DIOTEC 1N4148W

1N4148W, 1N4448W
Small Signal Si-Diodes
Surface mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-02-03
Power dissipation – Verlustleistung
400 mW
2.7
1.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.6
0.6
Type
Code
1.6
0.1
3.8
Dimensions / Maße in mm
70 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOD-123
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25/C)
Grenzwerte (TA = 25/C)
1N4148W, 1N4448W
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
150 mA 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 1)
tp # 1 s
IFSM
1A
t p # 1 :s
IFSM
2A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
75 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
150/C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
- 55…+ 150/C
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Characteristics (Tj = 25/C)
Forward voltage 2)
Durchlaßspannung
Kennwerte (Tj = 25/C)
1N4148W
1N4448W
Leakage current 2)
Sperrstrom
Tj = 25/C
Tj = 150/C
IF = 10 mA
VF
<1V
IF = 5 mA
VF
0.62 ... 0.72 V
IF = 100 mA VF
<1V
VR = 20 V
IR
< 25 nA
VR = 75 V
IR
1 :A
VR = 25 V
IR
< 30 :A
VR = 75 V
IR
< 50 :A
1
) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%
1
Small Signal Si-Diodes
1N4148W, 1N4448W
Characteristics (Tj = 25/C)
Kennwerte (Tj = 25/C)
Max. junction Capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time - Sperrverzug
IF = 10 mA über / through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Marking - Stempelung
1
1N4148W
1N4448W
) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
2 pF
CT
trr
RthA
< 4 ns
400 K/W 1)
A2
A3 or / oder T5