华晶分立器件 3DD128D 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 6.9max 16.5max 3DD128D 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器 该产品采用了一种 特殊设计 将保护二极管直接集成在 E C 极之间 既简化了外围线路 又提高了产品自身的可靠 性 其特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 4.8max 10.7max 开关速度快 1.4max 3.84 饱和压降低 电流特性好 高温性能好 封装形式 TO-220AB 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC 额定值 400 700 9 4 2 75 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 12.5min 2 电特性 2.54 2.54 0.56min B C E C W B E 电路等效图 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 下降时间 贮存时间 ICB0 IEB0 VCB=700V, IE=0 VEB=9V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=1A hFE1/ hFE2 VCE sata VBE sata tf ts 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 hFE1. VCE=5V, IC=5mA hFE2: VCE=5V, IC=1A 最小 规 范 值 典型 最大 0.1 0.1 10 0.75 mA mA 50 0.9 IC=2A, IB=0. 5A IC=2A, IB=0.5A VCC=120V, IC=2A 2IB1=-IB2=0.4A VCE=10V, IC=500mA f=1MHz 单位 0.6 1.5 0.8 3.6 5 V V s s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5800360 第 1 页 5807228-2268 共 2 页 2299 传真 0510 华晶分立器件 3DD128D 3 特性曲线 安全工作区(直流) Ptot - T 关系曲线 Ptot (W) IC (A) Tcase=25 80 Ptot-Tcase 1 60 40 0.1 20 Ptot-Tamb 0 0.01 1 hFE 10 100 0 VCE (V) 100 T( ) VBEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲线 VBEsat (V) Tamb=25 VCE=5V 100 50 Tamb=25 IC/IB=4 1.2 0.8 10 0.4 0.01 0.1 1 IC (A) 0.1 VCEsat - IC 关系曲线 Tamb=25 IC/IB =4 VCEsat (V) 1 0.1 0.01 0.1 1 IC (A) 第 2 页 共 2 页 1 IC (A)