BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET • 抗雪崩冲击能力强 BVDSS 600V • 高速开关 RDS(ON) 2.2Ω Ω • 驱动简单 ID 4A 产品介绍 BLV4N60 是上海贝岭采用目前先进的工艺和设计技术， 自行开发的 600V 、4A N 沟 VDMOS， 适合于各类高 效开关电源。 最大额定参数 （TC=25oC 除非另有说明） 符号 参数 极限值 单位 VDS 漏源电压 600 V VGS 栅源电压 + 20 V 4 A 2.53 A 脉冲漏极电流 (注 1) 16 A 功耗 104 W 高于 25℃线性降低参数 0.83 W/℃ EAS 单脉冲雪崩击穿能量 (注 2) 218 mJ IAR 雪崩击穿电流 4 A EAR 重复雪崩击穿能量 10.4 mJ Tj 工作温度范围 连续漏极电流 ID 连续漏极电流 ( TC=100 oC) IDM PD 存储温度范围 TSDG -55 to +150 o -55 to +150 o C C 热特性 符号 参数 极限值 单位 Rth j-c 热阻，结到外壳 1.2 ℃/ W Rth j-a 热阻，结到环境 62.5 ℃/ W http://www.belling.com.cn -1Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 电特性（TC=25oC 除非另有说明） 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS 漏源击穿电压 VGS=0V, ID=250uA 600 - - V ∆BVDSS /∆TJ 源漏击穿电压温度系数 Reference to 25℃ ID=250uA - 0.6 - V/℃ RDS(ON) 导通电阻 VGS=10V, ID=2A - - 2.2 Ω VGS(th) 阈值电压 VDS=VGS, ID=250uA 2 - 4 V gfs 跨导 VDS=15V, ID=2A(注 3) - 3 - S IDSS 零栅压漏电流 VDS=600V, VGS=0V - - 10 uA 零栅压漏电流 (Tc=125℃) VDS=480V, VGS=0V - - 100 uA IGSS 栅体漏电流 VGS= ± 20V - - ±100 nA Qg Qgs 栅总电荷 - 23.7 - nC - 5.4 - nC Qgd 栅漏电荷 VDD=480V ID=4A VGS=10V (注 3) - 9.4 - nC t (on) 开启延迟时间 - 13 - ns tr 开启上升时间 - 21 - ns t (off) 关断延迟时间 - 35 - ns tf 关断下降时间 - 25 - ns Ciss 输入电容 - 690 - pF Coss 输出电容 - 125 - pF Crss 反向传输电容 - 14 - pF 栅源电荷 VDD=300V ID=4A RG=25Ω (注 3) VDS=25V VGS=0V f = 1MHz 源漏二极管特性 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 IS 连续源极电流 - - 4 A ISM 脉冲源极电流 (注1) - - 16 A VSD 正向导通压降 VGS=0V, IS=4A - - 1.4 V t rr 反向恢复时间 VGS=0V, IS=4A (注3) - 680 - ns Qrr 反向恢复电荷 dIF/dt = 100A/us - 2 - uC 注： (1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature (2) L=25mH, Ias=4A，Vdd=50V，Rg=25Ω，staring Tj=25C (3) Pulse width ≤ 300 us; duty cycle ≤ 2% http://www.belling.com.cn -2Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics Fig 3. Normalized BVdss vs. Junction Temperature http://www.belling.com.cn Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Junction Temperature -3Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics （continued） ） Fig 5. On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Fig 6. Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Fig 7. Gate Charge Characteristics http://www.belling.com.cn Fig 8. Capacitance Characteristics -4Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics （continued） ） Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Transient Thermal Response Curve http://www.belling.com.cn -5Total 6 Pages 10/23/2006 BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Test Circuit and Waveform Fig 11. Gate Charge Circuit Fig 12. Gate Charge Waveform Fig 13. Switching Time Circuit Fig 14. Switching Time Waveform Fig 15. Unclamped Inductive Switching Test Circuit http://www.belling.com.cn Fig 16. Unclamped Inductive Switching Waveforms -6Total 6 Pages 10/23/2006