华晶分立器件 3CA2050 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3CA2050 硅 PNP 型高频高压晶体管 适用于彩色电视机扫描调速电路及一般高频放大电路 其特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 饱和压降低 4.8max 10.4max 封装形式 TO-220F 2.7max 2.7 2 电特性 符号 VCB0 VCE0 VEB0 IC 额定值 180 160 6 1.5 1.5 25 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 15.5max 3.2 1.2 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 0.6 W 2.3 0.6 2.54 2.54 B C E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 特征频率 a: 脉冲测试 tp 300 s, ICB0 IEB0 VCB=-180V, IE=0 VEB=-6V, IC=0 hFEa VCE=-5V IC=200mA VCEsata fT 2% 测 试 条 件 R O IC=500mA, IB=50mA VCE=-10V, IC=50mA 规 范 值 最小 典型 最大 10 10 60 140 100 240 1.0 50 单位 A A V MHz 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3CA2050 3 特性曲线 Ptot - T 关系曲线 安全工作区(直流) IC (A) Ptot (W) Tcase=25 20 Ptot-Tcase 1 15 10 0.1 5 Ptot-Tamb 0.01 1 hFE 0 10 100 0 VCE (V) 100 50 VCEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲线 VCEsat (V) Tamb=25 IC/IB=10 Tamb=25 VCE=-5V 100 1 10 0.1 1 0.001 0.01 0.1 T( ) IC (A) 第 2 页 0.01 0.01 共 2 页 0.1 IC (A)