TRIAC( Surface Mount Device / Non-isolated) TMG1CQ60A / Sensitive Gate) ( Tj=150 Triac TMG1CQ60A is designed for full wave AC control applications. It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation. SOT-89 1.5 ±0.1 4.5 ±0.1 1.6 ±0.2 2 4.1 ±0.15 1 2 2 3 0.42 ±0.1 1 ±0.1 Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications ● Industrial Use : SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR, Heater Controls, Vending Machines, other control applications ● 2.45 ±0.15 Typical Applications 0.4 ±0.05 0.46 ±0.1 3 （1.5） 3 ±0.1 1 Features IT(RMS)=1A High Surge Current ● Lead-Free Package ● ● 1 Gate 2 T2 3 T1 2 Identifying Code：T1CQ6A ■Maximum Ratings （Tj=25℃ unless otherwise specified） Symbol Item VDRM Repetitive Peak Off-State Voltage Reference IT（RMS） R.M.S. On-State Current Ta＝63℃ ITSM Surge On-State Current One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive It 2 PGM PG（AV） Unit：mm Ratings Unit 600 V 1 A 9.1/10 0.41 A A2S Peak Gate Power Dissipation 1 W I t（for fusing） 2 Average Gate Power Dissipation 0.1 W IGM Peak Gate Current 0.5 A VGM Peak Gate Voltage Tj Tstg 6 V Operating Junction Temperature −40∼＋150 ℃ Storage Temperature −40∼＋150 0.05 ℃ Mass g ■Electrical Characteristics Ratings Symbol Item IDRM Repetitive Peak Off-State Current VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj＝150℃ VTM ＋ I GT1 Peak On-State Voltage IT＝1.5A, Inst. measurement 1 − I GT1 2 ＋ I GT3 3 − I GT3 4 ＋ V GT1 1 − V GT1 2 ＋ V GT3 3 − V GT3 4 VGD 〔dv/dt〕c IH Reference Min. Typ. Max. Unit 1 mA 1.6 V 5 5 Gate Trigger Current 10 mA 5 VD＝6V，RL＝10Ω 1.8 1.8 Gate Trigger Voltage 2.0 V 1.8 Non-Trigger Gate Voltage Tj＝150℃，VD＝1／2VDRM Critical Rate of Rise of Off-State Voltage at Commutation Tj＝150℃， 〔di/dt〕 c＝−0.5A/ms，VD＝2／3VDRM ＋ V 1 V/μs 4 Holding Current Rth （j-a） Thermal Resistance 1（ 0.1 ） 2（ ） − mA 65 Junction to ambient 3（ III ＋ ） ℃/W 4（ III ） − SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected] TMG1CQ60A １0 Gate Characteristics Maximum On-State Characteristics １０ VGM（６V） Ｔ ｊ=２５℃ Ｔ ｊ=１５０℃ 25℃ 25℃ I+GT3 I+GT1 I-GT1 I-GT3 VGD（0.１V） ０． １ ０． ０１ １ １ ０ 100 １ ０.１ ０ 1000 ０.５ １ １.５ ３.５ π ０ θ＝180゜ θ＝150゜ θ＝120゜ θ 2π θ＝90゜ ３６０゜ θ ：Conduction Angle θ＝60゜ 0.8 θ＝30゜ 0.6 0.4 0.2 ０ ０ ０.2 ０.4 ０.6 ０.8 １ Allowable Ambient Temperature（℃） RMS On-State vs Allowable Case Temperature 1 １ ７０ ８ 60HZ 50HZ ２ ０ １ １０ １ １０ θ＝30゜ θ＝60゜ ９０ π θ ０ １０0 θ ７０ ３６０゜ ５０ ０ ０.２ ０.４ １ １.２ Transient Thermal Impedance １ ００ １ ０ １ ０.０１ ０.１ VGT（t℃） ×100（％） VGT（２５℃） IGT（t℃） ×100（％） IGT（25℃） ５０ ０.８ １ １0 １ ００ １ ０００ VGT −Tj（Typical） ７５ Junction Temp.（℃） １００ V＋GT1 V−GT1 V＋GT3 V−GT3 １００ I＋GT3 ２５ ０.６ １０００ I＋GT１ I−GT１ I−GT3 １００ ０ θ＝150゜ θ＝180゜ θ ：Conduction Angle Time（Sec.） IGT −Tj Change Rate（Typical） −２５ θ＝90゜ θ＝120゜ 2π Time（Cycles） １０ −５０ ５ １ ３０ Transient Thermal Impedance（℃/W） １０ ４ ４.５ RMS On-State Current（A） Surge On-State Current Rating （Non-Repetitive） ６ ４ １ ５０ RSM On-State Current（A） Surge On-State Current（A） ３ RMS On-State Current vs Maximum Power Dissipation θ １０００ ２.５ On-State Voltage（V） 1.2 １２ ２ Gate Current（mA） 1.4 Power Dissipation（W） On-State Current（A） PG（AV） （0.１W） １ IGM（０.５A） Gate Voltage（V） PGM（１W） １２５ １50 １０ −５０ −２５ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ １50 Junction Temp. Tj（℃） SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:[email protected]