ETC 3CA688

华晶分立器件
3CA688
高频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3CA688 硅 PNP 型高频大功率晶体管 主要用于彩色电视机枕校电路及一般功率输出电路
其特点如下
击穿电压高
反向漏电流小
频率特性好
封装形式 TO-3P(N)
2 电特性
5.1max
15.80max
5.1
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
20.3max
额定值
120
120
5
8
3
80
150
-55 150
3.2
19.5min
符号
VCB0
VCE0
VEB0
IC
18.3max
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
2
1.0
W
2.8
5.45
B
0.6
5.45
C
E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
测 试 条 件
集电极-基极截止电流
ICB0
发射极-基极截止电流
IEB0
共发射极正向电流传输比
hFE
的静态值
集电极-发射极饱和电压
VCEsat
特征频率
fT
脉冲测试 tp 300 s,
2%
VCB=-120V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
hFE 分档
R 55---110
规 范 值
最小 典型 最大
10
10
VCE=-5V, IC=1A
55
IC=5A, IB=0.5A
VCE=-5V, IC=1A
10
单位
A
A
160
2.5
V
MHz
O 80---160
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3CA688
3 特性曲线
Ptot-T 关系曲线
安全工作区(直流)
IC (A)
Ptot (W)
Tcase=25
64
Ptot-Tcase
1
48
32
0.1
16
Ptot-Tamb
0.01
1
10
100
0
VCE (V)
0
50
100
T( )
VCEsat-IC 关系曲线
hFE-IC 关系曲线
hFE
VCEsat (V)
Tamb=25
VCE=-5V
Tamb=25
IC/IB=10
1
100
0.1
10
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IC (A)
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