ETC 3CA2050

华晶分立器件
3CA2050
高频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3CA2050 硅 PNP 型高频高压晶体管 适用于彩色电视机扫描调速电路及一般高频放大电路
其特点如下
击穿电压高
反向漏电流小
饱和压降低
4.8max
10.4max
封装形式 TO-220F
2.7max
2.7
2 电特性
符号
VCB0
VCE0
VEB0
IC
额定值
180
160
6
1.5
1.5
25
150
-55 150
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
15.5max
3.2
1.2
12.7min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
0.6
W
2.3
0.6
2.54 2.54
B
C
E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
特征频率
a: 脉冲测试 tp 300 s,
ICB0
IEB0
VCB=-180V, IE=0
VEB=-6V, IC=0
hFEa
VCE=-5V
IC=200mA
VCEsata
fT
2%
测 试 条 件
R
O
IC=500mA, IB=50mA
VCE=-10V, IC=50mA
规 范 值
最小
典型 最大
10
10
60
140
100
240
1.0
50
单位
A
A
V
MHz
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3CA2050
3 特性曲线
Ptot - T 关系曲线
安全工作区(直流)
IC (A)
Ptot (W)
Tcase=25
20
Ptot-Tcase
1
15
10
0.1
5
Ptot-Tamb
0.01
1
hFE
0
10
100
0
VCE (V)
100
50
VCEsat - IC 关系曲线
hFE - IC 关系曲线
VCEsat (V)
Tamb=25
IC/IB=10
Tamb=25
VCE=-5V
100
1
10
0.1
1
0.001
0.01
0.1
T( )
IC (A)
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IC (A)