電源レギュレータ AN78xxNSP シリーズ 正出力 3 端子電源レギュレータ(1 A タイプ) ■ 概 要 Unit : mm 6.50±0.20 5.30±0.10 (4.35) (3.00) 3 0.75±0.10 2.30 • 出力電圧は5 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 15 V, 18 V の 9 種類をそろえています • 過電流制限回路内蔵 • 熱保護回路内蔵 • ASO 保護回路内蔵 1.00±0.30 9.80±0.20 (0.20) (0.80) 2 1 ■ 特 長 (5.50) (2.50) (1.80) 1.00±0.20 5.50±0.20 2.50 AN78xxNSP シリーズは , 表面実装パッケージ・固 定正出力型のモノリシック 3 端子電源レギュレータ です。 最小の外付部品で, 非安定直流入力電圧から, 安定 化された固定出力電圧が得られます。出力電圧は固 定で5 V, 6 V, 7 V, 8 V, 9 V, 10 V, 12 V, 15 V, 18 Vの9 種類をそろえており , 電流容量 1 A までの電源回路 として幅広く使用できます。 +0.10 0.55 –0.05 0.10±0.10 2.30±0.10 4.60±0.10 SP-3SU 注 ) 本製品のパッケージは， 後記の鉛フリーパッ ケージ(SP-3SUA)になる予定です。 ■ ブロック図 出力段 定電流源 過電流保護 基準電圧 起動回路 RSC 過熱保護 誤差増幅器 1 R2 R1 2 3 FIN Input CI CO Output CI ≥ 0.33 µF, CO ≥ 0.1 µF ■ 端子説明 説明 Pin No. 1 Input 入力電圧端子 2 GND 接地端子(FIN) 3 Output 出力電圧端子 発行年月 : 2001年12月 SFF00011BJB 1 AN78xxNSP シリーズ ■ 絶対最大定格 項目 電源電圧 記号 定格 VCC 35 V ICC mA PD 364 mW Topr −30 ∼ +85 °C Tstg −55 ∼ +150 °C 電源電流 許容損失 *2 動作周囲温度 保存温度 *1 *1 単位 注 ) 1. *1 : 動作周囲温度および保存温度の項目以外はすべて T a = 25°C とする。 (■ アプリケーションノート • SP-3SU パッケージの許 *2 : 許容損失の値はTa = 85°C 時の単体での値を示します。 容損失参照) また , T j = 150°C (設計値)で内部回路が出力を遮断します。 2. この IC は自動車電装用には適していません。 ■ 電気的特性 Ta = 25°C • AN7805NSP (5 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 10 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 4.8 5 5.2 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 8 V ∼ 20 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 4.75 5.25 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 7.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 3 100 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 8 V ∼ 12 V, Tj = 25°C 1 50 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 15 100 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 5.0 50 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 3.9 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 7.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 1.3 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 8 V ∼ 18 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 62 dB 最小 標準 最大 単位 40 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A − 0.3 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 2 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7806NSP (6 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 11 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 5.75 6 6.25 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 9 V ∼ 21 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 5.7 6.3 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 8.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 5 120 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 9 V ∼ 13 V, Tj = 25°C 1.5 60 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 14 120 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 60 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 3.9 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 8.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 1.3 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 9 V ∼ 19 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 59 dB 最小 標準 最大 単位 40 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A − 0.4 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB 3 AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7807NSP (7 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 12 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 6.7 7 7.3 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 10 V ∼ 22 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 6.6 7.4 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 9.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 5 140 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 10 V ∼ 15 V, Tj = 25°C 1.5 70 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 14 140 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 70 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 3.9 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 9.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 1.0 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 10 V ∼ 20 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 57 dB 最小 標準 最大 単位 46 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A − 0.5 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 4 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7808NSP (8 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 14 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 7.7 8 8.3 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 11 V ∼ 23 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 7.6 8.4 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 10.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 6 160 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 11 V ∼ 17 V, Tj = 25°C 2 80 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 12 160 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 80 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 3.9 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 10.5 V ∼ 25 V, Tj = 25°C 1.0 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 11.5 V ∼ 21.5 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 56 dB 最小 標準 最大 単位 52 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A − 0.5 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB 5 AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7809NSP (9 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 15 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 8.65 9 9.35 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 12 V ∼ 24 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 8.55 9.45 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 11.5 V ∼ 26 V, Tj = 25°C 7 180 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 12 V ∼ 18 V, Tj = 25°C 2 90 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 12 180 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 90 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 3.9 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 11.5 V ∼ 26 V, Tj = 25°C 1.0 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 11.5 V ∼ 21.5 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 56 dB 最小 標準 最大 単位 57 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A − 0.5 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 6 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7810NSP (10 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 16 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 9.6 10 10.4 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 13 V ∼ 25 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 9.5 10.5 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 12.5 V ∼ 27 V, Tj = 25°C 8 200 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 13 V ∼ 19 V, Tj = 25°C 2.5 100 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 12 200 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 100 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 3.9 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 12.5 V ∼ 27 V, Tj = 25°C 1.0 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 13 V ∼ 23 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 56 dB 最小 標準 最大 単位 56 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A − 0.6 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB 7 AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7812NSP (12 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 19 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 11.5 12 12.5 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 15 V ∼ 27 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 11.4 12.6 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 14.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C 10 240 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 16 V ∼ 22 V, Tj = 25°C 3 120 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 12 240 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 120 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 4.0 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 14.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C 1.0 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 15 V ∼ 25 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 55 dB 最小 標準 最大 単位 75 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A − 0.8 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 8 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7815NSP (15 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 23 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 14.4 15 15.6 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 18 V ∼ 30 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 14.25 15.75 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 17.