华晶分立器件 3DA4014 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA4014 硅 NPN 型高频大功率晶体管 主要用于音频功放及一般功率输出电路 其特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 频率特性好 封装形式 TO-3P(N) 2 电特性 5.1max 15.80max 额定值 200 160 5 7 3 80 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 3.2 19.5min 符号 VCB0 VCE0 VEB0 IC 20.3max 5.1 2 18.3max 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 1.0 W 2.8 5.45 B 0.6 5.45 C E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=200V, IE=0 VEB=7V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=1A VCEsata IC=3A, IB=0.3A VCE=5V, IC=1A f=3MHz 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 最小 规 范 值 典型 最大 30 30 55 单位 A A 200 3 20 V MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3CA4014 3 特性曲线 Ptot-T 关系曲线 安全工作区(直流) IC (A) Tcase=25 Ptot (W) 48 Ptot-Tcase 1 36 24 0.1 12 Ptot-Tamb 0.01 1 10 100 0 VCE (V) 0 50 100 T( ) VCEsat-IC 关系曲线 hFE-IC 关系曲线 hFE VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 IC/IB=5 1 10 0.1 1 0.1 1 10 IC (A) 第 2 页 0.01 0.1 共 2 页 1 IC (A)