MMBTA05 / MMBTA06 MMBTA05 / MMBTA06 Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage NPN NPN Version 2007-06-25 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Type Code 1.3 ±0.1 2.5 max 3 2 1 1.9 Dimensions / Maße [mm] 1=B 2=E 3=C Power dissipation Verlustleistung 250 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMBTA05 MMBTA06 Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 60 V 80 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 60 V 80 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 4V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 500 mA Base current – Basisstrom IB 100 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -55...+150°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. ICB0 ICB0 – – – – 100 nA 100 nA IEB0 – – 100 nA VCEsat – – 250 mV VBEsat – – 1.2 V Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 60 V IE = 0, VCB = 80 V MMBTA05 MMBTA06 Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom IC = 0, VEB = 4 V Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) 2 IC = 100 mA, IB = 10 mA Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ) 2 IC = 100 mA, IB = 10 mA 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBTA05 / MMBTA06 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE hFE 100 100 – – – – fT 100 MHz – – DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 1 V, IC = 10 mA VCE = 1 V, IC = 100 mA Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 2 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Thermal resistance junction – ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 420 K/W 1) Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MMBTA55, MMBTA56 Marking - Stempelung MMBTA05 = 1H MMBTA06 = 1GM 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG