BAV70W BAV70W Surface Mount Small Signal Dual Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2009-09-28 2 ±0.1 0.3 Power dissipation Verlustleistung 1±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1 2.1 1.25±0.1 ±0.1 3 Type Code 200 mW 75 V Plastic case Kunststoffgehäuse 2 1.3 SOT-323 Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode 1 BAV70W Power dissipation − Verlustleistung ) Ptot 200 mW 1) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV IFAV 175 mA 2) 100mA 1) 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM IFSM IFSM 0.5 A 1A 2A VRRM 75 V Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur Tj 150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS - 55…+ 150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current 3) Sperrstrom 1 2 3 IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 50 mA IF = 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V VR = 75 V Tj = 25°C IR < 5 µA VR = 25 V VR = 75 V Tj = 150°C IR IR < 60 µA < 100 µA Both diodes loaded − Beide Dioden belastet Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAV70W Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns RthA < 625 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Outline – Gehäuse Marking – Stempelung Double diode, common cathode Doppeldiode, gemeins. Kathode 3 1 Pinning – Anschlussbelegung 1 = A1 2 2 = A2 BAV70W = A4 or /oder = KJA or /oder = PH 3 = C1/C2 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 10-1 40 Tj = 25°C 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG