华晶分立器件 3DA6071 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA6071 硅 NPN 型高频大功率晶体管 主要用于低压电源调整电路及一般高频放大电路 其特点如下 饱和压降低 输出特性线性好 反向漏电小 封装形式 TO-126 2.8max 7.8max 符号 VCBO VCEO VEBO IC 额定值 30 30 6 3 1.25 10 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 30 11.1max 3.2max 标 记 1.27 15.0min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参数名称 集电极-基极电压 集电极-发射极电压 发射极-基极电压 最大集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 最高结温 贮存温度 4.4max 2 电特性 0.74 W 1.65 2.29 2.29 B C 0.5 E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 ICB0 IEB0 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 VCB=30V VEB=6V, IC=0 hFEa VCEsata 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 R O VCE=2V IC=1A Y GR IC=2A, IB=200mA VCE=5V, IC=100mA f=10MHz 规 范 值 最小 典型 最大 10 10 60 120 100 200 160 320 200 400 0.5 50 单位 A A V MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DA6071 3 特性曲线 安全工作区(直流) P tot (W) IC (A) Ptot - T 关系曲线 Tcase=25 8 Ptot - Tcase 1 6 4 0.1 Ptot – Tamb 2 0.01 0.1 hFE 0 1 0 V CE(V) 10 hFE - IC 关系曲线 V CEsat(V) 50 100 VCEsat - IC 关系曲线 Tamb=25 VCE=2V Tamb=25 hFE=10 100 1 10 0.1 1 0.01 0.1 1 T( ) Ic (A) 第 2 页 0.01 0.1 共 2 页 1 Ic (A)