BLP3062 PIN 结 Si 光电二极管 描述 工作在低频区域的 Si 光电二极管，可探测波长处于峰值波长附近的光信号。 应用 • 遥控电路 • 光纤通信 结构 芯片结构：平面 PIN 型结构 电极：顶部 AlSi 外形图和尺寸 Anode Cathode N 芯片尺寸：1.6 mm × 1.6 mm 芯片厚度：300±25µm P 纵向结构 N P N http://www.belling.com.cn N 芯片结构：平面 PIN 型结构 电极：AlSi -1Total 2 Pages 8/18/2006 BLP3062 光电特性(Ta=25°) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 暗电流 ID Reverse dark current 反向击穿电压 Reverse breakdown VBR voltage 开路电压 VOC Open circuit voltage 短路电流 IOC Short circuit current 光电流 IL Reverse light current 总电容 CT Total capacitance VR=10V E=0mW/cm2 30 IR=100µA, H=0mV/cm2 60 单位 nA 100 V E=5mW/cm2 400 mV E=5mW/cm2 20 µA VR=5V E=5mW/cm2 20 µA VR=5V E=0mW/cm2 f=1MHz 7 pF 典型曲线 • 光谱响应 PHOTO SENSITIVITY (A/W) 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 WAVE LENGTH (nm) http://www.belling.com.cn -2Total 2 Pages 8/18/2006