THYRISTOR( Through Hole/Isolated) SMG5C60F Thyristor SMG5C60F is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. 3.2±0.3 TO-220F 10.5±0.3 4.7±0.2 2.7±0.2 Typical Applications Home Appliances : Electric Blankets, Starter for FL, other control applications Industrial Use : SMPS, Solenoid for Breakers, Motor Controls, Heater Controls, other control applications 1 φ3.2 ±0 .2 3 9.7±0.3 ● 16.0±0.3 ● 2.6±0.2 0.60±0.15 Features ● 2 1.4±0.2 3.0±0.3 13.0±0.5 IT(AV)=5A High Surge Current ● Low Voltage Drop ● Lead-Free Package ● 1.1±0.2 1K 2A 3 Gate 0.6±0.15 1 2 3 2.54±0.25 5.08±0.5 Identifying Code：S5C6F ■Maximum Ratings Symbol Unit：mm （Tj=25℃ unless otherwise specified） Item Reference Ratings Unit VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 600 V VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 720 V VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage 600 V IT（AV） Average On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝96℃ 5 A R.M.S. On-State Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝96℃ 7.8 A 80/88 32 A2S IT（RMS） ITSM I2t PGM PG（AV） Surge On-State Current 50Hz/60Hz, 1 ／2 cycle Peak value, non-repetitive I2t Peak Gate Power Dissipation Average Gate Power Dissipation A 5 W 0.5 W 2 A IFGM Peak Gate Current VFGM Peak Gate Voltage（Forward） 6 V VRGM Peak Gate Voltage（Reverse） 10 V A.C 1minute VISO Isolation Breakdown（R.M.S.） 1500 V Tj Operating Junction Temperature −40∼＋125 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 ℃ Tstg Mass 2 g ■Electrical Characteristics Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current Tj＝125℃, VD＝VDRM 2 mA IRRM Repetitive Peak Reverse Current Tj＝125℃, VR＝VRRM 2 mA VTM Peak On-State Voltage IT＝15A, Inst. measurement IGT Gate Trigger Current VGT Gate Trigger Voltage VGD IH Rth（j-c） Non-Trigger Gate Voltage Reference Ratings Symbol Typ. VD＝6V, RL＝10Ω Tj＝125℃, VD＝1／2VDRM Holding Current Thermal Resistance Min. Max. 1.5 V 10 mA 1.4 V 0.2 V 15 Junction to case Unit mA 4 ℃/W SMG5C60F Gate Characteristics On-State Voltage Max １０ １００ VFGM（６V） On-State Current（A） Gate Voltage（V） PGM（５W） PG（AG） （０.５W） １FGM（２A） １ ２５℃ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ １０ VGD（０.２V） ０.１ １ １０ １００ １ ０.５ １００００ １０００ １ Gate Current（mA） １.５ ２ ２.５ Average On-State Current vs Power Dissipation（Single phase half wave） Average On-State Current vs Ambient Temperature（Single phase half wave） ８ １３０ θ＝１８０゜ １２５ Ambient Temperature（℃） Power Dissipation（W） ７ θ＝１２０゜ ６ 2π θ ３６０゜ θ ：Conduction Angle １１５ θ＝３０゜ １１０ ４ １０５ ３ ２ π ０ １００ 2π θ ３６０゜ １ θ ：Conduction Angle ０ ０ １ ２ ３ ４ ５ ９５ θ＝３０゜ ９０ ０ ６ １ Average On-State Current（A） ９０ ８０ ７０ ６０ ６０Hz ４０ ５０Hz ３０ ２０ １０ ０ １ １０ １００ Transient Thermal Impedance（℃／W） １００ ５０ ２ θ＝６０゜ θ＝９０゜ θ＝１２０゜ θ＝１８０゜ ３ ４ ５ ６ Average On-State Current（A） Surge On-State Current Rating（Non-Repetitive） Surge On-State Current（A） π ０ １２０ θ＝９０゜ θ＝６０゜ ５ ３ On-State Voltage（V） Maximum Transient Thermal Impedance Characteristics １０ １ ０.０１ ０.１ Time（Cycles） １ １０ １００ Time（sec.） VGT −Tj（Typical） IGT −Tj［Change Rate］ （Typical） １ １０００ IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） Gate Trigger Voltage（V） ０.９ １００ １０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ ０.８ ０.７ ０.６ ０.５ ０.４ ０.３ ０.２ ０.１ ０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ SMG5C60F VD −Tj Change Rate（Typical） 150 140 140 130 130 V（ R t℃） ×100（％） V（ R ２ ５℃） VD（t℃） ×100（％） VD（２５℃） 150 120 110 100 90 80 70 60 50 −５０ VR −Tj Change Rate（Typical） 120 110 100 90 80 70 60 −２５ ０ ２５ ５０ ７５ Junction Temp.（℃） １００ １２５ 50 −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp.（℃） 3