BLV108 N 沟纵向 MOSFET 描述: 描述: N 沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿 产品应用： 电话机电路 继电器电路 驱动电路等 工作条件 (T=25℃ (T=25℃) 符号 参数 极限值 单位 VDSS 漏源电压 200 V VGSS 栅源电压 + 20 V ID 漏电流 300 mA PD Power Dissipation for Dual Operation Tj, TSDG 结温度和存储温度 1 W o -55 to +150 C 热特性 Rth j-a 电学特性 Thermal Resistance, Junction to Ambient I DSS I GSS VGS (th ) R DS (on ) K/W o TA=25oC 符号 BVDSS 125 参数 源漏击穿电压 零栅压时的漏极电流 栅和衬底之间的漏电流 阈值电压 导通电阻 http://www.belling.com.cn 测试条件 VGS = 0V , I D = 10uA 最小 VGS = ±20V , V DS = 0V VGS = 2.8V , I D = 100mA -1Total 2 Pages 单位 200 VDS = 160V , VGS = 0V V DS = VGS , I D = 1mA 典型 最大 0.4 V 1 uA +100 nA 1.8 V 5 Ω 8/18/2006 BLV108 交流特性 Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反馈电容 VDS=25V，VGS=0V f = 1MHz 120 pF 30 pF 15 pF 开关特性 ton Turn-On 时间 toff Turn-Off 时间 http://www.belling.com.cn VDD=50V, ID=250mA VGS=0 to 10V -2Total 2 Pages 6 10 ns 49 60 ns 8/18/2006