TRIAC( Surface Mount Device / Non-isolated) TMG1C60A ( Sensitive Gate) Triac TMG1C60A is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. SOT-89 1.5 ±0.1 4.5 ±0.1 1.6 ±0.2 2 4.1 ±0.15 1 2 2 3 0.42 ±0.1 1 ±0.1 Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 2.45 ±0.15 Typical Applications 0.4 ±0.05 0.46 ±0.1 3 （1.5） 3 ±0.1 1 Features IT(RMS)=1A High Surge Current ● Lead-Free Package ● ● 1 Gate 2 T2 3 T1 2 Identifying Code：T1C6A ■Maximum Ratings （Tj=25℃ unless otherwise specified） Symbol Item VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage Reference IT（RMS） R.M.S. On-State Current Ta＝38℃ ITSM Surge On-State Current One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive It 2 PGM PG（AV） Unit：mm Ratings Unit 600 V 1 A 9.1/10 0.41 A A2S Peak Gate Power Dissipation 1 W I t（for fusing） 2 Average Gate Power Dissipation 0.1 W IGM Peak Gate Current 0.5 A VGM Peak Gate Voltage Tj Tstg 6 V Operating Junction Temperature −40∼＋125 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 0.05 ℃ Mass g ■Electrical Characteristics Ratings Symbol Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ 0.5 mA VTM ＋ I GT1 Peak On-State Voltage IT＝1.5A, Inst. measurement 1.6 V 1 − I GT1 2 ＋ I GT3 3 − I GT3 4 ＋ V GT1 1 − V GT1 2 ＋ V GT3 3 − V GT3 4 VGD 〔dv/dt〕c IH Reference Min. Typ. Max. Unit 5 5 Gate Trigger Current 10 mA 5 VD＝6V，RL＝10Ω 1.8 1.8 Gate Trigger Voltage 2.0 V 1.8 Non-Trigger Gate Voltage Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Tj＝125℃， 〔di/dt〕 c＝−0.5A/ms，VD＝2／3VDRM ＋ V 2 V/μs 4 Holding Current Rth （j-a） Thermal Resistance 1（ 0.2 ） 2（ ） − mA 65 Junction to ambient 3（ III ＋ ） ℃/W 4（ III ） − SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] TMG1C60A On-State Characteristics（MAX） Gate Characteristics １０ １０ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ Gate Voltage（V） PGM（1W） 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ IGM（0.5A） PG（AV） （0.1W） １ 25℃ 1＋GT３ On-State Current（A） VGM（6V） １ VGD（0.2V） ０． １ １ １０ １００ ０.１ ０ １０００ ０.５ １ １.５ π Power Dissipation（W） ０ １.２ θ θ＝180゜ θ＝150゜ 2π θ θ＝120゜ ３６０゜ １ θ＝90゜ θ ：Conduction Angle θ＝60゜ ０.８ θ＝30゜ ０.６ ０.４ ０.２ ０ ０ ０.２ ０.４ ０.６ ０.８ １ Allowable Ambient Temperature（℃） RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation １.４ １ ４０ ８ 60HZ 50HZ ２ ０ １ １０ １０0 ８０ θ＝30゜ θ＝60゜ ６０ π θ ０ θ＝90゜ θ＝120゜ θ＝150゜ 2π θ ４０ ３６０゜ θ＝180゜ θ ：Conduction Angle ２０ ０ ０.２ ０.４ ０.６ ０.８ １ １.２ Transient Thermal Impedance １ ００ １ ０ １ ０.０１ ０.１ １ １0 １ ００ １ ０００ １０００ VGT（t℃） ×100（％） VGT（２５℃） IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） I＋GT１ I−GT１ I−GT3 １００ ５０ ７５ Junction Temp. Tj（℃） V＋GT1 V−GT1 V＋GT1 V−GT3 １００ I＋GT3 ２５ ５ VGT −Tj（Typical） IGT −Tj（Typical） ０ ４.５ Time（Sec.） １０００ −２５ ４ １ ００ Time（Cycles） １０ −５０ ３.５ １ ２０ Transient Thermal Impedance（℃/W） Surge On-State Current（A） １０ ４ ３ R.M.S. On-State Current（A） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） ６ ２.５ R.M.S On-State vs Allowable Case Temperature RMS On-State Current（A） １２ ２ On-State Voltage（V） Gate Current（mA） １００ １２５ １０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp. Tj（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected]