ETC 3DD128D

华晶分立器件
3DD128D
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
6.9max
16.5max
3DD128D 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器 该产品采用了一种
特殊设计 将保护二极管直接集成在 E C 极之间 既简化了外围线路 又提高了产品自身的可靠
性 其特点如下
击穿电压高 反向漏电流小
4.8max
10.7max
开关速度快
1.4max
3.84
饱和压降低 电流特性好
高温性能好
封装形式 TO-220AB
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
400
700
9
4
2
75
150
-55 150
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
12.5min
2 电特性
2.54
2.54
0.56min
B C E
C
W
B
E
电路等效图
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
小电流下 hFE1 与大电流下
hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
贮存时间
ICB0
IEB0
VCB=700V, IE=0
VEB=9V, IC=0
hFEa
VCE=5V, IC=1A
hFE1/
hFE2
VCE sata
VBE sata
tf
ts
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp 300 s,
测 试 条 件
hFE1. VCE=5V, IC=5mA
hFE2: VCE=5V, IC=1A
最小
规 范 值
典型 最大
0.1
0.1
10
0.75
mA
mA
50
0.9
IC=2A, IB=0. 5A
IC=2A, IB=0.5A
VCC=120V, IC=2A
2IB1=-IB2=0.4A
VCE=10V, IC=500mA
f=1MHz
单位
0.6
1.5
0.8
3.6
5
V
V
s
s
MHz
2%
无锡华晶微电子股份有限公司
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江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510
5800360
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5807228-2268
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2299
传真
0510
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3DD128D
3 特性曲线
安全工作区(直流)
Ptot - T 关系曲线
Ptot (W)
IC (A)
Tcase=25
80
Ptot-Tcase
1
60
40
0.1
20
Ptot-Tamb
0
0.01
1
hFE
10
100
0
VCE (V)
100
T( )
VBEsat - IC 关系曲线
hFE - IC 关系曲线
VBEsat (V)
Tamb=25
VCE=5V
100
50
Tamb=25
IC/IB=4
1.2
0.8
10
0.4
0.01
0.1
1
IC (A)
0.1
VCEsat - IC 关系曲线
Tamb=25
IC/IB =4
VCEsat (V)
1
0.1
0.01
0.1
1
IC (A)
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IC (A)