TRIAC( Through Hole) TMG1C80 ( Sensitive Gate) Triac TMG1C80 is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. TO-92 4.0±0.2 5.0±0.2 5.0±0.2 Typical Applications Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 2.3±0.2 13.5±0.5 2.0MAX 2 0.45+- 0.2 0.1 0.45+- 0.2 0.1 3 Features IT(RMS)=1A High Surge Current ● Lead-Free Package 1 T1 2 Gate 3 T2 ● ● 1 2 2.50+- 0.6 0.2 3 2.50+- 0.6 0.2 Identifying Code：T1C8 ■Maximum Ratings Item VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage Reference IT（RMS） R.M.S. On-State Current Tc＝58℃ ITSM Surge On-State Current One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive It PGM PG（AV） Unit：mm （Tj=25℃ unless otherwise specified） Symbol 2 1 Ratings Unit 800 V 1 A 9.1/10 0.41 A A2S Peak Gate Power Dissipation 1 W I t（for fusing） 2 Average Gate Power Dissipation 0.1 W IGM Peak Gate Current 0.5 A VGM Peak Gate Voltage Tj Tstg 6 V Operating Junction Temperature −40∼＋125 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 0.2 ℃ Mass g ■Electrical Characteristics Ratings Symbol Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝125℃ 0.5 mA VTM ＋ I GT1 Peak On-State Voltage IT＝1.5A, Inst. measurement 1.6 V 1 − I GT1 2 ＋ I GT3 3 − I GT3 4 ＋ V GT1 1 − V GT1 2 ＋ V GT3 3 − V GT3 4 VGD 〔dv/dt〕c IH Reference Min. Typ. Max. Unit 5 5 Gate Trigger Current 10 mA 5 VD＝6V，RL＝10Ω 1.8 1.8 Gate Trigger Voltage 2.0 V 1.8 Non-Trigger Gate Voltage Tj＝125℃，VD＝1／2VDRM Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Tj＝125℃， 〔di/dt〕 c＝−0.5A/ms，VD＝400V ＋ V 2 V/μs 4 Holding Current Rth （j-c） Thermal Resistance 1（ 0.2 ） 2（ ） − mA 50 Junction to case 3（ III ＋ ） 4（ III ） − ℃/W TMG1C80 On-State Characteristics（MAX） Gate Characteristics １０ １０ Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１２５℃ Gate Voltage（V） PGM（1W） 25℃ 1＋GT１ 1−GT１ 1−GT３ IGM（0.5A） PG（AV） （0.1W） １ 25℃ 1＋GT３ On-State Current（A） VGM（6V） １ VGD（0.2V） ０． １ １ １０ １００ ０.１ ０ １０００ ０.５ １ １.５ RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation π Power Dissipation（W） ０ １.２ １３０ θ θ＝180゜ θ＝150゜ 2π θ θ＝120゜ ３６０゜ １ θ＝90゜ θ ：Conduction Angle θ＝60゜ ０.８ θ＝30゜ ０.６ ０.４ ０.２ ０ ０ ０.２ ０.４ ０.６ ０.８ Allowable Case Temperature（℃） １.４ ３ ３.５ ４ ４.５ ５ １２０ １１０ １００ １ ９０ θ＝30゜ ８０ θ＝60゜ ７０ π ０ ６０ ５０ θ＝90゜ θ θ＝120゜ θ＝150゜ θ＝180゜ 2π θ ３６０゜ θ ：Conduction Angle ４0 ０ ０.２ ０.４ ０.６ ０.８ １ RMS On-State Current（A） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） １０ １０００ Transient Thermal Impedance（℃/W） Surge On-State Current（A） ２.５ RMS On-State vs Allowable Case Temperature RMS On-State Current（A） １２ ２ On-State Voltage（V） Gate Current（mA） Transient Thermal Impedance Rth（j−a） １００ ８ ６ 60HZ 50HZ ４ ２ ０ １ １０ １０0 Rth（j−c） １０ １ ０.０１ ０.１ １ Time（Cycles） VGT（t℃） ×100（％） VGT（２５℃） IGT（t℃） ×100（％） IGT（２５℃） I＋GT１ I−GT１ I−GT3 ２５ ５０ ７５ Junction Temp. Tj（℃） V＋GT1 V−GT1 V＋GT1 V−GT3 １００ I＋GT3 ０ １０００ １０００ １００ −２５ １００ VGT −Tj（Typical） IGT −Tj（Typical） １０００ １０ −５０ １０ Time（Sec.） １００ １２５ １０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Junction Temp. Tj（℃） 2