BAS19 ... BAS21 BAS19 ... BAS21 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2011-07-13 Power dissipation – Verlustleistung 0.4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1.1 2.9 ±0.1 2.5 ±0.1 1.3 max 3 Type Code 2 1 250 mW 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1=A 2 = n.c./frei 3=C 120...250 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Type Typ Grenzwerte (TA = 25°C) Continuous reverse voltage Dauersperrspannung VR [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) BAS19 100 120 BAS20 150 200 BAS21 200 250 Power dissipation − Verlustleistung Ptot 250 mW 2) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 625 mA 1) IFSM IFSM 0.5 A 2.5 A Tj TS - 55...+150°C - 55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom 1 2 IF = 100 mA IF = 200 mA VF VF < 1.00 V < 1.25 V Tj = 25°C V = VR IR < 100 nA Tj = 150°C V = VR IR < 100 µA Tested with 100 µA pulses – Gemessen mit 100 µA-Impulsen Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS19 ... BAS21 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT < 5 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 50 ns RthA < 420 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Marking – Stempelung Single Diode Einzeldiode 1=A 2 120 2 = n.c./frei HB or HC 3=C 10 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 -1 10 40 Tj = 25°C 10-2 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG