SANYO MCH5819

注文コード No. N 7 4 5 4
MCH5819
No.
N7454
33004
新
MCH5819
特長
MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
SBD : ショットキバリアダイオード
DC / DC コンバータ用
・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3408)とショットキバリアダイオード
(SBS006M)を
1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。
・
[MOS]1) 低オン抵抗 2) 超高速スイッチング 3) 4V 駆動
・
[SBD] 1) 逆回復時間が短い 2) 低順電圧
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
[MOSFET 部]
ドレイン・ソース電圧
unit
V
VDSS
30
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
VGSS
ID
± 20
1.4
V
A
ドレイン電流(パルス)
許容損失
IDP
PD
5.6
0.8
A
W
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
150
− 55 ∼+ 125
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
[SBD 部]
unit
繰り返しピーク逆電圧
VRRM
非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM
平均整流電流
IO
サージ電流
IFSM 50Hz 正弦波 1 サイクル
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
単体品名表示:QV
0.25
2
0.5
3
A
A
− 55 ∼+ 125
− 55 ∼+ 125
℃
℃
3
(Top view)
1.6
3
0.25
2.1
0.15
0.3
5
4
2
1
0.65
0.07
4
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
1
V
V
外形図 2195
(unit : mm)
電気的接続図
5
30
30
5
2.0
4
0.85
(Bottom view)
1
2
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
3
(Top view)
SANYO : MCPH5
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
33004 TS IM ◎佐藤 TA-100373 No.7454-1/5
MCH5819
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
(1)
MOSFET 部
min
typ
max
unit
1
V
µA
± 10
2.6
µA
V
300
S
mΩ
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=30V, VGS=0
30
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=700mA
ID=700mA, VGS=10V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
ID=400mA, VGS=4V
VDS=10V, f=1MHz
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
15
10
pF
pF
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
指定回路において
〃
6
3
ns
ns
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(off)
tf
〃
〃
10
4
ns
ns
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=1.4A
2.6
0.6
nC
nC
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=1.4A, VGS=0
0.5
0.9
1.2
nC
V
typ
max
unit
逆電圧
順電圧
VR
VF1
IR=0.5mA
IF=0.3A
0.35
0.40
V
V
IF=0.5A
VR=10V
0.42
逆電流
VF2
IR
0.47
200
V
µA
端子間容量
逆回復時間
C
trr
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=100mA 指定回路において
10
pF
ns
1.2
0.85
1.2
230
370
70
(2)
SBD 部
min
スイッチングタイム測定回路図
30
20
100mA
VDD=15V
10V
0V
Duty≦10%
ID=700mA
RL=21.4Ω
D
50Ω
100Ω
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
10mA
10Ω
100mA
VIN
mΩ
pF
trr 指定回路図
(SBD 部)
(MOSFET 部)
VIN
520
10µs
--5V
trr
G
MCH5819
P.G
50Ω
S
No.7454-2/5
MCH5819
1.2
ドレイン電流, ID -- A
1.0
VGS=3V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0
0.6
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT03097
RDS(on) -- VGS [MOSFET部]
800
Ta=25°C
700
0.7A
600
ID=0.4A
500
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT03099
yfs -- ID
[MOSFET部]
10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
800
700
600
500
,
0.4A
I D=
400
=4V
VGS
=10V
, V GS
300
.7A
I D=0
200
100
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT03100
IF -- VSD
10
7
5
5
4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT03098
RDS(on) -- Ta [MOSFET部]
周囲温度, Ta -- °C
VDS=10V
7
[MOSFET部]
VGS=0
3
2
2
C
25°
1.0
°C
7
75
a=
T
5
3
5
-2
°C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
Ta=7
5°C
25°C
--25°C
3
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
0
1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0.4
0.2
0
--25
°C
Ta
=7
5°
C
0.5
25°C
VDS=10V
0.2
3
2
2
0.01
0.1
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
ドレイン電流, ID -- A
3
5
7 10
IT03101
0
SW Time -- ID [MOSFET部]
5
3
0.6
0.8
1.2
1.0
1.4
f=1MHz
Ciss
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
td(off)
10
td(on)
5
0.4
7
2
7
0.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT03102
Ciss, Coss, Crss -- VDS[MOSFET部]
100
VDD=15V
VGS=10V
tf
スイッチングタイム, SW Time -- ns
[MOSFET部]
Ta= -25°C
75°C
6V
5V
8V
V
1.5
ID -- VGS
1.4
4V
10
ドレイン電流, ID -- A
[MOSFET部]
25°C
ID -- VDS
2.0
tr
3
2
3
2
Coss
10
Crss
7
5
3
2
1.0
1.0
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
ドレイン電流, ID -- A
2
3
IT03103
0
5
10
15
20
25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
30
IT03104
No.7454-3/5
MCH5819
VGS -- Qg
[MOSFET部]
ドレイン電流, ID -- A
3
2
0.1
7
5
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
0.01
0.01
2.5
2 3
5 7 0.1
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT03105
PD -- Ta
[MOSFET部]
1.0
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5
IT05806
セ
0.8
許容損失, PD -- W
2.0
s
n
io
at
1.5
s
0µ
er
1.0
s
s
0.5
m
1.0
7
5
op
0
10
ID=1.4A
3
2
0
1m
3
2
0m
2
<10µs
10
4
[MOSFET部]
IDP=5.6A
10
8
6
ASO
10
7
5
VDS=10V
ID=1.4A
C
D
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
10
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
0.6
(9
00
m
m2
×
0.4
0.8
m
m
)装
着
時
0.2
1u
ni
t
0
0
20
60
40
80
100
120
140
周囲温度, Ta -- °C
IF -- VF
2
160
IT05807
[SBD部]
1.0
7
7
°C
50
0.1
逆電流, IR -- mA
25
°C
25
°C
Ta
=1
2
10
0°
C
順電流, IF -- A
5
3
°C
5
2
°C
125
Ta=
[SBD部]
100°C
75°C
1.0
7
5
3
2
50°C
25°C
0.01
0.01
0.2
0.4
ダイオード順電圧, VF -- V
(1)方形波 θ=60°
(2)方形波 θ=120°
(3)方形波 θ=180°
(4)正弦波 θ=180°
0.35
0.3
5
10
15
20
25
逆電圧, VR -- V
IT05808
PF(AV) -- IO
0.4
0
0.6
[SBD部]
30
IT00633
C -- VR
100
[SBD部]
f=1MHz
(2)
(4)
(3)
7
端子間容量, C -- pF
0
平均順電力損失, PF(AV) -- W
10
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
75
3
IR -- VR
100
7
5
3
2
(1)
0.25
0.2
方形波
0.15
θ
0.1
5
3
2
360°
正弦波
0.05
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
10
180°
360°
0.5
平均順電流, IO -- A
0.6
0.7
IT00634
7
1.0
2
3
5
7
10
逆電圧, VR -- V
2
3
IT05809
No.7454-4/5
MCH5819
IFSM -- t
サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A
3.5
電流波形 50Hz正弦波
3.0
IS
20ms
t
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
時間, t -- s
5
7
1.0
2
3
ID00338
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り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
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PS No.7454-5/5