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C 11 300 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 20 V ∼ 26 V, Tj = 25°C 3 150 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 12 300 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 150 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 4.0 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 17.5 V ∼ 30 V, Tj = 25°C 1.0 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 18.5 V ∼ 28.5 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 54 dB 最小 標準 最大 単位 90 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A −1.0 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB 9 AN78xxNSP シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C • AN7818NSP (18 V タイプ) Tj = 25°C の指定は , おのおのの試験時間を短く(10 ms 以内)し , チップの接合部の温度上昇分による特性 値のドリフトを無視できる状態での試験を示す。 特に規定のない場合 , VI = 27 V, IO = 500 mA, CI = 0.33 µF, CO = 0.1 µF 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 出力電圧 VO1 Tj = 25°C 17.3 18 18.7 V 出力電圧許容範囲 VO2 VI = 21 V ∼ 33 V, IO = 5 mA ∼ 1 A Tj = 25°C, PD < 5 W 17.1 18.9 V 入力安定度 1 REGIN1 VI = 21 V ∼ 33 V, Tj = 25°C 14 360 mV 入力安定度 2 REGIN2 VI = 24 V ∼ 30 V, Tj = 25°C 4 180 mV 負荷安定度 1 REGL1 IO = 5 mA ∼ 1.5 A, Tj = 25°C 14 360 mV 負荷安定度 2 REGL2 IO = 250 mA ∼ 750 mA, Tj = 25°C 4.0 180 mV バイアス電流 IBias Tj = 25°C 4.1 8 mA バイアス電流入力変動 ∆IBias(IN) VI = 21 V ∼ 33 V, Tj = 25°C 1.0 mA バイアス電流負荷変動 ∆IBias(L) IO = 5 mA ∼ 1 A, Tj = 25°C 0.5 mA VI = 22 V ∼ 32 V, IO = 100 mA, f = 120 Hz 53 dB 最小 標準 最大 単位 110 µV 2 V リップル除去率 RR • 設計参考資料 注 ) 下記特性は設計上の理論値であり , 保証値ではありません。 項目 出力雑音電圧 記号 VNO 条件 f = 10 Hz ∼ 100 kHz 最小入出力電圧差 VDIF(min) IO = 1 A, Tj = 25°C 出力短絡電流 IO(Short) VI = 35 V, Tj = 25°C 700 mA ピーク出力電流 IO(Peak) Tj = 25°C 2.0 A −1.1 mV/°C 150 °C 出力電圧温度係数 過熱保護動作温度 10 ∆VO / Ta IO = 5 mA, Tj = 0°C ∼ 125°C Tj(TH) IO = 5 mA SFF00011BJB AN78xxNSP シリーズ ■ アプリケーションノート 1. SP-3SU パッケージの許容損失 PD T a 6.00 Al基板実装時 (50 × 50 × t2.0 mm3) Rth(j-a) = 25.0°C/W 5.00 許容損失 PD (W) 4.00 ガラエポ基板実装時 2 (50 × 50 × t1.5 mm3) Rth(j-a) = 89.3°C/W 3.00 ガラエポ基板実装時 1 (20 × 20 × t1.7 mm3) Rth(j-a) = 147.0°C/W 2.00 1.40 1.00 0.85 0.70 パッケージ単体 Rth( j-a) = 178.0°C/W 0 0 25 50 75 100 150 125 周囲温度 Ta (°C) 2. 主要特性 最小入出力電圧差負荷電流特性 最小入出力電圧差温度特性 2.000 2 IO = −1 A 1.980 1.6 1.960 1.4 1.940 VDIF(min) (V) VDIF (V) Tj = 25°C 1.8 1.2 1.0 0.8 1.920 1.900 1.880 0.6 1.860 0.4 1.840 0.2 1.820 1.800 −40 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 −20 0 20 40 60 80 100 120 Ta (°C) IO (A) ピーク出力電流温度特性 電流制限特性 6 2.500 Tj = 25°C 5 2.000 VO (V) IO(Peak) (A) 4 1.500 1.000 VI = 30 V 3 VI = 20 V VI = 10 V 2 0.500 0.000 −40 1 −20 0 0 20 40 60 80 100 120 0 Ta (°C) 0.5 1 1.5 2 IO (A) SFF00011BJB 11 AN78xxNSP シリーズ ■ 新外形図(単位 : mm) • SP-3SUA (鉛フリー) (0.50) 1 2.30 1.00±0.20 3 0.75+0.10 -0.05 2.30±0.10 4.60±0.10 12 SFF00011BJB 0.23 M 1.00±0.20 2 (0.50) 2.50±0.20 9.80±0.20 5.50±0.10 (5.30) (2.50) (1.80) 6.50±0.10 5.40±0.10 (4.35) (3.00) 0.10±0.10 0.50+0.10 -0.05 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術で、 「外国為替及び外国貿易法」 に該当するものを輸出する時、 ま たは、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 工業所有 権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。 (3) 本資料に記載されている製品は、 標準用途 — 一般電子機器(事務機器、 通信機器、 計測機器、 家電 製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、 信頼性が要求され、 その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、 人体に危害を及ぼす — 恐れのある用途 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事前に 弊社営業窓口までご相談願います。 (4) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合があ りますのでご了承ください。 したがって、 最終的な設計、 ご購入、 ご使用に際しましては、 事前に最新 の製品規格書または仕様書をお求め願い、 ご確認ください。 (5) 設計に際して、 特に最大定格、 動作電源電圧範囲、 放熱特性については保証範囲内でご使用いただ きますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥につ いては弊社として責任を負いません。 また、 保証値内のご使用であっても、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな いような冗長設計をお願いします。 (6) 防湿包装を必要とする製品につきましては、 個々の仕様書取り交わしの折、 取り決めた条件 (保存 期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、 転載または複製することを堅くお断り いたします。 本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項 A. 本資料は、 お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。 記載されている販売可能な品種および技術情報等は、 予告なく常に更新しておりますので、 ご検討 にあたっては、 早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。 B. 本資料は正確を期し、 慎重に制作したものですが、 記載ミス等の可能性があります。 したがって、 弊 社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。 C. 本資料は、 お客様ご自身でのご利用を意図しております。 したがって、 弊社の文書による許可なく、 インターネットや他のあらゆる手段によって複製、 販売および第三者に提供するなどの行為を禁止 いたします。 2001 MAR