 0.7A ID=0.4A 400 300 200 100 0 2 3 4 3 5 6 7 8 0 1.0 9 10 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0.4 0.2 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 700 600 =4V , VGS 500 0.4A I D= 400 =10V , V GS 300 .7A I D=0 200 100 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C 5 VDS=10V 3 2 4.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03295 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 800 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03296 [MOSFET部] yfs -- ID 160 IT03297 IF -- VSD [MOSFET部] VGS=0 2 C 7 5° =7 Ta 5 C °C --25 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 Ta=75 °C 25°C --25°C ° 25 1.0 順電流, IF -- A ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 順伝達アドミタンス, yfs -- S 25 °C 0 °C 4V 0.2 3 2 0.01 0.1 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 ドレイン電流, ID -- A SW Time -- ID 5 2 3 0 [MOSFET部] VDD=15V VGS=10V 3 0.2 0.4 IT03298 Ciss, 100 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 ダイオード順電圧, VSD -- V IT03299 Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] f=1MHz Ciss 7 5 2 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns [MOSFET部] VDS=10V Ta =7 5°C 10 8V ドレイン電流, ID -- A ID -- VGS 1.4 6V 5V V [MOSFET部] --25 ID -- VDS 2.0 td(off) 10 7 td(on) 5 tr 3 tf 2 3 2 Coss 10 Crss 7 5 1.0 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 ドレイン電流, ID -- A 2 3 IT03300 0 5 10 15 20 25 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 30 IT03301 No.7409-3/5 CPH5819 VGS -- Qg [MOSFET部] ドレイン電流, ID -- A 4 2 0 0.5 1.0 1.5 2.0 ID=1.4A 10 D 3 2 0.1 7 5 m 10 0m C op s er at io n s Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時1unit 0.01 0.01 2.5 ＜10µs 1.0 7 5 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT03302 PD -- Ta [MOSFET部] 1.0 5 IT05626 セ ラ ミ ッ ク 基 板 (6 00 m m2 × 0.8 許容損失, PD -- W 3 2 3 2 0 [MOSFET部] IDP=5.6A s 0µ s 1m 8 6 ASO 10 7 5 VDS=10V ID=1.4A 10 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 10 0.6 0.8 0.4 m m )装 着 時 0.2 1u ni t 0 0 20 60 40 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C IF -- VF 10 160 IT05627 [SBD部] 7 5 逆電流, IR -- mA 5°C =1 0° 3 2 °C 25 Ta C 7 5 2 50 °C 10 0.1 75 °C 順電流, IF -- A 3 2 1.0 7 5 10 7 5 3 2 125 Ta= [SBD部] °C 100°C 75°C 1.0 7 5 3 2 50°C 0.1 7 5 3 2 3 2 25°C 0.01 0.01 0.2 0.4 0.6 0.8 ダイオード順電圧, VF -- V (1)方形波 θ=60° (2)方形波 θ=120° (3)方形波 θ=180° (4)正弦波 θ=180° 0.35 0.3 20 25 [SBD部] f=1MHz 5 (4) (2) 方形波 0.15 θ 0.1 360° 0 0.3 0.4 3 2 10 7 5 3 正弦波 0.05 30 IT00633 7 0.2 0.2 15 C -- VR 100 (3) 0.25 0.1 10 逆電圧, VR -- V [SBD部] (1) 0 5 IT00632 PF(AV) -- IO 0.4 0 1.0 端子間容量, C -- pF 0 平均順電力損失, PF(AV) -- W IR -- VR 100 7 5 3 2 2 180° 360° 0.5 平均順電流, IO -- A 0.6 0.7 IT00634 1.0 1.0 2 3 5 7 10 2 逆電圧, VR -- V 3 5 7 100 IT00635 No.7409-4/5 CPH5819 IS -- t サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A 3.5 [SBD部] 電流波形 50Hz正弦波 3.0 IS 20ms t 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 時間, t -- s 3 5 7 1.0 2 3 IT05805 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7409-5/5